專利名稱：無機基板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種用于制備半導體發(fā)光光源的基板，進一步涉及一種采用全無機材料制備的適用于半導體發(fā)光光源的無機基板。
背景技術：
隨著發(fā)光效率的提升和制造成本的下降，半導體發(fā)光光源已被廣泛應用于背光、顯示和照明等領域。半導體發(fā)光光源包括有LED、C0B、模組、燈板、燈條等多種類型。在不久的將來，半導體發(fā)光光源有可能替代傳統(tǒng)光源成為普通照明的主要光源。半導體發(fā)光光源中，一種常見的基板或LED支架結構有如圖1所示，包括金屬底板1，絕緣層2，焊墊3a、3b，焊盤3c、3d，互連金屬3e、3f，半導體發(fā)光元件放置區(qū)4。焊墊3a、3b,焊盤3c、3d,互連金屬3e、3f構成通常所說的基板導電電路。所述金屬底板I通常采用鋁或鋁合金，其導熱系數(shù)>200W/mK ;絕緣層2通常采用填充高導熱填料的高分子材料(如中國專利CN201210246366.8、CN201110220802.X、CN201020694951.0、CN200810146884.6)，厚度 75 150 微米，其導熱系數(shù)〈1.5W/mK。當半導體發(fā)光元件固定到半導體發(fā)光元件放置區(qū)4，并與所述導電電路完成相應的導電連接后，固定在絕緣層2表面的半導體發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量很難通過絕緣層2傳導到金屬底板I上。顯然，絕緣層2成為整個半導體發(fā)光光源的導熱瓶頸。為了消除半導體發(fā)光光源的導熱瓶頸，半導體發(fā)光元件放置區(qū)4可以直接設置在金屬底板I表面。通過基于金屬焊料的固晶方法，如共晶焊，放置在所述半導體發(fā)光元件放置區(qū)4上面的發(fā)光元件所產(chǎn)生的熱量就可以很快傳導到金屬底板I上。由于金屬底板I導電，把發(fā)光元件直接固定在底板I上會對可以使用的半導體發(fā)光元件的種類以及多元件之間的串并聯(lián)帶來限制。當半導體發(fā)光元件中的一電極與金屬底板I導通時，又會對實際使用、安裝以及安全帶來不便和隱患。此外，絕緣層2所采用的有機高分子材料，其耐熱、耐紫外光輻照、耐高電壓沖擊、耐老化及阻燃防火等級都比較差，不能滿足作為普通照明光源，特別是在惡劣環(huán)境下使用的要求，往往會導致使用壽命短、衰減快及可靠性差等問題。為了避免有機高分子材料作為絕緣層所帶來的缺點，有通過對金屬基板的表面處理，包括陽極氧化、微弧氧化，如中國專利CN200910065377.4、CN200610053598.6、CN200810026047.X、CN201010231866.5、CN201010231866.5、CN200620108149.2、CN200610033054.3、CN201010505050.7、美國專利US5859581，在金屬基板表面形成無機絕緣層，但表面處理產(chǎn)生的絕緣層厚度均勻性差，基板面積越大，工藝控制難度就越大。高溫下表面處理產(chǎn)生的多孔狀絕緣層的絕緣性能不佳，制造過程耗能，且污染環(huán)境。也有通過熱噴涂法，包括等離子噴涂、電弧噴涂、爆炸噴涂、超音速噴涂，如中國專利 CN201210240712.UCN200910238895.UCN200910238896.6，直接在金屬基板上形成無機絕緣層，其絕緣性能優(yōu)于單純的陽極氧化層或微弧氧化層，但其工藝流程長，大面積噴涂厚度均勻性差、耗時、成本高，工藝設備復雜昂貴，難以維護保養(yǎng)。