紅外傳感器設(shè)備和用于制造紅外傳感器設(shè)備的方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種紅外傳感器設(shè)備(100)，具有至少一個在半導(dǎo)體襯底(5)中構(gòu)造的傳感器元件(2)，其中在SOI晶片(1)中在傳感器元件(2)下面和圍繞傳感器元件(2)構(gòu)造縫隙(3，8)；和懸吊裝置(10)，傳感器元件借助于該懸吊裝置(10)懸吊在SOI晶片(1)中。紅外傳感器設(shè)備(100)的特征在于，傳感器元件(2)基本上布置在懸吊裝置(10)下面。由此達到高的靈敏度、低的熱容量、到襯底的小的熱耦合以及由此高的圖像重復(fù)頻率。傳感器元件(2)是二極管，其在單晶的、基本上呈U形的半導(dǎo)體襯底(5)的硅區(qū)域中構(gòu)造。
【專利說明】紅外傳感器設(shè)備和用于制造紅外傳感器設(shè)備的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及紅外傳感器設(shè)備和用于制造紅外傳感器設(shè)備的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有技術(shù)中已知以表面微機械技術(shù)制造的像素結(jié)構(gòu)。例如，W0 9325877公開了 在由Si02或SixNx構(gòu)成的鈍化層中嵌入的細的金屬線路與同樣在鈍化層中嵌入的輻射熱測 量器層電阻，所述金屬線路在與反射層一起以適當?shù)木嚯x形成A/4吸收器的裝置中連接。
[0003] 從W0 2007147663中已知熱絕緣穴的大批微機械制造，在所述熱絕緣穴上方于是 通過Si或SOI膜的結(jié)構(gòu)化產(chǎn)生懸吊在盡可能長和細的臂上的傳感器元件。
[0004] 另外，已知一種基于具有周圍鈍化的SOI像素技術(shù)的IR傳感器陣列。在該IR傳 感器陣列情況下，懸吊小臂布置在象素和列或行布線之間。pn結(jié)延伸直到表面。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種改善了的紅外傳感器設(shè)備，其允許在同一面上安置多 個象素。
[0006] 該任務(wù)利用一種紅外傳感器設(shè)備解決，其具有：
[0007]-上側(cè)和下側(cè)
[0008]-至少一個在半導(dǎo)體襯底中構(gòu)造的傳感器元件，其中在SOI晶片中圍繞傳感器元 件和在傳感器元件下面構(gòu)造熱絕緣層；和
[0009]-懸吊裝置，傳感器元件借助于該懸吊裝置懸吊在晶片中；其特征在于，該傳感器 元件基本上布置在懸吊裝置下面。
[0010] 按照另一個方面，本發(fā)明提供了一種具有多個按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的紅 外傳感器場。
[0011] 按照另一個方面，利用本發(fā)明提供一種用于制造紅外傳感器設(shè)備的方法，該方法 具有下列步驟：
[0012]-提供（SOI)晶片；
[0013]-在（SOI)晶片中構(gòu)造縫隙以定義半導(dǎo)體襯底島；
[0014]-用氧化物材料填充縫隙；
[0015]-對半導(dǎo)體襯底島進行摻雜；
[0016]-在犧牲區(qū)域上和在半導(dǎo)體襯底島之間產(chǎn)生犧牲層腐蝕孔穿過S0I晶片的整個層 構(gòu)造直至載體襯底；
[0017]-對半導(dǎo)體襯底島和犧牲區(qū)域進行犧牲層腐蝕以釋放（Freistellung)傳感器元 件。
[0018] 本發(fā)明的優(yōu)點
[0019] 通過把傳感器元件布置在懸吊裝置下面，有利地提供了一種具有較高面填充系數(shù) 的像素的紅外傳感器設(shè)備。在本申請的范圍內(nèi)，表述"在懸吊裝置下面"意味著相對于該懸 吊裝置，朝向紅外傳感器設(shè)備的下側(cè)的那側(cè)。由此在將紅外傳感器設(shè)備用在熱成像照相機 中時可以提高像素密度。
[0020] 優(yōu)選的擴展方案是各從屬權(quán)利要求的主題。
[0021] 該紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選的實施方式的特征在于，傳感器元件是二極管。由 此有利地提供了一種具有其值取決于溫度改變的特性的傳感器元件。對于本發(fā)明因此充 分利用紅外線引起的溫度變化，以便對在該二極管處的取決于溫度而改變的電壓降進行分 析。
