有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。該設(shè)備可以包括具有顯現(xiàn)圖案的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域的基底。該設(shè)備包括具有設(shè)置在顯示區(qū)域中并且順序地堆疊在基底上的第一電極、中間層和第二電極的有機(jī)發(fā)光單元。該設(shè)備還包括：第一無機(jī)膜，包括具有第一粘度轉(zhuǎn)變溫度的第一低溫粘度轉(zhuǎn)變(LVT)無機(jī)材料，并且覆蓋有機(jī)發(fā)光單元；第二無機(jī)膜，包括具有比第一粘度轉(zhuǎn)變溫度低的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度的第二LVT無機(jī)材料，并且形成在非顯示區(qū)域中。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
[0001] 本申請要求于2013年7月12日提交的第10-2013-0082441號韓國專利申請的權(quán) 益，該韓國專利申請通過引用包含于此，以用于如這里所充分闡述的所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示 設(shè)備的方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)射型裝置，并且不僅提供寬視角和優(yōu)異的對比度，而且 還具有諸如快速響應(yīng)時(shí)間、優(yōu)異的亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓以及優(yōu)異的響應(yīng)速度的特性。另 夕卜，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備能夠顯現(xiàn)多種顏色。
[0004] 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括具有下電極、有機(jī)層和上電極的有機(jī)發(fā)光單元。由于 有機(jī)發(fā)光單元非常易受諸如氧和濕氣的外部環(huán)境影響，因此使用了用于包封有機(jī)發(fā)光單元 而使其不受外部環(huán)境影響的包封結(jié)構(gòu)。
[0005] 同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備需要變薄和/或是柔性的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有牢固的薄膜包封結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè) 備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0007] 本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中被闡述，并且部分地通過描述將是清楚的， 或者可以通過本發(fā)明的實(shí)施而了解。
[0008] 簡單地通過說明若干個具體實(shí)施例和實(shí)現(xiàn)方式（包括被設(shè)想為執(zhí)行本發(fā)明的最 佳模式），本發(fā)明的其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)從下面的詳細(xì)描述容易清楚。本發(fā)明也能夠具有 其他不同的實(shí)施例，并且在全部不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在各明顯方面 對其多個細(xì)節(jié)進(jìn)行修改。因此，附圖和描述在本質(zhì)上將被認(rèn)為是說明性的，而不是限制性 的。
[0009] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器。顯示器包括具有顯示區(qū)域和 在顯示區(qū)域外部的非顯示區(qū)域的基底。顯示器包括設(shè)置在顯示區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光單元。有 機(jī)發(fā)光單元包括設(shè)置在顯示區(qū)域中并且順序地堆疊在基底上的第一電極、中間層和第二電 極。顯示器包括具有第一低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT)無機(jī)材料的第一無機(jī)膜。第一 LVT無機(jī)材料 包括第一粘度轉(zhuǎn)變溫度。第一無機(jī)膜覆蓋有機(jī)發(fā)光單元。顯示器還包括具有第二LVT無機(jī) 材料的第二無機(jī)膜。第二LVT無機(jī)材料包括比第一粘度轉(zhuǎn)變溫度低的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度。 第二無機(jī)膜形成在非顯示區(qū)域上。
