半導體裝置以及測量設備本申請是下述申請的分案申請：發(fā)明名稱：半導體裝置以及測量設備，申請日：2013年4月26日，申請?zhí)枺?01310150076.8。技術領域本發(fā)明涉及半導體裝置以及測量設備。

背景技術：
近年來，在對累計電量進行測量的電度表等的測量設備中，按時間段來測量累計電量的需要增長。伴隨于此，有以通過在測量設備的內(nèi)部設置振蕩器和集成電路來構(gòu)成半導體裝置而能夠測量功率和時間的方式設計的測量設備。此外，有如下電路裝置，即，在引線框的上表面裝載有集成電路（IC芯片），用接合線（bondingwire）將集成電路和引線框連接，并在集成電路的上表面經(jīng)由各向異性導電性粘接膜裝載有振蕩器（例如，專利文獻1）?？墒?，在集成電路的上表面裝載振蕩器的情況下，需要將形成于集成電路的端子和形成于振蕩器的端子的位置對準，因此存在缺乏通用性的問題。此外，由于進行用接合線將引線框和集成電路連接的工序和經(jīng)由各向異性導電性粘接膜將集成電路和振蕩器連接的工序，所以生產(chǎn)效率差。專利文獻專利文獻1：日本特開2010–34094號公報。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明考慮到上述事實，其目的在于提供一種使生產(chǎn)效率提高且具有通用性的半導體裝置以及測量設備。方案1所述的半導體裝置具有：振蕩器，在一個面上具備沿著第一方向隔開規(guī)定距離配置的多個外部端子；集成電路，具備沿著矩形的面上的一邊形成有多個第一電極焊盤的第一區(qū)域和夾著所述第一區(qū)域形成有多個第二電極焊盤的第二區(qū)域；引線框，以所述外部端子和所述第一電極焊盤及所述第二電極焊盤朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成電路的一邊大致平行的方式裝載所述振蕩器和所述集成電路，并且，在周圍具備端子；第一接合線，連接所述外部端子和所述第一電極焊盤；第二接合線，連接所述引線框的端子和所述第二電極焊盤；以及密封構(gòu)件，將所述振蕩器、所述集成電路、所述引線框、所述第一接合線、以及所述第二接合線密封。本發(fā)明由于采用了上述的結(jié)構(gòu)，所以能夠提供一種使生產(chǎn)效率提高且具有通用性的半導體裝置以及測量設備。附圖說明圖1是具備第一實施方式的半導體裝置的電度表的立體圖。圖2是從背面觀察第一實施方式的半導體裝置的部分斷裂圖。圖3是圖2的3–3線剖視圖。圖4是表示第一實施方式的振蕩器的分解立體圖。圖5是用于說明第一實施方式的半導體裝置的LSI的框圖。圖6（a）～（e）是表示在制造第一實施方式的半導體裝置的制造方法中將振蕩器和LSI配置在引線框上并進行引線接合的順序的說明圖。圖7（a）～（d）是表示在制造第一實施方式的半導體裝置的制造方法中用樹脂對引線框、振蕩器和LSI進行密封的順序的說明圖。圖8是表示第一實施方式的半導體裝置的變形例的部分斷裂圖。圖9是表示第一實施方式的第一頻率校正處理的流程的流程圖。圖10是表示第一實施方式的第二頻率校正處理的流程的流程圖。圖11是表示第一實施方式的半導體裝置中的溫度和頻率偏差的關系的圖。圖12是用于說明第二實施方式的半導體裝置的LSI的框圖。圖13：（a）是表示第二實施方式的半導體裝置的振蕩器的時鐘值的一個例子的圖，（b）是表示第二實施方式的半導體裝置的基準信號振蕩器的時鐘值的一個例子的圖。圖14是表示第二實施方式的第一頻率校正處理的流程的流程圖。圖15是表示第二實施方式的頻率誤差導出處理的流程的流程圖。圖16是第二實施方式的頻率誤差導出處理中的時間圖，（a）是表示計數(shù)開始時的圖，（b）是表示計數(shù)停止時的圖。圖17是表示第二實施方式的第二頻率校正處理的流程的流程圖。圖18是用于說明第二實施方式的半導體裝置的LSI的另一例的框圖。圖19是用于說明第二實施方式的半導體裝置的LSI的另一例的框圖。圖20是從背面觀察第三實施方式的半導體裝置的部分斷裂圖。圖21是圖20的21–21線剖視圖。圖22是從背面觀察第四實施方式的半導體裝置的部分斷裂圖。