覆晶黏晶機以及黏晶平臺的平坦度與變形量補正方法
【專利摘要】包括：基底(12)；黏晶平臺(20)；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)(30)，安裝于基底(12)，分別在上下方向支持設(shè)置在黏晶平臺(20)的下表面(22)的多個支持點，并且調(diào)整各支持點的上下方向位置；板彈簧機構(gòu)(40)，將基底(12)與黏晶平臺(20)予以連接。板彈簧機構(gòu)(40)限制黏晶平臺(20)相對于基底(12)的在沿著黏晶平臺(20)的表面(21)的X軸的方向、及與X軸正交的Y軸的方向上的相對移動，且容許黏晶平臺(20)相對于基底(12)的繞X軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞Y軸的第二扭轉(zhuǎn)、及黏晶平臺(20)相對于基底(12)的上下方向上的移動。藉此，覆晶黏晶機中實現(xiàn)黏晶質(zhì)量的提高與高速化。
【專利說明】覆晶黏晶機以及黏晶平臺的平坦度與變形量補正方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種覆晶黏晶機的構(gòu)造以及黏晶平臺的平坦度與變形量補正方法。

【背景技術(shù)】
[0002]大多情況下使用如下的覆晶黏晶方法，S卩，當在藉由抗蝕劑等而形成于半導(dǎo)體芯片的電極上的支柱(pillar)的前端形成焊料的皮膜之后，使半導(dǎo)體芯片反轉(zhuǎn)，將形成于支柱的前端的焊料的皮膜抵壓至基板的電極，進行加熱而使焊料熔融從而將半導(dǎo)體芯片安裝于基板上。這樣，使半導(dǎo)體芯片反轉(zhuǎn)而安裝于基板上的裝置被稱作覆晶黏晶機。而且，近年來，利用覆晶黏晶方法將其他半導(dǎo)體芯片黏晶于晶片(wafer)上的半導(dǎo)體芯片上而非基板上，從而制造出積層有半導(dǎo)體芯片的電子零件。
[0003]在覆晶黏晶方法中，因?qū)雽?dǎo)體芯片的多個電極與基板上的多個電極同時連接，故重要的是以于半導(dǎo)體芯片的電極上的支柱的前端所形成的焊料皮膜的面同時與基板的電極進行接觸的方式，來將基板與半導(dǎo)體芯片保持為平行。因此，提出如下方法:藉由在上下方向上可移動的3個支持機構(gòu)來支持用以吸附保持基板的黏晶平臺，且以保持黏晶平臺與黏晶工具的平行度的方式來調(diào)整黏晶平臺表面的斜度(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。
[0004][現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[0005][專利文獻]
[0006][專利文獻I]日本專利特開2010-114102號公報
[0007][專利文獻2]日本專利特開2010-114103號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008][發(fā)明要解決的課題]
[0009]然而，近年來，半導(dǎo)體芯片變得大型化，同時連接的電極的數(shù)目為1000以上亦不在少數(shù)，此外，于電極上的支柱形成于前端的焊料皮膜的厚度非常薄，為5μπ--ΙΟμ--左右。而且，為了將1000個以上的支柱同時黏晶于基板的電極上，而要求將各支柱的前端面與基板電極面同時限制于焊料皮膜的厚度內(nèi)。進而，隨著半導(dǎo)體芯片的電極的數(shù)目的增多，而擠壓半導(dǎo)體芯片的負載亦增大，近年來，黏晶時的推壓負載亦有時為500Ν左右。S卩，相當于人的體重程度的大的推壓負載會被施加至半導(dǎo)體芯片、黏晶平臺上。該情況下，因負載所引起的黏晶平臺的變形，而施加至半導(dǎo)體芯片、晶片(wafer)、基板等的力產(chǎn)生分布，產(chǎn)生電極或者支柱的部分接觸，從而存在黏晶質(zhì)量下降的問題。
[0010]而且，覆晶黏晶方法中，為了使焊料熔融而將黏晶平臺連同黏晶工具一并進行加熱。然而，若因該加熱引起的溫度上升，而黏晶平臺自身產(chǎn)生變形，則會與上述同樣地，產(chǎn)生電極或者支柱的部分接觸，從而存在黏晶質(zhì)量下降的問題。
[0011]進而，在覆晶黏晶機中，黏晶平臺固定于XY臺上，黏晶中會聞速地沿XY方向移動。因此，如專利文獻I中記載的現(xiàn)有技術(shù)那樣，僅利用在分別以120度而錯開方向的V型槽中插入了前端為球面的軸(shaft)的支持構(gòu)造，存在如下問題:無法承受住黏晶平臺高速地移動時的橫方向的負載，從而在黏晶平臺的位置產(chǎn)生彎曲，或在黏晶平臺中產(chǎn)生振動而無法進行良好的聞速黏晶。
[0012]因此，本發(fā)明的目的在于在覆晶黏晶機中實現(xiàn)黏晶質(zhì)量的提高與高速化。
[0013][解決課題的手段]
[0014]本發(fā)明的覆晶黏晶機的特征在于包括:基體部；黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在黏晶平臺的與吸附固定黏晶對象物的表面為相反側(cè)的面；以及連接構(gòu)件，將基體部與黏晶平臺予以連接，連接構(gòu)件限制黏晶平臺相對于基體部的在沿著黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著黏晶平臺的表面而與第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許黏晶平臺相對于基體部的繞第一軸的第一扭轉(zhuǎn)(twist)、繞第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及黏晶平臺相對于基體部的上下方向上的移動。
[0015]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為連接構(gòu)件為第一邊與第二邊平行的大致梯形形狀，且為板彈簧機構(gòu)，包括:與第一邊鄰接且沿著第一邊的第一可撓性部，與第二邊鄰接且沿著第二邊的第二可撓性部，以及第一可撓性部與第二可撓性部之間的剛體部，第一邊與第二邊以與第一軸或第二軸平行的方式配置于基體部與黏晶平臺之間。
[0016]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為板彈簧機構(gòu)的第一邊比第二邊短，板彈簧機構(gòu)的第一邊安裝在黏晶平臺的與表面為相反側(cè)的面上的自黏晶平臺的重心位置偏離第一距離的第一位置處，板彈簧機構(gòu)的第二邊安裝在基體部的與黏晶平臺對向的面上的如下的第二位置處，即位在第一位置的與重心相反的一側(cè)且自重心偏離比第一距離長的第二距離。
