一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可避免半色調(diào)掩模工藝的使用、簡(jiǎn)化工藝難度、節(jié)約成本。該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層；其中，所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域，所述斷開(kāi)區(qū)域與所述源極和所述漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出；所述像素電極與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。用于顯示裝置的制造。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】占據(jù)著主導(dǎo)地位，受到了人們的廣泛關(guān)注。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中制備陣列基板時(shí)，為了減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，引入半色調(diào)掩膜工藝將半導(dǎo)體有源層和源、漏極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，但這會(huì)導(dǎo)致工藝難度的增加，從而可能引起薄膜晶體管性能的不穩(wěn)定。
[0004]此外，為了優(yōu)化陣列基板的性能并增加其平坦度，通常會(huì)在陣列基板中引入至少一層具有其它特定功能的圖案層。然而，制備具有其它特定功能的圖案層時(shí)，還需進(jìn)行相應(yīng)次數(shù)的構(gòu)圖工藝，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。
[0005]本實(shí)用新型在避免半色調(diào)掩膜工藝的基礎(chǔ)上，提出一種新的陣列基板的結(jié)構(gòu)，可簡(jiǎn)化工藝難度，節(jié)約成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置，可避免半色調(diào)掩膜工藝的使用，簡(jiǎn)化工藝難度、節(jié)約成本。
[0007]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]一方面，提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管、像素電極、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層；其中，所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域，所述斷開(kāi)區(qū)域與所述源極和所述漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出；所述像素電極與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。
[0009]可選的，所述圖案層包括有機(jī)透明絕緣層和位于所述有機(jī)透明絕緣層下方的粘附層。
[0010]進(jìn)一步可選的，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述像素電極上方的鈍化層和公共電極；其中，所述粘附層和所述有機(jī)透明絕緣層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
[0011]可選的，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述有機(jī)透明絕緣層和所述像素電極之間的公共電極和鈍化層；其中，所述粘附層、所述有機(jī)透明絕緣層和所述鈍化層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
[0012]可選的，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層且間隔設(shè)置的公共電極；其中，所述粘附層和所述有機(jī)透明絕緣層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
[0013]進(jìn)一步可選的，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層設(shè)置的透明電極保留圖案，且所述透明電極保留圖案至少與所述源極對(duì)應(yīng)并位于所述源極上方；其中，所述斷開(kāi)區(qū)域還將所述薄膜晶體管的源極露出，所述透明電極保留圖案與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述源極電連接。
[0014]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案和/或所述源極電連接。
[0015]可選的，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體有源層；其中，所述半導(dǎo)體有源層包括非晶硅層和η+非晶硅層；或者所述半導(dǎo)體有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0016]可選的，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
[0017]另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0018]再一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖案；在形成有包括所述柵極的圖案的基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案；其中，所述第一圖案與半導(dǎo)體有源層的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案與待形成的源極和漏極對(duì)應(yīng)；在形成有所述第二圖案的基板上形成包括斷開(kāi)區(qū)域的圖案層，所述斷開(kāi)區(qū)域與待形成的源極和漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)；其中，所述斷開(kāi)區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述漏極露出；在形成有所述圖案層的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極和漏極的圖案、以及像素電極；所述像素電極與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。
[0019]可選的，所述圖案層包括粘附層和有機(jī)透明絕緣層。
[0020]進(jìn)一步可選的，在形成有所述第二圖案的基板上形成包括斷開(kāi)區(qū)域的粘附層和有機(jī)透明絕緣層，具體包括:在形成有所述第二圖案的基板上依次形成粘附層薄膜和有機(jī)透明絕緣層薄膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的粘附層和有機(jī)透明絕緣層。
[0021]進(jìn)一步的，在至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、以及所述像素電極之后，所述方法還包括:在所述像素電極的上方依次形成鈍化層和公共電極。
[0022]可選的，在至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、以及所述像素電極之前，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的所述粘附層和所述有機(jī)透明絕緣層之后，所述方法還包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極；在形成有所述公共電極的基板上形成鈍化層薄膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的鈍化層。