[0010] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。所述方法包括通 過在基底的顯示區(qū)域上順序地堆疊第一電極、中間層和第二電極來形成有機(jī)發(fā)光單元。所 述方法包括形成覆蓋有機(jī)發(fā)光單元的第一無機(jī)膜，第一無機(jī)膜包括具有第一粘度轉(zhuǎn)變溫度 的第一低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT)無機(jī)材料。所述方法還包括在基底的非顯示區(qū)域上形成第二無 機(jī)膜，第二無機(jī)膜包括具有比第一粘度轉(zhuǎn)變溫度低的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度的第二LVT無機(jī)材 料。
[0011] 將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，并意 圖提供對所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理，包括 附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖被納入并構(gòu)成該說明書的一部分。
[0013] 圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。
[0014] 圖2是沿圖1的線X-X'截取的剖視圖。
[0015] 圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。
[0016] 圖4至圖7是描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的 示圖。
[0017] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的工藝的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。在下面的 描述中，出于解釋的目的，為了提供對本發(fā)明的徹底的理解闡述了許多具體的細(xì)節(jié)。然而， 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，在不存在這些具體的細(xì)節(jié)或者利用等同布置的情況下，可 以實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，以框圖形式示出了公知的結(jié)構(gòu)和裝置，從而避免使本發(fā)明不 必要地模糊。
[0019] 為了清楚理解本發(fā)明的一個或更多個實(shí)施例，沒有示出或描述或者簡單地示出或 描述無關(guān)的元件。另外，為了清楚，可能在附圖中夸大層和區(qū)域的厚度和面積。
[0020] 另外，在附圖中，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。術(shù)語"第一"和"第二"等不具 有限制性的含義，而是被用來將一個元件與另一元件區(qū)分開。還將理解的是，當(dāng)諸如層、區(qū) 域或元件的部分被稱為"在"另一部分"上"時(shí)，該部分可以直接在所述另一部分上，或者也 可以存在中間部分。
[0021] 將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"在"另一元件或?qū)?上"或者"連接到"另一元件 或?qū)訒r(shí)，該元件可以直接在所述另一元件或?qū)由?，或者直接連接到所述另一元件或?qū)樱蛘?可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為"直接在"另一元件或?qū)?上"或者"直接連接 至IJ "另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間元件或?qū)印?br> [0022] 將理解的是，出于該公開的目的，"X、Y和Z中的至少一個（種）"可以被解釋為僅 X、僅Υ、僅Ζ或者X、Υ和Ζ中的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意組合（例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ΖΖ)。
[0023] 圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1的平面 圖，圖2是沿圖1的線Χ-Χ'截取的剖視圖。
[0024] 參照圖1和圖2,有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1可以包括基底100、有機(jī)發(fā)光單元200和覆 蓋有機(jī)發(fā)光單元200的包封單元300。
[0025] 基底100可以被分成顯現(xiàn)圖像的顯示區(qū)域（DA)和圍繞顯示區(qū)域（DA)的非顯示區(qū) 域（NDA)。
[0026] 顯現(xiàn)圖像的有機(jī)發(fā)光單元200設(shè)置在顯示區(qū)域（DA)上。
[0027] 有機(jī)發(fā)光單元200可以包括可以順序地堆疊在基底100上的第一電極（未示出）、 中間層（未示出）和第二電極（未示出）。
