有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，所述器件包括：第一和第二電極；形成于第一電極與第二電極之間的第一和第二疊層，所述第一和第二疊層發(fā)射彼此不同的其各自的顏色；和形成于第一疊層與第二疊層之間的中間層，其中所述中間層包括設(shè)置為鄰近第一疊層以向第一疊層提供電子的第一中間層和設(shè)置為鄰近第二疊層以向第二疊層提供空穴的第二中間層，并且所述第二中間層包括形成于第一中間層上的P摻雜電荷生成層和形成于P摻雜電荷生成層上的具有空穴輸送特性的層。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光器件
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年6月28日遞交的韓國專利申請10-2013-0075881號的權(quán)利， 通過援引將其并入本說明書中用于所有目的，如同其在此得到完全闡述。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件，更具體而言涉及一種發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0004] 有機(jī)發(fā)光器件具有有機(jī)發(fā)光部分形成于負(fù)極和正極之間的結(jié)構(gòu)，其中電子注入負(fù) 極，空穴注入正極。如果負(fù)極生成的電子和正極生成的空穴注入有機(jī)發(fā)光部分，則注入的電 子和空穴的結(jié)合生成激子，然后所生成的激子由激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，從而發(fā)光。
[0005] 這種有機(jī)發(fā)光器件可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的背光或顯示裝置本身以及照明。特 別是，發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光器件可以通過與濾色片組合而應(yīng)用于全色顯示裝置。
[0006] 在通過濾色片與白色有機(jī)發(fā)光器件的組合而獲得的全色顯示裝置的情形中，由于 發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光器件可以通過一種針對各像素的沉積工序而制造，因此其具有在不使 用蔭罩下執(zhí)行該工序的優(yōu)點。
[0007] 下面將參照附圖描述根據(jù)【背景技術(shù)】的發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光器件。
[0008] 圖1是說明根據(jù)【背景技術(shù)】的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖。
[0009] 如圖1所不，根據(jù)【背景技術(shù)】的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件包括正極1、第一疊層 2、中間層3、第二疊層4和負(fù)極5。
[0010] 第一疊層2形成于正極1上，發(fā)射藍(lán)（B)光。雖然未詳細(xì)示出，但第一疊層2包括 發(fā)射藍(lán)（B)光的發(fā)光層、用于將空穴輸送至發(fā)光層的空穴輸送層和用于將電子輸送至發(fā)光 層的電子輸送層。
[0011] 中間層3形成于第一疊層2與第二疊層4之間，并起到均一地控制第一疊層2與 第二疊層4之間的電荷的作用。該中間層3包括對第一疊層2提供電子的N型電荷生成層 3a，和對第二疊層4提供空穴的P型電荷生成層3b。
[0012] N型電荷生成層3a由具有電子注入或電子輸送特性的摻雜有Li的有機(jī)材料制成， 而P型電荷生成層3b由具有空穴注入特性或空穴輸送特性的有機(jī)材料制成。
[0013] 第二疊層4形成于中間層3上，發(fā)射黃綠（YG)光。類似于第一疊層2,第二疊層 4包括用于發(fā)射黃綠（YG)光的發(fā)光層、用于將空穴輸送至發(fā)光層的空穴輸送層和用于將電 子輸送至發(fā)光層的電子輸送層。
[0014] 上述根據(jù)【背景技術(shù)】的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件通過將由第一疊層2發(fā)射的 藍(lán)光與由第二疊層4發(fā)射的黃綠光混合而發(fā)射白光。
