發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的之一在于提供呈現(xiàn)出高亮度的發(fā)光并且能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的目的之一在于提供使耗電量降低的發(fā)光元件或電子設(shè)備。在陽極和陰極之間，設(shè)置有n（n是2以上的自然數(shù)）層的EL層，在第一EL層和第二EL層之間從陽極一側(cè)按順序具有包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物中的任一種的第一層，與第一層接觸并包含高電子傳輸性物質(zhì)的第二層，與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質(zhì)及受體物質(zhì)的區(qū)域。
【專利說明】發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2009年12月1日、申請(qǐng)?zhí)枮?00910253370.5、發(fā)明名稱為“發(fā)
光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]以下所公開的發(fā)明涉及一種在一對(duì)電極之間具有發(fā)光層的發(fā)光元件。此外，還涉及一種使用該發(fā)光元件的發(fā)光裝置以及使用該發(fā)光裝置的照明裝置及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，對(duì)作為發(fā)光物質(zhì)使用發(fā)光性的有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的發(fā)光元件的開發(fā)積極地進(jìn)行。尤其是稱為電致發(fā)光(以下稱為EL)元件的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)為在電極之間僅設(shè)置有包含發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，并且因?yàn)楸《p、高速響應(yīng)以及直流低電壓驅(qū)動(dòng)等的特性而作為下一代的平面顯示元件引人注目。此外，使用這種發(fā)光元件的顯示器還具有優(yōu)異的對(duì)比度、清晰的圖像質(zhì)量以及廣視角的特征。再者，由于這些發(fā)光元件為面狀光源，因此期望將這些發(fā)光元件應(yīng)用到液晶顯示器的背光燈、照明等的光源。
[0004]發(fā)光兀件通過對(duì)設(shè)置在一對(duì)電極之間的發(fā)光層施加電流，并使包含在發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)激發(fā)，可以得到預(yù)定的發(fā)光顏色。為了提高這種發(fā)光元件的發(fā)光亮度，可以考慮到對(duì)發(fā)光層施加大量電流的方法，但是該方法喪失低耗電量化的優(yōu)點(diǎn)。此外，因?qū)Πl(fā)光層施加大量電流而會(huì)加速發(fā)光元件的劣化。
[0005]于是，提出了通過層疊多個(gè)發(fā)光層，并流通與當(dāng)采用單層時(shí)相同的電流密度的電流來提高發(fā)光亮度的發(fā)光元件(例如專利文獻(xiàn)I)。
[0006][專利文獻(xiàn)I]日本專利第3933591號(hào)公報(bào)
[0007]在專利文獻(xiàn)I中提出了具有多個(gè)發(fā)光單元(以下在本說明書中也表示為EL層)，并各發(fā)光單元被電荷產(chǎn)生層分隔的發(fā)光元件。更具體地公開了具有如下結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件:在用作第一發(fā)光單元的電子注入層的金屬摻雜層上具有由五氧化釩構(gòu)成的電荷產(chǎn)生層，并隔著該電荷產(chǎn)生層層疊第二發(fā)光單兀。然而，在這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光兀件中，在金屬摻雜層和由氧化物構(gòu)成的電荷產(chǎn)生層的界面引起相互作用，界面成為強(qiáng)電場(chǎng)，因此為驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件需要高電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于上述問題，本發(fā)明的目的之一在于提供呈現(xiàn)出高亮度的發(fā)光且能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的目的之一在于提供使耗電量降低的發(fā)光裝置或電子設(shè)備。
[0009]本說明書所公開的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)之一:在陽極和陰極之間具有n(n是2以上的自然數(shù))層的EL層，并且在第m (m是自然數(shù)，1≤m≤n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側(cè)按順序具有包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物中的任一種的第一層、與第一層接觸并包含高電子傳輸性物質(zhì)的第二層、與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質(zhì)及受體物質(zhì)的區(qū)域。[0010]此外，本說明書所公開的發(fā)光元件的其他結(jié)構(gòu)之一:在陽極和陰極之間具有η (η是2以上的自然數(shù))層的EL層，并且在第m Cm是自然數(shù)，I≤m≤n_l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側(cè)按順序具有包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)的第一層、與第一層接觸并包含高電子傳輸性物質(zhì)的第二層、與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質(zhì)及受體物質(zhì)的區(qū)域。
[0011]此外，在上述包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)的第一層中，也可以采用以如下方式添加施體物質(zhì)的結(jié)構(gòu):含有相對(duì)于高電子傳輸性物質(zhì)的施體物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001:1至0.1:1的施體物質(zhì)。另外，施體物質(zhì)優(yōu)選為堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物。
[0012]此外，在上述結(jié)構(gòu)中，包含高空穴傳輸性物質(zhì)及受體物質(zhì)的區(qū)域是以如下方式添加受體物質(zhì)的區(qū)域:含有相對(duì)于高空穴傳輸性物質(zhì)的受體物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1的受體物質(zhì)。在該區(qū)域所產(chǎn)生的載流子中，空穴注入到第(m+1) EL層，電子移動(dòng)到第二層。
[0013]此外，在上述結(jié)構(gòu)中，包含高空穴傳輸性物質(zhì)及受體物質(zhì)的區(qū)域也可以是層疊包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層和包含受體物質(zhì)的層的區(qū)域。
[0014]此外，在上述結(jié)構(gòu)中，作為包含在第二層中的高電子傳輸性物質(zhì)優(yōu)選使用具有-5.0eV以上，更優(yōu)選使用具有-5.0eV以上且_3.0eV以下的LUMO能級(jí)的物質(zhì)。
[0015]此外，由于具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)低驅(qū)動(dòng)電壓，因此將其用作發(fā)光元件的發(fā)光裝置(圖像顯示器件或發(fā)光器件)可以實(shí)現(xiàn)低耗電量。從而，將使用具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的發(fā)光裝置以及使用該發(fā)光裝置的照明裝置及電子設(shè)備也包括在本發(fā)明的一個(gè)方式中。
[0016]上述結(jié)構(gòu)解決上述問題中的至少一個(gè)。
[0017]注意，本說明書中的發(fā)光裝置包括使用發(fā)光元件的圖像顯示裝置等的電子設(shè)備或照明裝置。此外，如下模塊也都包括在發(fā)光裝置中:對(duì)發(fā)光元件安裝有連接器如各向異性導(dǎo)電膜、TAB (帶式自動(dòng)接合)膠帶或TCP (帶載封裝)的模塊；TAB膠帶或TCP的前端設(shè)置有印刷布線板的模塊；或通過COG (晶玻接裝，ChipOnGlass)方式將IC (集成電路)直接安裝在發(fā)光元件中的模塊。
[0018]注意，在本說明書中為方便起見附加了第一、第二等序數(shù)詞，而且其并不表示工序順序或疊層順序。另外，在本說明書中其并不表示用來特定發(fā)明的事項(xiàng)的固有名稱。
[0019]本發(fā)明可以提供具有多個(gè)發(fā)光層并且能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)的發(fā)光元件。
[0020]此外，通過使用上述發(fā)光元件而制造發(fā)光裝置，可以提供耗電量少的發(fā)光裝置。另外，通過將這種發(fā)光裝置應(yīng)用于照明裝置或電子設(shè)備，可以提供耗電量少的照明裝置或電子設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1A和IB是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的一例及能帶圖的圖；
[0022]圖2A和2B是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的一例及能帶圖的圖；
[0023]圖3A和3B是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的一例及能帶圖的圖；
[0024]圖4A和4B是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的一例的圖；
[0025]圖5A至5C是示出有源矩陣型發(fā)光裝置的截面圖；[0026]圖6A和6B是示出無源矩陣型發(fā)光裝置的圖；
[0027]圖7A至7E是示出電子設(shè)備的圖；
[0028]圖8是示出照明裝置的圖；
[0029]圖9A和9B是示出實(shí)施例的發(fā)光元件及對(duì)照發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的圖；
[0030]圖10是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件的特性的圖；
[0031]圖11是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件的特性的圖；
[0032]圖12A和12B是示出實(shí)施例的發(fā)光元件及對(duì)照發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的圖；
[0033]圖13是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件的特性的圖；
[0034]圖14是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件的特性的圖；
[0035]圖15是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的圖；
[0036]圖16是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的圖；
[0037]圖17是示出實(shí)施例4的發(fā)光元件的特性的圖；
[0038]圖18是示出實(shí)施例4的發(fā)光元件的特性的圖；
[0039]圖19是示出實(shí)施例5的發(fā)光元件的特性的圖；
[0040]圖20是示出實(shí)施例5的發(fā)光元件的特性的圖；
[0041]圖21是示出實(shí)施例6的對(duì)照發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的圖；
[0042]圖22是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的圖；
[0043]圖23是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的圖；
[0044]圖24A和24B是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的一例及發(fā)射光譜的圖；
[0045]圖25是示出實(shí)施例7的發(fā)光元件的特性的圖；
[0046]圖26是示出實(shí)施例7的發(fā)光元件的特性的圖；
[0047]圖27是示出實(shí)施例8的發(fā)光元件的特性的圖；
[0048]圖28是示出實(shí)施例8的發(fā)光元件的特性的圖；
[0049]圖29是示出實(shí)施例8的發(fā)光元件的特性的圖；
[0050]圖30是示出實(shí)施例9的發(fā)光元件的特性的圖；
[0051]圖31是示出實(shí)施例9的發(fā)光元件的特性的圖；
[0052]圖32是示出實(shí)施例9的發(fā)光元件的特性的圖。
[0053]符號(hào)說明
[0054]10 襯底
[0055]11晶體管
[0056]12發(fā)光元件
[0057]13 電極
[0058]14 電極
[0059]15含有機(jī)化合物的層
[0060]16層間絕緣膜
[0061]17 布線
[0062]18隔壁層
[0063]19層間絕緣膜
[0064]101 陽極[0065]102 陰極
[0066]103 EL 層
[0067]103-1第一發(fā)光層
[0068]103-2第二發(fā)光層
[0069]104電子注入緩沖
[0070]105 電子繼電層
[0071]106 電荷產(chǎn)生區(qū)域
[0072]107 EL 層
[0073]107-1第三發(fā)光層
[0074]107-2第四發(fā)光層
[0075]108電子傳輸層
[0076]111陽極的費(fèi)密能級(jí)
[0077]112陰極的費(fèi)密能級(jí)
[0078]113 第一 EL 層的 LUMO 能級(jí)
[0079]114 電子繼電層的LUMO能級(jí)
[0080]115電荷產(chǎn)生區(qū)域中受體的受體能級(jí)[0081 ]116 第二 EL 層的 LUMO 能級(jí)
[0082]330 第一發(fā)光
[0083]340 第二發(fā)光
[0084]951 襯底
[0085]952 電極
[0086]953絕緣層
[0087]954隔壁層
[0088]955含有機(jī)化合物的層
[0089]956 電極
[0090]2100玻璃襯底
[0091]2101 電極
[0092]2102 電極
[0093]2103 EL 層
[0094]2103a 電荷產(chǎn)生區(qū)域
[0095]2103b空穴傳輸層
[0096]2103c 發(fā)光層
[0097]2103d電子傳輸層
[0098]2104 電子注入緩沖
[0099]2105 電子繼電層
[0100]2106 電荷產(chǎn)生區(qū)域
[0101]2107 EL 層
[0102]2107a空穴傳輸層
[0103]2107b 發(fā)光層[0104]2107c 電子傳輸層
[0105]2107d電子注入層
[0106]2108EL 層
[0107]2108a 發(fā)光層
[0108]2108b 電子傳輸層
[0109]2108c 電子注入層
[0110]3000光源[0111]3001照明裝置
[0112]3002照明裝置
[0113]9100移動(dòng)電話機(jī)
[0114]9101框體
[0115]9102框體
[0116]9103連結(jié)部
[0117]9104顯示部
[0118]9106操作鍵
[0119]9200便攜式信息終端設(shè)備
[0120]9201框體
[0121]9202顯示部
[0122]9203框體
[0123]9205鍵盤
[0124]9207連結(jié)部
[0125]9400電腦
[0126]9401框體
[0127]9402顯示部
[0128]9403鍵盤
[0129]9404框體
[0130]9500數(shù)碼攝像機(jī)
[0131]9501框體
[0132]9503顯示部
[0133]9600電視裝置
[0134]9601框體
[0135]9603顯示部
[0136]9605支架
[0137]9607顯示部
[0138]9609操作鍵
[0139]9610遙控操作機(jī)
[0140]9703顯示部
【具體實(shí)施方式】[0141]以下參照附圖詳細(xì)說明實(shí)施方式。注意，本說明書所公開的發(fā)明不局限于以下說明，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是，本發(fā)明的方式和詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離其宗旨及其范圍的情況下被變換為各種各樣的形式。因此，并不限于本說明書的實(shí)施方式及實(shí)施例所記載的內(nèi)容而被解釋。注意，在用于說明實(shí)施方式的所有附圖中，使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同的部分或具有同樣功能的部分，而省略其重復(fù)說明。