[0022] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，傳感器元件的半 導(dǎo)體襯底具有單晶的、基本上呈U形的硅區(qū)域，其中硅區(qū)域的摻雜區(qū)域基本上垂直布置。通 過摻雜區(qū)域的垂直布置，傳感器元件的溫度敏感區(qū)域移向深處，由此在該二極管的pn結(jié)的 空間電荷區(qū)中形成較小的缺陷密度。由此有利地有較小的表面漏電流流動。此外由此可以 有利地減小傳感器元件的面積規(guī)模，由此導(dǎo)致傳感器元件的緊湊的結(jié)構(gòu)類型。
[0023] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，摻雜區(qū)域通過氧 化物材料側(cè)向彼此分開。由此有利地為待探測的紅外輻射提供了附加的吸收體積。
[0024] 該紅外傳感器設(shè)備的一個有利的改進方案規(guī)定，傳感器元件借助于懸吊裝置在兩 個區(qū)域中與其余（SOI)晶片連接。由此在傳感器陣列的應(yīng)用中一方面在各個傳感器元件彼 此之間以及通向襯底地產(chǎn)生小的熱耦合。
[0025] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，懸吊裝置在垂直 方向上對稱地構(gòu)造，其中電導(dǎo)體線路在該懸吊裝置中基本上居中地布置在兩個厚度基本上 相等的氧化物材料層之間。由此有利地得出懸吊結(jié)構(gòu)的一種應(yīng)力對稱的構(gòu)造，這在懸吊裝 置被腐蝕釋放(Freiatzen)之后支持減少的基本偏轉(zhuǎn)并且支持偏轉(zhuǎn)隨溫度的運行。
[0026] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，導(dǎo)體線路基本上 設(shè)置在傳感器元件的中心和傳感器元件上面，也就是說相對于傳感器元件設(shè)置在朝向紅外 傳感器設(shè)備的上側(cè)的那側(cè)上，基本上以螺旋形構(gòu)造。通過這種方式可以無交叉地實現(xiàn)非常 長的懸吊小臂。由此有利地產(chǎn)生小的散熱，這有利地引起傳感器元件到襯底的小的熱耦合。
[0027] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式規(guī)定，電導(dǎo)體線路的材料是來 自如下組：1'；[、11隊13、131^的至少一種或這些材料的組合。用這些材料或由其構(gòu)成的組合 達到了導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性之間的有利折衷，由此傳感器元件有利地僅僅微小地與襯底耦合。
[0028] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，布置在傳感器元 件上的氧化物材料層的光學(xué)厚度基本上對應(yīng)于待探測波長的1/4的奇數(shù)倍。這有利地確定 用于吸收待探測的波長的氧化物層的尺寸。
[0029] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個優(yōu)選實施方式的特征在于，在傳感器兀件上 面的氧化物材料層的厚度大于懸吊裝置范圍中的厚度。在本申請的范圍中，表述"在傳感器 元件上面"意味著相對于該傳感器元件，朝向紅外傳感器設(shè)備上側(cè)的那面。由此，有利地僅 僅在傳感器元件的范圍中、而不在懸吊結(jié)構(gòu)的范圍中提供提高的吸收層厚度。這可以有利 地引起信噪比升高。
[0030] 按照本發(fā)明的紅外傳感器設(shè)備的一個有利改進方案的特征在于，在傳感器兀件的 表面上布置反射層。通過這種方式有利地增大待探測的輻射的吸收路徑以及由此增大其吸 收。
[0031] 下面參照附圖根據(jù)實施方式闡述本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點。在此，所有描述的或 顯示的特征本身或以任意組合構(gòu)成本發(fā)明的主題，而與其在權(quán)利要求中的組合或其回引無 關(guān)，以及與它們在說明書中或在附圖中的表達或示出無關(guān)。附圖尤其是意圖用來說明本發(fā) 明的基本原理并且不一定是比例正確的。在附圖中，相同的附圖標記表示相同的或功能相 同的元件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032] 圖la示出本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備的一個實施方式的截面視圖；