[0017]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為包括多個加壓彈簧，上述多個加壓彈簧將黏晶平臺的各支持點擠壓至各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)上，各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)包含與各支持點接觸的凸輪機構(gòu)。
[0018]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為包括控制部，上述控制部使上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，控制部包括顯示黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖(map)，且包括平坦度補正單元，上述平坦度補正單元根據(jù)黏晶位置且基于平坦度圖來補正黏晶平臺的高度與傾斜。
[0019]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為包括控制部，上述控制部使上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，控制部包括變形量圖(map)，上述變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至黏晶平臺時的推壓負載所引起的黏晶平臺各部的預(yù)計變形量，且包括變形量補正單元，上述變形量補正單元根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以黏晶平臺的預(yù)計變形量來補正黏晶平臺的高度與傾斜。
[0020]本發(fā)明的覆晶黏晶機中，亦較佳為黏晶平臺包括:第一層，導(dǎo)熱率低；第二層，導(dǎo)熱率大于第一層，且熱膨脹率與第一層大致相同；第三層，包含與第二層相同的材料；以及加熱器，夾入于第二層與第三層之間。
[0021 ] 本發(fā)明的黏晶平臺平坦度補正方法是覆晶黏晶機的黏晶平臺平坦度補正方法，其特征在于包括下述步驟:準備覆晶黏晶機的步驟，上述覆晶黏晶機包括:基體部；黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在黏晶平臺的與吸附固定黏晶對象物的表面為相反側(cè)的面；連接構(gòu)件，將基體部與黏晶平臺予以連接；以及控制部，使上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作；在控制部內(nèi)準備平坦度圖的步驟，上述平坦度圖顯示黏晶平臺各部的平坦度；以及藉由控制部使多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，根據(jù)黏晶位置且基于平坦度圖來補正黏晶平臺的高度與傾斜的步驟。而且，本發(fā)明的黏晶平臺平坦度補正方法中，亦較佳為連接構(gòu)件限制黏晶平臺相對于基體部的在沿著黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著黏晶平臺的表面而與第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許黏晶平臺相對于基體部的繞第一軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及黏晶平臺相對于基體部的上下方向上的移動。
[0022]本發(fā)明的黏晶平臺變形量補正方法是覆晶黏晶機的黏晶平臺變形量補正方法，其特征在于包括下述步驟:準備覆晶黏晶機的步驟，上述覆晶黏晶機包括:基體部；黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在黏晶平臺的與吸附固定黏晶對象物的表面為相反側(cè)的面；連接構(gòu)件，將基體部與黏晶平臺予以連接；以及控制部，使上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作；在控制部內(nèi)準備預(yù)計變形量圖的步驟，上述預(yù)計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至黏晶平臺時的推壓負載所引起的黏晶平臺各部的預(yù)計變形量；藉由控制部使多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以黏晶平臺的預(yù)計變形量來補正黏晶平臺的高度與傾斜的步驟。而且，本發(fā)明的黏晶平臺變形補正方法中，亦較佳為連接構(gòu)件限制黏晶平臺相對于基體部的在沿著黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著黏晶平臺的表面而與第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許黏晶平臺相對于基體部的繞第一軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及黏晶平臺相對于基體部的上下方向上的移動。
[0023][發(fā)明的效果]
[0024]本發(fā)明發(fā)揮如下效果，即，在覆晶黏晶機中可實現(xiàn)黏晶質(zhì)量的提高與高速化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的構(gòu)造的立體圖。
[0026]圖2是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的構(gòu)造的側(cè)面圖。
[0027]圖3是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的構(gòu)造的平面圖。
[0028]圖4是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)的構(gòu)成與控制系統(tǒng)的說明圖。
[0029]圖5是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的連接構(gòu)件(板彈簧機構(gòu))的動作的說明圖。
[0030]圖6是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶平臺的構(gòu)造的剖面圖。
