專利名稱：具有高電壓結(jié)終端的高電壓電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，涉及高電壓電阻器。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。IC材料和設(shè)計方面的技術(shù)進步產(chǎn)生了 IC代，其中每個代都具有比上一個代更小和更復(fù)雜的電路。然而，這些進步增加了加工和生產(chǎn)IC的復(fù)雜度，因此，為了實現(xiàn)這些進步，在IC加工和生產(chǎn)方面需要同樣的發(fā)展。在IC發(fā)展過程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數(shù)量)大幅増加了而幾何尺寸(即，使用制造エ藝可以做出的最小元件)降低了。在半導(dǎo)體晶圓上可以制造各種類型的無源電路元件。例如，在晶圓上可以形成作為無源電路的電阻器。一些應(yīng)用需要這些電阻器承受高電壓，例如高達數(shù)百伏特的電壓。然而，常規(guī)高電壓電阻器在達到足夠高的電壓之前，可能出現(xiàn)器件擊穿問題。例如，常規(guī)高電壓電阻器可以依賴于使用P/N結(jié)來維持擊穿電壓。結(jié)擊穿受到摻雜濃度的限制，摻雜濃度尚未在常規(guī)高電壓電阻器中得到優(yōu)化。因此，雖然現(xiàn)有的高電壓電阻器器件通常已足以實現(xiàn)他們的預(yù)期用途，但在各方面尚不是完全令人滿意的。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的ー個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底，所述襯底包含第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)是相反摻雜的，并且是鄰近設(shè)置的；第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)，每ー個都被設(shè)置在所述襯底的上方，所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)彼此間隔開，并且每ー個都被設(shè)置成至少部分地位于所述第一摻雜區(qū)的上方；電阻器，被設(shè)置在所述第一隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方；以及場板，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述第一摻雜區(qū)包括N-漂移區(qū)，并且其中，所述第二摻雜區(qū)包括P阱。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述第一摻雜區(qū)包括N-漂移區(qū)，并且其中，所述第二摻雜區(qū)包括P阱，其中，所述N-漂移區(qū)包含在其中設(shè)置的另ー P阱。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述電阻器和所述場板每ー個都包含多晶硅材料和金屬材料中之一；以及所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)每ー個都包括場效氧化物器件和溝槽隔離器件之一。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述場板連接至電接地。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成P/N結(jié)；以及所述場板被設(shè)置在所述P/N結(jié)的上方。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成P/N結(jié)；以及所述場板被設(shè)置在所述P/N結(jié)的上方，其中，所述場板是第一場板，所述第一場板是晶體管的柵極的一部分；并且進一歩包括第二場板，所述第二場板被設(shè)置在所述第二摻雜區(qū)的上方，所述第二場板是所述晶體管的源極的一部分。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述電阻器具有伸長的形狀，并具有長度L ;所述電阻器的片段被電連接至所述第一摻雜區(qū)；以及所述片段與所述電阻器的遠端相距一段距離,所述距離處于約O. 4*L至約O. 6*L的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底，包括在其中設(shè)置的摻雜阱，所述摻雜阱和所述襯底具有相反的摻雜極性；絕緣器件，被設(shè)置在所述摻雜阱的上方；伸長的電阻器，被設(shè)置在所述絕緣器件的上方，所述電阻器的非遠端部分連接至所述摻雜阱；以及高電壓結(jié)終端(HVJT)器件，鄰近所述電阻器設(shè)置。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述HVJT器件包括一部分所述襯底；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性；另一絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述HVJT器件包括一部分所述襯底；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性；另一絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方，其中所述導(dǎo)電元件是晶體管柵極元件，所述晶體管柵極元件被設(shè)置在P/N結(jié)的上方，所述P/N結(jié)由所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述HVJT器件包括一部分所述襯底；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性；另一絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方，其中所述導(dǎo)電元件是晶體管柵極元件，所述晶體管柵極元件被設(shè)置在P/N結(jié)的上方，所述P/N結(jié)由所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成，其中，所述HVJT器件進ー步包括晶體管源極元件，并且其中，所述晶體管柵極元件和所述晶體管源極元件二者都電接地。