圖23是用于說明第四實施方式的半導體裝置的引線框的說明圖。圖24是從背面觀察第五實施方式的半導體裝置的部分斷裂圖。圖25是圖24的14–14線剖視圖。圖26（a）～（e）是表示在制造第五實施方式的半導體裝置的制造方法中將振蕩器和LSI配置在引線框上并進行引線接合的順序的說明圖。圖27（a）～（d）是表示在制造第五實施方式的半導體裝置的制造方法中用樹脂對引線框、振蕩器和LSI進行密封的順序的說明圖。圖28是從背面觀察第六實施方式的半導體裝置的部分斷裂圖。圖29是圖28的18–18線剖視圖。圖30是表示在將以往的內(nèi)置有計時功能的半導體裝置和振蕩器進行連接后的狀態(tài)下的一個例子的框圖。圖31是表示在將以往的內(nèi)置有計時功能的半導體裝置和振蕩器進行連接后的狀態(tài)下的一個例子的框圖。圖32是表示以往的進行封裝件化后的一般的半導體裝置的概略剖視圖。具體實施方式（第一實施方式）以下，針對本發(fā)明的半導體裝置，使用附圖詳細地進行說明。<結(jié)構(gòu)>如圖1所示，具備實施方式1的半導體裝置的電度表10被安裝于在住宅等的外壁100上固定的固定板102的上表面，該電度表10主要由主體部12、覆蓋主體部12的透明蓋14、以及設置在主體部12的下部的連接部16構(gòu)成。從連接部16的下方連接有電源側(cè)布線18和負載側(cè)布線20，向電度表10供給電流。主體部12在平面視圖中為矩形形狀的箱體，在主體部12的內(nèi)部，在基板（未圖示）上安裝有后面敘述的半導體裝置24、以及作為根據(jù)從半導體裝置24輸出的信號來測量累計電量的測量單元的電量測量電路22。再有，在圖1中，為了便于說明，夸大地描繪了電量測量電路22和半導體裝置24的大小。在主體部12的正面設置有橫長的液晶顯示器15。在液晶顯示器15顯示有電量測量電路22測量出的每單位時間的使用電量、按時間段使用的累計電量等。再有，雖然本實施方式的電度表10是使用電量測量電路22來作為測量單元的電子式的電度表，但不限于此，例如也可以是使圓盤旋轉(zhuǎn)來測量電量的感應型的電度表。接著，對本實施方式的半導體裝置24的詳細的結(jié)構(gòu)進行說明。再有，在以下的說明中，將圖2所示的半導體裝置24在平面視圖中的左右方向設為箭頭X方向，將上下方向設為箭頭Y方向，將圖3所示的半導體裝置24的剖視圖中的高度方向設為Z方向來進行說明。如圖2和圖3所示，半導體裝置24的外形形狀在平面視圖中為矩形形狀，構(gòu)成為包含：成為骨架的引線框（leadframe）26、裝載于引線框26的表面（第一面）的振蕩器28、裝載于引線框26的背面（第二面）的作為集成電路的LSI30、以及成為密封構(gòu)件的模塑（mold）樹脂32。引線框26是用沖壓（press）機對由銅（Cu）、鐵（Fe）和鎳（Ni）的合金等的金屬構(gòu)成的平板進行沖裁而形成的板構(gòu)件，構(gòu)成為包含：在中央部設置的作為裝載部的下墊板（diepad）26A、在對角線上從下墊板26A向外側(cè)延伸的懸吊引線26B、以及在相鄰的懸吊引線26B之間設置的多個引線（端子）38。引線38是朝向下墊板26A的中央部延伸的細長的構(gòu)件，在下墊板26A的周圍以規(guī)定的間隔形成有多個。在本實施方式中，在相鄰的懸吊引線26B之間形成有16根引線38。此外，引線38由位于下墊板26A側(cè)的內(nèi)引線38A和位于半導體裝置24的外周端部側(cè)的外引線38B構(gòu)成，內(nèi)引線38A以比下墊板26A位于下方的方式被沖壓機壓低，與下墊板26A平行地延伸（參照圖3）。此外，與下墊板26A最接近的內(nèi)引線38A的頂端部被鍍膜40包覆。雖然在本實施方式中，作為一個例子用銀（Ag）形成鍍膜40，但不限于此，例如也可以用金（Au）等金屬形成鍍膜。外引線38B從模塑樹脂32露出并向下方彎曲，頂端部與內(nèi)引線38A平行。即，成為鷗翼（gullwing）引線。此外，外引線38B被焊料鍍膜包覆。作為焊料鍍膜的材質(zhì)，使用錫（Sn）、錫（Sn）和鉛（Pb）的合金、或者錫（Sn）和銅（Cu）的合金等。