也有采用激光選擇性熔融涂敷在基板焊盤(電極)附近表面的玻璃陶瓷涂層制備無機絕緣層，如中國專利CN201010231866.5、CN201010231888.1。所述玻璃陶瓷層主要由玻璃相、陶瓷粉和有機載體混合組成。采用激光選擇微小區(qū)域熔融玻璃陶瓷涂層并形成相應的絕緣層，可實現(xiàn)精細化加工，但不適合用在大面積基板表面形成玻璃陶瓷基絕緣層，且設備成本高，工藝復雜，不易控制與操作。也有采用真空條件下的物理氣相沉積法(PVD)在金屬基板上制備無機絕緣層，如中國專利CN201210182211.2。所制備的絕緣層絕緣性能好，但沉積速度慢，成本高。從進腔體，抽真空，氣相沉積，到回復大氣壓后出腔體，整個過程繁復，耗時，自動化程度低，工藝設備復雜昂貴，難以維護保養(yǎng)。受真空腔體尺寸局限，物理氣相沉積法不適合應用于大批量產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)大尺寸基板。由于在底板上制備所述無機絕緣層和高分子絕緣層以后，通常還要在所述絕緣層上制備導電電路，使得底板的形狀通常只能局限于平板狀，很難制備有凹凸起伏或帶有圍堰的基板或支架，給后續(xù)熒光粉涂敷和灌封體成形帶來極大的不便，其應用范圍受到很大的局限。另一種常見的基板或LED支架結構有如圖2所示，包括陶瓷底板21，焊墊22a、22b，焊盤22c、22d，互連金屬22e、22f，半導體發(fā)光元件放置區(qū)23。焊墊22a、22b，焊盤22c、22d，互連金屬22e、22f構成通常所說的基板導電電路。如圖2所示結構中，底板為陶瓷材料制成的底板，陶瓷包括高純Al203、SiC、AlN及BeO，其具有很好的導熱性能。如把所述的半導體發(fā)光元件直接放置于設置在所述底板21表面的半導體發(fā)光元件放置區(qū)23，所述發(fā)光元件所產(chǎn)生的熱量可以直接傳導到高導熱性的陶瓷底板上。上述具有良好導熱性能的陶瓷的燒結溫度通常很高(1300°C -1600°C)，如果所述導電電路通過與陶瓷共燒的方式制備在所述陶瓷表面，由于燒結溫度高，只能采用如W、Mo等高熔點金屬，制造成 本很高。如果在燒結陶瓷后再制備所述導電電路，底板的形狀通常只能局限于平板狀，很難制備有凹凸起伏或帶有圍堰的基板或支架，給后續(xù)熒光粉涂敷和灌封體成形帶來極大的不便，其應用范圍受到很大的局限。如果采用摻有玻璃成份的陶瓷來制作底板，其燒結溫度可以降到800°C -1OOO0C,如果所述導電電路通過與陶瓷共燒的方式制備在所述陶瓷表面，可以采用如Cu、Ag、Au等常規(guī)金屬，成本較低，工藝相對簡單，但摻有玻璃成份的陶瓷其導熱性能很差，導熱系數(shù)僅3^8ff/mK,與采用填充高導熱填料的有機高分子作為絕緣層制備的金屬基板(如圖1所示)上的導熱瓶頸相差無幾。摻有玻璃成份的陶瓷可以與金屬材料共燒制備具有凹凸起伏或帶有圍堰的基板或支架。由于其摻有玻璃成份的陶瓷的導熱性能很差，所以，所述半導體發(fā)光元件放置區(qū)通常還是設置在金屬材料表面。為了使所述半導體發(fā)光元件與金屬材料表面之間絕緣，在金屬材料表面同樣需要制備一絕緣層，而且所述絕緣層還能耐所述摻有玻璃成份的陶瓷的燒結溫度。顯然，高分子絕緣層不能滿足要求，而目前常用的無機絕緣層的制備方法，如上面所述，存在著不足與缺陷。在圖1和圖2所示的基板表面，圍繞所述發(fā)光元件放置區(qū)4、23可以設置圍堰，如中國專利 CN201010261426.4.CN201020581078.4.CN201020296110.4。