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述HVJT器件包括一部分所述襯底；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性；另一絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方，其中，所述第一摻雜區(qū)包含相反摻雜的阱，所述相反摻雜的阱被直接設(shè)置在所述另ー絕緣器件的下面。在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述HVJT器件包括一部分所述襯底；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性；另一絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方，其中，所述第一摻雜區(qū)包括相反摻雜的掩埋阱，所述相反摻雜的掩埋阱被設(shè)置在所述另ー絕緣器件的下面并被所述第一摻雜區(qū)圍繞。在上述半導(dǎo)體器件中，其中所述電阻器的所述非遠端部分基本上位于所述電阻器的中點。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種制造高電壓半導(dǎo)體器件的方法，包括在襯底中形成第一摻雜區(qū)；在所述襯底中形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)是相反摻雜的，其中，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間的界面形成P/N結(jié)；在所述第一摻雜區(qū)上方形成第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)；在所述第ー隔離結(jié)構(gòu)上方形成電阻器器 件；以及形成至少部分地位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)上方的場板，所述場板被設(shè)置在所述P/N結(jié)的上方。在上述方法中，其中形成所述電阻器器件是以使得所述電阻器器件具有伸長的形狀并包括相反的第一遠端和第二遠端的方式實施；以及形成所述場板是以使得所述場板包含多晶硅材料和金屬材料之一的方式實施。在上述方法中，其中形成所述電阻器器件是以使得所述電阻器器件具有伸長的形狀并包括相反的第一遠端和第二遠端的方式實施；以及形成所述場板是以使得所述場板包含多晶硅材料和金屬材料之一的方式實施，并且其中形成所述電阻器器件是以使得位于所述第一遠端和所述第二遠端之間的所述電阻器器件的片段電連接至所述第一摻雜區(qū)的方式實施；以及形成所述場板是以使得所述場板電接地的方式實施。在上述方法中，進ー步包括在所述第一摻雜區(qū)位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)下面的一部分中形成摻雜阱。在上述方法中，其中，形成所述第一摻雜區(qū)是以使得所述第一摻雜區(qū)包括N-漂移區(qū)和N阱的方式實施，其中所述N-漂移區(qū)具有比所述N阱更低的摻雜濃度水平。


當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)エ業(yè)中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚討論起見，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明的各個方面用于制造高電壓半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。圖2至圖13是在根據(jù)本發(fā)明各個方面的各個制造階段，晶圓的一部分的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。圖14至圖17分別是根據(jù)本發(fā)明的各個方面的高電壓電阻器的不同實施例的簡化俯視圖。圖18是示出了根據(jù)本發(fā)明的各個方面的高電壓N阱的擊穿電壓與電偏置電壓之間的關(guān)系的圖表。圖19是圖示示出了電壓擊穿的圖表。
具體實施例方式應(yīng)當(dāng)了解為了實施本發(fā)明的不同部件，以下公開內(nèi)容提供了許多不同的實施例或?qū)嵗Ｔ谙旅婷枋鲈筒贾玫奶囟▽嵗院喕景l(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實例并不打算限定。再者，在下面的描述中第一部件在第二部件上或者上方的形成可以包括其中第一和第二部件以直接接觸形成的實施例，并且也可以包括其中可以形成介入第一和第二部件中的額外的部件，使得第一和第二部件不直接接觸的實施例。為了簡明和清楚，可以任意地以不同的比例繪制各種部件。在圖I中示出的是根據(jù)本發(fā)明的各個方面的方法10的流程圖。方法10包括框12，在框12中，在襯底中形成第一摻雜區(qū)。方法10包括框14，在框14中，在襯底中形成第ニ摻雜區(qū)。第二摻雜區(qū)與第一摻雜區(qū)是相反摻雜的。第一和第二摻雜區(qū)之間的界面形成P/N結(jié)。方法10包括框16，在框16中，在第一摻雜區(qū)上方形成第一和第二隔離結(jié)構(gòu)。