引線框26的中央部的下墊板26A是在平面視圖中呈矩形形狀形成的平板狀的構(gòu)件，在下墊板26A的中央部的右側(cè)形成有在下墊板26A的厚度方向上貫通的兩個開口部26C。開口部26C呈橫長的矩形形狀形成，并以與后面敘述的振蕩器28的外部電極34相對的方式進行設置（參照圖4）。兩個開口部26C之間的區(qū)域為在左右方向上延伸的作為振蕩器裝載區(qū)域的振蕩器裝載用梁42，在引線框26的表面的振蕩器裝載用梁42經(jīng)由粘接劑（未圖示）裝載有振蕩器28（參照圖4）。換言之，在振蕩器裝載用梁42的兩肋分別設置有開口部26C。振蕩器28是將上下方向作為長尺寸方向的矩形形狀的電子部件，在本實施方式中，使用對裝載于一般的電子設備的頻率為32.768kHz的通用的半導體裝置24能夠外接的振蕩器28。如圖4所示，振蕩器28構(gòu)成為包含：振動片44、收容振動片44的封裝件主體46、以及蓋體48，并且在平面視圖中呈矩形形狀。振動片44是在用人造石英形成的音叉型石英片的表面成膜有激發(fā)電極44A的石英振動片，當在激發(fā)電極44A流過電流時，利用壓電效應使振動片44振蕩。在此，作為振動片44，不限于音叉型，也可以使用AT切割的石英片。此外，除了石英之外，也可以使用由鉭酸鋰（LiTaO3）或鈮酸鋰（LiNbO3）形成的振動片。進而，也可以使用由硅形成的MEMS振動片。封裝件主體46是上部開口了的箱體，在長尺寸方向一端側(cè)的底部形成有固定振動片44的臺座47。在該臺座47固定振動片44的基部并能使其振動，通過在真空狀態(tài)下使封裝件主體46和蓋體48相接合，從而能夠?qū)φ駝悠?4進行氣密密封。此外，在封裝件主體46的下表面的兩端，隔開規(guī)定的距離L1分別形成有作為與振動片44的激發(fā)電極44A電連接的端子的外部電極34。此外，振蕩器裝載用梁42的寬度L2以與外部電極34間的距離相比寬度窄的方式形成。外部電極34以寬度與封裝件主體46的寬度相同的方式形成，如圖2所示，外部電極34的大小大于后面敘述的形成于LSI30的電極焊盤50以及振蕩器用電極焊盤54。此外，下墊板26A的開口部26C形成得比外部電極34大。如圖2和圖3所示，在引線框26的背面，在下墊板26A的中央部經(jīng)由粘接材料（未圖示）裝載有作為集成電路或半導體芯片的LSI30。LSI30是矩形形狀、薄片的電子部件，LSI30右側(cè)的端部覆蓋開口部26C大致一半。因此，在平面視圖中進行投影時，振蕩器28和LSI30以重疊的方式進行配置。此外，當從LSI30側(cè)觀察引線框26時，從開口部26C露出振蕩器28的外部電極34。在沿著形成矩形形狀的LSI30的各邊的下表面的外周端部，設置有與LSI30的內(nèi)部的布線電連接的多個電極焊盤50。電極焊盤50用鋁（Al）或銅（Cu）等金屬形成，在LSI30的各邊各設置有16個。再有，電極焊盤50的數(shù)量可以在各邊相同，也可以在設置有后面敘述的振蕩器用電極焊盤54的邊中減少或增多等而使其不同。此外，電極焊盤50分別通過接合線52與內(nèi)引線38A連接。再有，雖然在本實施方式中，電極焊盤50的數(shù)量以與引線38的數(shù)量一致的方式在LSI30的各邊各設置有16個，但不限于此，也可以設置得比引線38的數(shù)量多并用于其它用途。在LSI30的振蕩器28側(cè)的外周端部，在電極焊盤50之外另設置有振蕩器用電極焊盤54。振蕩器用電極焊盤54在LSI30的上下方向的中央部設置有兩個，并位于電極焊盤50之間。即，在中央部形成有振蕩器用電極焊盤54的配置區(qū)域（第一區(qū)域），在從該中央部到設置有振蕩器用電極焊盤54的邊的終端的各個區(qū)域和剩余的三邊形成有電極焊盤50的配置區(qū)域（第二區(qū)域）。此外，將振蕩器用電極焊盤54由接合線52通過開口部26C與振蕩器28的外部電極34連接。再有，接合線是由金（Au）、銅（Cu）等金屬構(gòu)成的線狀的導電構(gòu)件。