[0023]可選的，在至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、以及所述像素電極之前，所述方法還包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極；在形成有所述公共電極的基板上形成鈍化層薄膜；其中，在形成有所述第二圖案的基板上形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的粘附層、有機(jī)透明絕緣層和鈍化層，具體包括:在形成所述公共電極和所述鈍化層薄膜之前，在形成有所述第二圖案的基板上依次形成所述粘附層薄膜和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜，對(duì)所述有機(jī)透明絕緣層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的有機(jī)透明絕緣層；在形成所述公共電極和所述鈍化層薄膜之后，對(duì)所述粘附層薄膜和所述鈍化層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域的粘附層和鈍化層。
[0024]可選的，在形成所述像素電極的同時(shí)，還形成與所述像素電極同層且間隔設(shè)置的公共電極。
[0025]進(jìn)一步可選的，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極和漏極的圖案、以及像素電極包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、所述像素電極、以及透明電極保留圖案；其中，所述透明電極保留圖案至少與所述源極對(duì)應(yīng)并位于所述源極上方，且所述透明電極保留圖案與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述源極電連接。
[0026]進(jìn)一步的，所述方法還包括形成連接數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案的過(guò)孔；所述透明電極保留圖案與所述源極和所述數(shù)據(jù)線均對(duì)應(yīng)，且所述透明電極保留圖案通過(guò)位于所述數(shù)據(jù)線上方的過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0027]可選的，所述半導(dǎo)體有源層包括非晶硅層和η+非晶硅層；所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成與待形成的所述半導(dǎo)體有源層的圖案對(duì)應(yīng)的第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案；所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極和漏極的圖案、以及像素電極包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、所述半導(dǎo)體有源層、以及所述像素電極。
[0028]可選的，所述半導(dǎo)體有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層；所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述半導(dǎo)體有源層和位于所述半導(dǎo)體有源層上方的第二圖案。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示裝置，該陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層；其中，所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域，所述斷開(kāi)區(qū)域與所述源極和所述漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出；所述像素電極與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。
[0030]本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出了一種新的陣列基板的結(jié)構(gòu)，包括具有其它特定功能的圖案層，且所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域；其中，所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出，所述像素電極與與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的所述陣列基板的制備方法，在避免進(jìn)行半色調(diào)掩膜工藝的基礎(chǔ)上，可有效地簡(jiǎn)化工藝難度、從而節(jié)約成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備流程圖；
[0033]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成第一圖案和第二圖案的過(guò)程示意圖；
[0034]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成粘附層薄膜和有機(jī)透明絕緣層薄膜的過(guò)程示意圖；
[0035]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成斷開(kāi)區(qū)域的過(guò)程示意圖一；
[0036]圖5 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0037]圖5 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0038]圖6 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0039]圖6 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0040]圖7 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；[0041]圖7 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0042]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成公共電極的過(guò)程示意圖一；
[0043]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成斷開(kāi)區(qū)域的過(guò)程示意圖二 ；
[0044]圖10 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七；
[0045]圖10 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖八；
[0046]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成斷開(kāi)區(qū)域的過(guò)程示意圖三；
[0047]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成公共電極的過(guò)程示意圖二 ；
[0048]圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種形成斷開(kāi)區(qū)域的過(guò)程示意圖四；