方法10包括框18，在框18中，在第一隔離結(jié)構(gòu)上方形成電阻器器件。方法10包括框20，在框20中，至少部分地在第二隔離結(jié)構(gòu)上方形成場板。在P/N結(jié)上方設(shè)置場板。圖2至圖13是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的各個制造階段，半導(dǎo)體晶圓的各部分的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D?？梢岳斫鉃榱烁玫乩斫獗景l(fā)明的發(fā)明概念，簡化了圖2至圖13。參考圖2,不出了襯底30的一部分。襯底30摻雜有P型摻雜劑,如硼。在另ー個實施例中，襯底30可以摻雜有N型摻雜劑，如磷或者神。襯底30還可以包含其他合適的元素半導(dǎo)體材料，如金剛石或鍺；合適的化合物半導(dǎo)體，如碳化硅、神化銦、或磷化銦；或者合適的合金半導(dǎo)體，如碳化硅鍺、磷化鎵砷、或磷化鎵銦。通過本領(lǐng)域公知的離子注入エ藝在一部分襯底30中形成掩埋阱35。形成具有與襯底30的摻雜極性相反的摻雜極性的掩埋阱35。在示例性實施例中，掩埋阱35為N型摻雜的，因為本文中的襯底30是P型襯底。在襯底30是N型襯底的另ー個實施例中，掩埋講35是P型慘雜的。可以米用劑量處于約lxl012atoms/centimeter2至約2x 1012atoms/centimeter2范圍內(nèi)的注入エ藝形成掩埋講35。掩埋講35具有的摻雜濃度可以處于約lxl015atoms/centimeter3 至約 lxl016atoms/centimeter3 的范圍內(nèi)?？梢岳斫饨?jīng)圖案化的光刻膠層可以在實施注入エ藝之前形成于襯底的上表面的上方。經(jīng)圖案化的光刻膠層在注人工藝期間充當(dāng)掩模。當(dāng)掩埋阱35形成之后，實施外延生長エ藝40以在襯底30的上方和在掩埋講35的上方形成外延層45?，F(xiàn)在參考圖3，在襯底30中形成高電壓摻雜阱50。高電壓摻雜阱50采用本領(lǐng)域公知的離子注入エ藝形成。例如，摻雜講50可以采用劑量處于約3xl012atoms/centimeter2至約4x 1012atoms/centimeter2范圍內(nèi)的注入エ藝形成。在實施例中，高電壓摻雜講具有的慘雜濃度處于約 lxl015atoms/centimeter3 至約 lxl016atoms/centimeter3 的范圍內(nèi)。在注入エ藝期間可以在作為掩模的襯底35的上方形成經(jīng)圖案化的光刻膠層(未示出)。高電壓摻雜講50摻雜有與掩埋講35相同(與襯底30的摻雜極性相反)的摻雜極性。因此，在示例性實施例中，高電壓摻雜阱是高電壓N阱(HVNW)。以圍繞掩埋阱35的方式形成高電壓摻雜講50。可以理解在一些實施例中，可以將掩埋講35視為高電壓摻雜講50的一部分，或者他們共同被稱為N-漂移區(qū)或者HVNW/BNW。為了簡明起見，在下列附圖中沒有專門示出掩埋阱35?，F(xiàn)在參考圖4，在襯底中鄰近N-漂移區(qū)50的部分中形成摻雜阱60。在實施例中，摻雜阱60覆蓋外延層45。摻雜阱60可以采用本領(lǐng)域已知的離子注入エ藝形成。摻雜阱60摻雜有與襯底30的摻雜極性相同(以及與N-漂移區(qū)50相反)的摻雜極性。因此，在所示出的實施例中，形成的摻雜區(qū)60為P阱。在實施例中，摻雜阱60采用離子注入エ藝形成，并具有處于約 5xl015atoms/centimeter3 至約 5x 1016atoms/centimeter3 范圍內(nèi)的濃度水平。仍參考圖4，在N-漂移區(qū)50中形成摻雜阱70。摻雜阱70采用本領(lǐng)域公知的另ー離子注入エ藝形成。摻雜阱具有與N-漂移區(qū)50相同的摻雜極性，并具有比N-漂移區(qū)50更大的摻雜濃度水平。因此，在所示出的實施例中，摻雜阱70是更重摻雜的N阱。在實施例中，慘雜講70具有的慘雜濃度水平處于約lxl016atoms/centimeter3至約Ix 1017atoms/centimeter3的范圍內(nèi)。
現(xiàn)在參考圖5，在N-漂移區(qū)50上方形成隔離結(jié)構(gòu)80和81，以及在摻雜阱70的上方形成隔離結(jié)構(gòu)82。隔離結(jié)構(gòu)80至82可以包含介電材料。隔離結(jié)構(gòu)82具有厚度90。在實施例中，厚度90處于約O. 2微米(μπι)至約Ιμπι的范圍內(nèi)。在圖5中所示出的實施例中，隔離結(jié)構(gòu)80至82是硅的局部氧化(LOCOS)器件(也被稱為場效氧化物)。LOCOS器件可以采用氮化物掩模并通過掩模開ロ熱生長氧化物材料來形成?？蛇x地，隔離結(jié)構(gòu)80至82可以包括淺溝槽隔離(STI)器件或者深溝槽隔離(DTI)器件。此后，限定晶體管的有源區(qū)，其可以包括場效應(yīng)晶體管(FET)器件的源扱/漏極區(qū)?，F(xiàn)在參考圖6，在隔離結(jié)構(gòu)82上方形成電阻器器件100。電阻器器件100具有延長和卷繞的形狀。在一個實施例中，電阻器器件100具有Z字形狀(或者S形狀)。在另ー個實施例中，電阻器器件100具有螺旋形狀。在又一個實施例中，電阻器器件100具有正方形形狀。參考下面的圖14至圖17將更清楚地觀察這些形狀，圖14至圖17示出了電阻器器件100的各個實施例的俯視圖。在圖6中所示出的剖面圖中，電阻器器件100表現(xiàn)為多個電阻器塊100Α至100G。然而，可以理解，這些電阻器塊100Α至100G實際上是單獨的伸長的電阻器器件的一部分。在實施例中，電阻器器件100包含多晶硅材料，并因此可以被稱為多晶硅電阻器。多晶硅電阻器100被設(shè)計成用于處理高電壓，例如大于約100伏特的電壓，并可以高達幾百伏特。因此，多晶硅電阻器100也可以被稱為高電壓器件。在該情況下，多晶硅電阻器100可以在形成其他高電壓多晶硅柵極的同時形成。換句話說，可以采用與形成其他高電壓多晶硅柵極相同的エ藝形成多晶硅電阻器100。