[0031]圖7是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶平臺、及黏晶平臺的平面度圖(map)的說明圖。
[0032]圖8是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶平臺的平坦度補正動作的流程圖。
[0033]圖9是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶平臺的變形量補正動作的流程圖。
[0034]圖10是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶平臺、及黏晶平臺的預(yù)計變形量圖的說明圖。
[0035]圖11是表不本發(fā)明的實施形態(tài)的覆晶黏晶機的黏晶時的推壓負載F、黏晶工具聞度H、以及黏晶平臺的高度與傾斜的調(diào)整量的變化的曲線圖。

【具體實施方式】
[0036]以下，一面參照圖式一面對本發(fā)明的實施形態(tài)進行說明。如圖1所示，本實施形態(tài)的覆晶黏晶機100包括:安裝在XY臺11的上表面的基體部即基底12 ;吸附固定基板或晶片(wafer)等黏晶對象物的圓板狀的黏晶平臺20 ;多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30，安裝在基底12上，在上下方向上支持黏晶平臺20并且調(diào)整黏晶平臺20的上下方向位置；將基底12與黏晶平臺20予以連接的連接構(gòu)件即板彈簧機構(gòu)40 ;以及賦予將黏晶平臺20擠壓至上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的加壓的加壓彈簧50。另外，圖1表示卸下了黏晶平臺20的狀態(tài)的覆晶黏晶機100。
[0037]如圖1、圖3所示，3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30配置成以120°間隔支持圓板狀的黏晶平臺20的外周部。如圖1、圖4所示，各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30在固定于基底12的上表面的框架31上安裝著馬達32及凸輪36?？蚣?1包含共享的平板31d、自平板31d突出的3個托架31a、托架31b、托架31c。在托架31a的一垂直面上固定著馬達32的端面，馬達32的旋轉(zhuǎn)軸33貫通托架31a而自與馬達32為相反側(cè)的垂直面突出。另一方面，托架3lb、托架31c對凸輪36的旋轉(zhuǎn)軸35進行支持。凸輪36的旋轉(zhuǎn)軸35分別貫通托架31b、托架31c，并自托架31b的馬達32側(cè)的垂直面向馬達32側(cè)突出。而且，自托架31b的馬達32側(cè)的垂直面突出的凸輪36的旋轉(zhuǎn)軸35的端面與馬達32的旋轉(zhuǎn)軸33的端面相向，相向的各旋轉(zhuǎn)軸33、旋轉(zhuǎn)軸35的各端面部分藉由聯(lián)結(jié)器34而連接。因此，若馬達32旋轉(zhuǎn)，則旋轉(zhuǎn)軸33、旋轉(zhuǎn)軸35旋轉(zhuǎn)，藉此凸輪36旋轉(zhuǎn)。此處，框架31、凸輪36及旋轉(zhuǎn)軸35構(gòu)成凸輪機構(gòu)。
[0038]另一方面，如圖2、圖4所示，黏晶平臺20在與吸附固定作為黏晶對象物的基板或晶片(wafer)等的表面21為相反側(cè)的面即下表面22的外周部，以120°間隔設(shè)置著托架23、與托架23連接的銷25、及旋轉(zhuǎn)自如地安裝在銷25上的圓筒形的凸輪從動件24。構(gòu)成上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的凸輪36的上表面與凸輪從動件24的外表面的接點27成為黏晶平臺20的支持點。因此，3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30分別在上下方向上支持3個支持點即接點27。凸輪36成為旋轉(zhuǎn)角度與接點27的上下方向位置(Z方向位置)呈直線性變化的形狀，因而藉由控制凸輪36的旋轉(zhuǎn)角度而可調(diào)整各接點27的上下方向(Z方向)的位置。而且，如以后說明那樣，在黏晶平臺20中裝入加熱器，于黏晶時，黏晶平臺20整體被加熱。此時，因溫度的上升而黏晶平臺20朝向外周側(cè)熱膨脹，各托架23的位置亦向黏晶平臺20的外周側(cè)移動。由該熱膨脹引起的黏晶平臺20的移動量藉由凸輪從動件24相對于凸輪36在水平方向上移動而被吸收，因此即便黏晶平臺20熱膨脹，黏晶平臺20亦可藉由3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30而在上下方向上支持3個接點27，或亦可由銷25固定而使與凸輪36接觸的面為平面。
[0039]如圖1所示，與3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的各凸輪36鄰接而設(shè)置著加壓彈簧50。加壓彈簧50包含:安裝在上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的框架31的平板3Id上的2個圓筒狀的彈簧殼體51，及安裝在各彈簧殼體51的內(nèi)部的各螺旋彈簧52。各螺旋彈簧52的一端連接于黏晶平臺20，且構(gòu)成為將黏晶平臺20朝向基底12拉伸，從而在圖2、圖4所示的凸輪從動件24與凸輪36之間發(fā)揮擠壓力的作用。另外，圖2、圖4中，加壓彈簧50簡略表不為彈簧的記號。
[0040]如圖1、圖3所示，板彈簧機構(gòu)40包括:固定在黏晶平臺20的下表面22的剛體的帶板即第一固定構(gòu)件41 (第一邊)，固定在基底12的剛體的帶板即第二固定構(gòu)件45 (第二邊)，配置在第一固定構(gòu)件41、第二固定構(gòu)件45之間的大致梯形的剛體部43，將第一固定構(gòu)件41與剛體部43之間予以連接的第一可撓性部即帶狀第一板彈簧42，以及將第二固定構(gòu)件45與剛體部43之間予以連接的第二可撓性部即帶狀第二板彈簧44。即，第一板彈簧42、第二板彈簧44分別鄰接于第一固定構(gòu)件41、第二固定構(gòu)件45。而且，如圖2、圖3所示，第一固定構(gòu)件41比第二固定構(gòu)件45短，各長度成為與剛體部43的第一固定構(gòu)件41側(cè)的長度及剛體部43的第二固定構(gòu)件45側(cè)的各長度大致相同的長度，因而板彈簧機構(gòu)40整體上為大致梯形。