[0142]實(shí)施方式I
[0143]在本實(shí)施方式中使用圖1A和IB說明發(fā)光元件的一個(gè)方式。
[0144]圖1A所示的元件結(jié)構(gòu)包括如下結(jié)構(gòu):在一對(duì)電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發(fā)光區(qū)域的第一 EL層103及第二 EL層107，在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖104、電子繼電(electron-relay)層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。
[0145]電荷產(chǎn)生區(qū)域106是包含高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)的區(qū)域，產(chǎn)生發(fā)光元件的載流子的空穴和電子。在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的空穴移動(dòng)到第二 EL層107，并且電子移動(dòng)到電子繼電層105。此外，由于電子繼電層105的電子傳輸性高，因此可以將電子迅速地傳輸?shù)诫娮幼⑷刖彌_104。再者，由于電子注入緩沖104可以緩和將電子注入到第一 EL層103時(shí)的注入勢(shì)壘，因此可以提高對(duì)第一 EL層103的電子注入效率。
[0146]作為電子注入緩沖104，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及這些的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)等的高電子注入性物質(zhì)?；蛘?，電子注入緩沖104也可以采用包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
[0147]圖1B是示出圖1A中的元件結(jié)構(gòu)的能帶圖。在圖1B中，附圖標(biāo)記111表示陽極101的費(fèi)密能級(jí)，附圖標(biāo)記112表示陰極102的費(fèi)密能級(jí)，附圖標(biāo)記113表示第一 EL層103的LUMO (最低未占據(jù)分子軌道:Lowest UnoccupiedMolecularOrbital)能級(jí)，附圖標(biāo)記114表示電子繼電層105的LUMO能級(jí)，附圖標(biāo)記115表示電荷產(chǎn)生區(qū)域106的受體的受體能級(jí)，附圖標(biāo)記116表示第二 EL層107的LUMO能級(jí)。
[0148]在圖1B中，從陽極101注入的空穴注入到第一EL層103。另外，產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的電子移動(dòng)到電子繼電層105，然后通過電子注入緩沖104注入到第一 EL層103，與空穴重新結(jié)合而發(fā)光。此外，產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的空穴移動(dòng)到第二 EL層107，在第二 EL層107中與從陰極102注入的電子重新結(jié)合而發(fā)光。
[0149]在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，電子繼電層105用作將在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的電子高效率地注入到第一 EL層103的層，因此作為電子繼電層105，優(yōu)選使用LUMO能級(jí)占有電荷產(chǎn)生區(qū)域106的受體的受體能級(jí)和第一 EL層103的LUMO能級(jí)之間的能級(jí)的材料。具體地，優(yōu)選使用LUMO能級(jí)大約為-5.0eV以上的材料，更優(yōu)選使用LUMO能級(jí)為-5.0eV以上且-3.0eV以下的材料。
[0150]由于包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的受體物質(zhì)和包含在電子注入緩沖104中的高電子注入性物質(zhì)或施體物質(zhì)分別具有高受體性或高施體性，因此當(dāng)電荷產(chǎn)生區(qū)域106和電子注入緩沖104接觸時(shí)，在界面授受電子，并提高發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓。此外，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106和電子注入緩沖104接觸的界面形成PN結(jié)，有可能發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓上升。然而，在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，通過使用電子繼電層105可以防止電荷產(chǎn)生區(qū)域106和電子注入緩沖104接觸，并可以防止包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域106的受體物質(zhì)和包含在電子緩沖104的高電子注入性物質(zhì)或施體物質(zhì)引起相互作用。另外，通過作為電子繼電層105使用具有上述范圍的LUMO能級(jí)的材料，可以抑制與電子注入緩沖104的界面成為強(qiáng)電場(chǎng)，并可以將產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的電子高效率地注入到第一 EL層103。
[0151]另外，如圖1B的能帶圖所示，從電荷產(chǎn)生區(qū)域106遷移到電子繼電層105的電子因由電子注入緩沖104緩和注入勢(shì)壘而容易注入到第一 EL層103的LUMO能級(jí)113。另外，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的空穴遷移到第二 EL層107。
[0152]以下，具體說明可以用于上述發(fā)光元件的材料。
[0153]陽極101優(yōu)選由具有高功函數(shù)(具體地說，4.0eV以上是優(yōu)選的)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物和它們的混合物等形成。具體地說，例如，可以舉出氧化銦-氧化錫(ΙΤ0，即氧化銦錫IndiumTinOxide)、包含娃或氧化娃的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0,即氧化銦鋅Indium ZincOxide)、包含氧化鶴和氧化鋅的氧化銦等。
[0154]雖然這些導(dǎo)電金屬氧 化物膜通常通過濺射法形成，但還可以應(yīng)用溶膠-凝膠法等形成。例如，通過濺射法，使用相對(duì)于氧化銦添加lwt%至20wt%的氧化鋅的靶材，可以形成氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0)。通過派射法,使用相對(duì)于氧化銦包含0.5?1:%至5wt%的氧化鶴和0.1?1:%至“1:%的氧化鋅的祀材,可以形成含有氧化鶴和氧化鋅的氧化銦。
[0155]此外，可以使用如下材料形成陽極101，即金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)或金屬材料的氮化物(如氮化鈦等)、鑰氧化物、fL氧化物、釕氧化物、鶴氧化物、猛氧化物、鈦氧化物等。另外，還可以使用諸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)、以及聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等導(dǎo)電聚合體。但是，在作為第一 EL層103的一部分，接觸陽極101地設(shè)置電荷產(chǎn)生區(qū)域的情況下，可以使用各種導(dǎo)電材料如Al、Ag作為陽極101，而與功函數(shù)的大小無關(guān)。
[0156]作為陰極102，優(yōu)選使用功函數(shù)小(具體地說，優(yōu)選為3.SeV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及它們的混合物等。作為這種的陰極材料的具體例子，可以舉出屬于元素周期表中第I族或第2族的元素，即鋰(Li)或銫(Cs)等堿金屬，鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等堿土金屬以及包含它們的合金(MgAg、AlLi)，銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土金屬和包含它們的合金等。此外，可以通過真空蒸鍍法形成堿金屬、堿土金屬、含有它們的合金的膜。另外，包含堿金屬或堿土金屬的合金還可以通過濺射法來形成。另外，還可以使用銀膏等通過噴墨法等來形成膜。
[0157]此外，還可以通過層疊堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物(例如，氟化鋰(LiF)、氧化鋰(LiOx)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鉺(ErF3)等)的薄膜和鋁等金屬膜，形成陰極102。但是，在作為第二 EL層107的一部分，接觸陰極102地設(shè)置電荷產(chǎn)生區(qū)域的情況下，作為陰極102可以使用Al、Ag、IT0、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種導(dǎo)電材料，而與功函數(shù)的大小無關(guān)。
[0158]另外，在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，只要陽極及陰極中的至少一方具有透光性，即可。透光性可以通過使用如ITO等透明電極或者通過減薄電極的膜厚度來確保。
[0159]只要第一 EL層103以及第二 EL層107形成為至少包括發(fā)光層，即可，并且也可以采用還包括發(fā)光層以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。此外，包括在第一 EL層103中的發(fā)光層和包括在第二 EL層107中的發(fā)光層可彼此不同。另外，第一 EL層103及第二 EL層107也可以分別獨(dú)立采用還包括發(fā)光層以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。作為發(fā)光層以外的層，可以舉出由高空穴注入性物質(zhì)、高空穴傳輸性物質(zhì)或高電子傳輸性物質(zhì)、高電子注入性物質(zhì)、雙極性(高電子及空穴傳輸性物質(zhì))物質(zhì)等構(gòu)成的層。具體地說，可以舉出空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻止層(空穴阻擋層)、電子傳輸層、電子注入層等，這些層可以從陽極一側(cè)適當(dāng)?shù)亟M合而構(gòu)成。再者，還可以在第一 EL層103中的接觸陽極101 —側(cè)設(shè)置電荷產(chǎn)生區(qū)域。
[0160]以下，示出構(gòu)成上述EL層中含有的各層的材料的具體例子。
[0161]空穴注入層是包含高空穴注入性物質(zhì)的層。作為高空穴注入性物質(zhì)，例如可以使用鑰氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。除了上述以外，還可以使用諸如酞菁(簡(jiǎn)稱=H2Pc)和銅酞菁(簡(jiǎn)稱:(:迎(3)等的酞菁類化合物或諸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)等的高分子等來形成空穴注入層。[0162]空穴傳輸層是包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層。作為高空穴傳輸性物質(zhì)，例如可以舉出4，4’ -雙[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:NPB或a-NPD)、N，N’ -雙(3-甲基苯)-N，N’-二苯基-[1，I’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱:TPD)、4，4’，4”_三(咔唑-9-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:TCTA)、4，4’，4”_ 三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3_ 甲基苯)-N-苯基氨基]三苯胺(簡(jiǎn)稱:MTDATA)、4，4，-雙[N-(螺環(huán)-9，9’-雙芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱=BSPB)等芳香胺化合物、3-[N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱:PCzPCAl)、3, 6-雙[N-(9-苯基咔唑_3_基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱:PCzPCA2)、3-[N- (1-萘基)4_ (9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱:PCzPCNl)等。除了上述以外，還可以使用4，4’-二(^咔唑基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:CBP)、1，3，5-三[4- (N-咔唑基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱:TCPB)、9-[4- (10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱:CzPA)等的咔唑衍生物等。這里提到的物質(zhì)主要是空穴遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以采用上述以外的物質(zhì)。另外，包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層不限于單層，還可以將由上述物質(zhì)構(gòu)成的層層疊兩層以上。
[0163]除了上述以外，還可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡(jiǎn)稱:PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡(jiǎn)稱:PVTPA)、聚[N- (4-{N’-[4- (4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡(jiǎn)稱:PTPDMA)、聚[N，N’ -雙(4- 丁基苯基)-N, N’ -雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡(jiǎn)稱:Poly-TPD)等高分子化合物作為空穴傳輸層。
[0164]發(fā)光層是含有發(fā)光物質(zhì)的層。作為發(fā)光物質(zhì)，可以使用以下所示的熒光化合物。例如，可以舉出N，N’ -雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’ - 二苯基二苯乙烯-4，4’ - 二胺(簡(jiǎn)稱:YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)_4’ -(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:YGAPA)、4_ (9H-咔唑-9-基)-4’ -(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:2YGAPPA)、N, 9-二苯基-N-[4_( 10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱:PCAPA)、二萘嵌苯、2，5,8, 11-四-叔-丁基二萘嵌苯(簡(jiǎn)稱:TBP)、4- (10-苯基-9-蒽基)-4’- (9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:PCBAPA)、N，N”_ (2-叔-丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亞苯基)雙[N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺](簡(jiǎn)稱:DPABPA)、N, 9- 二苯基-N_[4_ (9，10- 二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱:2PCAPPA)、N-[4- (9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N, N’，N’-三
苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱:2DPAPPA)、N，N, N’，N’，N”，N”，N”’，N”’ -八苯基二苯并[g，p] ^(chrysene)-2, 7, 10, 15-四胺(簡(jiǎn)稱:DBC1 )、香丑素 30、N-(9, 10- 二苯基-2-蒽基)_N, 9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱:2PCAPA)、N-[9, 10-雙(1，I，-聯(lián)苯 _2_ 基)_2_ 蒽基]-N, 9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱:2PCABPhA)、N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N, N，，N，-三苯基-1,4-苯二胺(簡(jiǎn)稱:2DPAPA)、N-[9，10-雙(1，I，-聯(lián)苯 _2_ 基)-2-蒽基]-N，N，，N，-三苯基-1,4-亞苯基二胺(簡(jiǎn)稱:2DPABPhA)、9, 10-雙(1，I’-聯(lián)苯-2-基)_N_[4_ (9H_ 咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡(jiǎn)稱:2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(簡(jiǎn)稱:DPhAPhA)、香豆素545T、N，N’ - 二苯基喹吖啶酮(簡(jiǎn)稱:DPQd)、紅熒烯、5，12-雙(1，1'-聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡(jiǎn)稱:BPT)、2- (2-{2_[4_ (二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6_甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(簡(jiǎn)稱:DCM1 )、2_{2-甲基-6-[2- (2,3,6,7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪(quinolizine)-9_ 基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱:DCM2)、N，N，N’，N’ -四(4-甲基苯基)并四苯_5，11-二胺(簡(jiǎn)稱:p-mPhTD)、7, 14- 二苯基-N, N，N’，N’ -四(4-甲基苯基)苊并(acenaphtho) [I, 2_a]熒蒽-3，10-二胺(簡(jiǎn)稱:p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2- (I, 1,7, 7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱:DCJTI)、2-{2_ 叔-丁基-6-[2-(1，1,7, 7-四甲基-2，3,6, 7-四氫 _1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱:DCJTB)、2-(2，6-雙{2-[4_(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡(jiǎn)稱:BisDCM)、2-{2，6-雙[2-(8-甲氧基_1，I, 7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[i j]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱:BisDCJTM)等。
[0165]另外，作為發(fā)光物質(zhì)，還可以使用以下所示的磷光化合物。例如，可以舉出雙[2- (4’，6’-二氟苯基)吡啶醇_N，C2’]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡(jiǎn)稱:FIr6)、雙[2-(4’，6’ - 二氟苯基)吡啶醇-N，C2’]銥(III)吡啶甲酸酯(簡(jiǎn)稱:FIrpic)、雙[2_(3’，5’ -雙三氟甲基苯基)吡啶醇-N，C2’]銥(III)吡啶甲酸酯(簡(jiǎn)稱:Ir (CF3ppy)2 (pic))、雙[2- (4’，6’-二氟苯基)]吡啶醇_N，C2’]銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:FIracac)、三(2-苯基吡啶醇)銥(III)(簡(jiǎn)稱:Ir (ppy)3)、雙(2-苯基吡啶醇)銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (ppy)2 (acac))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (bzq) 2 (acac))、雙(2，4_ 二苯基-1，3-噁唑-N, C2 )銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (dpo)2 (acac))、雙[2- (4’-全氟苯基苯基)吡啶醇]銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir(p-PF-ph)2 (acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C2’)銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (bt)2 (acac))、雙[2_ (2’_苯并[4，5_ α ]噻吩基)吡啶醇-N，C3’]銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (btp)2 (acac))、雙(1-苯基異喹啉-N, C2 )銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱:Ir (piq)2 (acac))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4_氟苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡(jiǎn)稱:Ir(Fdpq)2 (acac))、(乙酰丙酮)雙(2，3，5_ 三苯吡唳(triphenylpyrazinato))銥(III)(簡(jiǎn)稱:Ir (tppr)2 (acac)),2, 3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H, 23H-卟啉鉬(II)(簡(jiǎn)稱=PtOEP),三(乙酰丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡(jiǎn)稱:Tb (acac) 3 (Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(單菲咯啉)銪(III)(簡(jiǎn)稱:Eu (DBM)3 (Phen))、三[1- (2-噻吩甲?；?-3，3，3-三氟丙酮](單菲咯啉)銪(III)(簡(jiǎn)稱:Eu (TTA)3 (Phen))等。
[0166]另外，優(yōu)選地是，這些發(fā)光物質(zhì)被分散在主體材料中而使用。作為主體材料，例如可以使用NPB (簡(jiǎn)稱)、TPD (簡(jiǎn)稱)、TCTA (簡(jiǎn)稱)、TDATA (簡(jiǎn)稱)、MTDATA (簡(jiǎn)稱)、BSPB (簡(jiǎn)稱)等芳香胺化合物，PCzPCAI (簡(jiǎn)稱)、PCzPCA2 (簡(jiǎn)稱)、PCzPCNI (簡(jiǎn)稱)、CBP (簡(jiǎn)稱)、TCPB (簡(jiǎn)稱)、CzPA (簡(jiǎn)稱)、4- (1-萘基)_4’ - (9-苯基-9H-咔唑-3-基)-三苯胺(簡(jiǎn)稱:PCBANB)等咔唑衍生物，PVK (簡(jiǎn)稱)、PVTPA (簡(jiǎn)稱)、PTPDMA (簡(jiǎn)稱)、Poly_Tro (簡(jiǎn)稱)等包含高分子化合物的高空穴傳輸性物質(zhì)，三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱:Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱:Almq3)、雙(10-輕基苯并[h]喹啉(quinolinato))鈹(簡(jiǎn)稱:BeBq2)或雙(2_甲基_8_輕基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡(jiǎn)稱:BAlq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物，雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡(jiǎn)稱=Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡(jiǎn)稱:Zn (BTZ)2)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物，2- (4-聯(lián)苯基)-5_ (4-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡(jiǎn)稱:PBD)、1，3-雙[5- (p-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)稱:0XD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]咔唑(簡(jiǎn)稱:C011 )、3_(4_聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱:TAZ)、紅菲繞啉(簡(jiǎn)稱:BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱:BCP)、聚[(9，9-二已基芴-2，7-二基)-(:0-(吡啶-3,5-二基)](簡(jiǎn)稱:PF_Py)、聚[(9, 9- 二羊基荷-2，7- 二基)-Co— (2, 2’ -聯(lián)卩比卩定-6, 6’ - 二基)](簡(jiǎn)稱:PF-BPy)等高電子傳輸性物質(zhì)。
[0167]電子傳輸層是包含高電子傳輸性物質(zhì)的層。作為高電子傳輸性物質(zhì)，例如可以使用Alq (簡(jiǎn)稱)、Almq3 (簡(jiǎn)稱)、BeBq2 (簡(jiǎn)稱)、BAlq (簡(jiǎn)稱)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等。除了上述以外，還可以使用Zn (BOX)2 (簡(jiǎn)稱)、Zn (BTZ)2 (簡(jiǎn)稱)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物等。除了金屬配合物以外，還可以使用PBD (簡(jiǎn)稱)、0XD-7 (簡(jiǎn)稱)、C011 (簡(jiǎn)稱)、TAZ (簡(jiǎn)稱)、BPhen (簡(jiǎn)稱)、BCP (簡(jiǎn)稱)等。這里提到的物質(zhì)主要是電子遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。但是，只要是電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)，就還可以采用上述以外的物質(zhì)。另外，電子傳輸層不限于單層，還可以將由上述物質(zhì)構(gòu)成的層層疊兩層以上。
[0168]除了上述以外，還可以將PF-Py (簡(jiǎn)稱)、PF_BPy (簡(jiǎn)稱)等高分子化合物用于電子
傳輸層。
[0169]電子注入層是包含高電子注入性物質(zhì)的層。作為高電子注入性物質(zhì)，可以舉出氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。另外，還可以使用其中含有堿金屬、堿土金屬或它們的化合物的電子傳輸物質(zhì)，例如其中含有鎂(Mg)的Alq等。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高從陰極102的電子注入效率。
[0170]當(dāng)在第一 EL層103或第二 EL層107中設(shè)置電荷產(chǎn)生區(qū)域時(shí)，電荷產(chǎn)生區(qū)域是包含高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)的區(qū)域。另外，電荷產(chǎn)生區(qū)域有如下兩種情況:在同一個(gè)膜中含有高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)；層疊有包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層和包含受體物質(zhì)的層。但是，在采用將電荷產(chǎn)生區(qū)域設(shè)置在陽極一側(cè)的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，得到包含受體物質(zhì)的層接觸陽極101的結(jié)構(gòu)，而在采用將電荷產(chǎn)生區(qū)域設(shè)置在陰極一側(cè)的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，得到包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層接觸陰極102的結(jié)構(gòu)。
[0171]通過在第一 EL層103或第二 EL層107中形成電荷產(chǎn)生區(qū)域，可以形成陽極101或陰極102，而不考慮形成電極的材料的功函數(shù)。
[0172]作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的受體物質(zhì)，可以舉出過渡金屬氧化物或?qū)儆谠刂芷诒碇械牡谒淖逯恋诎俗宓慕饘俚难趸?。具體地說，氧化鑰是特別優(yōu)選的。另外，氧化鑰具有吸濕性低的特征。
[0173]作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的高空穴傳輸性物質(zhì)，可以使用各種有機(jī)化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴和高分子化合物(低聚物、樹狀聚合體、聚合體等)。具體地，優(yōu)選使用空穴遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以采用上述以外的物質(zhì)。
[0174]另外，通過適當(dāng)?shù)亟M合而層疊這些層，可以形成第一 EL層103或第二 EL層107。作為第一 EL層103或第二 EL層107的形成方法，可以根據(jù)使用的材料適當(dāng)?shù)剡x擇各種方法(例如，干法或濕法等)。例如，可以采用真空蒸鍍法、噴墨法、旋涂法等。另外，還可以對(duì)每個(gè)層采用不同的方法而形成。
[0175]另外，在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序設(shè)置有電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。電荷產(chǎn)生區(qū)域106是接觸于第二 EL層107而形成的，電子繼電層105是接觸于電荷產(chǎn)生區(qū)域106而形成的，并且電子注入緩沖104是接觸于電子繼電層105和第一 EL層103之間而形成的。
[0176]電荷產(chǎn)生區(qū)域106是包含高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)的區(qū)域。另外，電荷產(chǎn)生區(qū)域106可以使用與以上說明的可以形成在第一 EL層103或第二 EL層107的一部分中的電荷產(chǎn)生區(qū)域同樣的材料并由同樣的結(jié)構(gòu)形成。因此，電荷產(chǎn)生區(qū)域106有如下兩種情況:在同一個(gè)膜中含有高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)；層疊有包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層和包含受體物質(zhì)的層。但是，在采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下，得到包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層接觸第二 EL層107的結(jié)構(gòu)。
[0177]另外，優(yōu)選地是，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中，以如下方式添加受體物質(zhì):使受體物質(zhì)相對(duì)于高空穴傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1。
[0178]電子繼電層105是能夠?qū)⒃陔姾僧a(chǎn)生區(qū)域106中被受體物質(zhì)抽出的電子及時(shí)接收的層。因此，電子繼電層105是包含高電子傳輸性物質(zhì)的層，并且優(yōu)選使用其LUMO能級(jí)占據(jù)電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的受體的受體能級(jí)與第一 EL層103的LUMO能級(jí)之間的能級(jí)的材料而形成。具體地說，優(yōu)選使用具有大約-5.0eV以上的LUMO能級(jí)的材料，更優(yōu)選使用具有大約-5.0eV以上且-3.0eV以下的LUMO能級(jí)的材料。作為用于電子繼電層105的物質(zhì)，例如，可以舉出二萘嵌苯衍生物或含氮稠環(huán)芳香化合物。另外，因?yàn)楹憝h(huán)芳香化合物是穩(wěn)定的化合物，所以優(yōu)選用于電子繼電層105。再者，在含氮稠環(huán)芳香化合物中，通過使用具有氰基或氟基等吸電子基(electron-withdrawing group)的化合物，可以使電子繼電層105中的電子接收變得更容易，因此是優(yōu)選的。