此后，在摻雜阱70的上表面處并鄰近隔離結(jié)構(gòu)82形成重摻雜區(qū)110和111。在所示出的實施例中，分別在隔離結(jié)構(gòu)80和82之間以及隔離結(jié)構(gòu)81和82之間形成重摻雜區(qū)110和111。重摻雜區(qū)110和111可以采用一種或者多種離子注入エ藝形成。重摻雜區(qū)110和111具有與摻雜阱70相同的摻雜極性(在這種情況下為N型)，但具有更高的摻雜濃度。重摻雜區(qū)110和111具有的摻雜濃度水平處于約Ix 1019atoms/centimeter3至約lxl02Clatoms/centimeter3 的范圍內(nèi)。在摻雜阱60的上表面也可以形成重摻雜區(qū)112和113。在一個實施例中，重摻雜區(qū)112和113具有與摻雜阱60相同的摻雜極性(在本文中為P型)。在另ー實施例中，重摻雜區(qū)112至113可以含有重摻雜的N型部分以及重摻雜的P型部分。也可以形成多個場板120至123。在實施例中，在摻雜阱60和N-漂移區(qū)50之間的界面的上方形成場板120。換句話說，部分在摻雜阱60的上方以及部分在隔離結(jié)構(gòu)80的上方形成場板120。以類似的方式，在摻雜阱60和N-漂移區(qū)50之間的界面的上方形成場板121，并且部分在隔離結(jié)構(gòu)81的上方形成。分別在重摻雜區(qū)112和113上方形成場板122和123。還可以理解,場板可以在重摻雜區(qū)110和111上方形成,但為了簡明起見,在本文中沒有示出。在實施例中，場板120至123含有多晶硅材料。在另ー個實施例中，場板120至123含有金屬材料。場板120至123中的一個或者多個可以采用與形成電阻器器件100相同的エ藝形成(在與電阻器器件100的同時形成)。可以理解，場板120和121可以充當(dāng)晶體管器件的柵極終端，而場板122和123可以充當(dāng)晶體管器件的源極終端。將場板120至123連接至電接地。因此，相應(yīng)的晶體管每ー個都具有接地的源極和柵極終端，并因此可以以反向模式運行(即關(guān)閉晶體管)。場板120至123保持在襯底30中(以及在襯底30內(nèi)形成的各個摻雜區(qū)/阱中)釋放或者消除電場。場板120至123、摻雜區(qū)50和60、以及隔離結(jié)構(gòu)80和81共同形成高電壓結(jié)終端(HVJT)器件130和131。HVJT器件130和131有助于改進電阻器器件100穿過場板120至123的擊穿電壓以及由摻雜阱50和60形成的P/N結(jié)。場板120至123和P/N結(jié)降低電阻器器件100附近的電場的強度。結(jié)果，電阻器器件100在經(jīng)歷器件擊穿之前能夠耐受更高的電壓(與常規(guī)電阻器器件相比)?，F(xiàn)在參考圖7，在隔離器件80至82、重摻雜區(qū)110至113、以及電阻器器件100的上方形成互連結(jié)構(gòu)150?；ミB結(jié)構(gòu)150包括多個經(jīng)圖案化的介電層和導(dǎo)電層，該介電層和導(dǎo)電層在電路、輸入端/輸出端、以及各個摻雜部件(例如，N-漂移區(qū)50)之間提供互連(例如，布線)。更具體而言，互連結(jié)構(gòu)150可以包括多個互連層，該互連層也被稱為金屬層。每ー個互連層包括多個互連部件，該互連部件也被稱為金屬線。金屬線可以是鋁互連線或者銅互連線，并且也可以包括互連材料，如鋁、銅、鋁合金、銅合金、鋁/硅/銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、多晶硅、金屬硅化物、或者其組合。金屬線可以采用包括物理汽相沉積(PVD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、濺射、電鍍、或者其組合的エ藝形成。互連結(jié)構(gòu)150包括層間介電層(ILD)，該層間介電層在互連層之間提供隔離。ILD可以包括介電材料，如低k材料或者氧化物材料?；ミB結(jié)構(gòu)150還包括多個接觸件/接觸件，該多個接觸件/接觸件在不同的互連層和/或襯底上的部件(如摻雜阱70或者電阻器器件100)之間提供電連接。作于互連結(jié)構(gòu)的一部分，在重摻雜區(qū)110上形成接觸件160。鑒于此，接觸件160電連接至重摻雜區(qū)110，并因此電連接至摻雜阱70。通過接觸件160可以向摻雜阱70施加電偏壓。同時，在電阻器器件的片段100D上形成另ー接觸件161。片段100D位于電阻器器件100的兩個相反遠端(例如，100A和100G)之間，并且其可以位于電阻器器件100的中點或者中點附近。電阻器器件的中點是電阻器器件上與兩個相反遠端等距離的點。作為實例，如果電阻器器件100具有總長度L，該總長度L是沿著電阻器器件的所有線圈或者匝數(shù)測量的，那么電阻器器件100的中點是與兩個遠端的每ー個遠端相距O. 5*L的點。器件的電阻是器件的長度、寬度、高度和材料的函數(shù)。因此，在電阻器器件100始終具有相對一致的寬度、高度和材料組分的實施例中，電阻器器件在中點兩側(cè)的每ー側(cè)上的部分的電阻是O. 5*(電阻器器件的總電阻)。根據(jù)Kirchhoff定律，電壓=電流*電阻。因此，當(dāng)電流保持固定吋，電壓隨電阻呈線性改變。這意味著電阻器器件中點處的電壓是約O. 5*(Vs-Vffi)，其中Vs被定義為遠端之ー處的高電壓，而Vffi被定義為遠端之ー處(通常是電接地的)的低電壓。在本實施例中，片段100D(連接至接觸件161)在電阻器器件100的中點的O. 1*L內(nèi)，其中L=電阻器器件的總長度。換句話說，該片段可以位于與中點相距O. 1*L或者不遠于O. 1*L的位置。表達這種關(guān)系的另一方式是片段100D和遠端100A或者遠端100G任一
