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浸涂槽的制作方法

文檔序號:7038355閱讀:454來源:國知局
浸涂槽的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本公開的浸涂槽包括:主體,裝有用于浸涂的漿料;入口,所述入口被安裝成使?jié){料從所述主體的外部流入內(nèi)部;以及出口,所述出口被安裝成使?jié){料從所述主體的內(nèi)部流出到外部,并且所述入口的位于所述主體內(nèi)的一端被設(shè)置為以一定距離面向所述主體的側(cè)表面,并且朝向所述主體的底表面以預(yù)定角度傾斜。根據(jù)本公開,通過調(diào)整從入口流入浸涂槽的漿料的入射角,可以增加流向底表面的漿料的流速,進(jìn)而實現(xiàn)通過該浸涂槽循環(huán)的漿料中所含的固體物的均勻分布。
【專利說明】浸涂槽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種浸涂槽,更具體地,涉及一種具有以下結(jié)構(gòu)的浸涂槽,其能使?jié){料均勻地分布到該浸涂槽中,并且增強(qiáng)在其底表面處的漿料的流速。
[0002]本申請要求于2012年7月5日在韓國提交的韓國專利申請N0.10-2012-0073402的優(yōu)先權(quán),其所公開的內(nèi)容通過引用被并入本案中。

【背景技術(shù)】
[0003]在生產(chǎn)穩(wěn)定性改善的電池的隔板時,浸涂是將固體涂層涂布到網(wǎng)膜(web)上的方法之一。浸涂指的是,在網(wǎng)膜沿著位于浸涂槽中的引導(dǎo)輥移動的同時,使網(wǎng)膜穿過在浸涂槽中所盛有的漿料,來使?jié){料(涂布溶液)涂布到網(wǎng)膜上。
[0004]涂布了漿料的網(wǎng)膜通過安裝在浸涂槽外面的烘干爐,將在漿料中所包含的溶劑烘干,從而僅留下固體物和粘合劑涂布在網(wǎng)膜上。
[0005]同時,漿料包括約80%的溶劑和余下的20%的固體物和粘合劑,并且由于這些固體物的密度比溶劑的高,在反應(yīng)時,浸涂槽的底表面會發(fā)生固體物的沉淀現(xiàn)象。
[0006]參見圖1,漿料通過連接到浸涂槽側(cè)表面的入口 2流入到浸涂槽I中,在浸涂槽中循環(huán),然后通過連接到浸涂槽底表面的出口 3流出到循環(huán)槽中。
[0007]然而,由于這種浸涂槽結(jié)構(gòu)的內(nèi)在缺陷在于在靠近底表面的區(qū)域中的漿料流速會減小,因此,難以克服在底表面處發(fā)生的固體的沉淀現(xiàn)象。當(dāng)沉淀量增加時,必須停止涂布過程并進(jìn)行除去沉淀的操作,導(dǎo)致生產(chǎn)率下降,并且由于固體物被丟棄,不能獲得希望的涂布效果。
[0008]因此,急需一種解決方案,既能將浸涂槽底表面的漿料流速增加到最大程度,同時實現(xiàn)漿料在浸涂槽中的均勻分布。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)問題
[0010]本公開的目的在于解決相關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】中的問題,因此,本公開提供一種浸涂槽,其可以實現(xiàn)循環(huán)漿料的均勻分布并且增加漿料在底表面的流速。
[0011]技術(shù)方案
[0012]為了實現(xiàn)這些目標(biāo),一種浸涂槽包括:裝有用于浸涂的漿料的主體;入口,所述入口被安裝成使?jié){料從所述主體的外部流入內(nèi)部;以及出口,所述出口被安裝成使?jié){料從所述主體的內(nèi)部排放到外部,并且所述入口的位于所述主體的內(nèi)部的一端可以被設(shè)置為以一定距離面向所述主體的側(cè)表面,并且可以以預(yù)定角度朝向所述主體的底表面傾斜。
[0013]所述入口可以穿過所述主體。
[0014]所述入口可以連接到所述主體的所述側(cè)表面。
[0015]所述入口可以連接到所述側(cè)表面的上部。
[0016]所述入口可以設(shè)置為多個,并且在所述多個入口之中,至少任意一對入口被安裝成該兩個入口中的各自的一個端部朝向相反的方向。
[0017]所述入口可以通過所述主體的敞開的頂部被插入到所述主體中。
[0018]所述出口可以連接到所述主體的側(cè)表面。
[0019]所述出口可以連接到所述側(cè)表面的最下部。
[0020]所述出口可以連接到所述主體的底表面。
[0021 ] 所述底表面可以從兩側(cè)朝中心向下傾斜。
[0022]所述出口可以連接到所述底表面上的最低位置。
[0023]所述主體的所述側(cè)表面的至少一部分可以是傾斜的,使得在從頂部到底部的方向上內(nèi)部空間逐漸變窄。
[0024]所述入口可以被可旋轉(zhuǎn)地安裝使得能調(diào)整傾斜角度。
[0025]有益效果
[0026]根據(jù)本公開的一個方面,通過調(diào)整從入口流入浸涂槽的漿料的入射角,可以增加漿料朝向底表面的流速,同時使得在該浸涂槽中循環(huán)的漿料中所含的固體物實現(xiàn)均勻分布。
