一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可增大存儲(chǔ)電容，從而提高顯示效果；該陣列基板包括基板、設(shè)置在基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極、以及設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間的公共電極，還包括設(shè)置在所述公共電極和所述基板之間，并與所述漏極相連的導(dǎo)電層。用于顯示裝置的制造。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，液晶顯示器主要由陣列基板1、彩膜基板2、以及位于兩基板之間的液晶層等3構(gòu)成。對(duì)于陣列基板1，其顯示區(qū)域由多個(gè)像素構(gòu)成，每一像素包括至少三個(gè)亞像素，每個(gè)亞像素包括像素電極10以及控制該像素電極10充放電的薄膜晶體管20。此外，對(duì)于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式的液晶顯示器，陣列基板I還包括公共電極30，通過(guò)像素電極10和公共電極30之間產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)，可以控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而達(dá)到控制光強(qiáng)度的目的。
[0003]根據(jù)液晶顯示器的原理，通過(guò)控制柵線的輸入信號(hào)，位于同一行的薄膜晶體管20被同時(shí)打開(kāi)，在一定時(shí)間后，下一行的薄膜晶體管20被同時(shí)打開(kāi)，依次類(lèi)推。然而，由于每一行薄膜晶體管20打開(kāi)的時(shí)間比較短，很難達(dá)到液晶的響應(yīng)時(shí)間，從而會(huì)使液晶顯示器出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。因此，為了避免這樣的問(wèn)題，液晶顯示器一般均會(huì)包括存儲(chǔ)電容(Cst)，其中對(duì)于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式的液晶顯示器，其存儲(chǔ)電容即為由像素電極10和公共電極30間形成的電容。這樣，在薄膜晶體管20關(guān)閉之后的一定時(shí)間內(nèi)，該存儲(chǔ)電容便可以用于維持像素電極10的電壓，從而為液晶響應(yīng)提供時(shí)間。
[0004]目前，為了滿足液晶顯示面板的高分辨率的需求，像素的尺寸做的越來(lái)越小，這樣會(huì)引起存儲(chǔ)電容的減小，使得液晶的響應(yīng)時(shí)間不夠，從而導(dǎo)致閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，嚴(yán)重影響顯示效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可增大存儲(chǔ)電容，從而降低閃爍現(xiàn)象，提高顯示效果。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，提供一種陣列基板，包括:基板、設(shè)置在基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極、以及設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間的公共電極；還包括設(shè)置在所述公共電極和所述基板之間，并與所述漏極相連的導(dǎo)電層。
[0008]可選的，所述像素電極為條狀電極。
[0009]進(jìn)一步可選的，所述公共電極為板狀或條狀電極。
[0010]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電層為板狀或條狀。
[0011]可選的，所述導(dǎo)電層與所述漏極同層設(shè)置，且材料相同。
[0012]可選的，所述導(dǎo)電層與所述漏極不同層設(shè)置，且所述導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電材質(zhì)。
[0013]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管與所述公共電極之間的有機(jī)透明絕緣層。
[0014]進(jìn)一步地，所述漏極通過(guò)設(shè)置在所述有機(jī)透明絕緣層上的過(guò)孔與所述像素電極相連。[0015]可選的，所述薄膜晶體管包括有源層；其中，所述有源層包括非晶硅圖案層和η+非晶硅層；或者所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0016]進(jìn)一步地，在所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的情況下，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層。
[0017]另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括:基板、設(shè)置在基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極、設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間的公共電極、以及設(shè)置在所述公共電極和所述基板之間，并與所述漏極電連接的導(dǎo)電層；由于所述像素電極與所述公共電極之間可產(chǎn)生電容Cl，所述公共電極與所述導(dǎo)電層之間可產(chǎn)生電容C2，且該兩個(gè)并聯(lián)的電容Cl和C2等效為一個(gè)存儲(chǔ)電容；根據(jù)平行板電容C的原理可知，兩個(gè)并聯(lián)的電容其總電容值大于任意一個(gè)電容的容值。因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的存儲(chǔ)電容的容值更大，可以將像素電極的電壓保持時(shí)間延長(zhǎng)，當(dāng)像素尺寸減小后，可以有效的避免閃爍現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示效果。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0024]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0025]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0027]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七。
[0028]附圖標(biāo)記:
[0029]1-陣列基板；2_彩膜基板；3_液晶層；100_基板；10_像素電極；20_薄膜晶體管；201-柵極；202_柵絕緣層；203_半導(dǎo)體有源層；2031_非晶硅層；2032_η+非晶硅層；204-源極；205_漏極；206_數(shù)據(jù)線；30_公共電極；40_導(dǎo)電層；50_有機(jī)透明絕緣層；60_刻蝕阻擋層。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0031]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板1，如圖2至圖8，該陣列基板I包括基板100、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管20、與所述薄膜晶體管20的漏極205相連接的像素電極10、設(shè)置在所述像素電極10和所述基板100之間的公共電極30，以及設(shè)置在所述公共電極30和所述基板100之間，并與所述漏極205相連的導(dǎo)電層40。
[0032]其中，所述薄膜晶體管20包括柵極201、柵絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、以及源極204和漏極205。
[0033]需要說(shuō)明的是，第一，對(duì)于所述薄膜晶體管20的結(jié)構(gòu)，可以是底柵型也可以是頂柵型，當(dāng)然也可以是其他結(jié)構(gòu)，在此不做限定。
[0034]第二，所述導(dǎo)電層40設(shè)置在公共電極30和基板100之間，也就是導(dǎo)電層40與公共電極30存在對(duì)應(yīng)部分，至于該對(duì)應(yīng)部分的面積的大小可根據(jù)實(shí)際情況自行設(shè)定，在此不做限定。其中，所述導(dǎo)電層40與所述公共電極30存在對(duì)應(yīng)部分，即為:所述導(dǎo)電層40與所述公共電極30在所述基板100上的投影包括重疊部分。
[0035]第三，需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中所有附圖是陣列基板的簡(jiǎn)略的示意圖，只為清楚描述本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對(duì)于其他的與發(fā)明點(diǎn)無(wú)關(guān)的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板1，該陣列基板I包括:基板100、設(shè)置在基板上的薄膜晶體管20、與所述薄膜晶體管20的漏極205相連的像素電極10、設(shè)置在所述像素電極10和所述基板100之間的公共電極30、以及設(shè)置在所述公共電極30和所述基板之間，并與所述漏極205電連接的導(dǎo)電層40。
[0037]根據(jù)平行板電容C的原理，即
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括: 基板； 設(shè)置在基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極、以及設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間的公共電極； 其特征在于，還包括設(shè)置在所述公共電極和所述基板之間，并與所述漏極相連的導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為條狀電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為板狀或條狀電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層為板狀或條狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層與所述漏極同層設(shè)置且材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層與所述漏極不同層設(shè)置，且所述導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管與所述公共電極之間的有機(jī)透明絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極通過(guò)設(shè)置在所述有機(jī)透明絕緣層上的過(guò)孔與所述像素電極相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括有源層； 其中，所述有源層包括非晶硅圖案層和η+非晶硅層；或者所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，在所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的情況下，所述陣列基板還包括:刻蝕阻擋層。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L23/64GK203444218SQ201320515864
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】韓承佑, 李文齊 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司