一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠保證顯示裝置的顯示效果。該陣列基板，包括陣列式排布的多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其中，所述薄膜晶體管的漏極和所述像素電極之間設(shè)置有第一黑矩陣，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接，所述陣列基板還包括：第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于近年來人們對于顯示裝置的透光率、分辨率、功耗等的要求越來越高，顯示裝置都在向著高透過率、高分辨率、低功耗等方向發(fā)展。其中，分辨率越高，使得每一個像素單元的尺寸越小，當(dāng)像素單元的邊長由幾十微米變?yōu)槭畮孜⒚讜r，顯然，像素單元的尺寸得到了大幅度的減小，此時，若劃分像素單元的黑矩陣的寬度仍然保持不變，相對于像素單元而言，黑矩陣將變得明顯，將會影響顯示裝置的顯示效果。
[0003]因此，BOA (Black matrix on Array)技術(shù)應(yīng)運而生。由于此時黑矩陣位于陣列基板上，在適當(dāng)減小黑矩陣的寬度時，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管等需遮光的結(jié)構(gòu)，同時，減少漏光現(xiàn)象發(fā)生的可能性，在提高分辨率、透過率的同時又保證了顯示裝置的顯示效果。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在將黑矩陣整合到陣列基板上之后，由于黑矩陣通常位于薄膜晶體管的漏極和像素電極之間，為了實現(xiàn)漏極與像素電極之間的電連接，需要在黑矩陣形成過孔，該過孔會影響黑矩陣對漏極的遮光效果，降低了顯示裝置的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠保證顯示裝置的顯示效果。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，包括陣列式排布的多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其中，所述薄膜晶體管的漏極和所述像素電極之間設(shè)置有第一黑矩陣，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接，所述陣列基板還包括:
[0008]第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
[0009]所述第二黑矩陣的尺寸大于所述漏極的尺寸。
[0010]所述陣列基板還包括隔墊物，所述隔墊物對應(yīng)所述第二黑矩陣設(shè)置。
[0011]所述隔墊物與所述第二黑矩陣在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0012]所述隔墊物與所述第二黑矩陣一體成型。
[0013]在本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，提供了一種陣列基板，該陣列基板包括陣列式排布的多個像素單元，每一個像素單元包括薄膜晶體管的漏極、像素電極、第一黑矩陣和第二黑矩陣，其中，第一黑矩陣形成有用于使得漏極和像素電極電連接的過孔，第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔，使得第一黑矩陣的過孔不會產(chǎn)生反光等不良現(xiàn)象，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0014]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。[0015]本發(fā)明第三方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0016]形成薄膜晶體管的漏極、第一黑矩陣和像素電極，其中，所述第一黑矩陣位于所述漏極和所述像素電極之間，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；
[0017]形成第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
[0018]所述形成薄膜晶體管的漏極、第一黑矩陣和像素電極包括:
[0019]形成薄膜晶體管的漏極；
[0020]在所述漏極之上，形成第一黑矩陣；
[0021]在所述第一黑矩陣之上，形成像素電極。
[0022]所述第二黑矩陣的尺寸大于所述漏極的尺寸。
[0023]所述的制備方法還包括:
[0024]形成隔墊物，所述隔墊物對應(yīng)所述第二黑矩陣設(shè)置。
[0025]所述隔墊物與所述第二黑矩陣在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0026]所述隔墊物與所述第二黑矩陣一體成型。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0029]圖2為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0030]圖3為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備方法的流程示意圖一；
[0031]圖4為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備方法的流程示意圖二。
[0032]附圖標(biāo)記說明:
[0033]I一襯底基板；2—薄膜晶體管；21—漏極；
[0034]22一柵極；23—柵極絕緣層；24—源極；
[0035]25—有源層；3—像素電極；4一第一黑矩陣；