[0015] 但是，在上述根據(jù)【背景技術(shù)】的實施方式的有機(jī)發(fā)光器件中，由于構(gòu)成中間層3的N 型電荷生成層3a和P型電荷生成層3b通過單獨的沉積工序而形成，并且構(gòu)成中間層3上 的第二疊層4的空穴輸送層也通過單獨的沉積工序而形成，因此會出現(xiàn)沉積數(shù)量和工序數(shù) 量增加、由此驅(qū)動電壓升高的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 因此，本發(fā)明指向一種有機(jī)發(fā)光器件，所述器件可基本避免一個或多個因背景技 術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的問題。
[0017] 本發(fā)明的一個優(yōu)點在于提供一種有機(jī)發(fā)光器件，其驅(qū)動電壓通過減少沉積數(shù)量和 工序數(shù)量而較低。
[0018] 本發(fā)明的另外的優(yōu)點和特征將部分地在說明書的以下內(nèi)容中闡述，還有一部分對 于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言在檢驗以下內(nèi)容之后將是顯而易見的，或可從本發(fā)明的實施中學(xué) 得。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過此處的書面說明書及權(quán)利要求書和附圖中所特別指出 的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)或獲得。
[0019] 為實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的意圖，如本文所實施和概括描述 的，有機(jī)發(fā)光器件包括：第一和第二電極；形成于第一電極與第二電極之間的第一疊層和 第二疊層，所述第一疊層和第二疊層發(fā)射彼此不同的其各自的顏色；和形成于第一疊層與 第二疊層之間的中間層，其中所述中間層包括設(shè)置為鄰近第一疊層以向第一疊層提供電子 的第一中間層和設(shè)置為鄰近第二疊層以向第二疊層提供空穴的第二中間層，并且所述第二 中間層包括形成于第一中間層上的P摻雜電荷生成層和形成于P摻雜電荷生成層上的具有 空穴輸送特性的層。
[0020] 應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的前述概括性描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，用 以提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 附圖包含于此以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其被并入本申請并構(gòu)成本申請的一 部分，附圖顯示本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起起到解釋本發(fā)明的原理的作用。附圖 中：
[0022] 圖1是說明根據(jù)【背景技術(shù)】的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖；
[0023] 圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖；
[0024] 圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖；
[0025] 圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖；
[0026] 圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖；和
[0027] 圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的簡要截面圖。

【具體實施方式】
[0028] 下面將對本發(fā)明的示例性實施方式進(jìn)行詳細(xì)論述，其實例如附圖中所說明。只要 可能，所有附圖中將使用相同的附圖標(biāo)記來指示相同或相似的部分。
[0029] 本說明書中所公開的術(shù)語"于……上"是指一元件直接形成于另一元件上，以及在 這些元件之間插入有第三元件。
[0030] 本說明書公開的如"第一"和"第二"等術(shù)語并不意味著相應(yīng)元件的順序，而是意 在將相應(yīng)元件彼此區(qū)分開來。
