技術(shù)總結(jié)
一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器及其形成方法、擦除方法，其中，所述電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，包括：半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有沿第一方向排布的若干有源區(qū)；位于有源區(qū)上的字線；分別位于字線兩側(cè)的有源區(qū)上的浮柵介質(zhì)層、位于浮柵介質(zhì)層上的浮柵、位于浮柵上的控制柵介質(zhì)層、位于控制柵介質(zhì)層上的控制柵，所述浮柵的寬度大于有源區(qū)的寬度；位于字線和浮柵與控制柵之間的隔離氧化層；分別位于浮柵和控制柵的遠(yuǎn)離字線一側(cè)的有源區(qū)內(nèi)的位線摻雜區(qū)。本發(fā)明電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器通過(guò)位線端擦除的方式，結(jié)構(gòu)上改善浮柵對(duì)控制刪和位線摻雜區(qū)的耦合系數(shù)，在實(shí)現(xiàn)按位擦寫(xiě)功能的同時(shí)提高擦寫(xiě)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：于濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201410081177
技術(shù)研發(fā)日：2014.03.06
技術(shù)公布日：2017.02.01