[0028] 電源布線單元（未示出）、驅(qū)動器集成電路（1C)(未示出）可以設(shè)置在顯示區(qū)域 (DA)外部的非顯示區(qū)域（NDA)上。
[0029] 例如，第一無機(jī)膜310可以形成在基底100的顯示區(qū)域（DA)上以覆蓋有機(jī)發(fā)光單 元200。另外，第二無機(jī)膜320可以形成為覆蓋基底100的非顯示區(qū)域（NDA)。
[0030] 第一無機(jī)膜310和第二無機(jī)膜320可以是具有不同的粘度轉(zhuǎn)變溫度的無機(jī)膜，盡 管具有高粘度轉(zhuǎn)變溫度仍具有高透射率的第一無機(jī)膜310可以形成在顯示區(qū)域（DA)上， 盡管具有低透射率仍具有低粘度轉(zhuǎn)變溫度的第二無機(jī)膜320可以形成在非顯示區(qū)域（NDA) 上。
[0031] 第二無機(jī)膜320可以形成為同時(shí)接觸第一無機(jī)膜310,但是本發(fā)明的示例性實(shí)施 例不限于此。例如，第二無機(jī)膜320可以形成為覆蓋第一無機(jī)膜310的預(yù)定區(qū)域。
[0032] 非顯示區(qū)域（NDA)是不顯現(xiàn)圖像的區(qū)域，并且盡管透射率低但是非顯示區(qū)域 (NDA)不影響有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1的操作。因此，通過形成與第一無機(jī)膜310相比具有低粘 度轉(zhuǎn)變溫度的第二無機(jī)膜320,可以提高第二無機(jī)膜320的密封效果，因此可以防止由來自 有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備1的側(cè)部的諸如氧或濕氣的外部濕氣傳輸導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光單兀200劣化。
[0033] 第一無機(jī)膜310和第二無機(jī)膜320可以包括低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT)無機(jī)材料。
[0034] 這里，術(shù)語"粘度轉(zhuǎn)變溫度"并不是指LVT無機(jī)材料的粘度從"固態(tài)"完全變成"液 態(tài)"的溫度，而是指賦予LVT無機(jī)材料以流動性的最小溫度。
[0035] 包括在被形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光單元200的第一無機(jī)膜310中的第一 LVT無機(jī)材料 可以具有等于或高于200°C的第一粘度轉(zhuǎn)換溫度。
[0036] 第一 LVT無機(jī)材料可以包括氧化錫（SnO)以及氧化磷（P205)、磷酸硼（ΒΡ04)、氟 化錫（SnF 2)、氧化鈮（NbO或Nb205)、氟化鉛（PbF2)、氧化硅（Si0 2)、氧化鎢（W03)、氧化銦 (Ιη203)、氧化鉍（Bi 203)、氧化鋅（ZnO)和氧化硼（B203)中的至少一種。
[0037] 例如，第一 LVT無機(jī)材料可以包括：
[0038] -SnO 和 P205 ;
[0039] -SnO、P205 和 B2〇3 ;
[0040] -SnO、P205 和 SnF2 ;或
[0041] -Sn0、P205、B20 3 和 SnF2，但是不限于此。
[0042] 例如，第一 LVT無機(jī)材料可以具有下列成分，但是第一 LVT無機(jī)材料的材料和成分 不受限制，只要第一 LVT無機(jī)材料具有等于或高于200°C的第一粘度轉(zhuǎn)變溫度即可。
[0043] 1) SnO (60 至 80mol % )和 P205 (20 至 40mol % );
[0044] 2)5110(60至80111〇1%)、？205(10 至20111〇1%)和8203(10 至20111〇1%)(這里，5110、 P205 和 B203 的總和為 lOOrnol % );
[0045] 3) SnO (40 至 60mol % )、P205 (20 至 40mol % )和 SnF2 (1 至 20mol % )(這里，SnO、 P205和SnF2的總和為lOOrnol% );或
[0046] 4) SnO (40 至 60mol % )、P205 (10 至 20mol % )、B2〇3 (10 至 20mol % )和 SnF2 (1 至 20mol % )(這里，SnO、P205、B203 和 SnF2 的總和為 lOOmol % )。
[0047] 在形成第一無機(jī)膜310的同時(shí)，執(zhí)行第一加熱操作以防止由濕氣或氧導(dǎo)致的缺 陷。
[0048] 在等于或高于第一 LVT無機(jī)材料的第一粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下執(zhí)行第一加熱操 作。例如，可以通過熱處理形成在顯示區(qū)域（DA)上的第一預(yù)無機(jī)膜來執(zhí)行第一加熱操作， 從而在等于或高于第一粘度轉(zhuǎn)變溫度并且低于包括在有機(jī)發(fā)光單元200中的材料的變性 溫度（degeneration temperature)的溫度下形成第一無機(jī)膜310。