[0031] 下面，將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0032] 圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖。
[0033] 如圖2所不，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件包括正極100、第一疊層 200、中間層300、第二疊層400和第二電極500。
[0034] 第一電極100可以充當(dāng)正極。第一電極100可以由具有高電導(dǎo)率和高逸出功的透 明導(dǎo)電性材料（例如氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（IZ0)、Sn0 2*Zn0)制成，但不限于此。
[0035] 第一疊層200形成于第一電極100上，發(fā)射具有短波長的第一顏色的光，特別是藍(lán) (B)光。藍(lán)（B)光可以在445nm?475nm范圍內(nèi)具有峰值波長。
[0036] 第一疊層200可以包括空穴注入層（HIL) 210、第一空穴輸送層（HTL) 220、第一電 子阻擋層（EBL) 230、第一發(fā)光層（EML) 240和第一電子輸送層（ETL) 250,它們依次形成于第 一電極100上。
[0037] 空穴注入層（HIL)210可以由MTDATA(4,4'，4〃-三（3-甲基苯基苯基氨基）三 苯基胺）、CuPc(銅酞菁）或PED0T/PSS(聚（3,4-亞乙基二氧噻吩），聚苯乙烯磺酸鹽 (polystyrene sulfonate))制成，但不限于此。
[0038] 第一空穴輸送層（HTL) 220可以由TTO (N，Ν' -二苯基-N，Ν' -雙（3-甲基苯 基）_1，1'-聯(lián)苯基-4,4'-二胺）或ΝΡΒ(Ν，Ν'_二（萘-1-基）-Ν，Ν'_二苯基-聯(lián)苯胺） 制成，但不限于此。
[0039] 第一電子阻擋層（EBL)230阻擋電子向第一空穴輸送層（HTL)220的移動，從而使 電子和空穴在第一發(fā)光層（EML)240中的結(jié)合最大化。此外，第一電子阻擋層（EBL) 230具有 空穴輸送能力，由此第一電子阻擋層（EBL) 230可以將通過第一空穴輸送層（HTL) 220輸送 的空穴輸送至第一發(fā)光層（EML) 240。第一電子阻擋層（EBL) 230可以由TCTA(4, 4'，4〃-三 (N-咔唑基）三苯基胺）或咔唑類衍生物制成，但不限于此。
[0040] 第一發(fā)光層（EML) 240發(fā)射藍(lán)（B)光，并可以通過將主體材料摻雜有藍(lán)（B)色摻雜 劑而形成。第一發(fā)光層（EML) 240可以由摻雜有突光藍(lán)（B)摻雜劑的至少一種突光主體材 料制成，但不限于此，其中所述至少一種熒光主體材料選自由蒽衍生物、芘衍生物和茈衍生 物組成的組。
[0041] 第一電子輸送層（ETL)250可以由噁二唑、三唑、鄰菲咯啉、苯并噁唑或苯并噻唑 制成，但不限于此。
[0042] 中間層300形成于第一疊層200與第二疊層400之間。中間層300包括均一地控 制第一疊層200與第二疊層400之間的電荷的電荷生成層（CGL)。此外，中間層300包括將 空穴輸送至第二疊層400的空穴輸送層（HTL)。
[0043] 更具體而言，中間層300包括第一中間層310和第二中間層320。第一中間層310 設(shè)置為鄰近第一疊層200,而第二中間層320設(shè)置為鄰近第二疊層400。
[0044] 第一中間層310包括向第一疊層200提供電子的N型電荷生成層（N-CGL)。第一 中間層310可以由摻雜有如Li、Na、K或Cs等堿金屬或者如Mg、Sr、Ba或Ra等堿土金屬的 有機(jī)層制成。構(gòu)成第一中間層310的有機(jī)層可以包括構(gòu)成第一電子輸送層（ETL) 250的有 機(jī)材料。
[0045] 第二中間層320包括P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL)321和第二空穴輸送層 (HTL) 322,它們依次形成于第一中間層310上。
[0046] P摻雜電荷生成層321可以起到向第二疊層400提供空穴的作用，并通過用摻雜 劑對由構(gòu)成第二空穴輸送層（HTL) 322的有機(jī)材料制成的主體材料進(jìn)行摻雜而形成。換言 之，第二中間層320以下述方式獲得：通過將構(gòu)成第二空穴輸送層（HTL) 322的有機(jī)材料和 摻雜劑共沉積而形成P摻雜電荷生成層321，然后通過僅沉積不帶摻雜劑的有機(jī)材料來形 成第二空穴輸送層（HTL) 322。