它們使用的材料都是有機高分子，如硅膠，環(huán)氧樹脂。上述有機高分子基圍堰材料的使用導致發(fā)光光源的耐熱、耐紫外線輻照、耐高電壓沖擊、阻燃防火等性能下降。[0016]顯而易見，由圖1和圖2所不的基板結構及其制造方法都存在本質(zhì)的缺陷和不足，無法解決基板結構和制造成本與基板綜合性能(包括導熱、耐熱、耐紫外線輻照、耐高電壓沖擊、阻燃防火)之間的矛盾，所制備的半導體發(fā)光光源，特別是在惡劣環(huán)境下使用時，存在壽命短，衰減性，可靠性差，防火阻燃性能差，絕緣等級低等問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術問題在于，提供一種無機基板，所述基板不含任何有機高分子材料，結構簡單，使用方便，具有優(yōu)異的導熱性能，適用于制備具有各種凹凸結構或圍堰的基板或支架，滿足各類半導體發(fā)光光源對耐高溫、耐紫外線輻照、耐高電壓沖擊、防火阻燃方面的要求。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:提供一種無機基板，包括底板，所述底板具有第一表面和第二表面，在所述底板第一表面有至少一封裝表面，在所述封裝表面至少有一圍堰和至少有一導電電路，在所述圍堰內(nèi)側至少有一發(fā)光元件放置區(qū)；所述圍堰為采用與所述底板相同或不同的無機材料制成的無機圍堰；所述導電電路包括至少一第一焊墊和至少一第二焊墊；所述底板有至少一與所述第一焊墊相連接的第一焊盤、連接所述第一焊盤和所述第一焊墊的第一互連金屬、至少一與所述第二焊墊相連接的第二焊盤、及連接所述第二焊盤和所述第二焊墊的第二互連金屬；所述第一焊墊與所述第二焊墊位于所述圍堰的內(nèi)側，所述第一焊盤與所述第二焊盤位于所述圍堰的外側。優(yōu)選的，在所述封裝表面至少有一無機非金屬絕緣層；所述無機非金屬絕緣層覆蓋所述封裝表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板第一表面的全部或部分和所述底板第二表面的全部或部分；所述導電電路，所述第一、第二焊盤及所述第一、第二互連金屬的全部或部分設置在所述無機非金屬絕緣層表面。優(yōu)選的，在所述圍堰與所述封裝表面之間至少有一無機粘接層，所述無機粘接層把所述圍堰粘接在所述封裝表面、所述封裝表面的凸起處或所述封裝表面的凹槽內(nèi)。優(yōu)選的，設置所述第一焊盤的位置包括所述封裝表面和除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面中的一個或多個；所述第一互連金屬經(jīng)過的位置包括所述封裝表面、除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面、貫穿所述底板、貫穿所述圍堰、貫穿所述圍堰與所述封裝表面連接處中的一個或多個；或，所述第一焊盤為穿過所述底板與所述第一焊墊導電連接的第一針狀物。優(yōu)選的，設置所述第二焊盤的位置包括所述封裝表面和除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面中的一個或多個；所述第二互連金屬經(jīng)過的位置包括所述封裝表面、除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面、貫穿所述底板、貫穿所述圍堰、貫穿所述圍堰與所述封裝表面連接處中的一個或多個；或，所述第二焊盤為穿過所述底板與所述第一焊墊導電連接的第二針狀物。