[0049] 通過執(zhí)行第一加熱操作，可以使包括在第一預(yù)無機(jī)膜中的第一 LVT無機(jī)材料流態(tài) 化。流態(tài)化的第一 LVT無機(jī)材料可以具有流動性。因此，在第一加熱操作期間，流態(tài)化的第 一 LVT無機(jī)材料可以流動并且填充在第一預(yù)無機(jī)膜的針孔中。
[0050] 結(jié)果，去除了第一預(yù)無機(jī)膜的缺陷，因此可以形成具有致密膜質(zhì)量的第一無機(jī)膜 310。
[0051] 第一無機(jī)膜310的厚度可以為大約1 μ m至大約30 μ m，例如，大約1 μ m至大約 5 μ m。這里，當(dāng)?shù)谝粺o機(jī)膜310的厚度在大約1 μ m至大約5 μ m的范圍內(nèi)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)具有 彎曲特性的柔性有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0052] 包括在形成為覆蓋非顯示區(qū)域（NDA)的第二無機(jī)膜320中的第二LVT無機(jī)材料具 有比120°C低的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度。例如，第二LVT無機(jī)材料的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度可以等于 或高于80°C，例如，80°C至120°C，但是不限于此。
[0053] 在一些示例中，第二LVT無機(jī)材料可以是一種化合物或者兩種或更多種化合物的 混合物。
[0054] 第二LVT無機(jī)材料可以包括氧化錫，例如SnO或Sn02。
[0055] 當(dāng)?shù)诙﨤VT無機(jī)材料包括SnO時(shí)，SnO的量可以為大約20wt %至大約100wt %。
[0056] 例如，第二LVT無機(jī)材料可以包括氧化磷（P205)、磷酸硼（ΒΡ0 4)、氟化錫（SnF2)、 氧化銀（NbO或Nb205)、氟化鉛（PbF 2)、氧化娃（Si02)、氧化鶴（W03)、氧化銦（Ιη20 3)、氧化秘 (Bi203)、氧化鋅（ZnO)和氧化硼（B20 3)中的至少一種以及氧化錫。
[0057] 例如，第二LVT無機(jī)材料可以包括：
[0058] -SnO ；
[0059] -SnO 和 ΒΡ04 ;
[0060] -SnO、SnF2 和 P205 ;
[0061] -SnO、SnF2、P205 和 NbO ;或
[0062] -SnO、SnF2、P205 和 W03,但是不限于此。
[0063] 例如，第二LVT無機(jī)材料可以具有下列成分，但是第二LVT無機(jī)材料的材料和成分 不受限制，只要第二LVT無機(jī)材料具有低于120°C的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度即可。
[0064] 1) SnO (lOOrnol % )；
[0065] 2) SnO (90mol % )和 BP04 (10mol % );
[0066] 3)5110(32.5至42.5111〇1%)、51^2(35至50111〇1%)和？20 5(15 至25111〇1%)(這里， SnO、SnF2 和 P205 的總和為 lOOrnol% );
[0067] 4) SnO (20 至 50mol % )、SnF2 (30 至 60mol % )、P205 (10 至 30mol % )和 NbO (1 至 5mol % )(這里，SnO、SnF2、P205 和 NbO 的總和為 lOOmol % );或
[0068] 5) SnO (20 至 50mol % )、SnF2 (30 至 60mol % )、P205 (10 至 30mol % )和 W03 (1 至 5mol % )(這里，SnO、SnF2、P205 和 W03 的總和為 lOOmol % )。
[0069] 第二無機(jī)膜320會包括諸如膜形成元素或針孔的缺陷，并且在儲存和操作有機(jī)發(fā) 光顯示設(shè)備1時(shí)，這樣的缺陷會用作諸如濕氣或氧的外部環(huán)境材料的移動通道，從而導(dǎo)致 越來越嚴(yán)重的暗點(diǎn)（progressive dark spot)。因此，會使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1的壽命縮 短。
[0070] 因此，在形成第二無機(jī)膜320的同時(shí)，執(zhí)行去除這樣的缺陷的第二加熱操作。
[0071] 在等于或高于第二LVT無機(jī)材料的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下執(zhí)行第二加熱操 作。例如，可以通過對形成在非顯示區(qū)域（NDA)上的第二預(yù)無機(jī)膜進(jìn)行熱處理來執(zhí)行第二 加熱操作，從而在等于或高于第二LVT無機(jī)材料的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度且低于包括在有機(jī)發(fā) 光單元200中的材料的變性溫度的溫度下形成第二無機(jī)膜320。