[0179]作為二萘嵌苯衍生物的具體例子，可以舉出3，4，9，10-茈四羧酸二酐(perylenetetracarboxylicdianhydride)(簡(jiǎn)稱:PTCDA)、3, 4, 9, 10-花四羧酸-雙-苯并咪唑(perylenetetracarboxylic-bis-benzimidazole)(簡(jiǎn)稱:PTCBI)、N, N，- 二辛基-3, 4, 9, 10-花四羧酸二酸亞胺(perylenetetracarboxylic diimide)(簡(jiǎn)稱:PTCDI_C8H)、N, N’ - 二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺(簡(jiǎn)稱=HexPTC)等。
[0180]另外，作為含氮稠環(huán)芳香化合物的具體例子，可以舉出吡嗪并(pirazino) [2，3-f][I, 10]菲咯啉-2，3-二 甲腈(dicarbonitrile)(簡(jiǎn)稱:PPDN)、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮三苯并苯(簡(jiǎn)稱:撤丁 (〇幻6)、2，3-二苯基吡啶并[2，3-13]吡嗪(簡(jiǎn)稱:2PYPR)、2，3-雙(4-氟苯基)吡啶并[2，3-b]吡嗪(簡(jiǎn)稱:F2PYPR)等。除了上述以外，電子繼電層105還可以使用如下材料:全氟并五苯、7，7，8，8，-四氰基對(duì)醌二甲烷(簡(jiǎn)稱:TCNQ)、1，4，5，8-萘四羧酸二酐(簡(jiǎn)稱:NTCDA)、十六烷氟代酞菁銅(簡(jiǎn)稱:F16CuPc)、N，N’-雙(2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8，十五烷氟辛基-1, 4，5，8-萘四羧酸二酰亞胺(簡(jiǎn)稱:NTCD1-C8F)、3’，4’ - 二丁基 _5，5” -雙(二氰基亞甲基)-5，5” - 二氫-2，2’:5’，2”_ 三聯(lián)噻吩)(簡(jiǎn)稱=DCMT),甲醇富勒烯(例如[6，6]-苯基C61酪酸甲酯(簡(jiǎn)稱=PCBM))等。
[0181]電子注入緩沖104是能夠?qū)⒈浑娮永^電層105接收的電子注入到第一 EL層103的層。通過設(shè)置電子注入緩沖104，可以緩和電荷產(chǎn)生區(qū)域106與第一 EL層103之間的注入勢(shì)壘，從而可以將在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的電子容易注入到第一 EL層103。
[0182]電子注入緩沖104可以使用如下物質(zhì):堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質(zhì)。
[0183]另外，在電子注入緩沖104包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)而形成的情況下，優(yōu)選地是，以如下方式添加施體物質(zhì):使施體物質(zhì)相對(duì)于高電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001:1至0.1:1。另外，作為施體物質(zhì)，除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫 并四苯(tetrathianaphthacene)(簡(jiǎn)稱:TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機(jī)化合物。另外，作為高電子傳輸性物質(zhì)，可以使用與以上說明的可以形成在第一 EL層103的一部分中的電子傳輸層的材料同樣的材料而形成。
[0184]通過組合上述材料，可以制造本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件。從該發(fā)光元件可以得到來自上述發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光，通過改變用于發(fā)光層的發(fā)光物質(zhì)的種類而可以得到各種發(fā)光顏色。另外，通過使用發(fā)光顏色不同的多種發(fā)光物質(zhì)作為發(fā)光物質(zhì)，還可以得到寬光譜的發(fā)光或白色發(fā)光。
[0185]注意，在本實(shí)施方式中示出設(shè)置有兩層的EL層的發(fā)光元件，但是EL層的層數(shù)不局限于兩層，還可以為兩層以上，例如三層。當(dāng)將η (η是2以上的自然數(shù))層的EL層設(shè)置在發(fā)光元件中，在第m (m是自然數(shù)，I≤m≤n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產(chǎn)生區(qū)域，可以抑制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓的上升。
[0186]此外，本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件可以形成在各種襯底上。作為襯底，例如可以使用玻璃、塑料、金屬板、金屬箔等。當(dāng)從襯底一側(cè)取得發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)，使用具有透光性的襯底即可。但是，只要襯底是在發(fā)光元件的制造工序中用作支撐體的襯底，就也可以使用上述以外的襯底。
[0187]注意，通過采用本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)可以制造兩個(gè)電極以格子狀形成在一個(gè)襯底上的無源矩陣型發(fā)光裝置。此外，還可以制造具有與用作開關(guān)的薄膜晶體管(TFT)等電連接的發(fā)光元件，并使用TFT控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)的有源矩陣型發(fā)光裝置。注意，對(duì)TFT的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。TFT可以為交錯(cuò)型或反交錯(cuò)型。此外，作為由TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路，可以使用含有N型TFT和P型TFT的電路，也可以使用僅包含N型TFT和P型TFT中的任一種的電路。另外，對(duì)用于TFT的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性沒有特別的限制?？梢允褂梅蔷О雽?dǎo)體膜或結(jié)晶半導(dǎo)體膜。此外，可以使用單晶半導(dǎo)體膜或微晶半導(dǎo)體(微晶體半導(dǎo)體)。再者，可以使用氧化物半導(dǎo)體，例如包含銦、鎵以及鋅的氧化物半導(dǎo)體。[0188]此外，通過使用各種方法，不管干法工序(例如真空蒸鍍法、濺射法等)還是濕法工序(例如噴墨法、旋涂法、涂敷法等)，可以形成本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件。
[0189]通過采用本實(shí)施方式所示的元件結(jié)構(gòu)，可以使其驅(qū)動(dòng)電壓不容易受到電荷產(chǎn)生區(qū)域106的厚度的影響，因此可以抑制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓的上升，并且通過光學(xué)調(diào)整提高顏色純度。
[0190]此外，通過采用本實(shí)施方式所示的元件結(jié)構(gòu)，形成在電荷產(chǎn)生區(qū)域106和電子注入緩沖104之間夾住電子繼電層105的結(jié)構(gòu)，因此可以得到如下結(jié)構(gòu):包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的受體和包含在電子注入緩沖104中的高電子注入性物質(zhì)或施體物質(zhì)不容易受到相互作用，并且不容易阻礙雙方的功能。從而，可以以低電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。
[0191]注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。
[0192]實(shí)施方式2
[0193]在本實(shí)施方式2中，使用圖2A和2B說明包括在實(shí)施方式I所說明的基本結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的一例。具體地，說明在實(shí)施方式I所示的發(fā)光元件中，作為電子注入緩沖104使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或這些的化合物的單層的情況。
[0194]如圖2A所示那樣，本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件包括如下結(jié)構(gòu):在一對(duì)電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發(fā)光區(qū)域的第一 EL層103及第二 EL層107，并且在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。
[0195]本實(shí)施方式2中的陽極101、陰極102、第一 EL層103、第二 EL層107、電荷產(chǎn)生區(qū)域106以及電子繼電層105可以使用與實(shí)施方式I所說明的材料同樣的材料。
[0196]在本實(shí)施方式中，作為用于電子注入緩沖104的物質(zhì)，可以舉出如下高電子注入性物質(zhì):鋰(Li)或銫(Cs)等堿金屬、鎂(MgXI11KCa)或銀(Sr)等堿土金屬、銪(Eu)或鐿(Yb)等稀土金屬、堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)等。
[0197]在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，作為電子注入緩沖104，設(shè)置有上述金屬或其化合物的單層，并且使其厚度形成得極薄(具體地，Inm以下)，以避免驅(qū)動(dòng)電壓的上升。此外，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選在第一EL層103中與電子注入緩沖104接觸地形成電子傳輸層108，并且電子注入緩沖104大致存在于電子繼電層105和EL層103的一部分的電子傳輸層108的界面。注意，當(dāng)在形成電子傳輸層108之后在電子傳輸層108上形成電子注入緩沖104時(shí)，形成電子注入緩沖104的物質(zhì)的一部分也會(huì)存在于EL層103的一部分的電子傳輸層108 中。
[0198]圖2B示出圖2A中的元件結(jié)構(gòu)的能帶圖。通過在圖2B中在電子繼電層105和第一EL層103的界面設(shè)置電子注入緩沖104，可以緩和電荷產(chǎn)生區(qū)域106和第一 EL層103之間的注入勢(shì)壘，因此可以將在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的電子容易注入到第一 EL層103。此夕卜，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中產(chǎn)生的空穴移動(dòng)到第二 EL層107。
[0199]通過采用本實(shí)施方式所示的電子注入緩沖的結(jié)構(gòu)，與實(shí)施方式3所示的電子注入緩沖(對(duì)高電子傳輸性物質(zhì)添加施體物質(zhì)而形成)相比，可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓。此外，在本實(shí)施方式中，作為電子注入緩沖104的高電子注入性物質(zhì)，優(yōu)選使用堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)等。由于這些高電子注入性物質(zhì)是在空氣中穩(wěn)定的物質(zhì)，因此生產(chǎn)率好，并適合于大量生產(chǎn)。
[0200]注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。
[0201]實(shí)施方式3
[0202]在本實(shí)施方式3中，使用圖3A和3B說明包括在實(shí)施方式I所說明的基本結(jié)構(gòu)中的發(fā)光兀件的一例。具體地，說明在實(shí)施方式I所不的發(fā)光兀件中包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)而形成電子注入緩沖104的情況。
[0203]如圖3A所示那樣，本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件包括如下結(jié)構(gòu):在一對(duì)電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發(fā)光區(qū)域的第一 EL層103及第二 EL層107，并且在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。此外，電子注入緩沖104包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)而形成。[0204]此外，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選以如下方式添加施體物質(zhì):使施體物質(zhì)相對(duì)于高電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001:1至0.1:1。由此，可以得到膜性質(zhì)好且反應(yīng)性好的電子注入緩沖104。
[0205]本實(shí)施方式3中的陽極101、陰極102、EL層103、電荷產(chǎn)生區(qū)域106以及電子繼電層105可以使用與實(shí)施方式I所說明的材料同樣的材料。
[0206]在本實(shí)施方式中，作為用于電子注入緩沖104的高電子傳輸性物質(zhì)，例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，如三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱:Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(簡(jiǎn)稱=BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡(jiǎn)稱:BAlq)等。另外，還可以使用具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物等，如雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡(jiǎn)稱:Zn (BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡(jiǎn)稱=Zn(BTZ)2)等。再者，除了金屬配合物以外，也可以使用2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡(jiǎn)稱:PBD)、1，3-雙[5-(對(duì)-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)稱:0XD-7)、9- [4_( 5-苯基 _1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]咔唑(簡(jiǎn)稱:C011)、3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5- (4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(簡(jiǎn)稱:TAZ)、紅菲繞啉(簡(jiǎn)稱:BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱:BCP)等。這里所述的物質(zhì)主要是電子遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。
[0207]除了上述物質(zhì)以外，還可以使用如下高分子化合物，如聚[(9，9-二己基荷-2，7-二基)-Co-(吡啶 _3，5_ 二基)](簡(jiǎn)稱:?卩-卩}0、聚[(9，9_ 二羊基荷 _2，7_ 二基)-Co- (2，2’ -聯(lián)吡淀-6，6’ - 二基)](簡(jiǎn)稱:PF-BPy)等。
[0208]此外，在本實(shí)施方式中，作為用于電子注入緩沖104的施體物質(zhì)，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及這些的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)等。另外，也可以使用四硫并四苯(簡(jiǎn)稱:TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機(jī)化合物。