[0033] 圖lb示出本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備的一個實施方式的俯視圖；并且
[0034] 圖2a至圖2f示出用于制造本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備的一個實施方式的方法的方法 階段與相應(yīng)的中間產(chǎn)品。

【具體實施方式】
[0035] 圖la示出本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備100的一個實施方式在圖lb的截平面 A-A'中的原理截面視圖。紅外傳感器設(shè)備100的基本材料包括SOI晶片1(英語： silicon-on-insulator，絕緣體上的娃），其包括載體襯底7 (英語：handlewafer(操作晶 片））、氧化物材料6和帶有半導(dǎo)體襯底5的器件層。在布置于紅外傳感器設(shè)備100上側(cè)11 處的SOI晶片1的表面上，施加多層的氧化物材料6,它們是帶有導(dǎo)體線路4用以對傳感器 元件2進行電供給的金屬化平面。
[0036] 傳感器元件2構(gòu)造為半導(dǎo)體二極管，其中作為二極管的基本材料優(yōu)選使用單晶 硅，其與多晶硅相比有利地具有明顯改善的噪聲特性（例如，通過消除晶界噪聲）。傳感器 元件2在（SOI)晶片1內(nèi)部，布置在紅外傳感器設(shè)備100的紅外傳感器設(shè)備12的下側(cè)12 處，通過環(huán)繞的縫隙3和穴8形式的熱絕緣槽與其余襯底熱絕緣。二極管的結(jié)構(gòu)基本上垂 直取向，其中二極管具有基本上U形構(gòu)造的、經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體襯底區(qū)域。這通過pn結(jié)移向 深處和在空間電荷區(qū)中的較小的缺陷密度而有利地導(dǎo)致表面漏電流減少。通過基本上U形 的二極管基本結(jié)構(gòu)，此外有利地提高了二極管的封裝密度，這可以在傳感器陣列的應(yīng)用方 面導(dǎo)致較高的像素密度。
[0037] 傳感器元件2的懸吊裝置10通過周圍被釋放的氧化物材料6層形成，在其中布置 有導(dǎo)體線路4。在垂直取向上，懸吊裝置10基本上對稱構(gòu)建，其中在懸吊裝置10區(qū)域中的 氧化物材料6的厚度小于在其余傳感器元件2的區(qū)域中。由此可以通過小的截面面積將懸 吊裝置10的導(dǎo)熱性有利地保持得低。結(jié)果由此可以通過像素區(qū)域中的提高的吸收層厚度 來實現(xiàn)紅外傳感器設(shè)備1〇〇的改善的信噪比（SNR)，該吸收層厚度在懸吊裝置10的范圍中 不存在。由此可以有利地提供高靈敏的紅外傳感器設(shè)備100。
[0038] 側(cè)向地圍繞二極管的摻雜區(qū)域同樣布置有氧化物材料6,這有利地導(dǎo)致吸收層厚 度增大，以及提供各二極管元件彼此的定義的邊界。此外不必由此考慮二極管摻雜區(qū)域的 側(cè)向的向外擴散，這有利地允許傳感器元件2有較高的集成密度。
[0039] 傳感器元件2上的氧化物層的光學(xué)厚度基本上對應(yīng)于待探測波長A的四分之一 的奇數(shù)倍，這證實為對電磁輻射的吸收特別有利。此外通過懸吊裝置10的對稱構(gòu)建，支持 了懸吊裝置10被腐蝕釋放(Frei進zen)之后的減小的基本偏轉(zhuǎn)以及偏轉(zhuǎn)的小的溫度依賴 性。
[0040] 導(dǎo)體線路4優(yōu)選包括單層或多層的下列材料的組合：Ti，TiN，Ta，TaN。這些材料 全部有利地在導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性之間具有有利的折衷，使得通過應(yīng)用上述材料避免傳感器元 件2的不必要的溫升。導(dǎo)體線路4優(yōu)選具有小于約0. 1ym2的截面。在制造紅外傳感器設(shè) 備100時，多晶硅9可以有利地用于導(dǎo)體線路4和用作犧牲層材料。
