背照式圖像傳感器中的像素隔離結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的系統(tǒng)和方法。一種示例圖像傳感器包括第一像素、第二像素和隔離結(jié)構(gòu)。第一像素設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。第二像素設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置為將第二像素與第一像素分隔開并且從襯底的背側(cè)向著襯底的前側(cè)延伸。隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于襯底的前側(cè)的側(cè)壁。本發(fā)明提供背照式圖像傳感器中的像素隔離結(jié)構(gòu)。
【專利說明】背照式圖像傳感器中的像素隔離結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本專利文件中描述的技術(shù)通常涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及圖像傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]圖像傳感器通常包括像素陣列，并且可以使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造。CMOS圖像傳感器可以從硅管芯的前側(cè)(或頂側(cè))照明。因為與CMOS工藝相關(guān)的各種部件(諸如金屬化層、多晶硅層和擴散層)通常制造在硅管芯的前側(cè)上，所以前照式圖像傳感器的像素區(qū)通常部分地變得模糊，這導(dǎo)致到達像素內(nèi)的光敏區(qū)的光的損失和圖像傳感器的整體靈敏度的降低。背照式(BSI)CMOS圖像傳感器允許從傳感器的背側(cè)(或底側(cè))收集光。傳感器的背側(cè)相對地不會被CMOS工藝中涉及的許多介電層和/或金屬層阻礙，并因此可以提高圖像傳感器的整體靈敏度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種包括像素陣列的背照式圖像傳感器，包括:第一像素，設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；第二像素，設(shè)置在所述襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述第二像素與所述第一像素分隔開，所述第一隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第一側(cè)壁。
[0004]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一像素和所述第二像素形成在具有〈110〉晶體取向的硅襯底上。
[0005]在上述圖像傳感器中，其中，所述襯底的厚度為約I微米至約3微米。
[0006]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一側(cè)壁的晶體取向為大約〈111〉。
[0007]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽。
[0008]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括填充在所述凹槽中的一種或多種介電材料。
[0009]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽，其中，所述凹槽包括由多個側(cè)壁和所述側(cè)壁之間的基底跨距限定的空隙。
[0010]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽，其中，所述凹槽具有介于約50nm至約IlOnm的范圍內(nèi)的寬度和介于約I微米至約3微米之間的深度。
[0011]在上述圖像傳感器中，其中，所述第一像素還包括:光敏區(qū)；半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述光敏區(qū)分隔開，所述第二隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第二側(cè)壁。
[0012]在上述圖像傳感器中，還包括:第三像素，設(shè)置在所述襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述圖像傳感器的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述第三像素與所述第二像素分隔開，所述第二隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第二側(cè)壁。
[0013]在上述圖像傳感器中，還包括:第三像素，設(shè)置在所述襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述圖像傳感器的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述第三像素與所述第二像素分隔開，所述第二隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第二側(cè)壁，其中:所述第三像素形成在所述襯底上；以及所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括在所述襯底的背側(cè)上具有開口的凹槽。
[0014]在上述圖像傳感器中，還包括:第三像素，設(shè)置在所述襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述圖像傳感器的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述第三像素與所述第二像素分隔開，所述第二隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第二側(cè)壁，其中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)包括填充在所述凹槽中的一種或多種介電材料。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種背照式圖像傳感器，包括:光敏區(qū)，形成為鄰近襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述光敏區(qū)與所述圖像傳感器的其他區(qū)域分隔開，所述隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的側(cè)壁。