[0209]此外，在本實(shí)施方式中，在第一 EL層103中也可以與電子注入緩沖104接觸地形成電子傳輸層108，并且當(dāng)形成電子傳輸層108時(shí)，用于電子注入緩沖104的高電子傳輸性物質(zhì)和用于EL層103的一部分的電子傳輸層108的高電子傳輸性物質(zhì)可以相同或不相同。
[0210]本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的特征在于如圖3A所示那樣在EL層103和電子繼電層105之間形成包含高電子傳輸性物質(zhì)和施體物質(zhì)的電子注入緩沖104。圖3B示出該元件結(jié)構(gòu)的能帶圖。
[0211]換言之，通過形成電子注入緩沖104，可以緩和電子繼電層105和EL層103之間的注入勢(shì)壘，因此可以將產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的電子容易注入到EL層103。此外，將產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的空穴移動(dòng)到第二 EL層107。
[0212]注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。
[0213]實(shí)施方式4
[0214]在本實(shí)施方式4中，使用圖4A和4B說明電荷產(chǎn)生區(qū)域106的結(jié)構(gòu)作為包括在實(shí)施方式I所說明的基本結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的一例。
[0215]圖4A和4B所示的元件結(jié)構(gòu)包括如下結(jié)構(gòu):在一對(duì)電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發(fā)光區(qū)域的第一 EL層103及第二 EL層107，并且在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。在圖4A和4B中，作為陽極101、陰極102、第一 EL層103、電子注入緩沖104、電子繼電層105以及第二EL層107，可以使用與實(shí)施方式I所說明的材料同樣的材料，并可以采用同樣的結(jié)構(gòu)。
[0216]在圖4A和4B所示的發(fā)光元件中，電荷產(chǎn)生區(qū)域106是包含高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)的區(qū)域。此外，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中，通過受體物質(zhì)從高空穴傳輸性物質(zhì)抽出電子，產(chǎn)生空穴及電子。
[0217]圖4A所不的電荷產(chǎn)生區(qū)域106具有在同一個(gè)膜中包含高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。在此情況下，通過以如下方式添加受體物質(zhì):使受體物質(zhì)相對(duì)于高空穴傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1，在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中容易產(chǎn)生載流子，因此是優(yōu)選的。
[0218]由于在圖4A中采用使受體物質(zhì)摻雜在高空穴傳輸性物質(zhì)中的結(jié)構(gòu)，因此在使電荷產(chǎn)生區(qū)域106厚膜化的情況下也可以抑制驅(qū)動(dòng)電壓的上升。因此，可以抑制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓的上升，并且通過光學(xué)調(diào)整提高顏色純度。此外，通過使電荷產(chǎn)生區(qū)域106厚膜化，可以防止發(fā)光元件的短路。
[0219]另外，圖4B所示的電荷產(chǎn)生區(qū)域106具有層疊包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層106a和包含受體物質(zhì)的層106b的結(jié)構(gòu)。在圖4B所示的發(fā)光元件的電荷產(chǎn)生區(qū)域106中，高空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)接觸，并產(chǎn)生電子的授受而形成的電子轉(zhuǎn)移絡(luò)合物只形成在包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層106a和包含受體物質(zhì)的層106b的界面。從而，至于圖4B所示的發(fā)光元件，在使電荷產(chǎn)生區(qū)域106的厚度變厚的情況下也不容易形成可見光的吸收帶，因此是優(yōu)選的。
[0220]此外，通過將圖4B所示的發(fā)光元件和實(shí)施方式2所說明的結(jié)構(gòu)組合，并作為電子注入緩沖104使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或這些的化合物的單層，可以第一 EL層103和第二 EL層107之間的層即電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106不使用摻雜而制造，并可以將這些層的總厚度設(shè)定為5nm以下左右而實(shí)現(xiàn)薄膜化。[0221]此外，作為用于形成電荷產(chǎn)生區(qū)域106的高空穴傳輸性物質(zhì)，可以使用各種有機(jī)化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴以及高分子化合物(低聚物、樹狀聚合體、聚合體等)等。具體地，優(yōu)選使用空穴遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用上述以外的物質(zhì)。
[0222]作為芳香胺化合物的具體例子，可以舉出4，4’-雙[N- (1-萘基)-N_苯基氨基]聯(lián)苯基(簡(jiǎn)稱:NPB或a-NPD)、N，N’-|(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-[1，I’-聯(lián)苯基]-4，4’ - 二胺(簡(jiǎn)稱:TPD)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯基胺(簡(jiǎn)稱=TCTA),4, 4’，4”-三(隊(duì)^二苯基氨基)三苯基胺(簡(jiǎn)稱:丁0六丁六)、4，4’，4”-三[N- (3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡(jiǎn)稱=MTDATA )、N，N’-雙(4-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-對(duì)-苯二胺(簡(jiǎn)稱:DTDPPA)、4，4’-雙[N- (4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:DPAB)、4，4，-雙[N- (3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:DNTro)、l，3，5-三[N- (4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡(jiǎn)稱:DPA3B)等。
[0223]作為咔唑衍生物的具體例子，可以舉出3-[N_ (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱:PCzPCAl )、3，6-雙[N- (9-苯基咔唑_3_基)-N-苯基氨基]_9_苯基咔唑(簡(jiǎn)稱:PCzPCA2)、3-[N- (1-萘基)4_ (9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱=PCzPCNI)等。此外，可以舉出4，4’- 二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:CBP)、1，3，5-三[4- (N-咔唑基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱:TCPB)、9-[4- (10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱:CzPA)、l，4-雙[4- (N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。
[0224]作為芳烴的具體例子，可以舉出2-叔丁基-9，10- 二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱:t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱=DPPA),2-叔丁基_9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱:t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱:DNA)、9，10-二苯基蒽(簡(jiǎn)稱=DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡(jiǎn)稱:t_BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱:DMNA)、9，10-雙[2- (1_萘基)苯基]_2_叔丁基-蒽、9，10-雙[2- (1-萘基)苯基]蒽、2，3,6, 7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3,6, 7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、
9,9’ -聯(lián)恩、10, 10’ - 二苯基-9，9’ -聯(lián)恩、10, 10’ _ 雙(2-苯基苯基)-9，9’ -聯(lián)恩、10, 10’ -雙[(2, 3, 4, 5, 6-五苯基)苯基]-9，9’ -聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅突烯、二萘嵌苯、2，5, 8, 11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，也可以使用并五苯、暈苯等。像這樣，更優(yōu)選使用具有l(wèi)X10_6cm2/Vs以上的空穴遷移率且碳數(shù)為14至42的芳烴。
[0225]此外，芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4，4’ -雙(2，2- 二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:DPVBi)、9，10-雙[4- (2，2- 二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡(jiǎn)稱:DPVPA)等。
[0226]另外，也可以使用高分子化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(簡(jiǎn)稱:PVK)或聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡(jiǎn)稱:PVTPA)等。
[0227]作為用于形成電荷產(chǎn)生區(qū)域106的受體物質(zhì)，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡(jiǎn)稱:匕-1^^0)、氯醌等。另外，可以舉出過渡金屬氧化物。另外，還可以使用屬于元素周期表第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧 化鑰、氧化鎢、氧化錳以及氧化錸，因?yàn)樗鼈兊碾娮咏邮苄愿摺?br> [0228]注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。[0229]實(shí)施方式5
[0230]在本實(shí)施方式5中，使用圖24A和24B說明包括在實(shí)施方式I所說明的基本結(jié)構(gòu)中的發(fā)光元件的其他一例。
[0231]如圖24A所示那樣，本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件包括如下結(jié)構(gòu):在一對(duì)電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發(fā)光區(qū)域的第一 EL層103及第二 EL層107，并且在第一 EL層103和第二 EL層107之間從陽極101 —側(cè)按順序?qū)盈B電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106。
[0232]本實(shí)施方式中的陽極101、陰極102、電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產(chǎn)生區(qū)域106可以使用與實(shí)施方式I所說明的材料同樣的材料。
[0233]在本實(shí)施方式中，第一EL層103具有呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍具有峰的發(fā)射光譜的第一發(fā)光層103-1、呈現(xiàn)在黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍具有峰的發(fā)射光譜的第二發(fā)光層103-2。此外，第二 EL層107具有呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍具有峰的發(fā)射光譜的第三發(fā)光層107-1、呈現(xiàn)在橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍具有峰的發(fā)射光譜的第四發(fā)光層107-2。此外，第一發(fā)光層103-1和第二發(fā)光層103-2也可以反順序?qū)盈B。另外，第三發(fā)光層107-1和第四發(fā)光層107-2也可以反順序?qū)盈B。
[0234]當(dāng)對(duì)這種發(fā)光元件以陽極101 —側(cè)為正且陰極102 —側(cè)為負(fù)的方式來施加偏壓時(shí)，從陽極101注入的空穴和產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的通過電子繼電層105及電子注入緩沖104注入的電子在第一發(fā)光層103-1或第二發(fā)光層103-2中重新結(jié)合而得到第一發(fā)光330。再者，從陰極102注入的電子和產(chǎn)生在電荷產(chǎn)生區(qū)域106中的空穴在第三發(fā)光層107-1或第四發(fā)光層107-2中重新結(jié)合而得到第二發(fā)光340。
[0235]由于第一發(fā)光330是將從第一發(fā)光層103-1及第二發(fā)光層103_2的雙方的發(fā)光組合的發(fā)光，因此如圖24B所示那樣呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍以及黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的發(fā)射光譜。換言之，第一 EL層103呈現(xiàn)2波長(zhǎng)型的白色或近似白色的顏色的發(fā)光。此外，由于第二發(fā)光340是將從第三發(fā)光層107-1及第四發(fā)光層107-2的雙方的發(fā)光組合的發(fā)光，因此如圖24B所示那樣呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍以及橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的發(fā)射光譜。換言之，第二 EL層107呈現(xiàn)與第一 EL層103不同的2波長(zhǎng)型的白色或近似白色的顏色的發(fā)光。
[0236]從而,在本實(shí)施方式中的發(fā)光兀件中，第一發(fā)光330及第二發(fā)光340重疊,其結(jié)果可以得到覆蓋藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍、藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍、黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍、橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍的發(fā)光。
[0237]在本實(shí)施方式中，例如即使第一發(fā)光層103-1(呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍具有峰的發(fā)射光譜)的發(fā)光亮度隨時(shí)間劣化或因電流密度變化，也對(duì)于整個(gè)光譜的第一發(fā)光層103-1的影響為1/4左右，因此色度的偏差較小。