[0041]如圖2、圖3所示，第一固定構(gòu)件41及第二固定構(gòu)件45以如下方式配置于基底12與黏晶平臺20之間，即，與作為第一軸的通過黏晶平臺的重心位置26的X軸91平行，且與作為第二軸的通過黏晶平臺的重心位置26的Y軸92正交，且第一固定構(gòu)件41與第二固定構(gòu)件45的X軸91方向上的中心會位于Y軸92上。而且，如圖2、圖3所示，第一固定構(gòu)件41固定在黏晶平臺20的下表面22的自黏晶平臺20的重心位置26向Y軸92的負方向偏離第一距離L1的位置，第二固定構(gòu)件45固定在基底12的上表面的如下位置，即，該位置位在第一固定構(gòu)件41的固定位置的與重心位置26相反的一側(cè)且自重心位置26向Y軸92的正方向偏離了比第一距離L1長的第二距離L2,而且，通過圖2所示的重心位置26的上下方向的軸為Z軸93。
[0042]如以上說明那樣，第一板彈簧42、第二板彈簧44為如下的帶狀板彈簧，即，分別設(shè)置在第一固定構(gòu)件41與剛體部43之間、以及第二固定構(gòu)件45與剛體部43之間，且與第一固定構(gòu)件41、第二固定構(gòu)件45鄰接，因此在與第一固定構(gòu)件41、第二固定構(gòu)件45平行的方向，以及與第一固定構(gòu)件41、第二固定構(gòu)件45正交的方向，即X軸91的方向以及Y軸92的方向上，大致作為剛體而發(fā)揮功能，因而限制基底12與黏晶平臺20之間的X軸91的方向、及Y軸92的方向上的相對移動。
[0043]另一方面，如圖5所示，第一板彈簧42、第二板彈簧44因厚度薄，故在厚度方向上容易彎折，若黏晶平臺20自圖5(a)所示的狀態(tài)而如圖5(b)所示般在上下方向(Z方向)上移動，則第一板彈簧42、第二板彈簧44在厚度方向上，即繞X軸彎曲變形，并發(fā)揮作用使得第一固定構(gòu)件41與第二固定構(gòu)件45為平行鏈結(jié)(link)，從而容許基底12與黏晶平臺20之間的上下方向(Z方向)上的相對移動。而且，同樣地，藉由第一板彈簧42與第二板彈簧44的繞X軸的彎曲，而容許基底12與黏晶平臺20之間的如圖3所示的繞X軸91的扭轉(zhuǎn)(twist) 94 (第一扭轉(zhuǎn))。進而，板彈簧機構(gòu)40的第一板彈簧42因其長度短，故容許第一固定構(gòu)件41與剛體部43之間的繞Y軸92的扭轉(zhuǎn)95 (第二扭轉(zhuǎn))。即，板彈簧機構(gòu)40限制黏晶平臺20相對于基底12的在X軸91的方向與Y軸92的方向上的相對移動，且容許黏晶平臺20相對于基底12的繞X軸91的扭轉(zhuǎn)94 (第一扭轉(zhuǎn))、繞Y軸92的扭轉(zhuǎn)95 (第二扭轉(zhuǎn))、以及黏晶平臺20相對于基底12的上下方向(Z方向)上的移動。
[0044]而且，黏晶平臺20藉由加壓彈簧50而被擠壓至3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的凸輪36，因而黏晶平臺20的上下方向位置、及繞X軸91的斜度、繞Y軸92的斜度藉由3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30而調(diào)整。進而，黏晶平臺20不使用鏈結(jié)等這樣的具有含間隙的可能性的連接方式，而使用具有可撓性的第一板彈簧42、第二板彈簧44，并藉由XY方向上的剛性大的板彈簧機構(gòu)40來與基底12連接，因而可抑制高速黏晶時黏晶平臺20在上下方向上移動或者振動、或在XY方向上移動或者振動,從而可有效地應(yīng)用于高速黏晶。
[0045]以上說明的實施形態(tài)中，對配置成第一固定構(gòu)件41及第二固定構(gòu)件45與X軸91平行、且與Y軸92正交的情況進行了說明，但亦可配置成第一固定構(gòu)件41及第二固定構(gòu)件45與Y軸92平行且與X軸91正交。進而，X軸91、Y軸92亦可不為覆晶黏晶機100的基板的搬送方向及其正交方向，沿著黏晶平臺20的表面21而相互正交即可。
[0046]將本實施形態(tài)的黏晶平臺20的構(gòu)成表示于圖6中。如圖6(a)所示，本實施形態(tài)的黏晶平臺20例如包括:陶瓷等導(dǎo)熱率低的第一層20a ;第二層20b，導(dǎo)熱率比第一層20a大而熱膨脹率與第一層20a大致相同，且例如包含沃斯田鐵(austenite)系不銹鋼等；包含與第二層20b相同的材料的第三層20c ;以及夾入于第二層20b與第三層20c之間的加熱器28。本實施形態(tài)的黏晶平臺20成為第一層20a、第二層20b、第三層20c分別積層熱膨脹率相同的材料的構(gòu)成，因而可實現(xiàn)如下效果:即便在藉由加熱器28加熱黏晶平臺20的情況下，亦可抑制黏晶平臺20因熱而翹曲等變形，從而可確保黏晶平臺20的表面21的平坦度。
[0047]黏晶時，藉由加熱器28將黏晶平臺20整體加熱至規(guī)定的溫度為止。而且，如圖6(b)所不,將設(shè)置于基板61上的電極62的位置與形成于半導(dǎo)體芯片65的電極65a上的支柱66的位置進行對準，其中上述基板61吸附固定于黏晶平臺20的表面21上，上述半導(dǎo)體芯片65吸附于黏晶工具70上，一面利用黏晶工具70加熱半導(dǎo)體芯片65 —面將支柱66擠壓至基板61的電極62，使形成于支柱66的前端的焊料皮膜67熔融，并利用焊料來焊接基板61的電極62的前端的鍍敷層63與支柱66,從而將半導(dǎo)體芯片65安裝于基板61上。此時，黏晶平臺20的表面21側(cè)的第一層20a導(dǎo)熱率低，熱不易在水平方向上傳遞，因而由黏晶工具70的加熱所引起的熱對與進行黏晶的半導(dǎo)體芯片65鄰接的另一半導(dǎo)體芯片65進行加熱的情況少，從而有效地抑制熱轉(zhuǎn)移到鄰接區(qū)域的黏晶已結(jié)束的半導(dǎo)體芯片65，可有效地抑制黏晶已結(jié)束的半導(dǎo)體芯片65的焊料再次熔融。