[0049]圖14 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖九；
[0050]圖14 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十。
[0051]附圖標(biāo)記:
[0052]10-陣列基板；20_薄膜晶體管；20a_第一圖案；20b_第二圖案；201-柵極；202-柵絕緣層；203_半導(dǎo)體有源層；204_源極；205_漏極；300_粘附層薄膜；30_粘附層；400-有機(jī)透明絕緣層薄膜；40_有機(jī)透明絕緣層；50_像素電極；60_透明電極保留圖案；70-鈍化層；80_公共電極；90_斷開(kāi)區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0053]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0054]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板10的制備方法，如圖1所示，可以包括如下步驟:
[0055]S01、在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極201的圖案。
[0056]S02、在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202。
[0057]S03、在形成有所述柵絕緣層202的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b。
[0058]其中，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案20b與待形成的源極204和漏極205對(duì)應(yīng)。
[0059]S04、在形成有所述第二圖案20b的基板上形成包括斷開(kāi)區(qū)域90的圖案層，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的源極204和漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)。
[0060]其中，所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出。
[0061]S05、在形成有所述圖案層的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及像素電極50 ;所述像素電極50與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接。
[0062]需要說(shuō)明的是，第一，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)是指:若在所述第一圖案20a的基礎(chǔ)上，需要繼續(xù)進(jìn)行刻蝕才能形成所述半導(dǎo)體有源層203的圖案，則所述第一圖案20a對(duì)應(yīng)待形成的所述半導(dǎo)體有源層203的圖案，例如所述半導(dǎo)體有源層203包括非晶硅層和η+非晶硅層的情況；否則，所述第一圖案20a即為所述半導(dǎo)體有源層203的圖案，例如所述半導(dǎo)體有源層203包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的情況。
[0063]第二，對(duì)所述包括斷開(kāi)區(qū)域90的圖案層的層數(shù)在此不做限定，其可以為一層，也可以為多層，具體可以根據(jù)其在所述陣列基板10中的作用進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0064]第三，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)，所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度是指，所述斷開(kāi)區(qū)域90在襯底基板上的投影可以完全覆蓋所述源極204和所述漏極205之間的間隙在襯底基板上的投影，并且可以使所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出。
[0065]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極201的圖案；在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202 ;在形成有所述柵絕緣層202的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b ;其中，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案20b與待形成的源極204和漏極205對(duì)應(yīng)；在形成有所述第二圖案20b的基板上形成包括斷開(kāi)區(qū)域90的圖案層，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的源極204和漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出；在形成有所述圖案層的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及像素電極50 ;所述像素電極50與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接。
[0066]本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過(guò)形成具有其它特定功能的圖案層，且所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域90，所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述薄膜晶體管20的漏極205露出，所述像素電極50與與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接，而形成具有特定結(jié)構(gòu)的陣列基板。此外，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的所述陣列基板10的制備方法，在避免進(jìn)行半色調(diào)掩膜工藝的基礎(chǔ)上，可有效地簡(jiǎn)化工藝難度、從而節(jié)約成本。
[0067]可選的，所述圖案層可以包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40。
[0068]這里，所述粘附層30用于增加所述有機(jī)透明絕緣層40和源漏金屬層之間的結(jié)合強(qiáng)度，其材質(zhì)可以選用例如氮化硅的鈍化層材質(zhì)。
[0069]所述有機(jī)透明絕緣層40在增加所述陣列基板10的表面平整度的同時(shí)，還可以減小所述源極205或數(shù)據(jù)線與所述像素電極50之間的寄生電容，其材質(zhì)可以選用例如光刻膠的有機(jī)透明絕緣材料；這里，為了避免對(duì)顯示面板的透過(guò)率產(chǎn)生影響，所述有機(jī)透明絕緣層50的材料優(yōu)選為具有高透過(guò)率的有機(jī)透明絕緣材料。
[0070]當(dāng)然，根據(jù)所述陣列基板10結(jié)構(gòu)的不同，所述圖案層還可以包括其它薄膜層，且這些薄膜層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域90。
[0071]其中，所述斷開(kāi)區(qū)域90的具體形成順序可以根據(jù)構(gòu)成所述圖案層的材料、所述陣列基板10的結(jié)構(gòu)以及制備工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，并以通過(guò)最少的構(gòu)圖工藝形成所述陣列基板10為準(zhǔn)。
[0072]針對(duì)上述陣列基板10的制備方法，具體可以包括如下幾個(gè)方面:
