發(fā)光元件材料和發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明通過(guò)使發(fā)光元件材料含有特定的具有咔唑骨架的化合物，能夠提供兼有高發(fā)光效率和耐久性的有機(jī)薄膜發(fā)光元件。
【專利說(shuō)明】發(fā)光元件材料和發(fā)光元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)變成光的發(fā)光元件和其中使用的發(fā)光元件材料。更具體 地說(shuō)，設(shè)及能夠應(yīng)用于顯示元件、平板顯示器、背光源、照明、內(nèi)飾、標(biāo)識(shí)、廣告牌、電子相冊(cè) 和光信號(hào)發(fā)生器等領(lǐng)域的發(fā)光元件和在該發(fā)光元件中使用的發(fā)光元件材料。

【背景技術(shù)】
[0002] 在從陰極注入的電子與從陽(yáng)極注入的空穴在被兩極夾持的有機(jī)巧光體內(nèi)進(jìn)行再 結(jié)合時(shí)進(jìn)行發(fā)光該樣的有機(jī)薄膜發(fā)光元件的研究近年來(lái)進(jìn)行活躍。該發(fā)光元件的特征在 于，薄型并且能夠進(jìn)行低驅(qū)動(dòng)電壓下的高亮度發(fā)光，W及通過(guò)選擇巧光材料而能夠多色發(fā) 光，因此受到關(guān)注。
[0003] 自柯達(dá)公司的C. W.化ng等指出有機(jī)薄膜發(fā)光元件能夠高亮度地發(fā)光W來(lái)，已經(jīng) 進(jìn)行了大量實(shí)用化的研究，已經(jīng)將有機(jī)薄膜發(fā)光元件用于手機(jī)的主顯示屏等，其實(shí)用化不 斷地切實(shí)得到發(fā)展。但是，仍然有很多技術(shù)課題，尤其是，同時(shí)實(shí)現(xiàn)元件的高效率化和長(zhǎng)壽 命化是重要課題之一。
[0004] 元件的驅(qū)動(dòng)電壓大大受到將空穴和電子該樣的載流子傳輸?shù)桨l(fā)光層的載流子傳 輸材料影響。其中作為傳輸空穴的材料（空穴傳輸材料），已知具有巧挫骨架的材料（參照 例如，專利文獻(xiàn)1?3)。此外，上述具有巧挫骨架的材料由于具有高=線態(tài)能級(jí)，所W作為 發(fā)光層的主體材料為人所知（參照例如專利文獻(xiàn)4)。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1:日本特開平8-3547號(hào)公報(bào)
[000引專利文獻(xiàn)2:韓國(guó)專利申請(qǐng)公開第2010-0079458號(hào)公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)3:韓國(guó)專利申請(qǐng)公開第2012-0070507號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)4:日本特開2003-133075號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明要解決的課題
[0012] 但是，要用W往的技術(shù)使元件的驅(qū)動(dòng)電壓充分降低是很困難的，此外，即使能夠降 低驅(qū)動(dòng)電壓，元件的發(fā)光效率、耐久壽命也不充分。因而，兼有高發(fā)光效率和耐久壽命的技 術(shù)尚未實(shí)現(xiàn)。
[0013] 本發(fā)明為了解決該現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，目的在于提供使發(fā)光效率和耐久壽命得到改 善的有機(jī)薄膜發(fā)光元件。
[0014] 解決課題的手段
[0015] 本發(fā)明是一種發(fā)光元件材料，其特征在于，含有下述通式（1)所示的具有巧挫骨 架的化合物，
[0016]

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光元件材料，其特征在于，含有下述通式（1)所示的具有咔唑骨架的化合物，
R1?R8之間相同或不同，分別選自氫、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、鏈烯基、環(huán)烯基、炔基、烷 氧基、燒硫基、芳基釀基、芳基硫釀基、芳基、雜芳基、齒素、幾基、幾基、氧基幾基、氣基甲醜 基、氨基、甲硅烷基、-p( = 〇)R9R1(l和下述通式（3)所示的基團(tuán)；R9和R1(l是芳基或雜芳基； 但是，R1?R8中的任一個(gè)是下述通式（3)所示的基團(tuán)，連接在通式（3)中的R13?R21中的 任一位置上；此外，R1?R8中，除是通式（3)所示的基團(tuán)的情況以外，不含二苯并呋喃骨架、 二苯并噻吩骨架和咔唑骨架；此外，R1?R1(l中不含蒽骨架和芘骨架；A是下述通式（2)所示 的基團(tuán)；