在LSI30的上下方向的中央部設置的兩個振蕩器用電極焊盤54以從設置于相同的邊的電極焊盤50隔開的方式進行設置。換言之，振蕩器用電極焊盤54和與振蕩器用電極焊盤54相鄰的電極焊盤50之間的距離比電極焊盤50間的距離長。再有，使振蕩器用電極焊盤54和相鄰的電極焊盤50之間的距離等于電極焊盤50間的距離，不對振蕩器用電極焊盤54和相鄰的電極焊盤50進行引線接合，由此使進行引線接合后的電極焊盤50和振蕩器用電極焊盤54之間的距離比進行引線接合后的電極焊盤50間的距離長也可。換言之，在LSI30的電極焊盤50上，與連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52間的距離相比，連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52與連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的距離長。在此，連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52與連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52立體交叉，如圖3所示，連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52以跨過連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的方式形成。即，為了防止接合線52的短路，連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的頂點以比連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的頂點低的方式形成。換言之，連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的頂點與引線框26的距離以比連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的頂點與引線框26的距離短的方式形成。再有，連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的頂點的高度比全部的連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的頂點的高度低也可，比位于振蕩器用電極焊盤54和外部電極34之間的連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的頂點的高度低也可。此外，LSI30的中心和長方體形狀的振蕩器28的中心CP以在X軸上大致一致的方式平行地進行配置。即，振蕩器28的中心CP從X軸向Y軸方向的偏移寬度比中央部的Y軸方向的寬度窄。在這樣的配置狀態(tài)下，通過接合線52連接在LSI30的任意一邊的中央附近設置的振蕩器用電極焊盤54和在振蕩器28的長尺寸方向的兩端隔開配置的外部電極34。與此同時，通過接合線52連接以夾著振蕩器用電極焊盤54的方式排列配置的電極焊盤50和在Y軸方向與電極焊盤50平行排列的內(nèi)引線38A。進而，由于振蕩器用電極焊盤54從電極焊盤50隔開地設置，所以連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52通過連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的比振蕩器28低的部分。即，能夠避免通過連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52的頂點附近而交叉，能有效地使其立體交叉。進而，由于能夠?qū)⑦B接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的頂點的高度抑制得較低，所以還能夠降低封裝件的高度。