[0047] 因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，由于P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321和第 二空穴輸送層（HTL) 322可以通過在一個沉積設(shè)備中的一次沉積工序而形成，因此工序可 以得到簡化，并且沉積數(shù)量可以減少，由此驅(qū)動電壓會得到降低。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個 實施方式，由于P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321和第二空穴輸送層（HTL) 322由同一有 機(jī)材料形成，因此P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321與第二空穴輸送層（HTL) 322之間的 界面特性得到提高。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，P摻雜電荷生成層321通過用摻雜 劑對有機(jī)材料進(jìn)行摻雜而形成，由此電荷生成層的載流子遷移率和電穩(wěn)定性得到提高，并 且驅(qū)動電壓得到降低。
[0048] P摻雜電荷生成層321可以以l〇A?丨00A的厚度形成。
[0049] 摻雜劑相對于整個P摻雜電荷生成層321以1重量％?20重量％的范圍包含于P 摻雜電荷生成層321中，并可以由選自由如此03、￥205、11'0、110 2、103和51102等金屬氧化物、 四氟四氰基喹啉并二甲燒（F4-TCNQ)、六腈六苯并菲（hexanitrilhexxatriphenylene)、 FeCl3、FeF3和SbCl5組成的組中的至少一種或多于一種的摻雜劑材料制成。
[0050] 包含于P摻雜電荷生成層321和第二空穴輸送層（HTL) 322中的有機(jī)材料可以由 TPD (N, Ν' -二苯基-N, Ν' -雙（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯基-4, 4' -二胺）或 NPB (N, Ν' -二 (萘_1_基）_Ν, Ν' -二苯基聯(lián)苯胺）制成，但不限于此。
[0051] 第二疊層400形成于中間層300上，并發(fā)射對應(yīng)于波長長于第一顏色的波長的第 二顏色的光，特別是黃綠（YG)至紅（R)色的光。黃綠（YG)至紅（R)色光可以在552nm? 625nm范圍內(nèi)具有峰值波長。
[0052] 第二疊層400可以包括第二電子阻擋層（EBL)430、第二發(fā)光層（EML)440、第二電 子輸送層（ETL) 450和電子注入層（EIL) 460,它們依次形成于中間層300上。
[0053] 第二電子阻擋層（EBL)430可以被形成為與第二中間層320的第二空穴輸送層 (HTL)322的上表面接觸，并且可以由與第一電子阻擋層（EBL) 230的材料相同的材料制成。
[0054] 第二發(fā)光層（EML)440發(fā)射黃綠（YG)至紅（R)色光，并可以通過用黃綠（YG)至 紅（R)色摻雜劑摻雜主體材料而形成。第二發(fā)光層（EML)440可以由摻雜有黃綠（YG)至紅 (R)色摻雜劑的磷光體主體材料制成，其中磷光體主體材料包含咔唑類化合物或金屬絡(luò)合 物。所述咔唑類化合物可以包括CBP (4, 4-N，Ν' -二咔唑聯(lián)苯）、CBP衍生物mCP (N，Ν' -二咔 唑基-3, 5-苯）或mCP衍生物，并且所述金屬絡(luò)合物可以包括ΖηΡΒΟ (苯基噁唑）金屬絡(luò)合 物或ΖηΡΒΤ (苯基噻唑）金屬絡(luò)合物。
[0055] 第二電子輸送層（ETL) 450可以由與第一電子輸送層（ETL) 250的材料相同的材料 制成，但不限于此。
[0056] 電子注入層（EIL)460可以由LIF或LiQ(羥基喹啉鋰）制成，但不限于此。
[0057] 第二電極500可以充當(dāng)負(fù)極。第二電極500可以由例如Al、Ag、Mg、Li或Ca等具 有低逸出功的金屬制成，但不限于此。
[0058] 圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖。
[0059] 如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件包括正極100、第一疊 層200、中間層300、第二疊層400和第二電極500。