[0041] 可選地，在紅外傳感器設(shè)備100上側(cè)11處的表面上布置反射層30,該反射層30提 商待探測福射的吸收并且由此有利地提商紅外傳感器設(shè)備100的效率。
[0042] 圖lb示出本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備100的一個實施方式的原理俯視圖。可以看出， 完全圍繞傳感器元件2的縫隙3將傳感器元件2與其余襯底熱隔離。此外在紅外傳感器設(shè) 備100的制造過程中，縫隙3用作犧牲層腐蝕孔。傳感器元件2例如總共具有八個二極管， 其中對于傳感器元件2來說二極管的最小數(shù)目為1。二極管電串聯(lián)和/或并聯(lián)，其中在半導(dǎo) 體襯底5的硅中分別這樣集成一個二極管元件，使得摻雜區(qū)域側(cè)向地受氧化物槽限制。另 外可以看出，傳感器元件2的二極管基本上布置在懸吊裝置10下面。由此可以有利地提高 傳感器元件2的面填充系數(shù)，由此在確定的面上可以布置更大數(shù)目的傳感器元件2。
[0043] 導(dǎo)體線路4基本上設(shè)置在傳感器元件2的中心，并且基本上呈螺旋狀地構(gòu)造在傳 感器元件2上面。在此，縫隙3只跨接在兩個區(qū)域中，以便在紅外傳感器設(shè)備100的傳感器 元件2與行線路40或列線路50之間提供導(dǎo)電連接。具有導(dǎo)體線路4的懸吊裝置10的小臂 與傳統(tǒng)的構(gòu)造相比基本上完全在上面、也就是說在傳感器元件2的朝向上側(cè)11的側(cè)構(gòu)造， 并且不像在現(xiàn)有技術(shù)中那樣例如在其旁邊構(gòu)造，這有利地導(dǎo)致節(jié)省面積并因此導(dǎo)致較高的 面填充系數(shù)。具有導(dǎo)體線路4的懸吊裝置10的錨固（未示出）在SOI晶片1上在適當?shù)?錨固結(jié)構(gòu)的作用點處進行。這些結(jié)構(gòu)的示例是在各傳感器元件2之間的支持柱或壁（未示 出），其中所述支持柱的結(jié)構(gòu)由半導(dǎo)體襯底材料形成。
[0044] 為了列線路40或行線路50的金屬化，例如選擇具有硅-銅摻雜的鋁（Al-Si-Cu)。 所述材料還可以用于傳感器元件2內(nèi)的金屬化。在懸吊裝置10的臂中的導(dǎo)體線路4與其截 面相比構(gòu)造得長和窄，這有利地導(dǎo)致傳感器元件2和半導(dǎo)體襯底5之間的小的熱耦合。各 傳感器元件2之間的和到襯底7的熱橋由此有利地構(gòu)造得盡可能小。
[0045] 圖2a示出用于制造本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備的第一步驟的中間產(chǎn)品。在此提 供（SOI)晶片1，其包括各層載體襯底7、氧化物材料6(優(yōu)選構(gòu)造為B0X，英語buried oxide(掩埋氧化物））和具有半導(dǎo)體襯底5的一層。半導(dǎo)體襯底5優(yōu)選構(gòu)造為單晶硅，由此 有利地避免了半導(dǎo)體襯底5內(nèi)的晶界噪聲。出于停止溝腐蝕的目的施加兩個帶有停止氧化 物6a的島。另外，在SOI晶片1中從上面蝕刻槽，以便直至所掩埋的氧化物層的下側(cè)地對 (S0I)晶片1結(jié)構(gòu)化。
[0046] 圖2b示出接下來的外延步驟的中間產(chǎn)品，其中半導(dǎo)體襯底5的材料在圖2a的結(jié) 構(gòu)上生長。在此，不僅外延層、而且之前已經(jīng)存在的材料都有利地已經(jīng)摻雜。另外，蝕刻槽， 以便提供本發(fā)明傳感器設(shè)備1〇〇的基本的幾何結(jié)構(gòu)。可以看出，傳感器元件2在半導(dǎo)體襯 底5內(nèi)的基本結(jié)構(gòu)基本上以U形構(gòu)造。
[0047] 圖2c示出接下來的步驟的另一中間產(chǎn)品，其中將氧化物材料6填充到現(xiàn)存的溝槽 中。填充到溝槽中的氧化物材料6有利地充當待探測輻射的附加的吸收體積。另外，在該 步驟中在半導(dǎo)體襯底5的部分區(qū)域中進行p-摻雜。
