技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：振蕩器，其包括多個(gè)外部端子，所述多個(gè)外部端子被配置在所述振蕩器的第一面上并且在所述第一面上沿著第一方向與彼此隔開特定距離；集成電路，其包括沿著矩形形狀的面上的一邊形成有多個(gè)第一電極焊盤的第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域的兩個(gè)相對側(cè)形成有多個(gè)第二電極焊盤的第二區(qū)域；引線框，其包括在周圍部分處的端子，并且，在所述引線框上安裝有所述振蕩器和所述集成電路使得所述外部端子、所述第一電極焊盤以及所述第二電極焊盤朝向大致同一方向并且使得所述集成電路的一邊大致平行于所述第一方向；第一接合線，其將所述多個(gè)外部端子之一連接到所述多個(gè)第一電極焊盤之一；第二接合線，其將所述引線框的端子之一連接到所述多個(gè)第二電極焊盤之一；以及密封構(gòu)件，其將所述振蕩器、所述集成電路、所述引線框、所述第一接合線、以及所述第二接合線密封。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域在所述第一方向上的寬度比所述多個(gè)外部端子之間的特定距離窄。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域包含所述一邊沿著所述第一方向的中心處的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述集成電路還包括在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的其中未連接所述第一接合線和所述第二接合線的第三區(qū)域，并且，該第三區(qū)域在所述第一方向上的寬度比所述第一電極焊盤中的相鄰的第一電極焊盤之間的距離寬。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接合線的頂點(diǎn)高度與所述第二接合線的頂點(diǎn)高度不同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接合線的頂點(diǎn)高度小于所述第二接合線的頂點(diǎn)高度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接合線和所述第二接合線配置3D交叉，使得所述第一接合線跨越所述第二接合線。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二接合線在不越過所述第一接合線的頂點(diǎn)的情況下被連接到所述引線框的所述端子之一。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接合線包括具有大致相等長度的多個(gè)第一接合線。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述振蕩器在所述第一方向上的中心位于在所述第一方向上的所述第一區(qū)域內(nèi)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一接合線到所述多個(gè)外部端子之一的連接位置從所述多個(gè)外部端子之一的中心朝向所述振蕩器的中心偏...