[0073]第一方面，可選的，在形成有所述第二圖案20b的基板上形成包括斷開(kāi)區(qū)域90的粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40，具體可以包括:在形成有所述第二圖案20b的基板上依次形成粘附層薄膜300和有機(jī)透明絕緣層薄膜400，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40。
[0074]基于此，所述陣列基板10的制備方法具體可以包括如下步驟:
[0075]S101、如圖2所示，在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極201的圖案；并在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202。
[0076]其中，在形成所述柵極201的同時(shí)，還形成柵線、柵線引線等，當(dāng)然，也可以形成公共電極線。
[0077]此處，可以使用磁控濺射方法，在襯底基板上制備一層厚度在1000人至7000人
的金屬薄膜。其中，所述金屬薄膜通常可以采用鑰、鋁、鉻、鈦、鎢、銅、鋁鎳合金、鑰鎢合金、或鎢銅合金等金屬材料，也可以使用上述幾種材料的組合。然后，采用掩膜板通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成所述柵極201、柵線(圖中為標(biāo)出)、柵線引線等。然后可以利用化學(xué)氣相沉積法在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上沉積一層厚度為
1000人至6000A的絕緣薄膜，所述絕緣薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和
氮氧化硅等。
[0078]S102、參考圖2所示，在完成步驟SlOl的基板上形成有源層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b ;其中，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案20b與待形成的所述源極204和漏極205對(duì)應(yīng)。
[0079]此處，可以利用化學(xué)氣相沉積法在形成有所述柵絕緣層202的基板上依次沉積厚度為1000A至6000A的有源層薄膜、厚度為1000A至7000人的金屬薄膜，然后，采用
掩膜板通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成所述第一圖案20a和所述第二圖案 20b O
[0080]其中，在所述有源層薄膜例如包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，所述第一圖案20a對(duì)應(yīng)待形成的所述半導(dǎo)體有源層203的圖案；在所述有源層薄膜例如為金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的情況下，所述第一圖案20a即為所述半導(dǎo)體有源層203的圖案。
[0081]當(dāng)然，形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202，也可以放在S102中的形成有源層薄膜和源漏金屬層薄膜之前進(jìn)行。
[0082]S103、如圖3所示，在完成步驟S102的基板上形成粘附層薄膜300和有機(jī)透明絕緣層薄膜400 ;并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述粘附層薄膜300和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400上均形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，從而得到如圖4所示的粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40。
[0083]其中，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出。
[0084]此處，可以利用化學(xué)汽相沉積法在形成有所述第二圖案20b的基板之上依次沉積厚度為200A至800A的粘附層薄膜300、厚度為2000A至5000人有機(jī)透明絕緣層薄
膜400，然后，采用掩膜板通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40。
[0085]這里，所述粘附層薄膜300和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400可以通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，當(dāng)然也可以通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成所述斷開(kāi)區(qū)域90。
[0086]S104、在完成步驟S103的基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，如圖5 (a)和5 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及與所述漏極205電連接的像素電極50。
[0087]其中，在所述有源層薄膜包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，參考圖5(a)和5 (b)所示，在形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還形成所述半導(dǎo)體有源層203。
[0088]進(jìn)一步的，在本步驟中，參考圖5 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述半導(dǎo)體有源層203、包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還可以形成透明電極保留圖案60 ;其中，所述透明電極保留圖案60至少與所述源極204對(duì)應(yīng)并位于所述源極204上方，且所述透明電極保留圖案60與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述源極204電連接。
[0089]此處，可以利用化學(xué)氣相沉積法在形成有所述粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的
基板上沉積一層厚度在100人至1000人之間的透明導(dǎo)電薄膜層，然后，采用掩膜板通過(guò)
曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成所述像素電極50，當(dāng)然還可以形成所述透明電極保留圖案60，并形成源極204、漏極205，以及半導(dǎo)體有源層203。
[0090]另外，還包括形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案60和/或所述源極204連接。其中，所述數(shù)據(jù)線可以與所述源極204 —同形成和/或所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案60—同形成。也就是說(shuō)，所述透明電極保留圖案60可以單獨(dú)作為連接線使所述數(shù)據(jù)線與所述源極204連接(此時(shí)數(shù)據(jù)線就可以使得所述數(shù)據(jù)線與所述源極204不一定同一次構(gòu)圖工藝制作)；也可以作為輔助連接線，例如所述數(shù)據(jù)線與所述源極204可以一體化形成連接，還可以通過(guò)所述透明電極保留圖案60這條輔助連接線連接，減小斷線的幾率。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)連接，可以在合適的地方進(jìn)行過(guò)孔即可，在此不做限定。