[0027]根據(jù)本公開的另一個方面,通過將浸涂槽設(shè)計為具有傾斜的底表面,可以最小化沉積在底表面的固體物。
[0028]根據(jù)本公開的又一個方面,通過將浸涂槽設(shè)計為浸涂槽的側(cè)表面的至少一部分相對于底表面傾斜,來將底表面面積最小化,可以增加在底表面處的漿料的流速。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖示出了本公開的優(yōu)選實施例,并且與前述公開一起用于提供對本公開的技術(shù)精神的進(jìn)一步理解。然而,不應(yīng)理解為本公開受到這些附圖的限制。
[0030]圖1是示出了常規(guī)技術(shù)中的浸涂槽的結(jié)構(gòu)的透視圖;
[0031]圖2a是示出了根據(jù)本公開的示例性實施例的浸涂槽的透視圖;
[0032]圖2b是示出了圖2a的浸涂槽從A方向觀察時的視圖;
[0033]圖3a是示出了根據(jù)本公開的另一個示例性實施例的浸涂槽的透視圖;
[0034]圖3b是示出了圖3a的浸涂槽從B方向觀察時的視圖;
[0035]圖4a是示出了根據(jù)本公開的又一個示例性實施例的浸涂槽的透視圖;
[0036]圖4b是示出了圖4a的浸涂槽從A方向觀察時的視圖;
[0037]圖5是示出了根據(jù)本公開的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的漿料流速分布與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的漿料流速分布的對比曲線圖;
[0038]圖6是示出了根據(jù)本公開的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的固體物的含量比例分布與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的固體物的含量比例分布的對比曲線圖。

【具體實施方式】
[0039]以下,將結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本公開的優(yōu)選實施例。在描述之前,應(yīng)當(dāng)明白,本說明書和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語不應(yīng)限于通用含義和字典中的含義,而是應(yīng)當(dāng)在允許發(fā)明人適當(dāng)?shù)囟x以最好地說明本發(fā)明原理的前提下,根據(jù)與本公開的技術(shù)方面相對應(yīng)的含意和概念來理解。因此,本文中的描述僅僅是用于說明的優(yōu)選實例,并非用于限制本公開的范圍,因此,應(yīng)當(dāng)理解,在不脫離本公開的精神和范圍的前提下,可以對其做出其它的等同物和修改。
[0040]首先,參照圖2a和圖2b來描述根據(jù)本公開的示例性實施例的浸涂槽10。
[0041]圖2a是示出了根據(jù)本公開的示例性實施例的浸涂槽10的透視圖,圖2b是示出了圖2a的浸涂槽10從A方向觀察時的視圖。
[0042]參見圖2a和圖2b,根據(jù)本公開的示例性實施例的浸涂槽10包括主體11、入口 12和出口 13。
[0043]主體11是指裝有用于浸涂的漿料的容器,并且通常是具有敞開的頂部的長方體。本公開不限制主體11的形狀,并且顯然具有敞開的頂部、側(cè)面和底面的任何形狀的容器均落入本公開的范圍中。
[0044]導(dǎo)輥R安裝在主體11內(nèi)部,并且通過將用于制造電極板或隔板的網(wǎng)膜W浸潰在漿料中同時使所述網(wǎng)膜沿著導(dǎo)輥R移動來進(jìn)行浸涂。
[0045]入口 12對應(yīng)于使?jié){料能從主體11的外部流入內(nèi)部的通道,并且可以被安裝為一個端部12a穿過主體11而被置于其內(nèi)部。在這種情況下,對入口 12的高度沒有特別的限制,但是入口 12可以被連接到主體11的側(cè)表面的上部以使主體11內(nèi)有良好的漿料循環(huán)。此處,主體11的側(cè)表面的上部,指的是在將側(cè)表面分為兩等分時,中間線以上的位置。
[0046]位于主體11內(nèi)部的入口 12的端部12a面向主體11的一個側(cè)表面,并與該側(cè)表面相距預(yù)定距離,并且在朝向主體11的底表面的方向上以預(yù)定角度Θ傾斜。因此,通過入口12流入到主體11中的漿料,沿著主體11的側(cè)表面向下流動,并且從底表面的邊緣流向中心。這種漿料的流動路徑可以將主體11的底表面處的流速下降減至最小化,從而使得在漿料中所含的固體物在底表面處沉積的沉淀現(xiàn)象減至最小化。
[0047]入口 12可以被安裝為可以繞箭頭方向(見圖2a)旋轉(zhuǎn),使得可以調(diào)整相對于安裝位置的傾斜角Θ。
[0048]另外,當(dāng)入口 12設(shè)置為多個時,多個入口 12中的至少一對入口 12可以被安裝為該兩個入口的各自的一個端部12a朝向相反的方向以使整個漿料較好的循環(huán)。