[0238]注意，上述說明第一 EL層103呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍以及黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的光譜，并且第二 EL層107呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍以及橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的光譜的情況作為例子，但是也可以彼此相反。換言之，也可以采用第二 EL層107呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍以及黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的發(fā)射光譜，并且第一 EL層103呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍以及橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍的雙方具有峰的光譜的結(jié)構(gòu)。此外，第一 EL層103及第二 EL層107也可以分別具有形成有發(fā)光層以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。
[0239]接著，說明可以用于本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的EL層的材料作為發(fā)光性的有機(jī)化合物。注意，可以應(yīng)用于本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的材料不局限于如下材料。
[0240]例如，通過使用二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(簡(jiǎn)稱:TBP)、9，10-二苯蒽等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到藍(lán)色至藍(lán)綠色發(fā)光。此外，可以從苯乙烯基亞芳香基衍生物如4，4’ -雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:DPVBi)等或蒽衍生物如9，10-二-2-萘基蒽(簡(jiǎn)稱:DNA)、9，10-雙(2-萘基)_2_叔丁基蒽(簡(jiǎn)稱:t-BuDNA)等得到藍(lán)色至藍(lán)綠色發(fā)光。另外，還可以使用聚合體如聚(9，9-二辛基芴)等。此外，作為藍(lán)色發(fā)光的客體材料，優(yōu)選使用苯乙烯胺衍生物，可以舉出N，N’_雙[4- (9H-咔唑-9-基)苯基]-N, N，- 二苯基二苯乙烯-4，4’ - 二胺(簡(jiǎn)稱:YGA2S)、N, N，- 二苯基-N，N’ -雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯乙烯-4，4’ - 二胺(簡(jiǎn)稱:PCA2S)等。尤其是，優(yōu)選使用YGA2S，因?yàn)樗?50nm附近具有峰。此外，作為主體材料，優(yōu)選使用蒽衍生物，并優(yōu)選使用9，10-雙(2-蔡基)-2-叔丁基恩(簡(jiǎn)稱:t-BuDNA)、9-[4_ (10-苯基-9-恩基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱:CzPA)。尤其是，優(yōu)選使用CzPA，因?yàn)樗陔娀瘜W(xué)上穩(wěn)定。
[0241]例如，通過使用香豆素30、香豆素6等香豆素類色素、雙[2- (2，4-二氟苯基)批唳醇]卩比唳甲酰合銥(簡(jiǎn)稱:FIrpic)、雙(2-苯基批唳醇)乙酰丙酮銥(簡(jiǎn)稱:Ir (ppy) 2(acac))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到藍(lán)綠色至綠色發(fā)光。此外，通過將上述的二萘嵌苯或TBP以5wt%以上的高濃度分散在合適的主體材料中，也可以得到藍(lán)綠色至綠色發(fā)光。另外，也可以從BAlq、Zn (BTZ) 2、雙(2-甲基_8_羥基喹啉)氯鎵(Ga (mq)2Cl)等金屬配合物得到藍(lán)綠色至綠色發(fā)光。此外，也可以使用聚合體如聚(對(duì)-亞苯基亞乙烯基)等。另外，作為藍(lán)綠色至綠色的發(fā)光層的客體材料，優(yōu)選使用蒽衍生物，因?yàn)樗梢缘玫礁咝实陌l(fā)光。例如通過使用9，10-雙{4-[N_(4-二苯基氨基)苯基-N-苯基]氨基苯基}-2-叔丁基蒽(簡(jiǎn)稱:DPABPA)可以得到高效率的藍(lán)綠色發(fā)光。此外，由于可以得到高效率的綠色發(fā)光，所以優(yōu)選使用其2位由氨基取代的蒽衍生物，其中優(yōu)選使用N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N，9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱:2PCAPA)，因?yàn)樗氖褂脡勖绕溟L(zhǎng)。作為這些的主體材料，優(yōu)選使用蒽衍生物，其中優(yōu)選使用上述的CzPA,因?yàn)樗陔娀瘜W(xué)上穩(wěn)定。另外，在組合綠色發(fā)光和藍(lán)色發(fā)光來制造在藍(lán)色至綠色的波長(zhǎng)范圍具有兩個(gè)峰的發(fā)光元件的情況下，若使用CzPA之類的電子傳輸性蒽衍生物作為藍(lán)色發(fā)光層的主體并且使用NPB之類的空穴傳輸性芳香胺化合物作為綠色發(fā)光層的主體，則可以在藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層的界面得到發(fā)光，因此是優(yōu)選的。換言之，在此情況下，作為2PCAPA之類的綠色發(fā)光材料的主體，優(yōu)選使用如NPB之類的芳香胺化合物。
[0242]例如，通過使用紅熒烯、4_(二氰基亞甲基)-2_[對(duì)_(二甲基氨基)苯乙烯基]-6-甲基-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱:DCM1)、4- (二氰基亞甲基)-2-甲基-6- (9-久洛尼定(julolidyl))乙炔基-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱:DCM2)、雙[2-(2-噻吩基)吡啶醇]乙酰丙酮銥(Ir (thp)2 (acac))、雙-(2-苯基喹啉)乙酰丙酮銥(Ir (pq)2 (acac))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到黃色至橙色發(fā)光。尤其是，優(yōu)選使用紅熒烯之類的并四苯衍生物，因?yàn)樗哂懈咝什⒃诨瘜W(xué)上很穩(wěn)定。作為在此情況下的主體材料，優(yōu)選使用NPB之類的芳香胺化合物。作為其他主體材料，還可以使用雙(8-羥基喹啉)鋅(簡(jiǎn)稱:Znq2)或雙[2-肉桂酰-8-羥基喹啉]鋅(簡(jiǎn)稱:Znsq2)等的金屬配合物。此外，也可以使用聚合體如聚(2，5- 二烷氧基-1，4-亞苯基乙烯)等。
[0243]例如，通過使用4- (二氰基亞甲基)_2，6-雙[對(duì)-(二甲氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱:BisDCM)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}_6_甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡(jiǎn)稱=DCMl )、4-( 二氰基亞甲基)-2-甲基-6- (9-久洛尼定)乙炔基-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱:DCM2)、雙[2- (2-噻吩基)卩比啶醇]乙酰丙酮銥(Ir (thp)2 (acac))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到橙色至紅色發(fā)光。也可以從雙(8-羥基喹啉)鋅(簡(jiǎn)稱=Znq2)、雙[2-肉桂?；?8-羥基喹啉]鋅(簡(jiǎn)稱=Znsq2)等金屬配合物得到橙色至紅色發(fā)光。此外，也可以使用聚合體如聚(3-烷基噻吩)等。作為呈現(xiàn)紅色發(fā)光的客體材料，優(yōu)選使用4- (二氰基亞甲基)_2，6-雙[對(duì)-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱=BisDCM)、2- (2-{2-[4- (二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡(jiǎn)稱:DCM1)、4- (二氰基亞甲基)-2-甲基-6- (9-久洛尼定)乙炔基-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱:DCM2)、{2-異丙基-6-[2- (2，3，6，7-四氫-1, I, 7，7-四甲基-1H, 5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱=DCJTI)、{2，6-雙[2-(2, 3,6, 7-四氫-8-甲氧基-1，1,7, 7-四甲基-1H，5H-苯并[ij]喹嗪_9_基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱=BisDCJTM)之類的4H-吡喃衍生物，因?yàn)樗男矢?。尤其是，由于DCJT1、BisDCJTM在620nm附近具有發(fā)光的峰，因此是優(yōu)選的。
[0244]注意，可以使用其波長(zhǎng)短于發(fā)光有機(jī)化合物的主體材料或其能隙較大的主體材料作為在上述結(jié)構(gòu)中的合適主體材料。具體地，主體材料可以從以實(shí)施方式I所示的例子為代表的空穴傳輸材料或電子傳輸材料中適當(dāng)?shù)剡x擇。此外，也可以使用4，4’ -雙(N-咔唑基)_聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱:CBP)、4，4’，4”_三(N-咔唑基)三苯胺(簡(jiǎn)稱:TCTA)、1，3，5-三[4- (N-咔唑基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱:TCPB)等。
[0245]在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，第一 EL層的發(fā)射光譜及第二 EL層的發(fā)射光譜重疊，其結(jié)果可以得到覆蓋藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長(zhǎng)范圍、藍(lán)綠色至綠色的波長(zhǎng)范圍、黃色至橙色的波長(zhǎng)范圍、橙色至紅色的波長(zhǎng)范圍的白色發(fā)光。
[0246]再者，也可以通過調(diào)節(jié)各個(gè)疊層的膜厚來有意圖地稍微地干涉光，抑制突出的尖銳峰產(chǎn)生而得到梯形的發(fā)射光譜，以將其光接近于具有連續(xù)光譜的自然光。另外，也可以通過調(diào)節(jié)各個(gè)疊層的膜厚來有意圖地稍微地干涉光，改變發(fā)射光譜的峰的位置。通過調(diào)節(jié)各個(gè)疊層的膜厚以使在發(fā)射光譜中出現(xiàn)的多個(gè)峰的強(qiáng)度大致相同，并且縮短各個(gè)峰的間隔，可以得到具有近于梯形的發(fā)射光譜的白色發(fā)光。
[0247]此外，在本實(shí)施方式中示出在多層的發(fā)光層的每一個(gè)中重疊彼此處于補(bǔ)色關(guān)系的發(fā)光顏色而可以得到白色發(fā)光的EL層。如下說明因補(bǔ)色關(guān)系而呈現(xiàn)白色發(fā)光的EL層的具體結(jié)構(gòu)。
[0248]設(shè)置在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中的EL層例如可以采用如下結(jié)構(gòu):從陽極101一側(cè)按順序?qū)盈B包含高空穴傳輸性物質(zhì)和第一發(fā)光物質(zhì)的第一層、包含高空穴傳輸性物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)的第二層、包含高電子傳輸性物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)的第三層。
[0249]在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的EL層中，為了得到白色發(fā)光，需要第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)的雙方發(fā)射光。從而，為了調(diào)節(jié)EL層內(nèi)的載流子的傳輸性，優(yōu)選高空穴傳輸性物質(zhì)和高電子傳輸性物質(zhì)都是主體材料。此外,作為可以用于EL層的高空穴傳輸性物質(zhì)或高電子傳輸性物質(zhì)，可以適當(dāng)?shù)厥褂脤?shí)施方式I所示的物質(zhì)。[0250]此外，第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)可以選擇性地使用各個(gè)發(fā)光顏色處于補(bǔ)色關(guān)系的物質(zhì)。作為補(bǔ)色關(guān)系，可以舉出藍(lán)色和黃色或藍(lán)綠色和紅色等。作為發(fā)出藍(lán)色光、黃色光、藍(lán)綠色光和紅色光的物質(zhì)，例如從以上列舉的發(fā)光物質(zhì)中適當(dāng)?shù)剡x擇出即可。另外，通過使第二發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光波長(zhǎng)比第一發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光波長(zhǎng)短，可以將第二發(fā)光物質(zhì)的一部分激發(fā)能量傳遞到第一發(fā)光物質(zhì)中，而使第一發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。由此，在本實(shí)施方式的發(fā)光元件中，優(yōu)選第二發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光峰值波長(zhǎng)比第一發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光峰值波長(zhǎng)短。
[0251]在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)中，可以得到從第一發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光和從第二發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光的雙方，并由于第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光顏色彼此處于補(bǔ)色關(guān)系，因此可以得到白色發(fā)光。此外，通過采用本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，可以得到使用壽命長(zhǎng)的發(fā)光元件。
[0252]注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。
[0253]實(shí)施方式6
[0254]在本實(shí)施方式中，使用圖5A至5C說明包括上述實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的發(fā)光裝置的一個(gè)方式。圖5A至5C是該發(fā)光裝置的截面圖。
[0255]在圖5A至5C中，被矩形的虛線包圍的部分是用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件12而設(shè)置的晶體管11。發(fā)光元件12在第一電極13和第二電極14之間具有包括有機(jī)化合物的層15，該包括有機(jī)化合物的層具有η (η是2以上的自然數(shù))層的EL層，并且在第m (m是自然數(shù)，I n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側(cè)按順序包括電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產(chǎn)生區(qū)域。此外，每個(gè)EL層至少設(shè)置有發(fā)光層，并且采用除了發(fā)光層以外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的結(jié)構(gòu)。換言之，發(fā)光元件12的結(jié)構(gòu)是實(shí)施方式I至實(shí)施方式4所示的結(jié)構(gòu)。晶體管11的漏區(qū)通過穿過第一層間絕緣膜16(16a、16b、16c)的布線17與第一電極13電連接。通過隔壁層18，發(fā)光元件12與相鄰地設(shè)置的其它發(fā)光元件分離。具有這種結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的發(fā)光裝置在本實(shí)施方式中設(shè)置在襯底10上。
[0256]此外，圖5A至5C所示的晶體管11是以半導(dǎo)體層為中心在與襯底相反一側(cè)設(shè)置有柵電極的頂柵型晶體管。注意，晶體管11的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，例如也可以使用底柵型晶體管。此外，當(dāng)采用底柵型時(shí)，既可以使用在形成溝道的半導(dǎo)體層上形成保護(hù)膜的晶體管(溝道保護(hù)型)，又可以使用形成溝道的半導(dǎo)體層的一部分成為凹狀的晶體管(溝道蝕刻型)。