[0036]5—過孔；6—第二黑矩陣；7—彩色濾色層；
[0037]8—第一絕緣層；9—隔墊物；10—公共電極；
[0038]11一第二絕緣層。
【具體實施方式】
[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]實施例一[0041]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括:
[0042]包括設(shè)置于襯底基板I上的陣列式排布的多個像素單元，如圖1所示，所述像素單元包括薄膜晶體管2和像素電極3，其中，所述薄膜晶體管2的漏極21和所述像素電極3之間設(shè)置有第一黑矩陣4，所述第一黑矩陣4形成有過孔5，所述漏極21和所述像素電極3通過所述過孔5連接，所述陣列基板還包括:
[0043]第二黑矩陣6，所述第二黑矩陣6對應(yīng)所述漏極21設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣4的過孔。
[0044]如圖1所示，由于第一黑矩陣4用于充分遮擋柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管2等需遮光的結(jié)構(gòu)，因此，第一黑矩陣4通常是覆蓋在薄膜晶體管2之上，而同時為了保證薄膜晶體管2的漏極21與像素電極3之間的連接，與第一黑矩陣4形成有過孔5，該過孔5會影響第一黑矩陣4的遮光效果。為了盡可能保證第一黑矩陣4的遮光效果，技術(shù)人員將該過孔5做的盡量的小，增大了過孔5的制作難度，同時對第一黑矩陣4的材料要求更高。另外，由于過孔5區(qū)域處沒有第一黑矩陣4覆蓋，同時由于漏極21 —般采用金屬制成，在光線較強(qiáng)的外界環(huán)境下，用戶能明顯感覺到過孔5對應(yīng)的漏極21金屬反射出的光線，導(dǎo)致用戶看不清顯示裝置的顯示畫面，降低用戶的使用體驗。
[0045]而在本發(fā)明實施例中，在第一黑矩陣4的過孔5之上形成的第二黑矩陣6可有效保證顯示裝置的顯示效果，同時，無需減小第一黑矩陣4的過孔5的尺寸。
[0046]在本實施例的技術(shù)方案中，提供了一種陣列基板，該陣列基板包括陣列式排布的多個像素單元，每一個像素單元包括薄膜晶體管的漏極、像素電極、第一黑矩陣和第二黑矩陣，其中，第一黑矩陣形成有用于使得漏極和像素電極電連接的過孔，第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔，使得第一黑矩陣的過孔不會產(chǎn)生反光等不良現(xiàn)象，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0047]顯然，如圖1所示，薄膜晶體管除了漏極21之外還包括其他層結(jié)構(gòu)，具體的，薄膜晶體管2由下至上包括:柵極22、柵極絕緣層23、同層設(shè)置且絕緣的源極24和漏極21、以及連接源極24和漏極21的有源層25。
[0048]為了便于第一黑矩陣4和彩色濾色層7之間對位、制作，如圖1所示，在薄膜晶體管2之上形成彩色濾色層7，通常，彩色濾色層7至少包括紅、綠、藍(lán)等顏色。之后，在彩色濾色層7之上形成第一黑矩陣4。為了便于后續(xù)的制作方便，還在第一黑矩陣4之上覆蓋一層厚度較大的第一絕緣層8。
[0049]另外，由于第一黑矩陣4的圖形與漏極21的圖形不同，因此，第一黑矩陣4和漏極21分別采用不同的掩膜板、通過構(gòu)圖工藝形成。若是在形成第一黑矩陣4時，第一黑矩陣4的掩膜板與漏極21的掩膜板之間存在對位誤差，很可能導(dǎo)致第一黑矩陣4的過孔5部分位于漏極21的對應(yīng)位置之外，即過孔21在漏極21上的投影部分位于漏極21之外，嚴(yán)重時，會導(dǎo)致背光源發(fā)出的光從過孔5漏出，降低顯示裝置的顯示效果。
[0050]而在本發(fā)明實施例中，如圖1所示，優(yōu)選的，所形成的所述第二黑矩陣6的尺寸大于所述漏極21的尺寸，可有效防止上述不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。
[0051]一般的，液晶顯示面板包括陣列基板、陣列基板的對盒基板以及封裝在陣列基板及其對盒基板之間的液晶層，一般為了保證液晶顯示面板的顯示效果，需要維持液晶層的厚度，防止液晶層受擠壓變形而無法正常顯示。因此，需要在陣列基板及其對盒基板之間，分布設(shè)置一些隔墊物。同樣的，在本發(fā)明實施例中，如圖1所示，所述陣列基板還包括隔墊物9，為了防止隔墊物9影響顯示裝置的顯示效果，優(yōu)選的，所述隔墊物9對應(yīng)所述第二黑矩陣6設(shè)置。
[0052]為了降低陣列基板的制備成本，由于隔墊物9對應(yīng)第二黑矩陣6設(shè)置，因此，優(yōu)選的，所述隔墊物9與所述第二黑矩陣6在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0053]進(jìn)一步的，所述隔墊物9還可與所述第二黑矩陣6 —體成型。
[0054]需要說明的是，本發(fā)明圖1中的陣列基板中的薄膜晶體管2為底柵型薄膜晶體管，類似的，薄膜晶體管2也可選為頂柵型。頂柵型的薄膜晶體管2的結(jié)構(gòu)與圖1所示的底柵型的近乎相反，即頂柵型的薄膜晶體管2由下至上包括:同層設(shè)置且絕緣的源極24和漏極21、連接源極24和漏極21的有源層25、柵極絕緣層23和柵極22。具體實現(xiàn)方式本發(fā)明不再贅述。
[0055]顯然，圖1所不的陣列基板為COA工藝的扭曲向列型(Twisted Nematic,簡稱TN)模式的陣列基板。在此基礎(chǔ)上，可以考慮對圖1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，例如，如圖2所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上還包括與所述像素電極3配合的公共電極10、絕緣像素電極3和公共電極10的第二絕緣層11，此時該陣列基板為COA工藝的高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)模式的陣列基板。需要注意的是，在圖2中，該像素電極3位于公共電極10之上，為狹縫狀。