此外，在振蕩器28的外部電極34中的接合線52的連接位置在X軸方向上從振蕩器28的中心位置向內(nèi)引線38A側(cè)偏移。通過像這樣連接，從而能夠減少接合線52與LSI30的端部相接觸。另一方面，在X軸方向上從外部電極34的中心向振蕩器28的中心方向偏移。通過像這樣連接，從而能夠減少與連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的交叉次數(shù)。振蕩器28、LSI30以及引線框26被模塑樹脂32密封來形成半導體裝置24的外形。模塑樹脂32以在內(nèi)部不設置空隙的方式進行填充，模塑樹脂32的高度為內(nèi)引線38A的高度的2倍以上的高度。換言之，從模塑樹脂32的振蕩器28裝載側(cè)的表面到內(nèi)引線38A的中心的距離H1比從模塑樹脂32的LSI30裝載側(cè)的表面到內(nèi)引線38A的中心的距離H2長。此外，從模塑樹脂32的LSI30裝載側(cè)的表面到下墊板26的中心的距離H3比從模塑樹脂32的LSI30裝載側(cè)的表面到內(nèi)引線38A的距離H2長。再有，雖然在本實施方式中，作為模塑樹脂32，使用含有二氧化硅類的填充材料的熱固化性環(huán)氧樹脂，但不限于此，例如也可以使用熱塑性樹脂。接著，對LSI30的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行說明。如圖5所示，在LSI30內(nèi)置有振蕩電路51、分頻電路53、計時電路56、溫度傳感器58、控制部60以及寄存器部70。振蕩電路51與振蕩器28連接，使振蕩器28振蕩。分頻電路53對從振蕩器28輸出的信號（在本實施方式中為32.768kHz的頻率）進行分頻來形成規(guī)定的時鐘（例如1Hz）。計時電路56基于由分頻電路53進行分頻后的信號對時間進行測量，并向控制部60傳遞時間。溫度傳感器58對LSI30的溫度進行測定，并向控制部60傳遞。再有，在LSI30的附近配置于同一引線框、也與LSI30電連接的振蕩器28的溫度能夠視為與LSI30的溫度相同。即，溫度傳感器58能高精度地測定在LSI30的周圍配置的振蕩器28的溫度?？刂撇?0基于計時電路56所測量的時間，使液晶顯示器15顯示電量測量電路22所測量的每單位時間的累計電量等（參照圖1）。寄存器部70由用于儲存在對振蕩器28的振蕩頻率進行校正時使用的各種數(shù)據(jù)的多個寄存器構(gòu)成。再有，針對該多個寄存器在后面敘述的振蕩頻率的校正說明中會詳細地進行說明。此外，在LSI30中除了上述以外還內(nèi)置有進行運算的運算電路、內(nèi)部電源。<制造順序>以下，針對半導體裝置24的制造順序進行說明。首先，如圖6（a）所示，以引線38位于下方的方式將引線框26載置于接合裝置1的載置臺2。再有，在載置臺2形成有用于在將振蕩器28固定于第一面的狀態(tài)下上下翻轉(zhuǎn)引線框26時收容振蕩器28的凹陷部3。此外，振蕩器28在將外部電極34朝向下方的狀態(tài)下被封入到帶（tape）上的封裝件29中并輸送而來。再有，在引線框26預先通過沖壓加工等形成開口部26C。接著，如圖6（b）所示，對封裝件29進行開封，用揀選機（picker）4取出振蕩器28，在下墊板26A的第一面、即圖6（b）中的上方的面以振蕩器28的外部電極34與開口部26C重疊的方式配置振蕩器28，并用粘接劑固定于下墊板26A。再有，在將振蕩器28以外部電極34朝向上方的狀態(tài)封入在封裝件29時，優(yōu)選作為揀選機4使用帶旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的揀選機，在用揀選機4取出振蕩器28之后，利用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使振蕩器28上下翻轉(zhuǎn)，將外部電極34朝向下方之后載置于下墊板26A的第一面。在將振蕩器28固定于下墊板26A的第一面后，如圖6（c）所示，使引線框26上下翻轉(zhuǎn)并載置于載置臺2。由此，引線框在第一面朝向下方的狀態(tài)下載置于載置臺2。