[0091]因此優(yōu)選的，在形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案時(shí)，除了形成所述源極204和所述漏極205之外，還同時(shí)形成數(shù)據(jù)線。
[0092]在此基礎(chǔ)上，所述方法還包括:在上述步驟S103中的所述粘附層薄膜300和有機(jī)透明絕緣層薄膜400上，還形成連接所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案60的過(guò)孔；其中，所述透明電極保留圖案60與所述源極204和所述數(shù)據(jù)線均對(duì)應(yīng)，且所述透明電極保留圖案60通過(guò)位于所述數(shù)據(jù)線上方的過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0093]這樣，在例如所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)后，通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述透明電極保留圖案60也可實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)線與所述源極204的功能。
[0094]根據(jù)上述步驟SlOl?S104，通過(guò)四次構(gòu)圖工藝便可以制備出了一種包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的陣列基板10。此外，通過(guò)上述方法制備所述陣列基板10，可以避免半色調(diào)掩模工藝的使用，從而簡(jiǎn)化了工藝難度、節(jié)約成本。
[0095]在第一方面的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步可選的，在至少形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50之后，所述方法還包括:在所述像素電極50的上方依次形成鈍化層70和公共電極80。
[0096]具體的，在上述步驟S104的基礎(chǔ)上，所述陣列基板10的制備方法還可以包括:
[0097]S105、如圖6 Ca)和6 (b)所示，在完成步驟S104的基板上形成鈍化層70 ;并在形成有所述鈍化層70的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極80。
[0098]這樣，通過(guò)五次構(gòu)圖工藝便可以制備出包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板10。
[0099]其中，所述粘附層30和所述有機(jī)透明絕緣層40包括所述斷開(kāi)區(qū)域90。所述公共電極80可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極，此時(shí)，所述公共電極80為狹縫結(jié)構(gòu)或梳狀結(jié)構(gòu)；所述像素電極50與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接。
[0100]此外，在第一方面的基礎(chǔ)上，可選的，在至少形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還可以形成與所述像素電極50同層且間隔設(shè)置的公共電極80。
[0101]具體的，在上述步驟S104中，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及與所述漏極205電連接的像素電極50的同時(shí)，還形成如圖7 Ca)和7(b)所示的與所述像素電極50同層且間隔設(shè)置的公共電極80。
[0102]其中，所述像素電極50和所述公共電極80均包含多個(gè)電連接的條形電極，且所述像素電極50的條形電極和所述公共電極80的條形電極間隔設(shè)置。
[0103]這樣，通過(guò)四次構(gòu)圖工藝便可以制備出包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的共平面切換型陣列基板10。
[0104]第二方面，可選的，在至少形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50之前，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的所述粘附層30和所述有機(jī)透明絕緣層40之后，所述方法還可以包括:在形成有所述有機(jī)透明絕緣層40的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極80 ;在形成有所述公共電極80的基板上形成鈍化層薄膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的鈍化層70。
[0105]基于此，所述陣列基板10的制備方法具體還可以包括如下步驟:
[0106]S201、參考圖2所示，在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極201的圖案；在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202。
[0107]其中，在形成所述柵極201的同時(shí)，還形成柵線、柵線引線等，當(dāng)然，也可以形成公共電極線。
[0108]S202、參考圖2所示，在完成步驟S201的基板上形成有源層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b ;其中，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案20b與待形成的所述源極204和漏極205對(duì)應(yīng)。
[0109]此處，在所述有源層薄膜例如包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，所述第一圖案20a對(duì)應(yīng)待形成的所述半導(dǎo)體有源層203的圖案；在所述有源層薄膜例如包括金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的情況下，所述第一圖案20a即為所述半導(dǎo)體有源層203的圖案。
[0110]S203、參考圖3所示，在完成步驟S202的基板上形成粘附層薄膜300和有機(jī)透明絕緣層薄膜400 ;并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述粘附層薄膜300和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400上均形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，從而得到參考圖4所示的粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40。
[0111]此處，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出。[0112]S204、如圖8所示，在完成步驟S203的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極80。
[0113]S205、在完成步驟S204的基板上形成鈍化層薄膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，從而得到如圖9所示的所述鈍化層70。
[0114]此處，位于所述鈍化層70上的斷開(kāi)區(qū)域90的尺寸可以與位于所述粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的斷開(kāi)區(qū)域90的尺寸相同，也可以不相同，根據(jù)具體工藝而定，只需保證該斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出即可。