[0048]對以上所述的構(gòu)造的覆晶黏晶機100的3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的控制系統(tǒng)進行說明。如圖4所示，3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的各馬達32連接于控制部80，并藉由控制部80的指令來控制旋轉(zhuǎn)角度?？刂撇?0為內(nèi)部包含中央處理單元(central processing unit, CPU) 81的計算機,且內(nèi)部包含進行記憶部89與馬達32之間的控制信號的收發(fā)的馬達接口 86。記憶部89中儲存著以后將要說明的平坦度補正程序82、平坦度圖83、變形量補正程序84、以及預(yù)計變形量圖85。CPU81、記憶部89及馬達接口 86經(jīng)由數(shù)據(jù)總線87而連接。而且，CPU81中，自控制覆晶黏晶機100的黏晶動作的主控制部110，經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(data link)88而輸入有黏晶工具的XY方向的位置、Z方向的位置(高度)的指令信號，及黏晶工具的推壓負載的指令信號。
[0049]例如將黏晶平臺20的表面21分割成圖7 (a)所示的柵格狀的細小的區(qū)(sect1n) 71，對于各區(qū)71的高度，例如將基準高度設(shè)為0，以在比基準高度低的情況下設(shè)為負，在比基準高度高的情況下設(shè)為正，越偏離基準值則其絕對值越大的方式，將圖7 (b)所示的表面21的起伏加以基準化，從而獲得平坦度圖83。而且，例如如圖7(a)及圖7(b)所示的將各區(qū)71的XY位置、經(jīng)基準化的高度(Z方向位置)、以及各區(qū)71的表面的傾斜角度、傾斜方向加以表格化所得的，為儲存于圖4所示的記憶部89中的平坦度圖83。
[0050]而且，將黏晶平臺20的表面21分割為圖10(a)所示的柵格狀的細小的區(qū)72，如圖10 (a)、圖10 (b)所示，在對某區(qū)73施加基準推壓負載Ftl的情況下，將該區(qū)73中產(chǎn)生的預(yù)計變形量即基準撓曲量Cltl經(jīng)基準化所得的值加以表格化，從而獲得預(yù)計變形量圖85。因此，表格中針對每個被推壓的I個區(qū)73來記憶各區(qū)73的基準撓曲量(V例如，在區(qū)數(shù)為100的情況下，預(yù)計變形量圖85包含100的資料。作為預(yù)計變形量的基準撓曲量dQ例如如圖10 (a)所示，在設(shè)置著藉由3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30支持的圖2所示的托架23的附近(圖10 (a)中，由虛線所示的區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C)，即便施加推壓負載F，黏晶平臺20亦不會撓曲，因而基準撓曲量Cltl為0，在中央部或區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C的中間部部分等因基準推壓負載F。而黏晶平臺20發(fā)生撓曲，因此如圖10(a)所示，基準撓曲量dQ增大。
[0051]其次，對在如以上那樣構(gòu)成的覆晶黏晶機100中調(diào)整黏晶平臺20整體的表面的斜度的情況下的動作進行說明。例如，使圖6(a)所示的黏晶工具70的前端下降直至與黏晶平臺20的表面21接觸為止，藉由對黏晶工具70與黏晶平臺20的表面21接觸的黏晶工具70的前端的高度進行檢測，而測定黏晶平臺20的表面21的高度。在表面21的任意的不同的3個點，例如位于外周附近且在周方向上每隔120°的位置的3個點等進行該測定。而且，根據(jù)測定出的3個黏晶平臺20的表面21的高度，來計算黏晶平臺20的表面21相對于水平面的斜度，并根據(jù)該計算結(jié)果使3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30動作，從而調(diào)整黏晶平臺20的表面21的斜度。該動作可由手動來進行，亦可使控制部80與覆晶黏晶機100的主控制部110連動而自動地進行。
[0052]其次，如圖7(b)所示，在黏晶平臺20的表面21有起伏而表面21的平坦度欠佳的情況下，如圖8所示，執(zhí)行平坦度補正程序82而進行黏晶。首先，控制部80的CPU81如圖8的步驟SlOl所示，自覆晶黏晶機100的主控制部110經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(data I ink) 88而獲取圖6所示的黏晶工具70的XY方向的位置及Z方向的高度的指令信號，并確定欲黏晶的區(qū)71。CPU81如圖8的步驟S102所示，自平坦度圖83中讀取相對于所確定的區(qū)71的基準推壓負載F。的基準撓曲量dQ。然后，控制部80的CPU81如圖8的步驟S103所示，計算出將所確定的區(qū)71的表面設(shè)為水平所需的3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的各馬達32的旋轉(zhuǎn)角度，并如圖8的步驟S104所示，使各馬達32以計算出的旋轉(zhuǎn)角度旋轉(zhuǎn)，且進行調(diào)整以使得欲黏晶的區(qū)71的表面21與水平平行。然后，控制部80如圖8的步驟S105所示，判斷是否已結(jié)束對所有黏晶位置的黏晶，在并未結(jié)束對所有黏晶位置的黏晶的情況下，如圖8的步驟S106所示，使黏晶工具70移動至下一黏晶位置為止，并回到圖8的步驟SlOl中，按照與先前說明的方法相同的方法而移動至下一黏晶位置，一面參照平坦度圖83，一面以位于該位置的區(qū)71的表面為水平的方式使3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的各馬達32旋轉(zhuǎn)。
[0053]這樣，在使用平坦度圖83與平坦度補正程序82來進行黏晶的情況下，即便在黏晶平臺20的表面21有如圖7(b)所示的起伏的情況下，藉由使區(qū)71的表面與水平面平行，而能夠與具備高平坦度的黏晶平臺20同樣地，使圖6 (b)所示的半導(dǎo)體芯片65的多個支柱66與基板61的多個電極62大致同時接觸，因而可抑制多個支柱66與多個電極62的一部分接觸，從而可提聞黏晶質(zhì)量。