[0060] 第一電極100可以充當(dāng)正極，并可以由透明導(dǎo)電性材料制成。第二電極500可以 充當(dāng)負(fù)極，并可以由Al、Ag、Mg、Li或Ca制成。
[0061] 第一疊層200形成于第一電極100上，發(fā)射具有短波長的第一顏色的光，特別是藍(lán) (B)光。第一疊層200可以包括空穴注入層（HIL) 210、第一空穴輸送層（HTL) 220、第一電子 阻擋層（EBL) 230、第一發(fā)光層（EML) 240和第一電子輸送層（ETL) 250,它們依次形成于第一 電極100上。由于構(gòu)成第一疊層200的各層與根據(jù)圖2的實施方式的各層相同，因此重復(fù) 的描述將被省略。
[0062] 中間層300形成于第一疊層200與第二疊層400之間。中間層300包括均一地控 制第一疊層200與第二疊層400之間的電荷的電荷生成層（CGL)。此外，中間層300包括捕 獲第二疊層400中的電子的電子阻擋層（EBL)，由此激子的生成可以得到改善。
[0063] 更具體而言，中間層300包括第一中間層310和第二中間層320。第一中間層310 設(shè)置為鄰近第一疊層200,而第二中間層320設(shè)置為鄰近第二疊層400。
[0064] 第一中間層310包括以與上述圖2的實施方式相同的方式向第一疊層200提供電 子的N型電荷生成層（N-CGL)。第一中間層310可以以與上述圖2的實施方式相同的方式 由摻雜有堿金屬或堿土金屬的有機(jī)層制成。
[0065] 第二中間層320包括P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL)321和第二電子阻擋層 (EBL) 323,它們依次形成于第一中間層310上。
[0066] P摻雜電荷生成層321可以起到向第二疊層400提供空穴的作用，并通過用摻雜劑 對由構(gòu)成第二電子阻擋層（EBL) 323的有機(jī)材料制成的主體材料進(jìn)行摻雜而形成。
[0067] 換言之，第二中間層320以下述方式獲得：通過將構(gòu)成第二電子阻擋層（EBL)323 的有機(jī)材料和摻雜劑共沉積而形成P摻雜電荷生成層321，然后通過僅沉積不帶摻雜劑的 有機(jī)材料來形成第二電子阻擋層（EBL) 323。
[0068] 因此，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，由于P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321 和第二電子阻擋層（EBL) 323可以通過一次沉積工序而形成，因此工序可以得到簡化，并 且沉積數(shù)量可以減少，由此驅(qū)動電壓會得到降低。此外，由于P摻雜電荷生成層（P-摻雜 CGL)321和第二電子阻擋層（EBL)323由同一有機(jī)材料形成，因此P摻雜電荷生成層（P-摻 雜CGL) 321與第二電子阻擋層（EBL) 323之間的界面特性得到提高。此外，P摻雜電荷生成 層321通過以摻雜劑摻雜有機(jī)材料而形成，由此電荷生成層的載流子遷移率和電穩(wěn)定性得 到提高，并且驅(qū)動電壓得到降低。
[0069] 同時，優(yōu)選的是，構(gòu)成第二電子阻擋層323的有機(jī)材料具有將P摻雜電荷生成層 321中生成的空穴輸送至第二疊層400的空穴輸送特性。因此，對于電子阻擋和空穴輸送 特性，優(yōu)選的是，構(gòu)成P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321和第二電子阻擋層（EBL) 323的 有機(jī)材料具有2. 8eV以上的三線態(tài)能量、1. 0X 10_4cm2/V · s以上的空穴輸送能力和-2. 3eV 以上的Lumo(最低未占據(jù)分子軌道）能級。
[0070] 此外，優(yōu)選的是，構(gòu)成P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321和第二電子阻擋層 (EBL)的有機(jī)材料的Homo (最高占據(jù)分子軌道）能級與構(gòu)成P摻雜電荷生成層（P-摻雜 CGL)321的摻雜劑的Lumo (最低未占據(jù)分子軌道）能級之差為0. 3eV以下。
[0071] P摻雜電荷生成層321可以以1〇Λ?丨00Λ的厚度形成。
