具有結(jié)終端擴(kuò)展的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】提供一種半導(dǎo)體器件(200)，包括：含碳化硅的襯底(202)；布置在襯底(202)上的漂移層(214)，漂移層含摻第一(n型)摻雜劑類(lèi)型的漂移區(qū)(214)，以具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；與漂移區(qū)相鄰并接近漂移層的表面(204)的第二區(qū)(216)。第二區(qū)摻第二(p型)摻雜劑類(lèi)型，以具有第二導(dǎo)電類(lèi)型。半導(dǎo)體器件還包括與第二(阱)區(qū)相鄰布置的結(jié)終端擴(kuò)展(JTE)(220)。JTE具有寬度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔離且摻雜有變化濃度的第二(p型)摻雜劑類(lèi)型的多個(gè)離散區(qū)(221)，以具有總體沿著遠(yuǎn)離主阻斷結(jié)(230)邊緣的方向減小的函數(shù)形式的第二導(dǎo)電類(lèi)型的有效摻雜分布。寬度Wjte小于或等于一維耗盡寬度(Wdepl 1D)五倍的倍數(shù)，以及半導(dǎo)體器件的電荷容差大于1.0x1013/cm2。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有結(jié)終端擴(kuò)展的半導(dǎo)體器件
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的奪叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求史蒂芬.亞瑟（Steven Arthur)等的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第61/648, 149 號(hào)的優(yōu)先權(quán)和利益，其名稱(chēng)為"具有結(jié)終端擴(kuò)展的半導(dǎo)體器件"（Semiconductor Device with Junction Termination Extension)，于2012年5月17日提交,其公開(kāi)內(nèi)容明確地通 過(guò)引用整體包含于本文中。

【背景技術(shù)】
[0003] 本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及采用結(jié)終端擴(kuò)展的基于碳化硅的器件。
[0004] 反向阻斷結(jié)的擊穿電壓通常用于限制由p-n結(jié)形成的半導(dǎo)體器件能夠承受的最 大反向電壓。這樣的阻斷結(jié)可包括例如晶閘管、二極管、雙極晶體管、絕緣柵晶體管的p-n 結(jié)，或者金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（M0SFET)中的相應(yīng)結(jié)。這種器件中的雪崩擊穿發(fā) 生在顯著低于理想擊穿電壓的電壓下，因?yàn)樵诜聪蚱珘合略谄骷械奶囟ㄎ恢茫?高場(chǎng)點(diǎn)"） 處存在過(guò)高的電場(chǎng)。反向偏壓下阻斷結(jié)的高場(chǎng)點(diǎn)通常出現(xiàn)在沿著曲率區(qū)域的冶金結(jié)的略上 方，例如在結(jié)的端部。
[0005] 特別地，擊穿電壓對(duì)于高功率器件是關(guān)鍵的，例如碳化硅（SiC)器件，相關(guān)特性， 例如對(duì)于活性劑量和界面電荷變化的魯棒性在SiC器件中比在硅（Si)基器件中更重要。
[0006] 半導(dǎo)體器件可采用任何不同的結(jié)構(gòu)和方法來(lái)實(shí)現(xiàn)p-n結(jié)擊穿電壓的提高，例如接 近p-n結(jié)授權(quán)（p-njunction entitlement)。例如，可在p-n結(jié)的終端部分附近采用結(jié)終端 擴(kuò)展（JTE)區(qū)。通常，JTE區(qū)可被視為毗連相反導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體區(qū)的重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)的 較輕度摻雜的延伸，其通常是輕微摻雜的，以形成前述P-n結(jié)。JTE區(qū)的主要功能是通過(guò)橫 向延伸阻斷結(jié)減小高濃度電場(chǎng)，否則其將存在于P-n結(jié)的非終端部分附近，特別是在高場(chǎng) 點(diǎn)（其通?？拷植繐诫s區(qū)的角）處。
[0007] 除了擊穿電壓以外，JTE的設(shè)計(jì)還影響半導(dǎo)體器件的多個(gè)關(guān)鍵特性，包括可靠性、 制造工藝復(fù)雜度和電荷容差（charge tolerance)，受到影響的許多特性具有復(fù)雜的相互關(guān) 系。