[0115]S206、在完成步驟S205的基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，如圖10 (a)和10 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及與所述漏極205電連接的像素電極50。
[0116]此處，在所述有源層薄膜包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，參考圖10(a)和10 (b)所示，在形成包括源極204和漏極205的圖案、以及像素電極50的同時(shí)，還形成所述半導(dǎo)體有源層203。
[0117]進(jìn)一步的，在本步驟中，參考圖10 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述半導(dǎo)體有源層203、包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還可以形成透明電極保留圖案60 ;其中，所述透明電極保留圖案60至少與所述源極204對(duì)應(yīng)并位于所述源極204上方，且所述透明電極保留圖案60與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述源極204電連接。
[0118]此外，在形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案時(shí)，除了形成所述源極204和所述漏極205之外，還同時(shí)形成數(shù)據(jù)線。
[0119]在此基礎(chǔ)上，所述方法還包括:在上述步驟S203中的所述粘附層薄膜300和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400上、以及步驟205中的所述鈍化層薄膜上，還形成連接所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案60的過(guò)孔；其中，所述透明電極保留圖案60與所述源極204和所述數(shù)據(jù)線均對(duì)應(yīng)，且所述透明電極保留圖案60通過(guò)位于所述數(shù)據(jù)線上方的過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0120]這樣，在例如所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)后，通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述透明電極保留圖案60也可實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)線與所述源極204的功能。
[0121]根據(jù)上述步驟S201?S206，通過(guò)六次構(gòu)圖工藝便可以制備出包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板10。
[0122]其中，所述粘附層30、所述有機(jī)透明絕緣層40以及所述鈍化層70均包括斷開(kāi)區(qū)域90。所述像素電極50可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極，此時(shí)，所述像素電極50為狹縫結(jié)構(gòu)或梳狀結(jié)構(gòu)；所述像素電極50與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接。
[0123]第三方面，可選的，在至少形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50之前，所述方法還可以包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極80，在形成有所述公共電極80的基板上形成鈍化層薄膜。
[0124]其中，在形成有所述第二圖案20b的基板上形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的粘附層30、有機(jī)透明絕緣層40和鈍化層70，具體包括:在形成所述公共電極80和所述鈍化層薄膜之前，在形成有所述第二圖案20b的基板上依次形成所述粘附層薄膜300和所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400，對(duì)所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的有機(jī)透明絕緣層40 ;在形成所述公共電極80和所述鈍化層薄膜之后，對(duì)所述粘附層薄膜300和所述鈍化層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述斷開(kāi)區(qū)域90的粘附層30和鈍化層70。
[0125]基于此，所述陣列基板10的制備方法具體還可以包括如下步驟:
[0126]S301、參考圖2所示，在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極201的圖案；在形成有包括所述柵極201的圖案的基板上形成柵絕緣層202。
[0127]其中，在形成所述柵極201的同時(shí)，還形成柵線、柵線引線等，當(dāng)然，也可以形成公共電極線。
[0128]S302、參考圖2所示，在完成步驟S301的基板上形成有源層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b ；其中，所述第一圖案20a與半導(dǎo)體有源層203的圖案對(duì)應(yīng)，所述第二圖案20b與待形成的所述源極204和漏極205對(duì)應(yīng)。
[0129]此處，在所述有源層薄膜例如包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，所述第一圖案20a對(duì)應(yīng)待形成的所述半導(dǎo)體有源層203的圖案；在所述有源層薄膜例如包括金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的情況下，所述第一圖案20a即為所述半導(dǎo)體有源層203的圖案。
[0130]S303、參考圖3所示，在完成步驟S302的基板上形成粘附層薄膜300和有機(jī)透明絕緣層薄膜400 ;并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400上形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，從而得到如圖11所示的有機(jī)透明絕緣層40。
[0131]S304、如圖12所示，在完成步驟S303的基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極80。
[0132]S305、在完成步驟S304的基板上形成鈍化層薄膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述粘附層薄膜300和所述鈍化層薄膜上形成所述斷開(kāi)區(qū)域90，從而得到如圖13所示的粘附層30和鈍化層70。
[0133]此處，所述斷開(kāi)區(qū)域90與待形成的所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述漏極205露出。
[0134]由于鈍化層薄膜和粘附層薄膜300的材料可以同時(shí)使用同種材料，因此，在本步驟中，可以使用同一種刻蝕液刻蝕所述鈍化層薄膜和粘附層薄膜300。
[0135]S306、在完成步驟S305的基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，如圖14 (a)和14 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及與所述漏極205電連接的像素電極50。
[0136]此處，在所述有源層薄膜包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜的情況下，參考圖14Ca)和14 (b)所示，在形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還形成所述半導(dǎo)體有源層203。