[0049]同時,盡管附圖中示出了入口 12僅穿過主體11的側(cè)表面中的以A方向布置的側(cè)表面,但入口 12插入主體11的位置不限于此。也就是說,顯然,入口 12也可以通過敞開的頂部以及不同于A方向布置的側(cè)表面的其他側(cè)表面而被插入到主體11中。
[0050]類似地,盡管附圖中示出了僅一個入口 12安裝在各個側(cè)表面中,入口 12的數(shù)量不限于此。也就是說,顯然,考慮到浸涂槽10的大小等因素,可以安裝一個入口 12或至少3個入口 12。
[0051]出口 13對應(yīng)于連接到主體11以使?jié){料從主體11的內(nèi)部流出到外部的通道。對出口 13的位置沒有特別的限制,但是出口 13可以連接到主體11的側(cè)表面的最低部分或底表面,使得漿料可以較容易地排出。在這種情況下,借助于在主體11中所含的漿料的自身重量所形成的壓力,漿料可以通過出口 13順利地排出。
[0052]同時,盡管附圖示出了僅設(shè)置了一個出口 13的情況,出口 13的數(shù)量不限于此。也就是說,顯然,考慮到浸涂槽10的大小、入口 12的數(shù)量等因素,可以安裝至少兩個出口 13。
[0053]如前所述,由于根據(jù)本公開的示例性實施例的浸涂槽10所具有的結(jié)構(gòu)使得在主體11中流動的漿料能在受側(cè)表面阻擋后朝底表面流動,所以可以將底表面處漿料流速減小的現(xiàn)象降至最小化,從而將在漿料中所含的固體物在底表面處沉淀的現(xiàn)象降至最小化。
[0054]以下,將結(jié)合圖3a和圖3b描述根據(jù)本公開另一個示例性實施例的浸涂槽20。
[0055]圖3a是示出了根據(jù)本公開的另一個示例性實施例的浸涂槽20的透視圖,圖3b是示出了圖3a的浸涂槽從B方向觀察時的視圖。
[0056]參見圖3a和圖3b,根據(jù)本公開的另一個示例性實施例的浸涂槽20包括:主體21、入口 22和出口 23。
[0057]浸涂槽20與根據(jù)前一個實施例的浸涂槽10相似,不同之處是主體21的側(cè)表面的形狀和底表面的面積。因此,在描述浸涂槽20時,將會省略重復(fù)的描述,并且圍繞主體21的側(cè)表面的形狀和底表面的面積來描述。
[0058]主體21的側(cè)表面上的至少一部分是傾斜的,使得從頂部到底部內(nèi)部空間逐漸變窄。也就是說,浸涂槽20具有底表面面積小于敞開的頂部的面積的形狀。
[0059]在這種情況下,隨著漿料越來越接近主體21的底表面,漿料流速變快,因此可以將在漿料中所包含的固體物在底表面處沉積的沉淀現(xiàn)象降至最小化。
[0060]以下,將結(jié)合圖4a和圖4b來描述根據(jù)本公開的又一個示例性實施例的浸涂槽20。
[0061]圖4a是示出了根據(jù)本公開的又一個示例性實施例的浸涂槽30的透視圖,圖4b是示出了圖4a的浸涂槽30從A方向觀察時的視圖。
[0062]參見圖4a和圖4b,根據(jù)本公開的又一個示例性實施例的浸涂槽30包括:主體31、入口 32和出口 33。
[0063]浸涂槽30與根據(jù)前述實施例的浸涂槽10和浸涂槽20相似,不同之處是主體31的底表面的形狀和出口 33的安裝位置。因此,在描述浸涂槽30時,將會省略重復(fù)的描述,并且圍繞主體31的底表面的形狀和出口 33的安裝位置來描述。
[0064]主體31的底表面是傾斜的,使得主體31朝中心變得更深。這種底表面的形狀可以將在底表面處漿料流速減小的現(xiàn)象降至最小化,因此不僅能將在漿料中所含的固體物在底表面沉積的沉淀現(xiàn)象降至最小化,而且也能防止沉積物滯留在底表面。
[0065]當(dāng)主體31具有傾斜的底表面時,出口 33可以連接到底表面上的最低位置,也就是說,位于傾斜平面的相交之處。在這種情況下,出口 33可以有效地將沿著傾斜平面向下流動的漿料排出到主體31的外部。
[0066]如上所述,由于具有傾斜的底表面,根據(jù)本公開又一個示例性實施例的浸涂槽30可以更有效地防止底表面處漿料流速減慢的現(xiàn)象,從而更有效地減少在漿料中所含的固體物在底表面處沉積的現(xiàn)象。
[0067]同時,參見圖5,可以對根據(jù)本公開的浸涂槽30和根據(jù)常規(guī)技術(shù)的浸涂槽I中的的漿料流速分布進(jìn)行對比。
[0068]圖5是示出了根據(jù)本公開的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的漿料流速分布與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的漿料流速分布的對比的曲線圖。
[0069]具體地,圖5的曲線圖的橫軸表示距在浸涂槽中安裝的出口的距離(mm) ( S卩,當(dāng)以圖4b舉例時,沿著箭頭的方向從浸涂槽的出口 33到側(cè)表面的移動距離),并且縱軸表示在對應(yīng)點的流速(m/s)。
[0070]參見圖5,對于在底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的漿料流速分布來說,可以看出,除了非常接近底表面的區(qū)域之外,根據(jù)本公開的浸涂槽30表現(xiàn)出流速在約0.20m/s至約0.35m/s的范圍內(nèi),而常規(guī)技術(shù)的浸涂槽I表現(xiàn)出流速在約O至約0.20m/s的范圍內(nèi)。