[0054]其次，對使用預(yù)計變形量圖85來執(zhí)行變形量補正程序84并進行黏晶的情況進行說明。首先，控制部80的CPU81如圖9的步驟S201所示，自覆晶黏晶機100的主控制部110經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(data I ink) 88而獲取圖6所示的黏晶工具70的XY方向的位置及Z方向的高度H的指令信號，并確定欲黏晶的區(qū)73。然后，CPU81如圖9的步驟S202所示，自預(yù)計變形量圖85中讀取所確定的區(qū)73的高度與表面的傾斜角度、傾斜方向的數(shù)據(jù)。然后，控制部80如圖9的步驟S203所示，自覆晶黏晶機100的主控制部110經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(datalink) 88而獲取推壓負載F的指令值。另一方面，覆晶黏晶機100的主控制部110在圖11 (a)的時刻h至?xí)r刻h為止的期間，朝向所確定的區(qū)73，如圖11(a)所示的線a那樣使黏晶工具70的高度H的指令值降低，并使黏晶工具70下降。然后在時刻h，吸附于圖6(b)所示的黏晶工具70的前端的半導(dǎo)體芯片65與基板61接觸。在該時間點，從主控制部110輸出的推壓負載F的指令值為零。而且，主控制部110在時刻t2使推壓負載F的指令值自零開始上升，將半導(dǎo)體芯片65的支柱66擠壓至基板61的電極62?？刂撇?0的CPU81經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(data I ink) 88而獲取推壓負載F的指令值。然后，如圖9的步驟S204所示，將推壓負載F的指令值與基準推壓負載Ftl加以比較，并根據(jù)其比例來判斷所確定的區(qū)73發(fā)生撓曲，將基準撓曲量Cltl乘以推壓負載F的指令值與基準推壓負載Ftl的比率從而計算預(yù)計撓曲量屯。然后，CPU81計算補正該預(yù)計撓曲量Cl1所需的3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30的各馬達32的必要旋轉(zhuǎn)角度。然后，控制部80如圖9的步驟S205所示，使各馬達32以計算角度旋轉(zhuǎn)，并以區(qū)73的預(yù)計撓曲量Cl1上推黏晶平臺20的表面21，即便施加推壓負載F表面21亦保持為規(guī)定的高度。此時，藉由圖11(b)所示的上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30而補正的撓曲補正量G1與預(yù)計撓曲量(I1絕對值相同而方向相反。
[0055]在預(yù)計撓曲量Cl1的補正結(jié)束后，控制部80如圖9的步驟S206所示，判斷黏晶工具70的推壓是否已結(jié)束。然后，若從主控制部110經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(link)88而獲取的推壓負載F的指令值不為零，則控制部80判斷為推壓尚未結(jié)束，并回到圖9的步驟S203中，再次從主控制部110經(jīng)由數(shù)據(jù)鏈結(jié)(link) 88而獲取推壓負載F的指令值，并如圖9的步驟S204?步驟S205所示，計算根據(jù)推壓負載F的指令值所產(chǎn)生的預(yù)計撓曲量Cl1，且以補正該預(yù)計撓曲量Cl1的方式使各馬達32旋轉(zhuǎn)。若如圖11 (a)的一點鏈線b所示，自時刻t2至?xí)r刻t3推壓負載F增加，則如圖11(b)中線c所示，撓曲補正量&亦增加。而且，若在圖11(a)的時刻t3推壓負載F的指令值例如固定為500N等，則如圖11 (b)中線c所示，撓曲補正量ei亦為固定的大小。然后，在推壓負載F的指令值為零之前(推壓結(jié)束之前)，控制部80重復(fù)進行圖9的步驟S203?步驟S206，根據(jù)推壓負載F的指令值的變化而使預(yù)計撓曲量(I1、撓曲補正量ei變化，調(diào)整各馬達32的旋轉(zhuǎn)角度位置，并以區(qū)73的表面保持為固定的高度的方式進行控制。
[0056]在達到時刻&后，主控制部110打開圖6所示的黏晶工具70中內(nèi)置的加熱器28，并使半導(dǎo)體芯片65的支柱66的前端的焊料皮膜67熔融，藉由熔融的焊料將支柱66與基板61的電極62的表面的鍍敷層63加以接合。然后，主控制部110在圖11(a)所示的時刻扒停止推壓、加熱，并如圖11(a)的一點鏈線b所示，使推壓負載F降低。控制部80在時刻t5，從主控制部110獲取的推壓負載的指令值為零后，在圖9的步驟S206中判斷推壓已結(jié)束，并如圖9的步驟S207所示，判斷是否已結(jié)束所有黏晶。而且，在并未結(jié)束所有黏晶的情況下，如圖9的步驟S208所示移動至下一黏晶位置。
[0057]另一方面，主控制部110在圖11 (a)的時刻t4開始降低推壓負載F的指令值，并且關(guān)閉圖6所示的黏晶工具70中內(nèi)置的加熱器28，將熔融的焊料皮膜67冷卻并固化，從而將支柱66與鍍敷層63予以連接。而且，在圖11(a)的時刻t6焊料完全固化后，主控制部110使圖6所示的黏晶工具70上升，并移動至下一黏晶點。
[0058]如以上說明那樣，若使用預(yù)計變形量圖85來執(zhí)行變形量補正程序84而進行黏晶，則即便為因推壓負載F而發(fā)生變形(撓曲)這樣的剛性低的黏晶平臺20，且即便施加黏晶時的推壓負載F，亦能夠以與不發(fā)生撓曲變形時相同的狀態(tài)來進行黏晶，因而能夠與具有高剛性的黏晶平臺20同樣地，使圖6 (b)所示的半導(dǎo)體芯片65的多個支柱66與基板61的多個電極62大致同時接觸，而抑制多個支柱66與多個電極62的一部分接觸，從而可提高黏晶質(zhì)量。
[0059]在以上說明的實施形態(tài)中，以預(yù)計變形量圖85為對各區(qū)73施加基準推壓負載F。時的基準撓曲量Cltl的表格而進行說明，但除基準撓曲量Cltl外亦可一并儲存基準傾斜量的數(shù)據(jù)，且對撓曲量與傾斜一并進行補正。而且，以上說明的實施形態(tài)中，以藉由3個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)30來支持黏晶平臺20而進行了說明，但亦可藉由4個或其以上的上下方向位置調(diào)整支持機30來支持黏晶平臺20。而且，黏晶平臺20不僅可為圓板狀，亦可為四方的平板狀。
[0060]本發(fā)明并不限定于以上說明的實施形態(tài)，從權(quán)利要求規(guī)定的本發(fā)明的技術(shù)范圍到不脫離上述本質(zhì)的全部變更及修正都包含在本發(fā)明的范疇中。
[0061]符號說明:
[0062]11:XY 臺
[0063]12:基底
[0064]20:黏晶平臺
[0065]20a:第一層
[0066]20b:第二層
[0067]20c:第三層
[0068]21:表面
[0069]22:下表面
[0070]23:托架
[0071]24:凸輪從動件
[0072]25:銷
[0073]26:重心位置
[0074]27:接點
[0075]28:加熱器
[0076]30:上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)
[0077]31:框架