9個之間的距離處于約O. 4*L至約O. 6*L的范圍內(nèi)?；ミB結(jié)構(gòu)150包括金屬線(或者互連線)170，該金屬線170電連接至接觸件160和接觸件161 二者。在這種方式中，將摻雜區(qū)70電偏置到與電阻器器件的片段100D相同的電壓。換句話說，片段100D處的電壓——即施加于電阻器器件100的遠端之一的電壓的百分數(shù)——將是摻雜阱70處的電壓。這種類型的偏置方案具有優(yōu)勢，將在下面更詳細地討論這些優(yōu)勢?，F(xiàn)在參考圖8，電阻器器件的遠端100A連接至終端200，而電阻器器件的遠端100G連接至終端201。終端200和201包含導(dǎo)電材料，如Al或者Cu、或者其組合。終端200和201通過ー個或者多個相應(yīng)的接觸件/接觸件和/或金屬線可以電連接至遠端100A和100G，為了簡明起見，該ー個或者多個相應(yīng)的接觸件/接觸件和/或金屬線在本文中不必詳細地示出。終端200和201也可以或者可以不直接形成于電阻器器件100的上方。終端200和201充當(dāng)電阻器器件100的電輸入/輸出點(或者接入點)。例如，可以將高電壓(在幾百伏特的量級上)施加于終端200，同時可以將終端201接地。反之亦然，可以將高電壓施加于終端201，同時可以將終端200接地。如上面所討論的，片段100僅承受了在終端200或者終端201任一終端處施加的高電壓的一小部分。作為實例，在其中將約500伏特的電壓施加于終端201，且將終端200接地，以及在其中片段100D基本上位于電阻器器件100的中點的實施例中，則片段100D處的電壓將是約250伏特。當(dāng)片段100D的位置離開中點并朝著遠端100A或者100G任ー遠端移動時，在片段100D處測量的電壓也將慢慢偏離250伏特。其中在終端200和201之一處施加V高，而將另ー終端接地，并且片段100D的位置在與電阻器器件的中點相距O. 1*L內(nèi)的實施例中，則片段100D處的電壓將處于約O. 4*V高至約0.6*VS的范圍內(nèi)，例如約O. 5*VS。因為重摻雜區(qū)110(并因此導(dǎo)致?lián)诫s阱70)與片段100D連接，這意味著將摻雜阱70電偏置到片段100D處的電壓。換句話說，將摻雜阱70電偏置到接近于兩個終端200和201之間的電壓差的中間值，這在常規(guī)高電壓器件中是不能執(zhí)行的。因此，對于常規(guī)高電壓器件，在摻雜阱70和電阻器器件的遠端之一之間存在高電壓電勢。器件可能出現(xiàn)由如此高的電壓電勢引起的擊穿問題。器件擊穿通常受到隔離結(jié)構(gòu)82的厚度90的限制。通常，當(dāng)Vs超過約470伏特時，常規(guī)高電壓器件可能經(jīng)歷器件擊穿問題。相比之下，本文的實施例將摻雜阱70電偏置到接近于兩個終端200和201之間的電壓差的中間值的電壓。鑒于此，器件在發(fā)生擊穿之前可以耐受更高的電壓差，因為摻雜阱70處的電壓既不同于Vs也不同于Vis。作為實例，在實施例中本文中的器件能夠耐受約730伏特的電壓差，因為將摻雜區(qū)70偏置到730伏特的約一半，即約365伏特。換句話說，器件僅需要耐受約365伏特，從而能夠?qū)⒓s730伏特的高電壓施加于其終端之一(將另ー終端接地)。同吋，隔離結(jié)構(gòu)的厚度90能夠與常規(guī)器件保持相同，因為本文的實施例不需要依賴于增加隔離器件82的厚度來改進其高電壓容限。另外，偏置摻雜阱70也可以在襯底30中延伸耗盡區(qū)，這可以進ー步改進器件的電氣性能。HVJT器件130和131也有助于增加電阻器器件100的擊穿電壓。在無HVJT器件130和131的常規(guī)高電壓結(jié)構(gòu)中，將高電場集中在P/N結(jié)附近，P/N結(jié)形成于P阱和高電壓N講。這種集中電場可以具有尖鋭的形狀(例如，三角形)并可以在小于約100伏特的電壓下引起器件擊穿。相比之下，通過形成HVJT器件130至131，本發(fā)明的高電壓器件可以將電場的形狀改變?yōu)榱硪环N梯形形狀。擊穿電壓是電場面積的積分。至少部分是由于其較大的面積，本文中的梯形電場將產(chǎn)生比傳統(tǒng)三角形電場更大的積分。鑒于此，增加了擊穿電壓。而且，HVJT器件130和131的場板120至123也有助于降低電場的強度，從而進一步減輕擊穿問題。圖2至圖8示出了高電壓半導(dǎo)體器件的一個實施例，該實施例根據(jù)單個降低表面電場(RESURF)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了 HVJT。圖9至圖13分別示出了具有其他HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的可選實施例。為了一致和清楚起見，貫穿圖9至圖13，對圖2至圖8中出現(xiàn)的相似元件的標記相同。圖9示出了具有雙重RESURF LDMOS HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的實施例的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。此處，HVJT器件130A和131A分別包括摻雜阱220和221。摻雜阱220和221每一個都具有與N-漂移區(qū)50的摻雜極性相反的摻雜劑性。因此，在示出的實施例中，摻雜阱220和221是P型阱。摻雜阱220和221分別直接形成于隔離結(jié)構(gòu)80和81·的下方，以及摻雜阱50的上表面。因此，摻雜阱220和221也可以被稱為P型頂阱(P_topwell)。摻雜阱220和221的底面與摻雜阱50形成P/N結(jié)。P/N結(jié)也能夠有助于降低高電壓半導(dǎo)體器件中電場的強度。圖10示出了具有三重RESURF LDMOS HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的實施例的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。此處，HVJT器件130B和131B分別包括摻雜阱230和231。摻雜阱230和231每一個都具有與N-漂移區(qū)50的摻雜極性相反的摻雜極性。因此，在所示出的實施例中，摻雜阱230和231是P型阱。