[0016]在上述圖像傳感器中，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的方法，所述方法包括:在襯底上形成第一像素和第二像素以響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及通過使用化學溶液在所述襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成隔離結(jié)構(gòu)以將所述第二像素與所述第一像素分隔開。
[0018]在上述圖像傳感器中，其中，所述襯底包括晶體取向為〈110〉的硅晶圓。
[0019]在上述圖像傳感器中，其中，形成所述隔離結(jié)構(gòu)包括:通過在所述襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成凹槽。
[0020]在上述圖像傳感器中，其中，所述凹槽包括由多個側(cè)壁和所述側(cè)壁之間的基底跨距限定的空隙。
[0021]在上述圖像傳感器中，其中，形成所述隔離結(jié)構(gòu)包括:通過在所述襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成凹槽，其中，形成所述隔離結(jié)構(gòu)還包括:以一種或多種介電材料填充所述凹槽。
[0022]在上述圖像傳感器中，其中，形成所述隔離結(jié)構(gòu)包括:通過在所述襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成凹槽，其中，通過使用氫氧化鉀(KOH)溶液或四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液蝕刻來形成所述凹槽。
[0023]根據(jù)本文中描述的教導(dǎo)，提供了用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的系統(tǒng)和方法。一種示例圖像傳感器包括第一像素、第二像素和隔離結(jié)構(gòu)。第一像素設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。第二像素設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置為將第二像素和第一像素分隔開并且從襯底的背側(cè)向著襯底的前側(cè)延伸。隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于襯底的前側(cè)的側(cè)壁。
[0024]在一個實施例中，一種背照式圖像傳感器包括光敏區(qū)和隔離結(jié)構(gòu)。光敏區(qū)形成為鄰近襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置為將光敏區(qū)與圖像傳感器的其他區(qū)域分隔開，隔離結(jié)構(gòu)從襯底的背側(cè)向著襯底的前側(cè)延伸，其中，隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于襯底的前側(cè)的側(cè)壁。
[0025]在另一個實施例中，提供了一種用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的方法。例如，在襯底上形成第一像素和第二像素以響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。通過使用化學溶液在襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成隔離結(jié)構(gòu)以將第二像素與第一像素分隔開。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1示出了背照式(BSI)圖像傳感器的示例圖。
[0027]圖2示出了具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的示例圖。
[0028]圖3示出了具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的另一示例圖。
[0029]圖4A至圖4D示出了用于制造具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的示例圖。
[0030]圖5示出了示出在〈110〉硅襯底上形成的深凹槽的示例圖。
[0031]圖6A至圖6D示出了具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的像素的示例圖。
[0032]圖7示出了用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的示例性流程圖。

【具體實施方式】
[0033]圖1示出了背照式(BSI)圖像傳感器的示例圖。圖像傳感器100包括諸如像素102和104的像素陣列。例如,可以通過隔離結(jié)構(gòu)和淺溝槽隔離區(qū)110將像素102與像素104分隔開，隔離結(jié)構(gòu)包括深P阱106和單元P阱108。然而，這樣的隔離結(jié)構(gòu)不能有效地降低不期望的影響-串擾(即，響應(yīng)于被鄰近的像素俘獲的入射光而在像素中產(chǎn)生的電子空穴對)，串擾降低圖像傳感器的輸出的色彩保真度。例如，像素102和深P阱106之間的勢壘可能不足以防止像素102中產(chǎn)生的電子/空穴漂移或擴散至鄰近的像素104。此外，入射光可以傳輸穿過微透鏡114、濾色鏡116和底部抗反射涂層(BARC) 118并且進入深P阱106中。深P阱106中產(chǎn)生的電子/空穴可以漂移或擴散至像素102或鄰近的像素104，這可以導(dǎo)致更多的噪聲。