[0072] 摻雜劑相對于整個Ρ摻雜電荷生成層321以1重量％?20重量％的范圍包含于Ρ 摻雜電荷生成層321中，并可以由選自由如此03、￥205、11'0、110 2、103和51102等金屬氧化物、 四氟四氰基喹啉并二甲燒（F4-TCNQ)、六腈六苯并菲（hexanitrilhexxatriphenylene)、 FeCl3、FeF3和SbCl5組成的組中的至少一種或多于一種的摻雜劑材料制成。
[0073] 此外，包含于P摻雜電荷生成層321和第二電子阻擋層323中的有機(jī)材料可以由 TCTA (4, 4'，4〃-三（N-咔唑基）三苯基胺）或咔唑類衍生物制成。
[0074] 第二疊層400形成于中間層300上，并發(fā)射對應(yīng)于比波長長于第一顏色的波長的 第二顏色的光，特別是黃綠（YG)至紅（R)色的光。
[0075] 第二疊層400可以包括第二發(fā)光層（EML)440、第二電子輸送層（ETL)450和電子注 入層（EIL) 460,它們依次形成于中間層300上。
[0076] 第二發(fā)光層（EML) 440可以被形成與第二中間層320的第二電子阻擋層（EBL) 323 的上表面接觸。第二發(fā)光層（EML)440發(fā)射黃綠（YG)至紅（R)色光，并可以以與上述圖2 的實施方式相同的方式，通過將咔唑類化合物或金屬絡(luò)合物的磷光體主體材料摻雜有黃綠 (YG)至紅（R)色摻雜劑而形成。
[0077] 第二電子輸送層（ETL) 450可以由與第一電子輸送層（ETL) 250的材料相同的材料 制成，但不限于此。
[0078] 電子注入層（EIL)460可以由LIF或LiQ(羥基喹啉鋰）制成，但不限于此。
[0079] 圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖，出于方 便的目的僅說明了中間層300。換言之，可以將根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光器件的中間層300改變 為圖4所示的中間層300。
[0080] 如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的中間層300包括電荷生成層（CGL) 和電子阻擋層（EBL)。
[0081] 更具體而言，中間層300包括設(shè)置為鄰近第一疊層200的第一中間層310和設(shè)置 為鄰近第二疊層400的第二中間層320。
[0082] 第一中間層310以與上述圖3的實施方式相同的方式包括N型電荷生成層 (N-CGL)。
[0083] 第二中間層320具有P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL)321和第二電子阻擋層 (EBL)323交替形成于第一中間層310上的結(jié)構(gòu)。
[0084] P摻雜電荷生成層321通過用摻雜劑對由構(gòu)成第二電子阻擋層（EBL) 323的有機(jī)材 料制成的主體材料進(jìn)行摻雜而形成。因此，第二中間層320可以以下述方式獲得：通過將構(gòu) 成第二電子阻擋層（EBL)323的有機(jī)材料和摻雜劑共沉積而形成P摻雜電荷生成層321，然 后通過僅沉積不帶摻雜劑的有機(jī)材料來形成第二電子阻擋層（EBL) 323。換言之，圖4的第 二中間層320可以通過以下方式獲得：將用摻雜劑摻雜構(gòu)成第二電子阻擋層（EBL)323的有 機(jī)材料的工序重復(fù)一定時間，和將僅沉積不帶摻雜劑的有機(jī)材料的工序重復(fù)一定時間。
[0085] 雖然圖4中P摻雜電荷生成層321形成了兩次，但是P摻雜電荷生成層321可以 形成三次。然而，如果P摻雜電荷生成層321形成四次以上，則第二中間層320會因反向電 流而導(dǎo)電。因此，優(yōu)選的是，P摻雜電荷生成層321形成三次以下。
[0086] 以與圖3相同的方式，優(yōu)選的是，構(gòu)成P摻雜電荷生成層321和第二電子阻擋層 323的有機(jī)材料具有空穴輸送特性。因此，優(yōu)選的是，構(gòu)成P摻雜電荷生成層321和第二電 子阻擋層323的有機(jī)材料具有2. 8eV以上的三線態(tài)能量、1. 0X 10_4cm2/V · s以上的空穴輸 送能力和-2. 3eV以上的Lumo(最低未占據(jù)分子軌道）能級。此外，優(yōu)選的是，構(gòu)成P摻雜 電荷生成層（P-摻雜CGL) 321和第二電子阻擋層（EBL)的有機(jī)材料的Homo (最高占據(jù)分子 軌道）能級與構(gòu)成P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL) 321的摻雜劑的Lumo (最低未占據(jù)分子 軌道）能級之差為〇.3eV以下。