摻雜阱230和231分別形成于隔離部件80和81的下面，并被摻雜阱50圍繞。因此，摻雜阱230和231也可以被稱為掩埋P阱。摻雜阱230和231的頂面和底面與摻雜阱50形成P/N結(jié)。這些P/N結(jié)也有助于降低高電壓半導(dǎo)體器件中電場的強度。圖11示出了具有RESURF 二極管HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的實施例的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。如圖11中所示，RESURF 二極管HVJT器件130C和131C是二極管結(jié)構(gòu)，并因此不具有柵極結(jié)構(gòu)?？梢栽谥負诫s區(qū)112/113和110/111上分別形成陽極和陰極終端。圖12示出了具有不同RESURF 二極管HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的實施例的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。如圖12中所示，RESURF 二極管HVJT器件130D和131D分別還含有摻雜阱220和221 (P型頂阱)。圖13示出了具有另一 RESURF 二極管HVJT結(jié)構(gòu)的高電壓半導(dǎo)體器件的又一個實施例的示意性片段剖面?zhèn)纫晥D。如圖13中所示，RESURF 二極管HVJT器件130E和131E分別還含有摻雜阱230和231 (掩埋P阱)。高電壓半導(dǎo)體器件的這些各個實施例提供與上面參考圖2至圖8所討論的實施例相似的擊穿改進?？梢岳斫猓梢源嬖诹硗獾膶嵤├?，但在本文中沒有進行詳細討論。例如，HVJT器件的場板可以具有各種形狀、尺寸和位置。各種摻雜阱和區(qū)也可以具有不同的尺寸和摻雜濃度水平。還可以理解，可以實施另外的制造步驟以完成圖2至圖13中所示出的半導(dǎo)體器件的制造。例如，半導(dǎo)體器件可以進行鈍化、晶圓驗收測試、以及晶圓分割工藝。為了簡明起見，在本文中既沒有示出也沒有討論這些另外的工藝?，F(xiàn)在參考圖14，示出了電阻器器件250A的實施例的簡化俯視圖。根據(jù)上面所討論的本發(fā)明的各個方面形成電阻器器件250A。在該實施例中，電阻器器件250A具有伸長的Z字形狀或者S形形狀。電阻器器件250A具有兩個相反的遠端260和270。遠端260和270分別電連接至終端280和290?？梢詫⒏唠妷菏┘佑诮K端280，同時將終端290接地，或者反之亦然。因此，通過終端280和290在電阻器器件250A之間存在高電壓電勢。電阻器器件250A具有中點300，中點300與兩個遠端260和270等距(根據(jù)沿著電阻器250A的距離，而不是兩點之間的絕對距離)。根據(jù)本發(fā)明的各個方面，可以將電阻器器件250A下面的高電壓N阱電連接至中點300，或者接近于中點300(例如在電阻器器件250A的總長度的10%內(nèi))。如上面所討論的，這種結(jié)構(gòu)使得電阻器器件250A具有更好的擊穿性能一其在發(fā)生擊穿之前能夠耐受更高的電壓。圖15示出了電阻器器件250B的實施例的另一簡化俯視圖。根據(jù)上面所討論的本發(fā)明的各個方面形成電阻器器件250B。在該實施例中，電阻器器件250B具有伸長的正方形形狀。電阻器器件250B具有兩個相反的遠端330和340。遠端330和340分別電連接至終端350和360?？梢詫⒏唠妷菏┘佑诮K端350，同時將終端360接地，或者反之亦然。因此，通過終端350和360在電阻器器件250B之間存在高電壓電勢。電阻器器件250B具有中點370，中點370與兩個遠端330和340等距(根據(jù)沿著電阻器250B的距離，而不是兩點之間的絕對距離)。根據(jù)本發(fā)明的各個方面，電阻器器件250B下面的高電壓N阱可以電連接至·中點370，或者接近于中點370(例如在電阻器器件250B的總長度的10%之內(nèi))。出于與上面參考圖6所討論的相似的理由，這種結(jié)構(gòu)使得電阻器器件250B具有更好的擊穿性能。圖16示出了電阻器器件250C的實施例的另一簡化俯視圖。根據(jù)上面所討論的本發(fā)明的各個方面形成電阻器器件250C。在該實施例中，電阻器器件250C具有伸長的螺旋形狀。電阻器器件250C具有兩個相反的遠端410和420。遠端410和420分別電連接至終端430和440?？梢詫⒏唠妷菏┘佑诮K端430，同時將終端440接地，或者反之亦然。因此，通過終端430和440在電阻器器件250C之間存在高電壓電勢。電阻器器件250C具有中點450，中點450與兩個遠端410和420等距(根據(jù)沿著電阻器250C的距離，而不是兩點之間的絕對距離)。根據(jù)本發(fā)明的各個方面，電阻器器件250C下面的高電壓N阱可以電連接至中點450，或者接近于中點450 (例如在電阻器器件250C的總長度的10%內(nèi))。出于與上面參考圖6所討論的理由相似的理由，這種結(jié)構(gòu)使得電阻器器件250C具有更好的擊穿性能。圖17示出了電阻器器件250D的實施例的另一簡化俯視圖。根據(jù)上面所討論的本發(fā)明的各個方面形成電阻器器件250D。在該實施例中，電阻器器件250D具有伸長的Z字形形狀，或者S形形狀。電阻器器件250D具有兩個相反的遠端460和465。遠端460和465分別電連接至終端470和475。可以將高電壓施加于終端470，同時將終端475接地，或者反之亦然。因此，通過終端470和475在電阻器器件250D之間存在高電壓電勢。電阻器器件250D具有中點480，中點480與兩個遠端460和465等距(根據(jù)沿著電阻器250D的距離，而不是兩點之間的絕對距離)。根據(jù)本發(fā)明的各個方面，電阻器器件250D下面的高電壓N阱可以電連接至中點480，或者接近于中點480(例如在電阻器器件250D的總長度的10%內(nèi))。如上面所討論的，這種結(jié)構(gòu)使得電阻器器件250D具有更好的擊穿性能一其在發(fā)生擊穿之前可以耐受更高的電壓。電阻器器件250D具有高電壓結(jié)環(huán)485。在俯視圖中，高電壓結(jié)環(huán)485圍繞伸長的電阻器器件。在實施例中，高電壓結(jié)環(huán)485包括如上面所討論的HVJT器件。高電壓結(jié)環(huán)485具有的環(huán)寬度170處于約5 μ m至約100 μ m的范圍內(nèi)。