[0078]31a、31b、31c:托架
[0079]3Id:平板
[0080]32:馬達
[0081]33、35:旋轉(zhuǎn)軸
[0082]34:聯(lián)結(jié)器
[0083]36:凸輪
[0084]40:板彈簧機構(gòu)
[0085]41:第一固定構(gòu)件
[0086]42:第一板彈簧
[0087]43:剛體部
[0088]44:第二板彈簧
[0089]45:第二固定構(gòu)件
[0090]50:加壓彈簧
[0091]51:彈簧殼體
[0092]52:螺旋彈簧
[0093]61:基板
[0094]62:電極
[0095]63:鍍敷層
[0096]65:半導(dǎo)體芯片
[0097]65a、66:電極
[0098]66:支柱
[0099]67:焊料皮膜
[0100]70:黏晶工具
[0101]71、72、73:區(qū)
[0102]80:控制部
[0103]81:CPU
[0104]82:平坦度補正程序
[0105]83:平坦度圖
[0106]84:變形量補正程序
[0107]85:預(yù)計變形量圖
[0108]86:馬達界面
[0109]87:數(shù)據(jù)總線
[0110]88:數(shù)據(jù)鏈結(jié)
[0111]89:記憶部
[0112]91:X 軸
[0113]92:Y 軸
[0114]93:Ζ 軸
[0115]94:繞X軸的扭轉(zhuǎn)
[0116]95:繞Y軸的扭轉(zhuǎn)
[0117]100:覆晶黏晶機
[0118]110:主控制部
[0119]d。:基準撓曲量
[0120]Cl1:預(yù)計撓曲量
[0121]θι:撓曲補正量
[0122]F:推壓負載
[0123]F。:基準推壓負載
[0124]L1:第一距離
[0125]L2:第二距離
【權(quán)利要求】
1.一種覆晶黏晶機，包括: 基體部； 黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物； 多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于上述基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在上述黏晶平臺吸附固定上述黏晶對象物的表面的相反側(cè)的面；以及 連接構(gòu)件，將上述基體部與上述黏晶平臺予以連接， 上述連接構(gòu)件限制上述黏晶平臺相對于上述基體部在沿著上述黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著上述黏晶平臺的表面而與上述第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許上述黏晶平臺相對于上述基體部繞上述第一軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞上述第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及上述黏晶平臺相對于上述基體部的上下方向的移動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶黏晶機， 上述連接構(gòu)件為第一邊與第二邊平行的大致梯形形狀，且為板彈簧機構(gòu)，包括:與上述第一邊鄰接且沿著上述第一邊的第一可撓性部、與上述第二邊鄰接且沿著上述第二邊的第二可撓性部，以及上述第一可撓性部與上述第二可撓性部之間的剛體部， 上述第一邊與上述第二邊以與上述第一軸或上述第二軸平行的方式配置于上述基體部與上述黏晶平臺之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶黏晶機， 上述板彈簧機構(gòu)的上述第一邊比上述第二邊短， 上述板彈簧機構(gòu)的上述第一邊安裝在上述黏晶平臺與表面為相反側(cè)的面上且位于自上述黏晶平臺的重心位置偏離第一距離的第一位置處， 上述板彈簧機構(gòu)的上述第二邊安裝在上述基體部與上述黏晶平臺對向的面上且位于第二位置處，所述第二位置位在上述第一位置與上述重心相反的一側(cè)且自上述重心偏離比上述第一距離長的第二距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶黏晶機，包括多個加壓彈簧，上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)上， 上述各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)包含與上述各支持點接觸的凸輪機構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶黏晶機，包括多個加壓彈簧，上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調(diào)整持機構(gòu)上， 上述各上下方向位置調(diào)整支持構(gòu)包含與上述各支持點接觸的凸輪機構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶黏晶機，包括多個加壓彈簧，上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)上， 上述各上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)包括與上述各支持點接觸的凸輪機構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖，且包括平坦度補正單元，上述平坦度補正單元根據(jù)黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖，且包括平坦度補正單元，上述平坦度補正單元根據(jù)黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖，且包括平坦度補正單元，上述平坦度補正單元根據(jù)黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括預(yù)計變形量圖，上述預(yù)計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至上述黏晶平臺時的推壓負載所引起的上述黏晶平臺各部的預(yù)計變形量，且包括變形量補正單元，上述變形量補正單元根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以上述黏晶平臺的上述預(yù)計變形量來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括預(yù)計變形量圖，上述預(yù)計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至上述黏晶平臺時的推壓負載所引起的上述黏晶平臺各部的預(yù)計變形量，且包括變形量補正單元，上述變形量補正單元根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以上述黏晶平臺的上述預(yù)計變形量來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶黏晶機，包括控制部，上述控制部使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作， 