優(yōu)選的，所述封裝表面為平坦光滑表面或包括凹凸平臺的光滑表面。實施本實用新型具有以下有益效果:本實用新型的無機基板，適用于制備具有各種凹凸結構或圍堰的基板或支架。由于不含任何有機高分子材料，本實用新型的無機基板導熱性能好，適合于制備各類大功率半導體發(fā)光光源；耐冷熱沖擊能力強，適合在高溫、常溫和低溫環(huán)境中使用；抗紫外線輻照能力強，適合于戶外露天場合使用；耐高電壓沖擊能力強，適用于制備高工作電壓的半導體發(fā)光光源；用本實用新型的無機基板制備的半導體發(fā)光光源的阻燃防火及絕緣等級高，在各類普通照明領域使用時，具有安全等級高，使用壽命長，抗衰性能好等特點。本實用新型的無機基板的制造流程短、步驟少，工藝和設備簡單，適合于大批量大面積低成本產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:圖1是一種常見的基板結構示意圖；圖2是另一種常見的基板結構示意圖；圖3是本實用新型的無機基板一實施例的結構示意圖；圖4是本實用新型的無機基板另一實施例的結構示意圖。
具體實施方式
如圖3所不,本實用新型一實施例的無機基板,包括具有第一表面和第二表面的底板31，設置在底板31第一表面的至少一封裝表面、至少一圍堰33、至少一導電電路、至少一第一焊盤36a及至少一第二焊盤36b。圍堰33及導電電路均設置在底板31的封裝表面，導電電路包括至少一第一焊墊34a及至少一第二焊墊34b，還可包括至少一發(fā)光元件放置區(qū)37，該第一焊墊34a與第二焊墊34b彼此絕緣，并分別與第一焊盤36a及第二焊盤36b相連接，第一焊墊34a、第二焊墊34b及發(fā)光元件放置區(qū)37均位于圍堰33的內(nèi)側，第一焊盤36a與第二焊盤36b位于圍堰33的外側。在本實施例中，底板31為絕緣底板，采用陶瓷、玻璃及微晶玻璃中的一種或多種材料制成。由于底板31為絕緣底板，該第一焊墊34a、第二焊墊34b、第一焊盤36a及第二焊盤36b可通過金屬箔層壓、化學鍍、電鍍、濺射、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷、掩膜印刷方法中的一種或多種，直接制備在絕緣底板31表面。其中，第一焊墊34a與第二焊墊34b設置在底板31的封裝表面上，所述第一焊盤36a與第二焊盤36b的設置位置包括所述封裝表面和除去所述封裝表面以外的所述底板31的所有側面、第一表面、第二表面中的一個或多個；且，第一焊盤36a可通過第一互連金屬35a與第一焊墊34a導電連接,第二焊盤36b可通過第二互連金屬35b與第二焊墊34b導電連接，所述第一互連金屬35a與第二互連金屬35b經(jīng)過的位置包括所述封裝表面、除去所述封裝表面以外的所述底板31的所有側面、第一表面、第二表面、貫穿所述底板、貫穿所述圍堰33、貫穿所述圍堰33與所述封裝表面連接處中的一個或多個；或，所述第一焊盤36a與第二焊盤36b分別為穿過所述底板31與所述第一焊墊34a、第二焊墊34b導電連接的第一針狀物與第二針狀物。封裝表面為平坦光滑表面或包括凹凸平臺的光滑表面。如圖3所示，在本實施例中，封裝表面位于底板31的第一表面,第一焊盤36a與第二焊盤36b分別設置在底板31的第二表面，第一互連金屬35a貫穿底板31而連接第一焊墊34a與第一焊盤36a,第二互連金屬35a貫穿底板31而連接第二焊墊34b與第二焊盤36b。