[0137]進(jìn)一步的，在本步驟中，參考圖14 (b)所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述半導(dǎo)體有源層203、包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還可以形成透明電極保留圖案60 ;其中，所述透明電極保留圖案60至少與所述源極204對(duì)應(yīng)并位于所述源極204上方，且所述透明電極保留圖案60與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述源極204電連接。[0138]此外，在形成包括所述源極204和所述漏極205的圖案時(shí)，除了形成所述源極204和所述漏極205之外，還同時(shí)形成數(shù)據(jù)線。
[0139]在此基礎(chǔ)上，所述方法還包括:在上述步驟S303中的所述有機(jī)透明絕緣層薄膜400上、以及步驟305中的所述粘附層薄膜300和所述鈍化層薄膜上，還形成連接所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案60的過(guò)孔；所述透明電極保留圖案60與所述源極204和所述數(shù)據(jù)線均對(duì)應(yīng)，且所述透明電極保留圖案60通過(guò)位于所述數(shù)據(jù)線上方的過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0140]這樣，在例如所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)后，通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述透明電極保留圖案60也可實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)線與所述源極204的功能。
[0141]根據(jù)上述步驟S301?S306，通過(guò)六次構(gòu)圖工藝便可以制備出包括粘附層30和有機(jī)透明絕緣層40的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板10。
[0142]需要說(shuō)明的是，在上述幾個(gè)方面中，當(dāng)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝至少形成包括源極204和漏極205的圖案、以及像素電極50時(shí)，由于透明導(dǎo)電層位于源漏金屬層的上方，在刻蝕的過(guò)程中，會(huì)首先形成位于上方的所述像素電極50，再形成位于下方的所述源極204和所述漏極205。因此，可以通過(guò)控制所述像素電極50和所述透明電極保留圖案60之間的距離，實(shí)現(xiàn)對(duì)所述源極204和所述漏極205之間的間隙的距離的控制。參考上述步驟S104、S206、S306中，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選在形成所述半導(dǎo)體有源層203、包括所述源極204和所述漏極205的圖案、以及所述像素電極50的同時(shí)，還形成所述透明電極保留圖案60。
[0143]此外，在上述幾個(gè)方面以及附圖中，均以所述半導(dǎo)體有源層203包括非晶硅層和η+非晶硅層為例進(jìn)行說(shuō)明，然而本實(shí)用新型實(shí)施例并不限于此，所述半導(dǎo)體有源層203例如還可以為金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。在此情況下，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一圖案20a和位于所述第一圖案20a上方的第二圖案20b包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述半導(dǎo)體有源層203和位于所述半導(dǎo)體有源層203上方的第二圖案20b。
[0144]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種利用上述方法制備的陣列基板10，參考圖5 (a)和5 (b)所示，包括薄膜晶體管20、像素電極50、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管20的源極204和漏極205與所述像素電極50之間的圖案層。其中，所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域90，所述斷開(kāi)區(qū)域90與所述源極204和所述漏極205之間的間隙對(duì)應(yīng)；所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域90至少將所述薄膜晶體管20的漏極205露出；所述像素電極50與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述漏極205電連接。
[0145]需要說(shuō)明的是，第一，所述斷開(kāi)區(qū)域90的最小寬度大于所述源極204和所述漏極205之間的間隙的寬度，是為了至少將所述薄膜晶體管20的漏極205露出。至于所述斷開(kāi)區(qū)域90是否將所述薄膜晶體管20的源極204露出，可以根據(jù)實(shí)際的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，在此不
作限定。
[0146]第二，對(duì)于所述陣列基板10中所述薄膜晶體管20的類(lèi)型，在此不做限定，但考慮到制備工藝的難易程度，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選所述薄膜晶體管20為底柵型。
[0147]這里，所述底柵型薄膜晶體管20是指至少有一個(gè)所述柵極201在下，所述源極204和所述漏極205在上的一類(lèi)薄膜晶體管。
[0148]可選的，所述圖案層可以包括有機(jī)透明絕緣層40 ;進(jìn)一步的，還包括位于所述有機(jī)透明絕緣層40下方的粘附層30。
[0149]這里，所述粘附層30用于增加所述有機(jī)透明絕緣層40和源漏金屬層之間的結(jié)合強(qiáng)度；所述有機(jī)透明絕緣層40在增加所述陣列基板10的表面平整度的同時(shí)，還可以減小所述源極205或數(shù)據(jù)線與所述像素電極50之間的寄生電容。
[0150]進(jìn)一步可選的，本實(shí)用新型實(shí)施例用作有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic LightEmitting Display,簡(jiǎn)稱(chēng)OLED)時(shí)，所述陣列基板10還可以包括依次設(shè)置在所述像素電極50上方的有機(jī)發(fā)光層和陰極層，此時(shí)所述像素電極50也可以稱(chēng)為陽(yáng)極層；當(dāng)然，所述陣列基板10還可以包括OLED器件的其他功能結(jié)構(gòu),例如電子傳輸層,空穴傳輸層等。
[0151]或者，進(jìn)一步可選的，參考圖6 (a)和6 (b)所示，所述陣列基板10還可以包括依次設(shè)置在所述像素電極50上方的鈍化層70和公共電極80 ;其中，所述粘附層30和所述有機(jī)透明絕緣層40均包括所述斷開(kāi)區(qū)域90。
[0152]此時(shí)，位于上層的公共電極80可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極，所述公共電極80為狹縫結(jié)構(gòu)或梳狀結(jié)構(gòu)；位于下層的像素電極50可以為板狀電極，也可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極。