[0087] P摻雜電荷生成層321可以以10Λ?100Λ的厚度形成。此外，第二中間層320可 以以10nm?150nm的厚度形成。如果第二中間層320以小于10nm的厚度形成，則難以形 成P摻雜電荷生成層321。如果第二中間層320以超過150nm的厚度形成，則驅(qū)動電壓會增 加。
[0088] 此外，包含于P摻雜電荷生成層321中的摻雜劑與上述圖3的實施方式中的摻雜 劑相同，并且包含于P摻雜電荷生成層321和第二電子阻擋層323中的有機(jī)材料與上述圖 3的實施方式中的有機(jī)材料相同。
[0089] 如果第二中間層320以下述方式形成：P摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL)321和第 二電子阻擋層（EBL) 323如參照圖4所述而交替形成，則整個第二中間層320中的電阻會容 易地得到控制，并且易于進(jìn)行向第二發(fā)光層（EML)440中的載流子注入，由此電荷平衡可以 容易地得到控制。
[0090] 圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的簡要截面圖，并涉及 通過三個疊層的組合而發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光器件，所述三個疊層發(fā)射彼此不同的其各自的 顏色。
[0091] 如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機(jī)發(fā)光器件包括正極100、第一疊 層200、中間層300、第二疊層600、第三疊層700和第二電極500。
[0092] 第一電極100可以充當(dāng)正極，并可以由透明導(dǎo)電性材料制成。第二電極500可以 充當(dāng)負(fù)極，并可以由Al、Ag、Mg、Li或Ca制成。
[0093] 第一疊層200形成于第一電極100上，發(fā)射具有短波長的第一顏色的光，特別是藍(lán) (B)光。藍(lán)⑶光可以在445nm?475nm范圍內(nèi)具有峰值波長。
[0094] 第一疊層200可以包括空穴注入層（HIL) 210、第一空穴輸送層（HTL) 220、第一電 子阻擋層（EBL) 230、第一發(fā)光層（EML) 240和第一電子輸送層（ETL) 250,它們依次形成于第 一電極100上。由于構(gòu)成第一疊層200的各層與根據(jù)圖3的實施方式的各層相同，因此重 復(fù)的描述將被省略。
[0095] 中間層300形成于第一疊層200與第二疊層600之間以及第二疊層600與第三疊 層700之間。以與上述圖3的實施方式相同的方式，中間層300包括第一中間層310和第 二中間層320,第二中間層320包括摻雜電荷生成層（P-摻雜CGL)321和第二電子阻擋層 (EBL) 323。各層的重復(fù)描述將被省略。
[0096] 但是，可以以與第二實施方式或第四實施方式相同的方式提供中間層300。此外， 形成于第一疊層200與第二疊層600之間的中間層300可以與形成于第二疊層600與第三 疊層700之間的中間層300相同或不同。
[0097] 第二疊層600形成于中間層300上，并發(fā)射對應(yīng)于中等波長的第二顏色、特別是綠 (G)或黃綠（YG)色的光。綠（G)光可以在510nm?545nm范圍內(nèi)具有峰值波長，并且黃綠 (YG)光可以在552nm?575nm范圍內(nèi)具有峰值波長。
[0098] 第二疊層400可以包括第二發(fā)光層（EML) 640和第二電子輸送層（ETL) 650,它們依 次形成于中間層300上。
[0099] 第二發(fā)光層（EML) 640發(fā)射綠（G)或黃綠（YG)色光，并可以通過將主體材料摻雜 有綠（G)或黃綠（YG)色摻雜劑而形成。第二發(fā)光層（EML) 640可以由摻雜有綠（G)黃綠 (YG)色摻雜劑的磷光體主體材料制成，其中磷光體主體材料包含咔唑類化合物或金屬絡(luò)合 物。上述咔唑類化合物可以包括CBP (4, 4-N，Ν' -二咔唑聯(lián)苯）、CBP衍生物mCP (N，Ν' -二咔 唑基-3, 5-苯）或mCP衍生物，并且所述金屬絡(luò)合物可以包括ΖηΡΒΟ (苯基噁唑）金屬絡(luò)合 物或ΖηΡΒΤ (苯基噻唑）金屬絡(luò)合物。
[0100] 第二電子輸送層（ETL)650可以由噁二唑、三唑、鄰菲咯啉、苯并噁唑或苯并噻唑 制成。
[0101] 第三疊層700形成于中間層300上，并發(fā)射對應(yīng)于長波長的第三顏色的光、特別是 紅（R)光。紅（R)光可以在600nm?625nm范圍內(nèi)具有峰值波長。