[0071]這種底表面處流速的差別導(dǎo)致根據(jù)本公開的浸涂槽30底表面出現(xiàn)的固體物與漿料的含量比例(固體物重量/漿料重量)與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽底表面出現(xiàn)的固體物與漿料的含量比例的差別。
[0072]圖6是示出了根據(jù)本公開的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的固體物的含量比例分布與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽底表面附近區(qū)域出現(xiàn)的固體物的含量比例分布的對比的曲線圖。
[0073]具體地,如圖5類似,圖6的曲線圖的橫軸表示距出口 33的距離,并且縱軸表示沉淀的程度,即固體物重量與漿料重量之比。
[0074]參見圖6,根據(jù)本公開的浸涂槽30底表面的固體物與漿料的含量比例大體上均勻,而常規(guī)技術(shù)的浸涂槽I底表面附近的固體物與漿料的含量比例分布與根據(jù)本公開的浸涂槽30相比更不均勻,此外,其比例值也更高。
[0075]具體地,根據(jù)本公開的浸涂槽30表現(xiàn)出沉淀程度在約0.200至約0.205之間,而常規(guī)技術(shù)的浸涂槽I表現(xiàn)出約0.205至約0.210的沉淀程度。
[0076]由于漿料中的固體物含量比例更低,沉積在底表面的固體物減少,因此,通過該含量比例分布曲線圖可以知道,與常規(guī)技術(shù)的浸涂槽I相比,根據(jù)本公開的浸涂槽30表現(xiàn)出了更好的性能。
[0077]詳細(xì)描述了本公開。然而,應(yīng)當(dāng)理解,在解釋本公開的實施例時,詳細(xì)的描述和具體的實例僅用于說明,因為對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說,在本公開精神和范圍內(nèi)做出的各種變化和修改是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種浸涂槽,包括: 主體,裝有用于浸涂的漿料; 入口,所述入口被安裝成使所述漿料從所述主體的外部流入內(nèi)部;以及 出口,所述出口被安裝成使?jié){料從所述主體的內(nèi)部流出到外部, 其中,所述入口的位于所述主體內(nèi)的一端被設(shè)置為以一定距離面向所述主體的側(cè)表面,并且以預(yù)定角度朝向所述主體的底表面傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述入口穿過所述主體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的浸涂槽,其中,所述入口連接到所述主體的所述側(cè)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的浸涂槽,其中,所述入口連接到所述側(cè)表面的上部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述入口設(shè)置為多個,并且在所述多個入口之中,至少任意一對入口被安裝成,該兩個入口的各自的一個端部朝向相反的方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述入口通過所述主體的敞開的頂部被插入到所述主體中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述出口連接到所述主體的所述側(cè)表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的浸涂槽,其中,所述出口連接到所述側(cè)表面的最下部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述出口連接到所述主體的所述底表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述底表面從兩側(cè)到中心向下傾斜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的浸涂槽,其中,所述出口連接到所述底表面上的最低位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述主體的所述側(cè)表面上的至少一部分是傾斜的,使得從頂部到底部的方向上內(nèi)部空間逐漸變窄。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸涂槽,其中,所述入口被可旋轉(zhuǎn)地安裝使得能調(diào)整傾斜角度。
【文檔編號】H01M2/14GK104302410SQ201380025677
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月5日
【發(fā)明者】樸元燦, 金大熙, 林藝勛 申請人:Lg化學(xué)株式會社
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