[0008] 因此希望提供一種改善基于碳化硅的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵特性（例如擊穿電壓、電 荷容差和可靠性）的JTE設(shè)計(jì)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009] 當(dāng)參考附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明的這些以及其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變 得更好理解，在各幅圖中相同的附圖標(biāo)記代表相同的部件，其中 ：
[0010] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的方面配置的示例二極管的剖視圖；
[0011] 圖2是部分俯視圖，顯示用于示例結(jié)終端擴(kuò)展（JTE)的變化的摻雜劑分布；
[0012] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的方面配置的用于IGBT的阻斷結(jié)的終端的剖視圖；
[0013] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的方面配置的示例臺(tái)面二極管的剖視圖；
[0014] 圖5顯示跨越JTE長(zhǎng)度的三個(gè)示例JTE有效摻雜分布（單一區(qū)、x1/2和X 2);
[0015] 圖6顯示對(duì)于圖5中使用的三種摻雜分布，所得到的對(duì)于JTE峰值劑量變化曲線 的擊穿電壓靈敏度；
[0016] 圖7是二極管維定義的平面圖，其可推廣至一般的垂直式功率器件；
[0017] 圖8示意性顯示具有變化橫向JTE劑量的塊結(jié)構(gòu)G-JTE掩膜的示例布局；
[0018] 圖9是一般垂直式功率器件的維定義的平面圖；
[0019] 圖10顯示示例分級(jí)JTE (G-JTE)橫向摻雜分布；
[0020] 圖11顯示用于塊結(jié)構(gòu)G-JTE布局的示例單元電池；以及
[0021] 圖12顯示圍繞器件角生成單元電池，其中矩形塊變?yōu)樘菪?，由半徑確定的高度以 步長(zhǎng)λ增大。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面描述用于終止高壓SiC結(jié)的技術(shù)，其可以獲得極其接近一維平行平面擊穿電 壓（1-D BVPP極限）的阻斷電壓，且改進(jìn)對(duì)于活性劑量和界面電荷變化的魯棒性，該魯棒性 在SiC功率器件應(yīng)用中比在Si功率器件應(yīng)用中更重要。這種用于特定配置的新的塊結(jié)構(gòu) 分級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展（G-JTE)設(shè)計(jì)僅使用一種掩膜水平，其已經(jīng)通過(guò)1.2kV SiC M0SFET和代表 性的測(cè)試二極管實(shí)現(xiàn)。測(cè)試二極管的阻斷電壓（BV)達(dá)到大約1. 6kV的1-D BVPP極限，具有 11 μ m的η型的4H-SiC漂移層，摻雜ND = 9xl015/cm3,其中ND是施主濃度。已經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 了對(duì)于電荷靈敏度的魯棒性，在較寬范圍的注入JTE劑量（2xl0 13/cm2至4xl013/cm2以上） 保持BV > 1. 2kV，大大地優(yōu)于傳統(tǒng)的單一區(qū)JTE設(shè)計(jì)。該單一掩膜步驟的塊結(jié)構(gòu)G-JTE終 端設(shè)計(jì)使其特別適用于更高的電壓器件應(yīng)用（> 3kV)，其中實(shí)現(xiàn)多個(gè)區(qū)的JTE，要求多個(gè) (達(dá)到四個(gè)）掩膜水平是常規(guī)使用的。應(yīng)注意，在高達(dá)8kV下驗(yàn)證了該JTE設(shè)計(jì)。
[0023] 參考圖1-3和圖5-10描述半導(dǎo)體器件200。應(yīng)注意，雖然為了便于顯示在圖1中 沒(méi)有顯示觸點(diǎn)，但是如本領(lǐng)域中所知，半導(dǎo)體器件將包括觸點(diǎn)。如圖1所示，半導(dǎo)體器件200 包括襯底202,襯底202包括碳化硅。漂移層214布置在襯底202上，且包括摻雜有第一摻 雜劑類(lèi)型的漂移區(qū)214,以具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。半導(dǎo)體器件200還包括與漂移區(qū)214相鄰以 及接近漂移層214的表面204的第二區(qū)216。第二區(qū)216摻雜有第二摻雜劑類(lèi)型，以具有第 二導(dǎo)電類(lèi)型。