rKU?rK)5之間相同或不同，分別選自氫、有取代或無(wú)取代的芳基、或與相鄰取代基之間 形成的環(huán)結(jié)構(gòu)；但R1(U?R1(15的至少1個(gè)是有取代或無(wú)取代的芳基、或與相鄰取代基之間形 成的環(huán)結(jié)構(gòu)；此外，R1(l1?R1(15中不含蒽骨架和芘骨架；n個(gè)R1(16分別獨(dú)立地選自烷基、環(huán)烷 基、燒氧基、燒硫基和齒素；n是0?4的整數(shù)；
R13?R21之間相同或不同，分別選自氫、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、鏈烯基、環(huán)烯基、炔基、烷 氧基、燒硫基、芳基釀基、芳基硫釀基、芳基、齒素、幾基、幾基、氧基幾基、氣基甲醜基、氣基、 甲硅烷基和-p( = 〇)R1R23;R22和R23是芳基或雜芳基；但是，R13?R21中的任一個(gè)被連接 在通式（1)中的R1?R8中的任一位置上；而且，R13?R21中，除了是連接在通式（1)中的 R1?R8中的任一位置上的情況以外，不含二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架和咔唑骨架；此 夕卜，R13?R23中不含蒽骨架和芘骨架。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件材料，在所述通式（1)中，A和R21是不同的基團(tuán)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件材料，在所述通式（1)中，R3是所述通式（3)所 示的基團(tuán)，連接在R15的位置上。
4. 如權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件材料，所述通式（2)所示的基團(tuán)為下述 通式⑷或（5)所示的基團(tuán)，
R1(l1?R1(16和n的含義同權(quán)利要求1中的記載。
5. 如權(quán)利要求1?4的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件材料，其特征在于，所述通式（2)所示的 基團(tuán)是下述通式（6)?（16)的任一個(gè)所示的基團(tuán)，
〇 1 -種發(fā)光元件，是在陽(yáng)極和陰極之間存在有機(jī)層，且通過(guò)電能進(jìn)行發(fā)光的發(fā)光元件， 其特征在于，在所述陽(yáng)極和陰極之間的任一層中含有權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光 元件材料。
7. -種發(fā)光元件，是在陽(yáng)極和陰極之間至少存在空穴傳輸層，且通過(guò)電能進(jìn)行發(fā)光的 元件，其特征在于，所述空穴傳輸層中含有權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件材料。
8. -種發(fā)光元件，是在陽(yáng)極和陰極之間至少存在空穴傳輸層和發(fā)光層，且通過(guò)電能進(jìn) 行發(fā)光的元件，其特征在于，所述空穴傳輸層中含有權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元 件材料，所述發(fā)光層中含有三線態(tài)發(fā)光材料。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，所述發(fā)光層具有主體材料和三線態(tài)發(fā)光性摻雜材 料，權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件材料是主體材料。
10. 如權(quán)利要求6?9的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，在所述空穴傳輸層和陽(yáng) 極之間存在空穴注入層，所述空穴注入層中含有接收性化合物。
11. 如權(quán)利要求6?10的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層和陰極之間 至少存在電子傳輸層，所述電子傳輸層中含有以下化合物，所述化合物中含有受電子性氮， 且還具有由選自碳、氫、氮、氧、硅、磷中的元素構(gòu)成的雜芳環(huán)結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104488105SQ201380038765
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2013年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】長(zhǎng)尾和真, 松木真一, 境野裕健, 新井猛, 富永剛, 權(quán)晉友 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社