[0257]此外，構(gòu)成晶體管11的半導(dǎo)體層可以使用結(jié)晶性、非晶性的任一種。另外，也可以使用微晶半導(dǎo)體(微晶體半導(dǎo)體)、氧化物半導(dǎo)體等。
[0258]作為氧化物半導(dǎo)體層，可以使用選自銦、鎵、鋁、鋅以及錫中的元素的復(fù)合氧化物。例如，作為該例子，可以舉出氧化鋅(ZnO)、含有氧化鋅的氧化銦(IZO)、由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構(gòu)成的氧化物(IGZ0)。作為結(jié)晶半導(dǎo)體層的具體例子，可以舉出由單晶硅、多晶硅、硅鍺等形成的半導(dǎo)體層。它可以通過激光結(jié)晶來形成，例如，可以通過使用鎳等的固相生長(zhǎng)法結(jié)晶來形成。
[0259]此外，在半導(dǎo)體層由非晶物質(zhì)例如非晶硅形成的情況下，優(yōu)選發(fā)光裝置具有電路，該電路通過使晶體管11以及其他晶體管(構(gòu)成用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電路的晶體管)都為N溝道型晶體管而構(gòu)成。另外，由于大多數(shù)的氧化物半導(dǎo)體例如氧化鋅(ZnO)、含有氧化鋅的氧化銦(IZO)、由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構(gòu)成的氧化物(IGZO)等為N型半導(dǎo)體，所以將這些化合物用作激活層的晶體管成為N溝道型。在除了上述以外的情況下，既可以采用具有由N溝道型和P溝道型中的任一種晶體管構(gòu)成的電路的發(fā)光裝置，又可以采用具有由雙方的晶體管構(gòu)成的電路的發(fā)光裝置。
[0260]此外，第一層間絕緣膜16可以為如圖5Α和5C所示的多層或單層。此外，層間絕緣膜16a由無機(jī)物如氧化硅或氮化硅形成，層間絕緣膜16b由丙烯酸樹脂、硅氧烷(由硅(Si)和氧(O)鍵形成骨架結(jié)構(gòu)的作為取代基至少包含氫的有機(jī)基)或可以通過可涂布成膜的具有自我平整性物質(zhì)例如氧化硅形成。再者，層間絕緣膜16c由含氬(Ar)的氮化硅膜形成。另外，對(duì)構(gòu)成各個(gè)層的物質(zhì)沒有特別的限制，而還可以使用除了以上物質(zhì)之外的物質(zhì)。此夕卜，還可以進(jìn)一步地組合由上述物質(zhì)以外的物質(zhì)構(gòu)成的層。如上所述，可以使用無機(jī)物和有機(jī)物的雙方形成層間絕緣膜16a至16c，或可使用無機(jī)膜和有機(jī)膜的任一種形成層間絕緣膜 16a 至 16c。
[0261]隔壁層18的邊緣部?jī)?yōu)選具有曲率半徑連續(xù)變化的形狀。此外，隔壁層18通過使用丙烯酸樹脂、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等形成。另外，隔壁層18可以由無機(jī)膜和有機(jī)膜中的任一方或雙方形成。
[0262]此外,在圖5A和5C中米用只有第一層間絕緣膜16a至16c設(shè)置在晶體管11和發(fā)光元件12之間的結(jié)構(gòu)。但是，如圖5B所示，也可以采用在晶體管11和發(fā)光元件12之間除了第一層間絕緣膜16 (16a、16b)以外還設(shè)置第二層間絕緣膜19 (19a、19b)的結(jié)構(gòu)。在圖5B所示的發(fā)光裝置中，第一電極13穿過第二層間絕緣膜19與布線17連接。
[0263]與第一層間絕緣膜16同樣，第二層間絕緣膜19可以為多層或單層。此外，層間絕緣膜19a由丙烯酸樹脂、硅氧烷(由硅(Si)和氧(O)鍵形成骨架結(jié)構(gòu)的作為取代基至少包含氫的有機(jī)基)或可以通過可涂布成膜的具有自我平整性物質(zhì)例如氧化硅形成。再者，層間絕緣膜1%由含氬(Ar)的氮化硅膜形成。另外，對(duì)構(gòu)成各個(gè)層的物質(zhì)沒有特別的限制，而還可以使用除了以上物質(zhì)之外的物質(zhì)。此外，還可以進(jìn)一步地組合由上述物質(zhì)以外的物質(zhì)構(gòu)成的層。如上所述，可以使用無機(jī)物和有機(jī)物的雙方形成層間絕緣膜19a、19b，或可使用無機(jī)膜和有機(jī)膜的任一種形成層間絕緣膜19a、19b。
[0264]當(dāng)在發(fā)光元件12中第一電極和第二電極都由具有透光性的物質(zhì)構(gòu)成時(shí)，如圖5A的空心箭頭所示，可以從第一電極13 —側(cè)和第二電極14 一側(cè)的雙方取得發(fā)光。此外，當(dāng)只有第二電極14由具有透光性的物質(zhì)構(gòu)成時(shí)，如圖5B的空心箭頭所示，可以只從第二電極14一側(cè)取得發(fā)光。在此情況下，第一電極13優(yōu)選由具有高反射率的材料構(gòu)成或者優(yōu)選將由具有高反射率的材料構(gòu)成的膜(反射膜)設(shè)置在第一電極13的下方。當(dāng)只有第一電極13由具有透光性的物質(zhì)構(gòu)成時(shí)，如圖5C的空心箭頭所示，可以只從第一電極13 —側(cè)取得發(fā)光。在此情況下，第二電極14優(yōu)選由具有高反射率的材料構(gòu)成或者優(yōu)選將反射膜設(shè)置在第二電極14的上方。
[0265]此外，發(fā)光元件12既可以采用當(dāng)施加電壓以使第二電極14的電位高于第一電極13的電位時(shí)工作的方式層疊層15的結(jié)構(gòu)，又可以采用當(dāng)施加電壓以使第二電極14的電位低于第一電極13的電位時(shí)工作的方式層疊層15的結(jié)構(gòu)。在前一情況中，晶體管11是N溝道型晶體管，在后一情況中，晶體管11是P溝道型晶體管。
[0266]此外，雖然在圖5A至5C所示的截面圖中只示出一個(gè)發(fā)光元件，但是在像素部中，以矩陣形狀設(shè)置有多個(gè)發(fā)光元件。另外，在進(jìn)行由R (紅)、G (綠)、B (藍(lán))的彩色成分構(gòu)成的彩色顯示時(shí)，在像素部中分別形成有多個(gè)可得到三種(R、G、B)發(fā)光的發(fā)光元件。此外，彩色成分不局限于三種顏色，既可以使用四種以上的顏色，又可以使用RGB以外的顏色。例如，還可以加上白色來實(shí)現(xiàn)RGBW (W是白色)。
[0267]作為彩色成分不同的發(fā)光元件的制造方法，可以使用如下方法等:對(duì)每個(gè)EL層進(jìn)行分別涂敷的方法；以可得到白色發(fā)光的方式形成所有EL層，并與濾色片組合來得到不同彩色成分的發(fā)光元件的方法；以可得到藍(lán)色發(fā)光或與其波長(zhǎng)相比短的波長(zhǎng)的發(fā)光的方式形成所有EL層，并與顏色轉(zhuǎn)換層組合來得到不同彩色成分的發(fā)光元件的方法。
[0268]如上所述，在本實(shí)施方式中，說明了使用晶體管而控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)的有源矩陣型發(fā)光裝置，此外，也可以采用無源矩陣型發(fā)光裝置，其中將晶體管等的驅(qū)動(dòng)元件不設(shè)置在與發(fā)光兀件同一襯底上而驅(qū)動(dòng)發(fā)光兀件。圖6A不出應(yīng)用實(shí)施方式I至實(shí)施方式4所不的發(fā)光元件而制造的無源矩陣型發(fā)光裝置的立體圖。另外，圖6B是沿著圖6A的虛線X-Y的截面圖。
[0269]在圖6A和6B中，在襯底951上在電極952和電極956之間設(shè)置有含有機(jī)化合物的層955。該含有機(jī)化合物的層具有η (η是2以上的自然數(shù))層的EL層，并且在第m Cm是自然數(shù)，1≤m≤n-1) EL層和第(m+1) EL層之間從陽極一側(cè)按順序包括電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產(chǎn)生區(qū)域。此外，每個(gè)EL層至少設(shè)置有發(fā)光層，并且采用除了發(fā)光層以外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的結(jié)構(gòu)。電極952的端部被絕緣層953覆蓋。在絕緣層953上設(shè)置隔壁層954。隔壁層954的側(cè)壁具有傾斜，使得一方的側(cè)壁和另一方的側(cè)壁之間的距離越靠近襯底表面越變窄。換言之，短邊方向的隔斷層954的截面是梯形，底邊(朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并且與絕緣層953接觸的邊)比上邊(朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并且與絕緣層953不接觸的邊)短。如上所述，通過設(shè)置隔壁層954，可以防止發(fā)光元件的起因于靜電等的缺陷。另外，通過使無源矩陣型發(fā)光裝置包括實(shí)施方式I至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件，可以得到耗電量低的發(fā)光裝置。
[0270]由于本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置使用在上述實(shí)施方式中示出一例的發(fā)光元件，因此可以得到亮度高且驅(qū)動(dòng)電壓低，并且耗電量低的發(fā)光裝置。
[0271]實(shí)施方式7
[0272]在本實(shí)施方式中說明其一部分包括實(shí)施方式6所示的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。本實(shí)施方式所示的電子設(shè)備包括實(shí)施方式I至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件，并且具有亮度高且驅(qū)動(dòng)電壓低，并且耗電量低的顯示部。
[0273]作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備，可以舉出攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音回放裝置(車載音響、立體聲組合音響等)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(便攜式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書等)、具有記錄介質(zhì)的圖像回放裝置(具體為回放數(shù)字通用光盤(DVD)等記錄介質(zhì)并且具有可以顯示其圖像的顯示裝置的裝置)等。在圖7A至7E中示出這些電子設(shè)備的具體例子。
[0274]圖7A示出便攜式信息終端設(shè)備9200的一例。便攜式信息終端設(shè)備9200內(nèi)置有計(jì)算機(jī)而可以進(jìn)行各種數(shù)據(jù)處理。作為這種便攜式信息終端設(shè)備9200，可以舉出PDA(Personal Digital Assistance:個(gè)人數(shù)字助理)。[0275]便攜式信息終端設(shè)備9200由框體9201及框體9203的兩個(gè)框體構(gòu)成。框體9201和框體9203由連結(jié)部9207連結(jié)為可折疊方式。框體9201組裝有顯示部9202，框體9203具備有鍵盤9205。當(dāng)然，便攜式信息終端設(shè)備9200的結(jié)構(gòu)不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其它輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。將與上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光元件相同的發(fā)光元件排列成矩陣形狀以構(gòu)成顯示部9202。該發(fā)光元件具有亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低且耗電量少的特征。由于由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部9202也具有同樣的特征，因此該便攜式信息終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)低耗電量化。
[0276]圖7B示出根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)碼攝像機(jī)9500的一例。數(shù)碼攝像機(jī)9500的框體9501組裝有顯示部9503，并且還設(shè)置有各種操作部。注意，對(duì)數(shù)碼攝像機(jī)9500的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，而可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其他輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
[0277]在該數(shù)碼攝像機(jī)中，將與上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光元件相同的發(fā)光元件排列成矩陣形狀以構(gòu)成顯示部9503。該發(fā)光元件具有驅(qū)動(dòng)電壓低、亮度高并且耗電量少的特征。由于由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部9503也具有同樣的特征，因此該數(shù)碼攝像機(jī)實(shí)現(xiàn)低耗電量化。
[0278]圖7C示出根據(jù)本實(shí)施方式的移動(dòng)電話機(jī)9100的一例。移動(dòng)電話機(jī)9100由框體9102及框體9101的兩個(gè)框體構(gòu)成，并且框體9102和框體9101由連結(jié)部9103連結(jié)為可折疊方式?？蝮w9102組裝有顯示部9104，框體9101設(shè)置有操作鍵9106。注意，對(duì)移動(dòng)電話機(jī)9100的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，而可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其他輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
[0279]在該移動(dòng)電話機(jī)中，將與上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光元件相同的發(fā)光元件排列成矩陣形狀以構(gòu)成顯示部9104。該發(fā)光元件具有亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低且耗電量少的特征。由于由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部9104也具有同樣的特征，因此該移動(dòng)電話機(jī)實(shí)現(xiàn)低耗電量化。此外，也可以使用上述實(shí)施方式所示的發(fā)光元件作為設(shè)置在移動(dòng)電話機(jī)等中的顯示器的背光燈。
[0280]圖7D示出便攜式計(jì)算機(jī)9400的一例。計(jì)算機(jī)9400具備能夠開閉地連結(jié)的框體9401和框體9404?？蝮w9401組裝有顯示部9402，框體9404具備有鍵盤9403等。注意，對(duì)計(jì)算機(jī)9400的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，而可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其它輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
[0281 ] 在該計(jì)算機(jī)中，將與上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光元件相同的發(fā)光元件排列成矩陣形狀以構(gòu)成顯示部9402。該發(fā)光元件具有亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低并且耗電量少的特征。由于由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部9402也具有同樣的特征，因此該計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)低耗電量化。
[0282]圖7E示出電視裝置9600的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯示圖像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結(jié)構(gòu)。
[0283]可以通過利用框體9601所具備的操作開關(guān)、另外提供的遙控操作機(jī)9610進(jìn)行電視裝置9600的操作。通過利用遙控操作機(jī)9610所具備的操作鍵9609,可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對(duì)在顯示部9603上顯示的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操作機(jī)9610中設(shè)置顯示從該遙控操作機(jī)9610輸出的信息的顯示部9607的結(jié)構(gòu)。