[0024] 半導(dǎo)體器件200還包括與第二區(qū)216相鄰布置的結(jié)終端擴(kuò)展（JTE) 220。如圖所示， 例如在圖1和2中，結(jié)終端擴(kuò)展220具有寬度wjte，且包括在第一方向272和第二方向274 中（圖2)被隔離且摻雜有變化濃度的第二（p型）摻雜劑類(lèi)型的多個(gè)離散區(qū)221，以具有總 體上沿著遠(yuǎn)離主阻斷結(jié)230的邊緣的方向減小的函數(shù)形式的第二導(dǎo)電類(lèi)型的有效摻雜分 布。應(yīng)注意，"變化濃度"是指區(qū)的密度變化，而且該變化的密度限定變化的有效JTE劑量。 通常，所有區(qū)將具有相同的劑量/摻雜。本文使用的"有效摻雜"是開(kāi)放以接收J(rèn)TE注入劑 量的JTE面積相對(duì)于被采樣的總面積的分?jǐn)?shù)，這樣對(duì)于該區(qū)其相當(dāng)于以（分?jǐn)?shù)）* (全部JTE 劑量）來(lái)給量JTE。一些示例的有效摻雜水平包括全部JTE劑量的15%，50%和90%。寬 度wjte (圖1)小于或等于一維耗盡寬度Wdepl 1D的五（5)倍寬度的倍數(shù)，且半導(dǎo)體器件200 的電荷容差大于l.〇xl〇13/cm2。對(duì)于特定配置，界面（或者場(chǎng)氧化層）電荷密度可以為大約 lxl012/cm2,或者甚至在大約lxl012/cm2的40-60%的范圍內(nèi)。有益的，電荷容差足以適應(yīng)界 面電荷密度。
[0025] 應(yīng)注意，圖1中顯不為Wdepl_1D的是外延層（epi)的厚度t epi，通常Wdepl_1D不等價(jià)于 tepi。本文使用的電荷容差定義為對(duì)于擊穿電壓大于設(shè)計(jì)電壓的特定JTE類(lèi)型，JTE劑量范 圍的跨度。例如見(jiàn)表1。
[0026] 表1針對(duì)三種示例JTE有效摻雜分布（單一區(qū)，x1/2和X2)的電荷容差
[0027]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件（200)，包括： 包括碳化硅的襯底（202); 布置在所述襯底（202)上的漂移層（214)，所述漂移層包括摻雜有第一（η型）摻雜劑 類(lèi)型的漂移區(qū)（214)，以具有第一導(dǎo)電類(lèi)型； 與所述漂移區(qū)（214)相鄰以及接近所述漂移層（214)的表面（204)的第二區(qū)（216)，其 中所述第二區(qū)（216)摻雜有第二（ρ型）摻雜劑類(lèi)型，以具有第二導(dǎo)電類(lèi)型；以及 與所述第二（阱）區(qū)（216)相鄰布置的結(jié)終端擴(kuò)展（220)，其中所述結(jié)終端擴(kuò)展（220) 具有寬度》#且包括在第一方向和第二方向上被隔離且摻雜有變化濃度的第二（ρ型）摻 雜劑類(lèi)型的多個(gè)離散區(qū)（221)，以具有總體上沿著遠(yuǎn)離主阻斷結(jié)（230)的邊緣的方向減小 的函數(shù)形式的第二導(dǎo)電類(lèi)型的有效摻雜分布，其中所述寬度小于或等于一維耗盡寬 度（W_ 11D)的寬度的五（5)倍的倍數(shù)，以及其中所述半導(dǎo)體器件（200)的電荷容差大于 1. 0xl013/cm2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述結(jié)終端擴(kuò)展（220)的有 效摻雜分布是遠(yuǎn)離所述主阻斷結(jié)（230)的邊緣的距離X的單調(diào)遞減函數(shù)N(x)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展（220) 的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)N(x)隨著x 1/2變化。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展（220) 的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)是： N(x) = Nmax+(Nmin-NmJ (x/wJte)1/2, 其中Nmax是所述主阻斷結(jié)（230)的邊緣處的平均摻雜劑濃度，以及其中Nmin是所述結(jié)終 端擴(kuò)展（220)的外邊緣（232)處的平均摻雜劑濃度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展（220) 的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)是： N(x) = Nmax+(Nmin-NmJ (x/wJte)2, 其中Nmax是所述主阻斷結(jié)（230)的邊緣處的平均摻雜劑濃度，以及其中Nmin是所述結(jié)終 端擴(kuò)展（220)的外邊緣（232)處的平均摻雜劑濃度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述離散摻雜區(qū)（221)中的 相鄰摻雜區(qū)被在大約0至大約2. 5 λ的范圍內(nèi)的間隔與其最近的鄰居分離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述最小有效摻雜不小于全 部JTE劑量的15%。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述碳化硅襯底（202)具有 η+導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是η型，以及其中所 述第二摻雜劑類(lèi)型是Ρ型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是Ρ型。