[0034]圖2示出了具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的示例圖。如圖2所示，圖像傳感器200可以包括諸如像素202和204的像素陣列。隔離結(jié)構(gòu)206可以實現(xiàn)為將像素202與像素204分隔開。在一些實施例中，可以通過使用化學溶液在圖像傳感器200的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成隔離結(jié)構(gòu)206。例如，隔離結(jié)構(gòu)206可以包括通過濕蝕刻晶體取向為〈110〉的硅襯底形成的深凹槽?？梢酝ㄟ^多個側(cè)壁和側(cè)壁之間的基底跨距限定凹槽(例如，如圖5所示)。作為一個實例，氫氧化鉀(KOH)溶液或四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液可以用于蝕刻硅襯底。
[0035]在一個實施例中，可以使用外延生長制造圖像傳感器200的像素(例如，像素202和204)，圖像傳感器200的像素類似于圖1中示出的像素。例如，圖像傳感器200的像素可以包括漸進式N型摻雜分布。如圖3所示，在另一個實施例中，可以使用注入(例如，P型注入)制造圖像傳感器200的像素，其中，可以將濾色鏡302和微透鏡304放置在玻璃襯底306 上。
[0036]圖4A至圖4D示出了用于制造具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的示例圖。如圖4A所示，〈110〉硅襯底402可以用于制造BSI圖像傳感器。例如，可以對硅襯底402實施諸如光刻、蝕刻和金屬沉積的一個或多個CMOS工藝。結(jié)果，可以在襯底402上形成淺溝槽隔離區(qū)404、浮動?xùn)艠O結(jié)構(gòu)406和多層互連結(jié)構(gòu)408。例如，可以通過一個或多個晶圓接合工藝將產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)附接至載具晶圓410 (例如，玻璃板)。例如，可以使用化學機械拋光/平坦化工藝將硅襯底402削減至預(yù)定厚度。作為一個實例，可以將硅襯底402的厚度削減至約I微米至約3微米。
[0037]如圖4B所示，可以在襯底402的背側(cè)上沉積抗反射層412。然后，例如，可以通過光刻和蝕刻將層412圖案化為硬掩模。如圖4C所示，可以使用諸如KOH溶液或TAMH溶液的化學溶液，對襯底402實施各向異性蝕刻以形成深凹槽414。例如，可以在預(yù)定的蝕刻溫度(約7VC )下使用具有預(yù)定濃度(例如，約34wt% )的KOH溶液。蝕刻速率可以為約1.3微米每分鐘。在另一個實例中，可以在預(yù)定溫度(約80°C)下使用具有預(yù)定濃度(例如，約20wt% )的TMAH溶液，并且蝕刻速率可以為約1.1微米每分鐘。作為一個實例，橫向蝕刻速率可以介于約1:30至1:160的范圍內(nèi)。
[0038]作為一個實例，深凹槽414從層412的底面向著淺溝槽隔離區(qū)404延伸。例如，如圖5所示，化學溶液可以沿著〈111〉界面蝕刻襯底402并且形成具有平滑側(cè)壁的深凹槽414。在另一個實例中，凹槽414可以具有介于約50nm至約IlOnm的范圍內(nèi)的寬度和介于約I微米至約3微米之間的深度。參照圖4D，在一些實施例中，深凹槽414可以填充有一種或多種介電材料(例如，二氧化硅)。
[0039]圖6A至圖6D示出了具有深凹槽隔離結(jié)構(gòu)的BSI圖像傳感器的像素的示例圖。如圖6A所示，像素600包括深凹槽隔離結(jié)構(gòu)602，深凹槽隔離結(jié)構(gòu)602將光電二極管區(qū)604與圖像傳感器中的鄰近的像素分隔開。此外，像素600包括另一個深凹槽隔離結(jié)構(gòu)606以將光電二極管區(qū)604與像素600的其他器件分隔開。此外,像素600包括金屬層608、傳輸晶體管610、復(fù)位晶體管612、一個或多個淺溝槽隔離區(qū)614、源跟隨晶體管616、行選擇晶體管618和浮動擴散區(qū)620。例如，深凹槽隔離結(jié)構(gòu)602和606可以包括通過使用化學溶液在像素的背側(cè)內(nèi)蝕刻形成的深凹槽。在另一個實例中，可以通過以一種或多種介電材料(例如，氧化硅)填充蝕刻的凹槽來形成深凹槽隔離結(jié)構(gòu)602和606。
[0040]圖6B示出了沿著切線630的像素600的截面圖。如圖6B所示，在像素區(qū)中，可以在像素600的背側(cè)上形成微透鏡702和濾色鏡704?？梢栽赑型襯底710上形成抗反射層706和P摻雜層708。光電二極管區(qū)604可以包括N摻雜區(qū)712和P摻雜區(qū)714。可以在襯底710的頂部形成浮動擴散區(qū)620?？梢栽诨ミB層716中形成一個或多個互連結(jié)構(gòu)以連接像素區(qū)和/或外圍區(qū)的不同層中的器件。
[0041]圖6D示出了沿著如圖6C所示的切線632的像素600的截面圖。如圖6D所示，除了將光電二極管區(qū)604與圖像傳感器中的另一個像素分隔開的隔離結(jié)構(gòu)602之外，深凹槽隔離結(jié)構(gòu)606可以將光電二極管區(qū)604與像素600中的其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分隔開，例如，以防止響應(yīng)于入射光而在其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的電子/空穴漂移或擴散到光電二極管區(qū)604內(nèi)。例如，襯底710中的其他區(qū)域可以與光電二極管區(qū)604分隔開。
[0042]圖7示出了用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的示例性流程圖。例如，在步驟802中，在襯底上形成第一像素和第二像素以響應(yīng)于入射到襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子。在步驟804中，通過使用化學溶液在襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成隔離結(jié)構(gòu)以將第二像素與第一像素分隔開。例如，襯底包括在〈110〉晶體取向上的硅晶圓。隔離結(jié)構(gòu)包括通過在硅襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻而形成的凹槽。作為一個實例，可以通過以一種或多種介電材料填充該凹槽來形成隔離結(jié)構(gòu)。