此時，振蕩器28收容于載置臺2的凹陷部3。在使引線框26上下翻轉(zhuǎn)并載置于載置臺2后，如圖6（d）所示，在下墊板26A的與第一面相反側(cè)的第二面中的與開口部26C相鄰的部分固定LSI30。再有，在圖6（d）中，第二面是下墊板26A的上方的面。最后，如圖6（e）所示，用接合線52連接LSI30的電極焊盤50和引線38，并且用接合線52連接LSI30的振蕩器用電極焊盤54和振蕩器28的外部電極34來作成半導體裝置24。此時，以連接LSI30的振蕩器用電極焊盤54和振蕩器28的外部電極34的接合線52的頂點的高度低于連接LSI30的電極焊盤50和引線38的接合線52的頂點的高度的方式進行連接。此外，在先用接合線連接LSI30的振蕩器用電極焊盤54和振蕩器28的外部電極34之后，以在該接合線52之上越過的方式用接合線52連接LSI30的電極焊盤50和引線38。此外，連接LSI30的振蕩器用電極焊盤54和振蕩器28的外部電極34的接合線52與連接電極焊盤50和引線38的接合線52以立體交叉的方式進行連接。此時，以在從連接LSI30的振蕩器用電極焊盤54和振蕩器28的外部電極34的接合線52的頂點偏移的位置，連接LSI30的電極焊盤50和引線38的接合線52交叉的方式進行連接。通過以圖6（a）～圖6（e）所示的順序?qū)⒄袷幤?8和LSI30固定于引線框26（下墊板26A），進行LSI30和振蕩器28的連接，從而盡管將LSI30在下墊板26A中固定于與固定振蕩器28的第一面相反側(cè)的第二面，也能與LSI30和引線框的引線38的連接同樣地從下墊板26A的第二面進行LSI30和振蕩器28的連接，效率高。此外，由于振蕩器28和LSI30不經(jīng)由引線框26而用接合線52直接連接，所以與經(jīng)由引線框26連接振蕩器28和LSI30的情況、將接合線繞到引線框26的背側(cè)進行連接的情況相比，能夠降低布線電阻。接著，針對用模塑樹脂32密封半導體裝置24的順序進行說明。首先，如圖7（a）所示，以引線框26（下墊板26A）的第一面、即固定有振蕩器28的一側(cè)的面為上表面，引線框26（下墊板26A）的第二面、即固定有LSI30的一側(cè)的面為下表面的方式，將半導體裝置24固定在金屬模5的空腔（cavity）6內(nèi)部。在此，由于振蕩器28與LSI30相比厚度厚，所以將半導體裝置24以引線框26（下墊板26A）比金屬模5中的空腔6的高度方向的中心位于下方的方式配置在空腔6內(nèi)部。此外，在將半導體裝置24固定在空腔6內(nèi)部的狀態(tài)下，外引線38B突出到金屬模5的外側(cè)。在將半導體裝置24固定在空腔6內(nèi)部后，如圖7（b）中以箭頭a所示出的那樣，從沿著引線38的下表面設置的注入口7注入模塑樹脂32。在此，如上所述，由于將引線框26（下墊板26A）以比金屬模5中的空腔6的高度方向的中心位于下方的方式進行固定，所以在開始模塑樹脂32沿著引線框26（下墊板26A）注入。在此，由于注入的模塑樹脂32具有欲流入到存在更廣闊的空間的一方的特性，所以例如欲從引線38的后端和下墊板26A的間隙等流入到引線框26的上方，但是由于被振蕩器28遮擋住前進的道路，所以如圖7（c）中以箭頭b所示出的那樣，以迂回到引線框26的下方的方式流過。之后，如圖7（d）中以箭頭c所示出的那樣，模塑樹脂32也流入到引線框26的上表面?zhèn)?。而且，當引線框26的下表面?zhèn)缺荒Ｋ軜渲?2充滿時，引線框26的上表面?zhèn)纫脖荒Ｋ軜渲?2充滿。在引線框26的兩側(cè)被模塑樹脂32充滿后，對金屬模5進行加熱使模塑樹脂32固化。由于在半導體裝置24中，在引線框26（下墊板26A）的上表面固定有振蕩器28，在下表面固定有LSI30，所以在用模塑樹脂32密封半導體裝置24的情況下，需要使引線框26與金屬模5的空腔6的高度方向中心相比配置在下方。像這樣，在引線框26的上側(cè)存在廣闊的空間的情況下，模塑樹脂32欲流入到引線框26的上側(cè)。因此，認為由從注入口7向空腔6注入的模塑樹脂32造成的壓力不會均等地施加于引線框26的兩面，而是更強地施加于引線框26的上表面?？