[0048] 圖2d在原理上示出在接下來的步驟中將多層的氧化物材料6施加到從圖2c獲得 的結(jié)構(gòu)上。在此，在這些層內(nèi)淀積和結(jié)構(gòu)化至少兩個布線平面。通過這種方式獲得導(dǎo)體線 路4,所述導(dǎo)體線路4可以優(yōu)選具有三種不同的材料。這包括來自以下材料中的一種或多 種：11、11隊1 &、1&1或者這些材料的組合。另外（用黑色示出地），所述材料例如包括具有 硅-銅-摻雜的鋁，其中該材料尤其用于列線路40和行線路50。最后，所述材料可以包括 多晶娃9。
[0049] 圖2e示出接下來步驟的的中間產(chǎn)品，其中將犧牲層腐蝕孔引入到圖2d的結(jié)構(gòu)中。
[0050] 圖2f示出本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備100的制造方法的最后步驟的結(jié)果。在此，進行 犧牲層腐蝕，由此形成在空間上基本上得到釋放的傳感器元件2,該傳感器元件2通過縫隙 3和布置在傳感器元件2下面的穴8與周圍的襯底熱絕緣。另外，進行氧化物材料6層的下 腐蝕，以便由此形成或露出該傳感器元件2的懸吊裝置10。由此，在傳感器元件2和周圍的 襯底之間有利地形成小的熱耦合。
[0051] 作為附加的最后步驟（未在圖中示出），在制造帶有圖像象素的傳感器陣列時，用 適當?shù)谋P形晶片進行陣列晶片的晶片級掩蓋以產(chǎn)生足夠好的真空用于熱絕緣和用于傳感 二極管元件的保護。
[0052] 總而言之，利用本發(fā)明提供經(jīng)改善的紅外傳感器設(shè)備，其適于應(yīng)用在傳感器陣列 中，例如，用于在熱成像照相機中采用。可以在所有如下應(yīng)用中采用本發(fā)明，在所述應(yīng)用中 應(yīng)當對熱輻射進行空間上經(jīng)分辨的探測并且其中作為高精度溫度測量，單件成本起到較大 作用。對此的示例是汽車夜視設(shè)備和熱像術(shù)，例如用于建筑物隔離或過程監(jiān)視。另外，利用 本發(fā)明實現(xiàn)用于家庭用途（例如，用于絕緣泄露或熱泄漏的定位）的熱成像照相機。此外， 本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備可以在檢測不同物品、裝置或生物的熱固有輻射的情況下作為單個 像素用于溫度監(jiān)視。
[0053] 用本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備實現(xiàn)的圖像像素元件通過懸吊裝置的小的截面、通過懸 吊裝置的臂的大長度、通過缺少熱橋以及通過厚的吸收層和/或反射層而有利地具有到襯 底的小的熱耦合。
[0054] 由于圍繞二極管在側(cè)向延伸上存在氧化物材料層，因此不必考慮植入的側(cè)向向外 擴散，由此二極管的側(cè)向尺寸有利地以光刻方式定義。這有利地允許在較小面上的較密設(shè) 計。
[0055] 另外，二極管的pn結(jié)與傳感器元件的表面間隔開，這意味著將半導(dǎo)體襯底5的摻 雜過程的植入損傷轉(zhuǎn)移走到深處。空間電荷區(qū)中的由此引起的較小的缺陷密度有利地導(dǎo)致 漏電流減小和信噪比（SNR)改善。
[0056] 結(jié)果利用本發(fā)明提供一種紅外傳感器設(shè)備，其具有高靈敏的圖像象素、小的熱容 量、到襯底的小的熱耦合并且因此具有高的圖像重復(fù)頻率。與傳統(tǒng)的紅外傳感器設(shè)備相比， 本發(fā)明紅外傳感器設(shè)備在相同的信噪比情況下可以制造得更小并且因此成本更低廉。
[0057] 盡管已經(jīng)根據(jù)優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，但本發(fā)明不限于此。尤其是，所述 材料和拓樸僅僅是示例性的并且不限于所解釋的示例。因此，專業(yè)人員可以在不偏離本發(fā) 明核心的情況下修改本發(fā)明的所述特征或?qū)⑵浔舜私M合。
【權(quán)利要求】
1. 紅外傳感器設(shè)備（100)，具有： -上側(cè)（11)和下側(cè)（12)， -至少一個在半導(dǎo)體襯底（5)中構(gòu)造的傳感器元件（2)，其中在晶片（1)中圍繞傳感器 元件（2)和在傳感器元件（2)下面構(gòu)造熱絕緣層（3,8);和 -懸吊裝置（10)，借助該懸吊裝置（10)傳感器元件⑵懸吊在晶片（1)中；其特征在 于，傳感器元件（2)基本上布置在懸吊裝置（10)下面。 la.按照權(quán)利要求1的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，所述晶片是SOI晶片。