[0153]可選的，參考圖10 (a)和10 (b)、14 (a)和14 (b)所示，所述陣列基板10還可以包括依次設(shè)置在所述有機(jī)透明絕緣層40和所述像素電極50之間的公共電極80和鈍化層70 ;其中，所述粘附層30、所述有機(jī)透明絕緣層40和所述鈍化層70均包括所述斷開(kāi)區(qū)域90。
[0154]此時(shí)，位于上層的所述像素電極50可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極，所述像素電極50為狹縫結(jié)構(gòu)或梳狀結(jié)構(gòu)；位于下層的所述公共電極80可以為板狀電極，也可以為包含多個(gè)電連接的條狀電極。
[0155]可選的，參考圖7 Ca)和7 (b)所示，所述陣列基板10還可以包括與所述像素電極50同層且間隔設(shè)置的公共電極80 ;其中，所述粘附層30和所述有機(jī)透明絕緣層40均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
[0156]此時(shí)，所述像素電極50和所述公共電極80可以均包含多個(gè)電連接的條形電極；且所述像素電極50的條形電極和所述公共電極80的條形電極間隔設(shè)置。
[0157]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，所述公共電極80與所述像素電極50均設(shè)置在所述陣列基板10上，通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高顯示面板的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0158]此外，所述斷開(kāi)區(qū)域90至少可以將所述漏極205露出，也就是說(shuō)，所述斷開(kāi)區(qū)域90還可以將所述源極204露出。在此情況下，所述陣列基板10還可以包括與所述像素電極50同層設(shè)置的透明電極保留圖案60，且所述透明電極保留圖案60至少與所述源極204對(duì)應(yīng)并位于所述源極204上方；其中，所述斷開(kāi)區(qū)域90將所述薄膜晶體管20的源極204露出，所述透明電極保留圖案60與被所述斷開(kāi)區(qū)域90露出的所述源極204電連接。
[0159]這里，可以通過(guò)控制所述像素電極50和所述透明電極保留圖案60之間的間距，實(shí)現(xiàn)對(duì)所述源極204和所述漏極205之間的間隙的距離的控制。[0160]在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板10還可以包括數(shù)據(jù)線；所述透明電極保留圖案60與所述源極204和所述數(shù)據(jù)線均對(duì)應(yīng)，且所述透明電極保留圖案60還可以通過(guò)位于所述數(shù)據(jù)線上方的過(guò)孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0161]基于此，一方面，所述源極204與所述數(shù)據(jù)線電連接；另一方面，所述透明電極保留圖案60既與所述源極204電連接，也與所述數(shù)據(jù)線電連接，即，通過(guò)所述透明電極保留圖案60也可以實(shí)現(xiàn)所述源極204和所述數(shù)據(jù)線之間的電連接。這樣在例如所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)后，通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述透明電極保留圖案60也可實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)線與所述源極204的功能，使所述源極204與所述數(shù)據(jù)線之間實(shí)現(xiàn)雙保險(xiǎn)連接。
[0162]進(jìn)一步的可選的，所述薄膜晶體管20包括所述半導(dǎo)體有源層203。所述半導(dǎo)體有源層203可以包括非晶硅層和η+非晶硅層；或者所述半導(dǎo)體有源層203可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0163]當(dāng)然，所述半導(dǎo)體有源層203還可以包括其他，例如多晶硅有源層、低溫多晶硅有源層。
[0164]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板10。
[0165]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0166]盡管上述實(shí)施例中，以漏極205與像素電極50相連為例進(jìn)行了說(shuō)明，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，由于薄膜晶體管的源極204和漏極205在結(jié)構(gòu)和組成上的可互換性，也可以將源極204與像素電極50相連，這屬于本實(shí)用新型的上述實(shí)施例的等同變換。
[0167]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括薄膜晶體管、像素電極、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層； 其中，所述圖案層包括斷開(kāi)區(qū)域，所述斷開(kāi)區(qū)域與所述源極和所述漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)； 所述斷開(kāi)區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開(kāi)區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出； 所述像素電極與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述漏極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述圖案層包括有機(jī)透明絕緣層和位于所述有機(jī)透明絕緣層下方的粘附層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述像素電極上方的鈍化層和公共電極； 其中，所述粘附層和所述有機(jī)透明絕緣層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述有機(jī)透明絕緣層和所述像素電極之間的公共電極和鈍化層； 其中，所述粘附層、所述有機(jī)透明絕緣層和所述鈍化層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層且間隔設(shè)置的公共電極； 其中，所述粘附層和所述有機(jī)透明絕緣層均包括所述斷開(kāi)區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層設(shè)置的透明電極保留圖案，且所述透明電極保留圖案至少與所述源極對(duì)應(yīng)并位于所述源極上方； 其中，所述斷開(kāi)區(qū)域還將所述薄膜晶體管的源極露出，所述透明電極保留圖案與被所述斷開(kāi)區(qū)域露出的所述源極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線； 所述數(shù)據(jù)線與所述透明電極保留圖案和/或所述源極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體有源層； 其中，所述半導(dǎo)體有源層包括非晶硅層和η+非晶硅層；或者所述半導(dǎo)體有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK203456460SQ201320605239
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】孫雙 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司