墒?，通過使用振蕩器28對模塑樹脂32的流路進行調(diào)整，使模塑樹脂32先流入到引線框26的下方，從而能夠期待利用向空腔6注入的模塑樹脂32從下方對引線框26進行支撐。因此，防止在對模塑樹脂32進行注入中在空腔6內(nèi)部引線框26沿著上下方向偏移。<作用>接著，針對本實施方式的半導體裝置24以及電度表10的作用進行說明。在本實施方式的半導體裝置24中，振蕩器28和LSI30被模塑樹脂32密封而成為一體，LSI30內(nèi)置有振蕩電路51、分頻電路53以及計時電路56，因此僅在圖1所示的電度表10的內(nèi)部的基板安裝半導體裝置24就能夠測量時間。即，沒有必要將振蕩器28、分頻電路53等分別安裝于基板。因此，也不需要振蕩器28和半導體裝置24的連接調(diào)整等的工夫。此外，由于在LSI30內(nèi)置有溫度傳感器58，所以能夠正確地測定振蕩器28周圍的溫度。由此，即使從振蕩器28輸出的信號（頻率）根據(jù)溫度變化而變動，也能夠以高精度進行頻率的校正。因此，不用使用高價的高精度振蕩器，即使是廉價的振蕩器，也能夠使頻率成為高精度。進而，如圖2所示，振蕩器28的外部電極34和LSI30的振蕩器用電極焊盤54由接合線52通過開口部26C直接連接。因此，能夠不經(jīng)由引線框26以最短距離進行布線，能夠降低布線電阻。此外，由于連接外部電極34和振蕩器用電極焊盤54的兩根接合線52的長度均勻，所以能夠使施加到接合線52的張力相等，能夠防止由于接合線52的斷裂或撓曲而引起的接觸。此外，由于能夠不經(jīng)由引線框26進行布線，所以也難以受到噪聲的影響，因此能從振蕩器28向LSI30順暢地傳遞信號。此外，雖然在平行地形成的接合線52之間容易產(chǎn)生噪聲，但是，由于連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52相對于其它接合線52立體交叉，所以能夠減少連接振蕩器用電極焊盤54和外部電極34的接合線52與其它接合線52間的干擾，特別是能夠減少從其它接合線52對振蕩器28的噪聲的影響。進而，由于外部電極34比振蕩器用電極焊盤54大，所以能夠容易地進行引線接合。此外，振蕩器28和LSI30裝載在引線框26的表面和背面，并配置為在平面視圖中進行投影時重疊，因此與將振蕩器28和LSI30排列裝載在引線框26的單面的情況相比，能夠使半導體裝置24的縱橫尺寸變小。此外，由于LSI30位于下墊板26A的中央部，所以能夠使連接電極焊盤50和內(nèi)引線38A的接合線52的長度變?yōu)楣潭āＳ纱?，引線接合的操作變得容易，能夠提高成品率。再有，雖然在本實施方式中，全部的內(nèi)引線38A與LSI30的電極焊盤50連接，但并不限于此，也可以如圖8所示的變形例那樣，通過用接合線52使任意的內(nèi)引線38A與下墊板26A連接，并將外引線38B接地，從而使下墊板26A接地。在該情況下，能夠抑制下墊板26A帶電。此外，由于以夾著引線框的方式在引線框的兩面分開配置有LSI30和振蕩器28，所以能夠利用下墊板26A遮蔽從LSI30對振蕩器28的噪聲。此外，在本變形例中，在振蕩器用電極焊盤54的附近配置有振蕩電路51，以包圍該振蕩電路51的方式配置有數(shù)字電路部55。數(shù)字電路部55是對數(shù)字信號進行處理的電路部，與其它元件相比難以產(chǎn)生噪聲。因此，能夠減少振蕩電路51從內(nèi)置于LSI30的其它元件（特別是模擬電路部）受到的噪聲的影響。再有，作為數(shù)字電路部55的一個例子，有CPU等。<振蕩頻率的校正>接著，說明本實施方式的半導體裝置24中的、對振蕩器28的振蕩頻率的依賴于溫度的誤差進行校正的頻率校正處理。半導體裝置24例如在出廠時，在使半導體裝置24內(nèi)部的LSI30的溫度為常溫（在此是25℃）的情況、成為溫度比常溫低的基準溫度（以下，也稱為“低溫”。）的情況以及成為溫度比常溫高的基準溫度（以下，也稱為“高溫”。）的情況的各個狀態(tài)下，利用溫度傳感器58來測定溫度。