[0072] 例如，可以通過在120°C至150°C的溫度下對形成在非顯示區(qū)域（NDA)上的第二預(yù) 無機(jī)膜進(jìn)行熱處理1小時(shí)至3小時(shí)（例如，在130°C下熱處理2小時(shí)）來執(zhí)行第二加熱操 作，但是不限于此。當(dāng)?shù)诙訜岵僮鞯臏囟仍谏鲜龇秶鷥?nèi)時(shí)，第二預(yù)無機(jī)膜的第二LVT無機(jī) 材料可以被流態(tài)化，因此可以防止有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1的邊緣缺陷。
[0073] 為了防止有機(jī)發(fā)光單元200被暴露至外部環(huán)境，可以在真空或惰性氣體（N2或Ar) 氣氛下在紅外線（IR)爐中執(zhí)行第二加熱操作。
[0074] 通過執(zhí)行第二加熱操作，可以使包括在第二預(yù)無機(jī)膜中的第二LVT無機(jī)材料流態(tài) 化。流態(tài)化的第二LVT無機(jī)材料可以具有流動性。因此，在第二加熱操作期間，流態(tài)化的第 二LVT無機(jī)材料可以流動并填充在第二預(yù)無機(jī)膜的針孔中，膜形成元素可以被流態(tài)化并填 充在針孔中。
[0075] 結(jié)果，可以去除第二預(yù)無機(jī)膜的缺陷，因此可以形成具有致密膜質(zhì)量的第二無機(jī) 膜 320。
[0076] 第二無機(jī)膜320的厚度可以為大約Ιμ--至大約30μ--，例如，大約Ιμ--至大約 5 μ m。這里，當(dāng)?shù)诙o機(jī)膜320的厚度在大約1 μ m至大約5 μ m的范圍內(nèi)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)具有 彎曲特性的柔性有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0077] 由于第二無機(jī)膜320可以是如上所述的薄膜，因此第二無機(jī)膜320可以有助于實(shí) 現(xiàn)具有彎曲特性的柔性有機(jī)發(fā)光設(shè)備。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有長壽命和彎曲特性的有機(jī)發(fā)光 設(shè)備。
[0078] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過分別在顯示區(qū)域（DA)和非顯示區(qū)域（NDA)上形 成具有不同的粘度轉(zhuǎn)變溫度的第一無機(jī)膜310和第二無機(jī)膜320,可以防止在有機(jī)發(fā)光顯 示設(shè)備1的邊緣附近產(chǎn)生諸如暗點(diǎn)的缺陷。
[0079] 還可以在有機(jī)發(fā)光單元200的第二電極200c上形成有機(jī)膜210。在有機(jī)發(fā)光單元 200上通過薄膜包封形成第一無機(jī)膜310時(shí)，有機(jī)膜210用作用于防止第二電極200c被損 壞的保護(hù)層。
[0080] 當(dāng)有機(jī)發(fā)光單元200是光朝著第二電極200c發(fā)光的頂部發(fā)射型時(shí)，有機(jī)膜210 由透明的且具有高折射率的材料形成，從而執(zhí)行折射率匹配。有機(jī)膜210可以由氟化鋰 (LiF)、8-羥基喹啉-鋰（Liq)和三（8-羥基-喹啉）鋁（Alq 3)中的至少一種形成。有機(jī) 膜210還可以形成在基底100上，也可以形成在有機(jī)發(fā)光單元200的頂表面上。有機(jī)膜210 可以是均勻的膜，從而密封整個有機(jī)發(fā)光單元200。
[0081] 另外，為了促進(jìn)有機(jī)膜210和第一無機(jī)膜310之間的粘附，還可以在第一無機(jī)膜 310和有機(jī)膜210之間設(shè)置粘附促進(jìn)膜220。粘附促進(jìn)膜220可以包括金屬氧化物和有機(jī) 金屬化合物中的至少一種。
[0082] 圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。 由于圖3的與圖1的組件相對應(yīng)的組件執(zhí)行與圖1的組件的功能相同或相似的功能，因此 這里不再重復(fù)其的細(xì)節(jié)。
[0083] 當(dāng)圖3的非顯示區(qū)域（NDA)沒有足夠的空間來形成第二無機(jī)膜320時(shí)，在第一基 底100a的非顯示區(qū)域（NDA1)和第二基底100b的非顯示區(qū)域（NDA2)的整個區(qū)域上形成第 二無機(jī)膜320'。
[0084] 在非顯示區(qū)域（NDA1和NDA2)上形成第二無機(jī)膜320'之后，可以對第二無機(jī)膜 320'和基底100執(zhí)行切割操作，從而得到多個有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0085] 圖4至圖7是描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的 示圖。