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述碳化硅襯底（202)具有 Ρ型導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是η型，以及其中所 述第二摻雜劑類(lèi)型是Ρ型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是Ρ型。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述碳化硅襯底（202)具 有η+型導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是ρ型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是ρ型，以及其 中所述第二摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是η型。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，所述寬度在所述一維 耗盡寬度（W_11D)的寬度的0.2-1. 0倍的范圍內(nèi)，以及其中所述半導(dǎo)體器件（200)的電荷 容差在QEcritical的0. 9-2. 6倍的范圍內(nèi)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件（200)，其特征在于，峰值擊穿電壓（BVpk)在一 維擊穿電壓授權(quán)BV1D的0. 8-1. 0倍的范圍內(nèi)。
13. -種半導(dǎo)體器件（300)，包括： 包括碳化硅的襯底（302); 布置在所述襯底（302)上的漂移層（314)，所述漂移層摻雜有第一（η型）摻雜劑類(lèi)型， 以具有第一導(dǎo)電類(lèi)型； 與所述漂移層（314)相鄰布置的陽(yáng)極區(qū)（316)，其中所述陽(yáng)極區(qū)（316)摻雜有第二（ρ 型）摻雜劑類(lèi)型，以具有第二導(dǎo)電類(lèi)型；以及 與所述陽(yáng)極區(qū)（316)相鄰布置且圍繞所述陽(yáng)極區(qū)（316)延伸的結(jié)終端擴(kuò)展（320)，其 中所述結(jié)終端擴(kuò)展（320)具有寬度wjte且包括在第一方向和第二方向上被隔離且摻雜有 變化濃度的第二（P型）摻雜劑類(lèi)型的多個(gè)離散區(qū)（321)，以具有總體上沿著遠(yuǎn)離主阻斷結(jié) (330)的邊緣的方向減小的函數(shù)形式的第二導(dǎo)電類(lèi)型的有效摻雜分布，其中所述寬度w jte 小于或等于一維耗盡寬度（W_11D)的寬度的五（5)倍的倍數(shù)，以及其中所述半導(dǎo)體器件 (300)的電荷容差大于1. 0xl013/cm2。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述陽(yáng)極區(qū)（316)包括在 所述漂移層（314)上外延生長(zhǎng)以及隨后被部分刻蝕以形成所述陽(yáng)極區(qū)（316)的材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述結(jié)終端擴(kuò)展（320)的 有效摻雜分布是遠(yuǎn)離所述主阻斷結(jié)（330)的邊緣的距離X的單調(diào)遞減函數(shù)N(x)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展 (320)的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)N(x)隨著x 1/2變化。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展 (320)的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)是： N(x) = Nmax+(Nmin-NmJ (x/wJte)1/2, 其中Nmax是所述主阻斷結(jié)（330)的邊緣處的平均摻雜劑濃度，以及其中Nmin是所述結(jié)終 端擴(kuò)展（320)的外邊緣（332)處的平均摻雜劑濃度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，控制所述結(jié)終端擴(kuò)展 (320)的有效摻雜分布的所述單調(diào)遞減函數(shù)是： N(x) = Nmax+(Nmin-NmJ (x/wJte)2, 其中Nmax是所述主阻斷結(jié)（330)的邊緣處的平均摻雜劑濃度，以及其中Nmin是所述結(jié)終 端擴(kuò)展（320)的外邊緣（332)處的平均摻雜劑濃度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述離散摻雜區(qū)（321)中 的相鄰摻雜區(qū)被在大約〇至大約2. 5 λ的范圍內(nèi)的間隔與其最近的鄰居分離。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述最小有效摻雜不小于 全部JTE劑量的15%。
21. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述碳化硅襯底（302)具 有η+導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是η型，以及其中 所述第二摻雜劑類(lèi)型是P型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是P型。
22. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述碳化硅襯底（302)具 有P型導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是η型，以及其 中所述第二摻雜劑類(lèi)型是Ρ型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是Ρ型。
23. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件（300)，其特征在于，所述碳化硅襯底（302)具 有η+型導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜劑類(lèi)型是ρ型，從而所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是ρ型，以及其 中所述第二摻雜劑類(lèi)型是η型，從而所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是η型。
24. -種半導(dǎo)體器件，包括： 具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體襯底； 形成在所述襯底上的有源區(qū)；以及 圍繞所述有源區(qū)且具有寬度We(^的邊緣區(qū)，其中所述邊緣區(qū)包括： 具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)的多個(gè)離散角區(qū)；以及 具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)的多個(gè)離散直區(qū)，其中至少一個(gè)直區(qū)毗連相應(yīng)角區(qū)，其中所 述第二導(dǎo)電類(lèi)型的有效雜質(zhì)濃度沿著遠(yuǎn)離所述邊緣區(qū)與所述有源區(qū)之間的界面的方向減 小，其中所述角區(qū)的形狀與所述直區(qū)的形狀不同，以及其中所述邊緣區(qū)的寬度1_小于或 等于一維耗盡寬度（W depl_1D)的五（5)倍的倍數(shù)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述直區(qū)的至少其中之一具有 矩形形狀，且其中所述角區(qū)的至少其中之一具有梯形形狀。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)直區(qū)是矩形的，以及其中每 個(gè)角區(qū)是梯形的。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述直區(qū)的至少其中之一是正 方形。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)直區(qū)是正方形，以及其中每 個(gè)角區(qū)是梯形的。
29. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述邊緣區(qū)具有至少大約 1.0xl013/cm2的電荷容差。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電荷容差足以適應(yīng)至少大 約lx 1012/cm2的界面電荷密度。
31. -種半導(dǎo)體器件，包括： 具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體襯底； 形成在所述襯底上的包括主阻斷結(jié)的有源器件區(qū)；以及 與所述主阻斷結(jié)相鄰且具有寬度Wedge的邊緣區(qū)，其中所述邊緣區(qū)包括具有第一導(dǎo)電類(lèi) 型的多種雜質(zhì)的多個(gè)離散區(qū)，其中所述邊緣區(qū)中的第一導(dǎo)電類(lèi)型的有效雜質(zhì)濃度沿著遠(yuǎn)離 所述主阻斷結(jié)與所述邊緣區(qū)之間的界面的方向減小，以及其中所述邊緣區(qū)的寬度^_小于 或等于一維耗盡寬度（w depl 1D)的五（5)倍的倍數(shù)。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述邊緣區(qū)具有至少大約 1.0xl013/cm2的電荷容差。
【文檔編號(hào)】H01L29/861GK104303314SQ201380025695
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月17日
【發(fā)明者】S.D.阿瑟, A.V.博洛特尼科夫, P.A.羅西, K.S.馬托查, R.J.賽亞, Z.M.斯塔姆, L.D.斯特瓦諾維奇, K.V.S.R.基肖爾, J.W.克雷奇默 申請(qǐng)人:通用電氣公司