而且，半導體裝置24例如在出廠后，將在該測定中得到的溫度作為修整數(shù)據(jù)（trimmingdata），并考慮由于溫度傳感器58的制造偏差產(chǎn)生的測定誤差來校正振蕩器28的頻率誤差。上述的寄存器部70（參照圖5）具有：溫度測量值寄存器71，儲存表示由溫度傳感器58測定的溫度的數(shù)據(jù)；低溫寄存器72，儲存表示在使周圍溫度成為低溫的情況下由溫度傳感器58測定的溫度的數(shù)據(jù)；常溫寄存器73，儲存表示在使周圍溫度成為常溫的情況下由溫度傳感器58測定的溫度的數(shù)據(jù)；高溫寄存器74，儲存表示在使周圍溫度成為高溫的情況下由溫度傳感器58測定的溫度的數(shù)據(jù)；以及頻率校正寄存器75，用于儲存根據(jù)表示這些溫度的數(shù)據(jù)導出的振蕩器28的振蕩頻率的校正值。再有，各寄存器經(jīng)由數(shù)據(jù)總線（databus）76與控制部60連接，控制部60經(jīng)由數(shù)據(jù)總線76對各寄存器進行讀寫。半導體裝置24為了對振蕩器28的頻率誤差進行校正而進行如下這樣的第一頻率校正處理：在使半導體裝置24的溫度成為低溫的情況、成為常溫的情況以及成為高溫的情況的各個狀態(tài)下，利用溫度傳感器58來測定溫度，并將在測定中得到的溫度作為修整數(shù)據(jù)分別儲存在低溫寄存器72、常溫寄存器73以及高溫寄存器74中。試驗者例如在出廠測試時，首先在槽內(nèi)溫度被設定為常溫的恒溫槽的內(nèi)部配置半導體裝置24。然后，用戶通過向半導體裝置24輸入例如用于使利用溫度傳感器58的溫度測量開始的測量工作信號，從而使半導體裝置24執(zhí)行第一頻率校正處理。此時，用戶例如在半導體裝置24的引線38連接輸出該測量工作信號的設備，由此使該測量工作信號輸入至半導體裝置24。此外，在該測量工作信號中包含表示對恒溫槽設定的溫度是常溫、高溫或低溫的哪一個的信息。圖9是表示本實施方式的半導體裝置24中的第一頻率校正處理的流程的流程圖。執(zhí)行該第一頻率校正處理的程序是在輸入了上述測量工作信號的定時執(zhí)行的程序，并預先存儲在控制部60所具有的存儲單元中。再有，執(zhí)行的定時并不限定于此。在步驟S101中，控制部60判定從輸入測量工作信號起是否經(jīng)過了規(guī)定時間（例如，數(shù)小時）。再有，優(yōu)選將該規(guī)定時間設為為了使半導體裝置24的內(nèi)部溫度（LSI30的溫度）與恒溫槽的溫度一致所需要的時間。在步驟S101中判定為經(jīng)過了規(guī)定時間的情況下，在步驟S103中，控制部60取得溫度傳感器58的測量值。再有，將溫度傳感器58的測量值儲存在溫度測量值寄存器71中。此外，在由溫度傳感器58取得測量值時，每經(jīng)過規(guī)定時間（例如，1分鐘）進行測量，取得對通過多次測量所得到的多個測量值進行平均后的值來作為測量值也可。在步驟S105中，控制部60在對恒溫槽設定的溫度為常溫（在此是25℃）的情況下，將取得的測量值儲存在常溫寄存器73中，控制部60在對恒溫槽設定的溫度為高溫的情況下，將取得的測量值儲存在高溫寄存器74中，控制部60在對恒溫槽設定的溫度為低溫的情況下，將取得的測量值儲存在低溫寄存器72中，結(jié)束第一頻率校正處理。再有，上述第一頻率校正處理在晶片狀態(tài)時預先進行也可。試驗者在槽內(nèi)的溫度被設定為常溫的恒溫槽的內(nèi)部配置有半導體裝置24的狀態(tài)之外，分別在槽內(nèi)的溫度被設定為高溫的恒溫槽的內(nèi)部配置有半導體裝置24的狀態(tài)下、以及在槽內(nèi)的溫度被設定為低溫的恒溫槽的內(nèi)部配置有半導體裝置24的狀態(tài)下，對半導體裝置24進行上述步驟S101至S105的處理。由此，在常溫寄存器73、高溫寄存器74、低溫寄存器72中分別儲存溫度傳感器58的測量值。本實施方式的半導體裝置24在進行了上述的處理之后出廠，在出廠后的預先確定的定時進行后面敘述的第二頻率校正處理。用戶例如在出廠后向半導體裝置...