[0086] 參照圖4,首先，制備基底100。基底100可以是通常用于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的 基底?；?00可以由具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、優(yōu)異的表面平坦性、優(yōu)異的 易處理性以及優(yōu)異的防水性的材料形成。
[0087] 基底100可以由諸如玻璃、塑料、金屬或碳纖維的剛性材料形成。可選擇地，當(dāng)有 機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是柔性的時(shí)，基底100可以由諸如聚酰亞胺（PI)或聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)的柔性材料形成。
[0088] 參照圖5,在基底100上形成有機(jī)發(fā)光單元200。有機(jī)發(fā)光單元200可以具有第一 電極200a、中間層200b和第二電極200c從基底100順序地堆疊的結(jié)構(gòu)。
[0089] 可以通過沉積方法或?yàn)R射方法在基底100上設(shè)置第一電極材料來形成第一電極 200a。當(dāng)?shù)谝浑姌O200a是陽極時(shí)，下電極材料可以是具有高功函數(shù)的材料，從而易于空 穴注入。根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的類型，第一電極200a可以是反射電極、半反射電極或 透射電極。第一電極材料可以是透明的并具有優(yōu)異的導(dǎo)電性的氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅 (ΙΖ0)、氧化錫（Sn0 2)或氧化鋅（ZnO)?？蛇x擇地，當(dāng)使用鎂（Mg)、鋁（A1)、鋁-鋰（Al-Li)、 鈣（Ca)、鎂-銦（Mg-In)或鎂-銀（Mg-Ag)時(shí)，第一電極200a可以是反射電極。
[0090] 第一電極200a可以具有單層結(jié)構(gòu)或者兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極 200a可以具有IT0/Ag/IT0的三層結(jié)構(gòu)，從而得到頂部發(fā)射型設(shè)備，但是不限于此。
[0091] 中間層200b可以形成在第一電極200a上。
[0092] 中間層200b可以包括空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、同時(shí)用作HIL和HTL 的功能層、緩沖層、電子阻擋層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層（ETL)以及電子注入層 (EIL)中的至少一種。
[0093] 例如，中間層200b可以包括下面的化合物301、化合物311和化合物321中的至少 一種。
[0094] 式子 1
[0095]
[0096] 式子 2

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括： 基底，包括顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域外部的非顯示區(qū)域； 有機(jī)發(fā)光單元，設(shè)置在顯示區(qū)域中，有機(jī)發(fā)光單元包括順序地堆疊在基底上的第一電 極、中間層和第二電極； 第一無機(jī)膜，覆蓋有機(jī)發(fā)光單兀，第一無機(jī)膜包括具有第一粘度轉(zhuǎn)變溫度的第一低溫 粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料；以及 第二無機(jī)膜，形成在非顯示區(qū)域上，第二無機(jī)膜包括具有比第一粘度轉(zhuǎn)變溫度低的第 二粘度轉(zhuǎn)變溫度的第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一粘度轉(zhuǎn)變溫度等于或高于至少 200°C，第二粘度轉(zhuǎn)變溫度在80°C至120°C的范圍內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括 60mo 1 % 至 80mo 1 % 的 SnO 和 20mo 1 % 至 40mo 1 % 的 P205。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括 32. 5mol %至 42. 5mol % 的 Sn0、35mol %至 50mol % 的 SnF2 以及 15mol %至 25mol % 的 P205, 其中，SnO mol^^P^mol%和 Sr^mol%的總和為 lOOmol%。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二無機(jī)膜接觸第一無機(jī)膜或覆蓋 第一無機(jī)膜的區(qū)域。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，基底是柔性基底。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括： 有機(jī)膜，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光單元上；以及 粘附促進(jìn)膜，設(shè)置在有機(jī)膜上。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有機(jī)膜進(jìn)一步設(shè)置在基底上。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，粘附促進(jìn)膜包括金屬氧化物和有機(jī) 金屬化合物中的至少一種。
10. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，粘附促進(jìn)膜和第一無機(jī)膜設(shè)置在基 底上。
11. 一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括： 通過在基底的顯示區(qū)域上順序地堆疊第一電極、中間層和第二電極來形成有機(jī)發(fā)光單 元； 形成覆蓋有機(jī)發(fā)光單元的第一無機(jī)膜，第一無機(jī)膜包括具有第一粘度轉(zhuǎn)變溫度的第一 低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料；以及 在基底的非顯示區(qū)域上形成第二無機(jī)膜，第二無機(jī)膜包括具有比第一粘度轉(zhuǎn)變溫度低 的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度的第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第一無機(jī)膜包括： 在有機(jī)發(fā)光單元上形成第一預(yù)無機(jī)膜，第一預(yù)無機(jī)膜包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材 料；以及 在等于或高于第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第一粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下加熱第一預(yù) 無機(jī)膜。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第二無機(jī)膜包括： 通過在非顯示區(qū)域上設(shè)置第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料來形成第二預(yù)無機(jī)膜；以及 在等于或高于第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第二粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下加熱第二預(yù) 無機(jī)膜。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第一粘度轉(zhuǎn)變溫度等于或高于至少200°C，第二 粘度轉(zhuǎn)變溫度在80°C至120°C的范圍內(nèi)。
15. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括60mol %至 80mol % 的 SnO 和 20mol % 至 40mol % 的 P205。
16. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括32. 5mol % 至 42. 5mol % 的 Sn0、35mol % 至 50mol % 的 SnF2 以及 15mol % 至 25mol % 的 P205，其中， SnOmo 1 %、P205mo 1 % 和 SnF2mo 1 % 的總和為 1 OOmo 1 %。
17. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第二無機(jī)膜接觸第一無機(jī)膜或者覆蓋第一無機(jī) 膜的區(qū)域。
18. 如權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括： 在有機(jī)發(fā)光單元上形成有機(jī)膜；以及 在有機(jī)膜上形成包括金屬氧化物和有機(jī)金屬化合物中的至少一種的粘附促進(jìn)膜，粘附 促進(jìn)膜設(shè)置在有機(jī)膜和第一無機(jī)膜之間。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，有機(jī)膜進(jìn)一步形成在基底上。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，有機(jī)膜和第一無機(jī)膜進(jìn)一步形成在基底上。
【文檔編號】H01L51/56GK104282726SQ201410333804
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】李雄洙, 金勛, 樸鎮(zhèn)宇, 崔修赫, 李在先, 崔宰赫 申請人:三星顯示有限公司