技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，其在具備氧化物半導(dǎo)體層薄膜的薄膜晶體管中，對于光或偏壓應(yīng)力等，閾值電壓的變化量小且應(yīng)力耐受性優(yōu)異。本發(fā)明的薄膜晶體管是具備柵電極、用于溝道層的單層的氧化物半導(dǎo)體層、用于保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層的表面的蝕刻阻擋層、源?漏電極和配置于柵電極與溝道層之間的柵極絕緣膜的薄膜晶體管，其中，構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體層的金屬元素由In、Zn及Sn構(gòu)成，并且與所述氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的柵極絕緣膜中的氫濃度被控制在4原子％以下。

技術(shù)研發(fā)人員：三木綾;森田晉也;后藤裕史;田尾博昭;釘宮敏洋;安秉斗;金建熙;樸辰玄;金連洪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社神戶制鋼所;三星顯示有限公司
文檔號(hào)碼：201380045020
技術(shù)研發(fā)日：2013.08.30
技術(shù)公布日：2017.10.13