[0056]或者，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上還包括位于所述像素電極3之上的有機(jī)層和導(dǎo)電層，所述像素電極3與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動所述有機(jī)層發(fā)光，即此時的陣列基板為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)模式的陣列基板。
[0057]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板，包括上述任意一種陣列基板。具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0058]實施例二
[0059]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖3所示，該制備方法包括:
[0060]步驟S101、形成薄膜晶體管的漏極、第一黑矩陣和像素電極，其中，所述第一黑矩陣位于所述漏極和所述像素電極之間，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接。
[0061]步驟S102、形成第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
[0062]其中，優(yōu)選的，所述第二黑矩陣6的尺寸大于所述漏極21的尺寸。
[0063]其中，具體的，根據(jù)圖1或圖2所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)，可知，步驟SlOl可包括如下步驟:
[0064]步驟S1011、形成薄膜晶體管的漏極。
[0065]步驟S1012、在所述漏極之上，形成第一黑矩陣。
[0066]步驟S1013、在所述第一黑矩陣之上，形成像素電極。
[0067]進(jìn)一步的，本發(fā)明所提供的制備方法還包括:
[0068]形成隔墊物9，所述隔墊物9對應(yīng)所述第二黑矩陣6設(shè)置。[0069]優(yōu)選的，所述隔墊物9與所述第二黑矩陣6在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0070]其中，優(yōu)選的，所述隔墊物9與所述第二黑矩陣6 —體成型。
[0071]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括陣列式排布的多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其中，所述薄膜晶體管的漏極和所述像素電極之間設(shè)置有第一黑矩陣，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接，其特征在于，所述陣列基板還包括: 第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二黑矩陣的尺寸大于所述漏極的尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括隔墊物，所述隔墊物對應(yīng)所述第二黑矩陣設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述隔墊物與所述第二黑矩陣在同一構(gòu)圖工藝中形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述隔墊物與所述第二黑矩陣一體成型。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的陣列基板。
7.—種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 形成薄膜晶體管的漏極、第一黑矩陣和像素電極，其中，所述第一黑矩陣位于所述漏極和所述像素電極之間，所述第一黑矩陣形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接； 形成第二黑矩陣，所述第二黑矩陣對應(yīng)所述漏極設(shè)置，遮蔽所述第一黑矩陣的過孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的漏極、第一黑矩陣和像素電極包括: 形成薄膜晶體管的漏極； 在所述漏極之上，形成第一黑矩陣； 在所述第一黑矩陣之上，形成像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于， 所述第二黑矩陣的尺寸大于所述漏極的尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，還包括: 形成隔墊物，所述隔墊物對應(yīng)所述第二黑矩陣設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于， 所述隔墊物與所述第二黑矩陣在同一構(gòu)圖工藝中形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于， 所述隔墊物與所述第二黑矩陣一體成型。
【文檔編號】H01L21/77GK103928471SQ201410110718
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】劉冬妮, 呂敬 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司