圖18是示出了高電壓N阱的擊穿電壓和偏置電壓之間的關(guān)系的圖表500。圖表500的X軸表示位于電阻器器件下面的高電壓N阱處的偏置電壓的量。該偏置電壓根據(jù)在電阻器器件中高電壓N阱所連接的位置而不同。圖表500的Y軸表示擊穿電壓(BV)。例如，在點510處，高電壓N阱連接于電阻器器件上與高電壓遠端相距O. 1*L的點，其中L =電阻器器件的總長度。因此，在點510處N阱的偏置電壓是O. 9*VH，其中VH =在電阻器器件之間施加的電壓差。因為點510相對接近于遠端，而不接近于電阻器器件的中點，點510處的擊穿電壓不是最佳的——在該情況下略低于約400伏特。類似地，在點520處，高電壓N阱連接于電阻器器件上與高電壓遠端相距O. 3L的點，并且在點520處N阱的偏置電壓是O. 7*VH。因為點520比點510更接近于電阻器器件的中點，點520處的擊穿電壓是更好的一在該情況下略大于約520伏特一盡管其仍不是最佳的。在點530，高電壓N阱連接于接近電阻器器件的中點，并且在點530處N阱的偏置電壓為O. 5*VH?，F(xiàn)在在點530處的擊穿電壓基本上是最佳的，并達到約730伏特。 在點540和點550處，高電壓N阱分別連接于電阻器器件上與高電壓遠端相距
O.7*L和O. 9*L的點(或者與低電壓遠端相距O. 3*L和O. 1*L)。因此，在點540和550處的偏置電壓分別是O. 3*VH和O. 1*VH，并且在點540和550處電阻器器件的擊穿性能再次開始降低。因此，根據(jù)圖表500，可以看到當(dāng)接近于電阻器器件的中點連接高電壓N阱時，電阻器器件趨向于達到最佳的擊穿性能。圖19是示出了擊穿電壓的圖表600。圖表600的X軸表示源極到漏極的電壓(Vds)7Vds也是本文中所討論的在高電壓電阻器器件之間的電壓。圖表600的Y軸表示源極到漏極的電流(Ids)，Ids也是本文中所討論的高電壓電阻器器件中的電流。如果電阻器器件是正確運行的，Vds和Ids應(yīng)具有線性關(guān)系，為Vds = Ids*R，其中R是電阻器器件的電阻。然而，如果電阻器器件出現(xiàn)擊穿，那么Vds和Ids之間的關(guān)系不再呈線性。圖表600含有標繪曲線610,其表不對應(yīng)于高電壓半導(dǎo)體器件的實施例的Vds-Ids曲線的模擬結(jié)果。如所示出的，與繪圖曲線610相關(guān)的電阻器器件經(jīng)歷了器件擊穿，其中Ids開始向上“射出”一此時Vds是約1000伏特。該擊穿電壓相對于傳統(tǒng)高電壓電阻器器件提供的擊穿電壓具有顯著的改進?？梢岳斫飧鞣N因素可以影響擊穿電壓。例如，改變N-漂移區(qū)的尺寸(或者橫向尺寸)可以影響擊穿電壓。改變HVJT器件也可以影響擊穿電壓。根據(jù)設(shè)計和制造關(guān)注點可以選擇最適宜的結(jié)構(gòu)。上面所討論的實施例提供了優(yōu)于常規(guī)高電壓器件的優(yōu)勢，可以理解不同的實施例可以提供不同的優(yōu)點，并且沒有特定優(yōu)點是所有實施例所必需的。一個優(yōu)點是通過高電壓N阱的適當(dāng)偏置，能夠顯著改進電阻器器件的擊穿性能。另一個優(yōu)勢是通過結(jié)合HVJT器件，降低電場強度，這可以使擊穿電壓增加至1000伏特以上。而且，上面所討論的N阱偏置實際上也能夠使擊穿電壓加倍(如果將電阻器的中點電連接至N阱)。鑒于此，擊穿電壓可以增加到2000伏特。又一個優(yōu)勢是高電壓N阱的偏置和HVJT器件的形成不需要額外的制造工藝，并且適合于現(xiàn)有的工藝流程。因此，本文所討論的實施例的實施不增加成本。本發(fā)明的一個更廣泛的形式涉及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括襯底，該襯底包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)是相反摻雜的；第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)，每一個都被設(shè)置在襯底上方，第一和第二隔離結(jié)構(gòu)彼此間隔開；電阻器，該電阻器被設(shè)置在第一隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方；以及場板，該場板被設(shè)置在第一和第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方。本發(fā)明的另一個更廣泛的形式涉及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括襯底，該襯底包括在其中設(shè)置的摻雜阱，摻雜阱和襯底具有相反的摻雜極性；絕緣器件，該絕緣器件被設(shè)置在摻雜阱上方；伸長的電阻器，該伸長的電阻器被設(shè)置在絕緣器件上方，電阻器的非遠端部分連接于摻雜阱；以及高電壓結(jié)終端(HVJT)器件，該高電壓結(jié)終端器件鄰近電阻器設(shè)