[0043]本書面描述使用實例以公開本發(fā)明，包括最佳方式，而且也使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。本發(fā)明的可取得專利權(quán)的范圍可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的其他實例。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到，在沒有一個或多個具體細節(jié)的情況下，或在具有其他替換和/或額外的方法、材料或部件的情況下，可以實踐各個實施例?？梢圆辉敿毷境龌蛎枋霰娝苤慕Y(jié)構(gòu)、材料或操作以避免模糊本發(fā)明的各個實施例的各方面。圖中示出的各個實施例是說明性實例代表，并且不必按比例繪制。在一個或多個實施例中，可以以任何合適的方式對特定部件、結(jié)構(gòu)、材料或特征進行組合。在其他實施例中，可以包括多個額外的層和/或結(jié)構(gòu)，和/或可以省略描述的部件。例如，本文中描述的特定層可以包括不必物理連接或電連接的多個部件?？梢砸宰钣兄诶斫獗景l(fā)明的方式，將各個操作依次描述為多個不連續(xù)的操作。然而，描述的順序不應(yīng)解釋為暗示著這些操作必須是順序依賴的。具體地，不需要以呈現(xiàn)的順序?qū)嵤┻@些操作。相較于描述的實施例，可以以不同的順序(按順序或并行地)實施本文中描述的操作。可以實施和/或描述多個額外的操作。在額外的實施例中，可以省略操作。
[0044]該書面描述和以下權(quán)利要求可以包括諸如左、右、頂部、底部、上方、下方、上部、下部、第一、第二等的術(shù)語，這些術(shù)語僅用于描述的目的，而不應(yīng)解釋為限制。例如，指定相對垂直位置的術(shù)語可以指以下情況:襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是襯底的“頂”面；襯底實際上可以在任何方位上，從而使得襯底的“頂”側(cè)在標準地面參考系中可以低于“底”側(cè)，并且仍可以落在術(shù)語“頂部”的含義內(nèi)。除非特別聲明，如本文(包括權(quán)利要求中)所使用的術(shù)語“在...上”可以不表明在第二層“上”的第一層是直接位于第二層上并且與第二層直接接觸；在第一層和位于第一層上的第二層之間可以有第三層或其他結(jié)構(gòu)。除非特別聲明，如本文中(包括權(quán)利要求中)所使用的術(shù)語“在...下方”可以不表明在第二層“下方”的第一層是直接位于第二層下方并且與第二層直接接觸；在第一層和位于第一層下方的第二層之間可以有第三層或其他結(jié)構(gòu)?？梢砸远喾N位置和方位制造、使用或運輸本文描述的器件或物品的實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到圖中示出的各個部件的各個等同組合和替代。
【權(quán)利要求】
1.一種包括像素陣列的背照式圖像傳感器，包括: 第一像素，設(shè)置在襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子； 第二像素，設(shè)置在所述襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及 第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述第二像素與所述第一像素分隔開，所述第一隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的第一側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一像素和所述第二像素形成在具有〈110〉晶體取向的硅襯底上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述襯底的厚度為約I微米至約3微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一側(cè)壁的晶體取向為大約〈111〉。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括填充在所述凹槽中的一種或多種介電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述凹槽包括由多個側(cè)壁和所述側(cè)壁之間的基底跨距限定的空隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述凹槽具有介于約50nm至約IlOnm的范圍內(nèi)的寬度和介于約I微米至約3微米之間的深度。
9.一種背照式圖像傳感器，包括: 光敏區(qū)，形成為鄰近襯底的前側(cè)并且配置為響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及 隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置為將所述光敏區(qū)與所述圖像傳感器的其他區(qū)域分隔開，所述隔離結(jié)構(gòu)從所述襯底的背側(cè)向著所述襯底的前側(cè)延伸，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)包括基本上垂直于所述襯底的前側(cè)的側(cè)壁。
10.一種用于制造包括像素陣列的背照式圖像傳感器的方法，所述方法包括: 在襯底上形成第一像素和第二像素以響應(yīng)于入射到所述襯底的背側(cè)上的光而產(chǎn)生電荷載流子；以及 通過使用化學溶液在所述襯底的背側(cè)內(nèi)蝕刻來形成隔離結(jié)構(gòu)以將所述第二像素與所述第一像素分隔開。
【文檔編號】H01L27/146GK104465679SQ201410333491
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年7月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】楊士毅 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司