2. 按照權(quán)利要求1的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，傳感器元件（2)是二極管。
3. 按照權(quán)利要求2的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，傳感器元件（2)的半導(dǎo)體襯 底（5)具有單晶的、基本上U形的硅區(qū)域，其中硅區(qū)域的摻雜區(qū)域基本上垂直布置。
4. 按照權(quán)利要求3的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，U形的摻雜區(qū)域通過氧化物 材料（6)側(cè)向地彼此分開并且與圍繞的縫隙（3)分開。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，借助于懸吊裝置 (10)傳感器元件（2)在兩個區(qū)域中與其余晶片（1)連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，懸吊裝置（10)在 垂直方向上對稱地構(gòu)造，其中懸吊裝置（10)中的電導(dǎo)體線路（4)基本上居中地布置在兩個 厚度基本上相等的氧化物材料（6)層之間，并且其中電導(dǎo)體線路（4)本身比懸吊裝置（10) 窄。
7. 按照權(quán)利要求6的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，導(dǎo)體線路（4)基本上設(shè)置在 傳感器元件（2)中心并且在傳感器元件（2)上面基本上以螺旋形構(gòu)造。
8. 按照權(quán)利要求6或7的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，電導(dǎo)體線路（4)的材料 是來自如下組中的至少一種：Ti、TiN、Ta、TaN，或者這些材料的組合。
9. 按照上述權(quán)利要求之一的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，布置在傳感器元件 (2)上的氧化物材料（6)層的光學(xué)厚度基本上對應(yīng)于待探測波長的四分之一的奇數(shù)倍。
10. 按照權(quán)利要求9的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，在傳感器元件（2)上面的 氧化物材料（6)層的厚度大于在懸吊裝置（10)區(qū)域中的厚度。
11. 按照上述權(quán)利要求之一的紅外傳感器設(shè)備（100)，其特征在于，在傳感器元件（2) 的表面上布置反射層（30)。
12. 具有多個根據(jù)權(quán)利要求1至11之一的紅外傳感器設(shè)備（100)的紅外傳感器場。
13. 按照權(quán)利要求12的紅外傳感器場，其特征在于，傳感器場的至少行線路或列線路 具有多晶娃（9)。
14. 用于制造紅外傳感器設(shè)備（100)的方法，具有步驟： -提供SOI晶片（1); -在SOI晶片（1)中構(gòu)造縫隙（3)用于定義半導(dǎo)體襯底島； _用氧化物材料（6)填充縫隙（3); -對半導(dǎo)體襯底島進行摻雜； -在犧牲區(qū)域上和在半導(dǎo)體襯底島之間產(chǎn)生犧牲層腐蝕孔穿過SOI晶片（1)的整個層 構(gòu)造直至載體襯底（7); -對半導(dǎo)體襯底島和犧牲區(qū)域進行犧牲層腐蝕以釋放傳感器元件（2)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，具有另外的步驟： _使用單晶硅作為半導(dǎo)體襯底（5); -在半導(dǎo)體襯底（5)中構(gòu)造基本上呈U形的娃島； -將導(dǎo)體線路（4)施加和結(jié)構(gòu)化到硅島上；和 -在SOI晶片上施加和結(jié)構(gòu)化吸收和絕緣層（6)。
【文檔編號】H01L31/103GK104412083SQ201380025594
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年4月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月16日
【發(fā)明者】I·赫爾曼, C·舍林 申請人:羅伯特·博世有限公司