[0102] 第三疊層700可以包括第三發(fā)光層（EML) 740、第三電子輸送層（ETL) 750和電子注 入層（EIL) 760,它們依次形成于中間層300上。
[0103] 第三發(fā)光層（EML) 740發(fā)射紅（R)光，并可以通過用紅（B)色摻雜劑摻雜主體材料 而形成。用于第三發(fā)光層（EML)740的主體材料可以是咔唑類化合物或金屬絡(luò)合物的磷光 體主體材料。紅色摻雜劑可以由Ir或Pt的金屬絡(luò)合物制成，但不限于此。
[0104] 第三電子輸送層（ETL)750可以由噁二唑、三唑、鄰菲咯啉、苯并噁唑或苯并噻唑 制成。
[0105] 電子注入層（EIL)760可以由LIF或LiQ(羥基喹啉鋰）制成，但不限于此。
[0106] 下表1說明的是有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動電壓V、發(fā)光效率（cd/A，cd/m2)、亮度（Im/W) 和能量轉(zhuǎn)換量子效率（EQE)，所述器件包括發(fā)射藍(lán)（B)光的第一疊層、發(fā)射綠（G)光的第二 疊層、發(fā)射紅（R)光的第三疊層和分別形成于第一疊層與第二疊層之間和第二疊層與第三 疊層之間的中間層。
[0107] 表1中，比較例說明的是圖1的中間層300的應(yīng)用，實施方式1說明的是圖2的中 間層300的應(yīng)用，并且實施方式2說明的是圖3的中間層300的應(yīng)用。
[0108] 表 1
[0109]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光器件，所述器件包括： 第一電極和第二電極； 形成于所述第一電極與所述第二電極之間的第一疊層和第二疊層，所述第一疊層和所 述第二疊層發(fā)射彼此不同的其各自的顏色；和 形成于所述第一疊層與所述第二疊層之間的中間層， 其中所述中間層包括設(shè)置為鄰近所述第一疊層以向所述第一疊層提供電子的第一中 間層，和設(shè)置為鄰近所述第二疊層以向所述第二疊層提供空穴的第二中間層，且 所述第二中間層包括形成于所述第一中間層上的P摻雜電荷生成層和形成于所述P摻 雜電荷生成層上的具有空穴輸送特性的層。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述P摻雜電荷生成層由摻雜有摻雜劑的 有機(jī)材料形成，所述有機(jī)材料構(gòu)成所述具有空穴輸送特性的層。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述具有空穴輸送特性的層由空穴輸送層 構(gòu)成，并且所述第二疊層包括形成于所述空穴輸送層上的電子阻擋層。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述具有空穴輸送特性的層由電子阻擋層 構(gòu)成，并且所述第二疊層包括形成于所述電子阻擋層上的發(fā)光層。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述P摻雜電荷生成層和所述電子阻擋層 交替重復(fù)。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述P摻雜電荷生成層重復(fù)形成三次以下。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述有機(jī)材料具有2. 8eV以上的三線態(tài)能 量、1. OX l(T4Cm2/V · s以上的空穴輸送能力和-2. 3eV以上的Lumo (最低未占據(jù)分子軌道） 能級。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述有機(jī)材料的Homo (最高占據(jù)分子軌 道）能級與所述摻雜劑的Lumo(最低未占據(jù)分子軌道）能級之差為0.3eV以下。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，所述器件還包括： 發(fā)射不同于所述第一疊層和所述第二疊層的發(fā)射顏色的光的第三疊層；和 形成于所述第二疊層與所述第三疊層之間的中間層。
【文檔編號】H01L51/50GK104253235SQ201410300860
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】金信韓, 鄭承龍, 安昭妍, 金怠植 申請人:樂金顯示有限公司