上述控制部包括預(yù)計變形量圖，上述預(yù)計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至上述黏晶平臺時的推壓負載所引起的上述黏晶平臺各部的預(yù)計變形量，且包括變形量補正單元，上述變形量補正單元根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以上述黏晶平臺的上述預(yù)計變形量來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶黏晶機， 上述黏晶平臺包括: 導(dǎo)熱率低的第一層； 導(dǎo)熱率大于上述第一層且熱膨脹率與上述第一層大致相同的第二層； 由與上述第二層相同的材料構(gòu)成的第三層；以及 加熱器，夾入于上述第二層與上述第三層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶黏晶機， 上述黏晶平臺包括: 導(dǎo)熱率低的第一層； 導(dǎo)熱率大于上述第一層且熱膨脹率與上述第一層大致相同的第二層； 由與上述第二層相同的材料構(gòu)成的第三層；以及 加熱器，夾入于上述第二層與上述第三層之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶黏晶機， 上述黏晶平臺包括: 導(dǎo)熱率低的第一層； 導(dǎo)熱率大于上述第一層且熱膨脹率與上述第一層大致相同的第二層，； 由與上述第二層相同的材料構(gòu)成的第三層；以及 加熱器，夾入于上述第二層與上述第三層之間。
16.一種黏晶平臺的平坦度補正方法，為覆晶黏晶機的黏晶平臺的平坦度補正方法，包括下述步驟: 準備上述覆晶黏晶機，上述覆晶黏晶機包括:基體部；黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于上述基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在上述黏晶平臺吸附固定上述黏晶對象物的表面的相反側(cè)的面；連接構(gòu)件，將上述基體部與上述黏晶平臺予以連接；以及控制部，使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作； 在上述控制部內(nèi)準備平坦度圖，上述平坦度圖顯示上述黏晶平臺各部的平坦度；以及藉由上述控制部使多個上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，根據(jù)黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的黏晶平臺的平坦度補正方法， 上述連接構(gòu)件限制上述黏晶平臺相對于上述基體部沿著上述黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著上述黏晶平臺的表面而與上述第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許上述黏晶平臺相對于上述基體部繞上述第一軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞上述第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及上述黏晶平臺相對于上述基體部的上下方向的移動。
18.一種黏晶平臺的變形量補正方法，為覆晶黏晶機的黏晶平臺的變量補正方法，包括下述步驟: 準備覆晶黏晶機，上述覆晶黏晶機包括:基體部；黏晶平臺，吸附固定黏晶對象物；多個上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)，安裝于上述基體部，分別在上下方向上支持多個支持點并且調(diào)整各支持點的上下方向位置，上述多個支持點設(shè)置在上述黏晶平臺吸附固定黏晶對象物的表面的相反側(cè)的面；連接構(gòu)件，將上述基體部與上述黏晶平臺予以連接；以及控制部，使上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作； 在上述控制部內(nèi)準備預(yù)計變形量圖，上述預(yù)計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至黏晶平臺時的推壓負載所引起的上述黏晶平臺各部的預(yù)計變形量； 藉由上述控制部使多個上述上下方向位置調(diào)整支持機構(gòu)動作，根據(jù)黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以上述黏晶平臺的預(yù)計變形量來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的覆晶黏晶機的黏晶平臺的變形量補正方法，上述連接構(gòu)件限制上述黏晶平臺相對于上述基體部沿著上述黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著上述黏晶平臺的表面而與上述第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動，且容許上述黏晶平臺相對于上述基體部繞上述第一軸的第一扭轉(zhuǎn)、繞上述第二軸的第二扭轉(zhuǎn)、及上述黏晶平臺相對于上述基體部的上下方向的移動。
【文檔編號】H01L21/60GK104303277SQ201380025531
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】瀬山耕平 申請人:株式會社新川