置。 本發(fā)明的另一個更廣泛的形式涉及制造高電壓半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括在襯底中形成第一摻雜區(qū)；在襯底中形成第二摻雜區(qū)，第二摻雜區(qū)與第一摻雜區(qū)是相反摻雜的，其中第一和第二摻雜區(qū)之間的界面形成P/N結(jié)；在第一摻雜區(qū)上方形成第一和第二隔離結(jié)構(gòu)；在第一隔離結(jié)構(gòu)上方形成電阻器器件；以及形成至少部分地位于第二隔離結(jié)構(gòu)上方的場板，該場板被設(shè)置在P/N結(jié)上方。上面論述了若干實施例的部件，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解隨后的具體描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他用于達到與本文所介紹的實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括 襯底，所述襯底包含第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)是相反摻雜的，并且是鄰近設(shè)置的； 第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)，每ー個都被設(shè)置在所述襯底的上方，所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)彼此間隔開，并且每ー個都被設(shè)置成至少部分地位于所述第一摻雜區(qū)的上方； 電阻器，被設(shè)置在所述第一隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方；以及 場板，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述電阻器和所述場板每ー個都包含多晶硅材料和金屬材料中之一；以及所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)每ー個都包括場效氧化物器件和溝槽隔離器件之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述電阻器具有伸長的形狀，并具有長度L ； 所述電阻器的片段被電連接至所述第一摻雜區(qū)；以及 所述片段與所述電阻器的遠端相距一段距離，所述距離處于約O. 4*L至約O. 6*L的范圍內(nèi)。
4.一種半導(dǎo)體器件,包括 襯底，包括在其中設(shè)置的摻雜阱，所述摻雜阱和所述襯底具有相反的摻雜極性； 絕緣器件，被設(shè)置在所述摻雜阱的上方； 伸長的電阻器，被設(shè)置在所述絕緣器件的上方，所述電阻器的非遠端部分連接至所述摻雜阱；以及 高電壓結(jié)終端(HVJT)器件，鄰近所述電阻器設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述HVJT器件包括 一部分所述襯底； 第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，被設(shè)置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有相反的摻雜極性； 另ー絕緣器件，被設(shè)置在部分所述第一摻雜區(qū)的上方；以及 導(dǎo)電元件，被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之一的至少一部分的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電元件是晶體管柵極元件，所述晶體管柵極元件被設(shè)置在P/N結(jié)的上方，所述P/N結(jié)由所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電阻器的所述非遠端部分基本上位于所述電阻器的中點。
8.—種制造高電壓半導(dǎo)體器件的方法，包括 在襯底中形成第一摻雜區(qū)； 在所述襯底中形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)是相反摻雜的，其中，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間的界面形成P/N結(jié)； 在所述第一摻雜區(qū)上方形成第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)；在所述第一隔離結(jié)構(gòu)上方形成電阻器器件；以及 形成至少部分地位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)上方的場板，所述場板被設(shè)置在所述P/N結(jié)的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中 形成所述電阻器器件是以使得所述電阻器器件具有伸長的形狀并包括相反的第一遠端和第二遠端的方式實施；以及 形成所述場板是以使得所述場板包含多晶硅材料和金屬材料之一的方式實施。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中 形成所述電阻器器件是以使得位于所述第一遠端和所述第二遠端之間的所述電阻器器件的片段電連接至所述第一摻雜區(qū)的方式實施；以及形成所述場板是以使得所述場板電接地的方式實施。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種高電壓半導(dǎo)體器件。該高電壓半導(dǎo)體器件包括襯底，該襯底包括在其中設(shè)置的摻雜阱。摻雜阱和襯底具有相反的摻雜極性。高電壓半導(dǎo)體器件包括在摻雜阱上方設(shè)置的絕緣器件。高電壓半導(dǎo)體器件包括在絕緣器件上方設(shè)置的伸長的電阻器。該電阻器的非遠端部分連接至摻雜阱。高電壓半導(dǎo)體器件包括鄰近電阻器設(shè)置的高電壓結(jié)終端(HVJT)器件。本發(fā)明提供一種具有高電壓結(jié)終端的高電壓電阻器。
文檔編號H01L29/06GK102915997SQ20111036621
公開日2013年2月6日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者蘇如意, 楊富智, 蔡俊琳, 鄭志昌, 柳瑞興 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司