[0284]此外，電視裝置9600采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)。可以通過利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，也可以進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通信。
[0285]在該電視裝置中，通過將與上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光元件相同的發(fā)光元件排列成矩陣形狀而構(gòu)成顯示部9603和顯示部9607的至少一方。該發(fā)光元件具有亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低并且耗電量少的特征。由于由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部也具有同樣的特征。
[0286]如上所述，上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍很廣泛，可以將該發(fā)光裝置應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電子設(shè)備。通過使用實(shí)施方式I至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件，可以提供具有呈現(xiàn)高亮度的發(fā)光的耗電量低的顯示部的電子設(shè)備。
[0287]此外，也可以將上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置用作照明裝置。使用圖8對(duì)將上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置用作照明裝置的一個(gè)方式進(jìn)行說明。
[0288]圖8是將在上述實(shí)施方式中示出一例的發(fā)光裝置用作照明裝置的臺(tái)燈以及室內(nèi)的照明裝置的例子。圖8所示的臺(tái)燈包括光源3000，作為光源3000使用在上述實(shí)施方式中示出一例的發(fā)光裝置。從而，可以得到耗電量低的發(fā)光裝置。此外，因?yàn)樵摪l(fā)光裝置可以實(shí)現(xiàn)大面積化，所以可以將照明裝置用作大面積照明。另外，由于該發(fā)光裝置是薄型且耗電量低，因此可以用作薄型化、低耗電量化的照明裝置。此外，由于該發(fā)光裝置可以實(shí)現(xiàn)柔性化，因此例如像照明裝置3002那樣可以得到卷曲型照明裝置(roll-type lighting device)。如上所述，也可以在將本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置用作室內(nèi)照明裝置3001、3002的房間內(nèi)設(shè)置圖7E所說明的電視裝置。
[0289]如上所述，實(shí)施方式6所示的發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍很廣泛，可以將該發(fā)光裝置應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電子設(shè)備。注意，本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式I至實(shí)施方式5適當(dāng)?shù)亟M合而使用。
[0290]實(shí)施例1
[0291]在本實(shí)施例中使用圖9A和9B說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。以下示出在本實(shí)施例及實(shí)施例2至6中使用的材料的化學(xué)式。
[0292]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層，所述第一 EL層包含具有電子傳輸性的第一物質(zhì)； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的區(qū)域； 所述區(qū)域上的第二 EL層；以及 所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層包含具有電子傳輸性的第二物質(zhì)， 所述區(qū)域包含空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)， 并且，所述第一物質(zhì)不同于所述第二物質(zhì)。
2.—種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的區(qū)域； 所述區(qū)域上的第二 EL層；以及 所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層設(shè)置為將電子從所述區(qū)域傳輸?shù)剿龅谝粚樱? 并且,所述區(qū)域包含空穴傳輸性物質(zhì)和受體物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其中所述區(qū)域還包含7，7，8，8-四氰基_2，3, 5, 6-四氟醌二甲燒和/或氯醌。
4.一種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層，所述第一 EL層包含具有電子傳輸性的第一物質(zhì)； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的第三層； 位于所述第三層上的第二 EL層；以及 位于所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層包含具有 電子傳輸性的第二物質(zhì)， 所述第三層是具有空穴傳輸性物質(zhì)的第一區(qū)域和具有受體物質(zhì)的第二區(qū)域?qū)盈B的層，并且，所述第一物質(zhì)不同于所述第二物質(zhì)。
5.一種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的第三層； 位于所述第三層上的第二 EL層，和 位于所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層設(shè)置為將電子從所述第三層傳輸?shù)剿龅谝粚樱? 所述第三層是具有空穴傳輸性物質(zhì)的第一區(qū)域和具有受體物質(zhì)的第二區(qū)域?qū)盈B的層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的發(fā)光元件，其中在所述第三層中所述施體物質(zhì)相對(duì)于所述空穴傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的發(fā)光元件，其中所述第三層中還包含7，7，8，8-四氰基_2，3, 5, 6-四氟醌二甲燒和/或氯醌。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4和5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述受體物質(zhì)是過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物是屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，所述過渡金屬氧化物是氧化鑰。
10.一種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的區(qū)域； 所述區(qū)域上的第二 EL層；以及 所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層包含二萘嵌苯衍生物和具有吸電子基團(tuán)的含氮稠環(huán)芳香化合物的一種， 并且，所述區(qū)域包含空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)。
11.一種發(fā)光兀件，包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的區(qū)域； 所述區(qū)域上的第二 EL層；以及所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層包含二萘嵌苯衍生物和具有吸電子基團(tuán)的含氮稠環(huán)芳香化合物的一種， 并且,所述區(qū)域包含空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)和受體物質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1、2和11中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中在所述區(qū)域中所述施體物質(zhì)相對(duì)于所述空穴傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1。
13.—種發(fā)光兀件,包括: 陽極； 位于所述陽極上的第一 EL層； 位于所述第一 EL層上的第一層； 位于所述第一層上并與其接觸的第二層； 位于所述第二層上并與其接觸的區(qū)域； 所述區(qū)域上的第二 EL層；以及 所述第二 EL層上的陰極， 其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種， 所述第二層包含二萘嵌苯衍生物和具有吸電子基團(tuán)的含氮稠環(huán)芳香化合物的一種，所述區(qū)域含有包含空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)的第一區(qū)域和包含受體物質(zhì)的第二區(qū)域， 并且，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域和所述第二層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求10、11和13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述吸電子基團(tuán)是氰基和氟基的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求10、11和13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述二萘嵌苯衍生物是3，4，9，10-茈四羧酸二酐、3，4，9，10-茈四羧酸-雙-苯并咪唑、N，N’-二辛基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺和N，N’ - 二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺的一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求10、11和13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述含氮稠環(huán)芳香化合物是吡嗪并[2，3-f] [I, 10]菲咯啉-2，3-二甲腈、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮三苯并苯、2，3-二苯基吡啶并[2，3-b]吡嗪、2，3-雙(4-氟苯基)吡啶并[2，3_b]吡嗪、全氟并五苯、7，7，8，8，-四氰基對(duì)醌二甲烷、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、十六烷氟代酞菁銅、N, N，-雙(2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8，十五烷氟辛基-1, 4，5，8-萘四羧酸二酰亞胺、3’，4’ - 二丁基-5，5” -雙(二氰基亞甲基)-5，5” - 二氫-2，2’: 5’，2” -三聯(lián)噻吩、[6，6]-苯基C61酪酸甲酯的一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求10、11和13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光兀件,其中所述第一EL層包含電子傳輸性高于空穴傳輸 性的第一物質(zhì)； 并且所述第一物質(zhì)不同于包含于所述第二層的含氮稠環(huán)芳香化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求11或13所述的發(fā)光元件，其中所述受體物質(zhì)是氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鑰、氧化鶴、氧化猛以及氧化錸的一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求11或13所述的發(fā)光元件，其中所述受體物質(zhì)是7，7，8，8-四氰基-2，3，5,6-四氟醌二甲烷和氯醌的一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5、10、11和13任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述第一EL層的發(fā)射光譜與所述第二 EL層的發(fā)射光譜不同。
21.根據(jù)權(quán)利要求10、11和13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光兀件,其中所述空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)是芳香胺化合物或咔唑衍生物。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光元件，其中所述芳香胺化合物是4，4’_雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、N，N’ -雙(3-甲基苯)-N，N’ - 二苯基_[1，1’ -聯(lián)苯]_4，4’ -二胺、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’，4”-三(N，N- 二苯基氨基)三苯胺、4，4’，4”-三[N- (3-甲基苯)-N-苯基氨基]三苯胺、N，N’-雙(4-甲基苯基)-N，N’_二苯基-對(duì)-苯二胺、4，4’ -雙[N- (4- 二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’ -雙[N- (3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯和1，3，5-三[N- (4- 二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯4的一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光元件，其中所述咔唑衍生物是3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9_苯基咔唑、3，6-雙[N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑、3-[N- (1-萘基)-N- (9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑、4，4’_ 二(N-咔唑基)聯(lián)苯、1，3，5_三[4- (N-咔唑基)苯基]苯、9-[4_ (10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑和1，4-雙[4- (N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯的一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5、10、11和13任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中所述第一EL層和所述第二 EL層各種包含空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。
25.發(fā)光裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5、10、11和13任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件。
26.電子設(shè)備,其包含根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5、10、11和13任一項(xiàng)所述的發(fā)光兀件,其中所述電子設(shè)備是攝像機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音回放裝置、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端、電子圖書、移動(dòng)電話、圖像回放裝置和電視的一種。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103904229SQ201410135787
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2008年12月1日
【發(fā)明者】能渡廣美, 瀨尾哲史, 大澤信晴, 牛洼孝洋, 筒井哲夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所