在其他實施例中，第一焊盤36a可為呈針狀的第一針狀焊盤，其直接穿過底板31與第一焊墊34a導電連接；第二焊盤36b也可為呈針狀的第二針狀焊盤，其可直接穿過底板31與第二焊墊34b導電連接。發(fā)光元件放置區(qū)37可以設置在所述底板31的封裝表面，也可以設置在所述第一焊墊34a和/或第二焊墊34b的表面。當發(fā)光元件放置在所述第一焊墊34a和/或第二焊墊34b的表面時，通常是發(fā)光元件的電極與所述焊墊直接連接并電導通。圍堰33由無機材料制成，可包括金屬、合金、陶瓷、玻璃及微晶玻璃中的一種或多種，其中的金屬包括Fe、Al、Cu、Mo、W中的一種或多種；進一步地，可在圍堰33內(nèi)側壁設有反射層以反射光線，反射層可采用Al、Ag及布拉格全反射層(DBR)中的一種或多種組合。圍堰33可預先制成后通過多種方式設置在底板31的封裝表面、封裝表面的凸起處或封裝表面的凹槽內(nèi)，所述圍堰33可通過無機粘接層32牢固粘接在底板31的封裝表面、封裝表面凸起處或凹槽內(nèi)；或者，所述圍堰33通過采用包括靜壓鍵合、熱壓鍵合、共晶焊、超聲壓焊、纖焊方式中的一種或多種組合的方式粘貼在封裝表面、封裝表面凸起處或封裝表面凹槽內(nèi)；或者，所述圍堰33通過包括卡扣、鑲嵌中的一種或多種組合的方式固定在封裝表面、封裝表面凸起處或凹槽內(nèi)；或者，在所述封裝表面待設置圍堰的位置上制作凹槽，在所述凹槽內(nèi)制備無機粉層或無機膠層，通過加熱在所述凹槽內(nèi)形成凸起的無機圍堰。當基板的底板31、圍堰33、無機粘接層32均采用透明的玻璃材料制成時，用該基板制成的半導體發(fā)光光源將呈現(xiàn)360°全方位出光。在本實施例中，如圖3所示，所述圍堰33為預先制成，再通過無機粘接層32牢固粘接在底板31的封裝表面、封裝表面凸起處或封裝表面凹槽內(nèi)。無機粘接層32為一層或多層結構，該無機粘接層32可由涂敷形成在底板31封裝表面的無機粉層或無機膠層，經(jīng)加熱或在對所述無機粉層或無機膠層表面均勻施壓的條件下加熱，使所述無機粉層或無機膠層中的無機組份之間以及與其相接觸的所述圍堰33表面和所述底板31的封裝表面之間發(fā)生固相擴散和界面鍵合，冷卻后，形成所述無機粘接層32，并把所述圍堰33粘貼在所述底板31的封裝表面。無機粘接層32也可由涂敷形成在底板31封裝表面的無機粉層或無機膠層，經(jīng)加熱或在對所述無機粉層或無機膠層表面均勻施壓的條件下加熱，所述無機粉層或無機膠層中的玻璃組份軟化，使所述無機粉層或無機膠層中的無機組份之間以及與其相接觸的所述圍堰33表面和所述底板31的封裝表面之間彼此熔合，冷卻后，形成所述無機粘接層32，并把所述圍堰33粘貼在所述底板31的封裝表面。當?shù)谝换ミB金屬35a與第二互連金屬35b位于封裝表面上時，圍堰33通過無機粘接層32于封裝表面上方可粘接在第一互連金屬35a及第二互連金屬35b上。為防止短路，無機粘接層32優(yōu)選無機非金屬絕緣粘接層，或在所述第一互連金屬35a及第二互連金屬35b有一絕緣層。所述無機粉層由包括玻璃粉、陶瓷粉、金屬粉、合金粉、氧化物粉、氮化物粉中的一種或多種組成。所述無機膠層包括玻璃、陶瓷、金屬、氧化物、氮化物中的一種或多種組份。所述玻璃粉包括石英、硼硅酸鹽、磷酸鹽、鋁硼硅酸鹽、鋁硅酸鹽、鉛硅酸鹽、硅酸鹽及微晶玻璃中的一種或多種；所述陶瓷粉包括滑石、鎂橄欖石、鋯英石、莫來石、堇青石、Al203、Be0、SiC、BN、AlN及Si3N4中的一種或多種；所述氧化物粉和氮化物粉包括Si02、Si3N4、Al2O3' AIN、BN及BeO中的一種或多種；所述金屬和合金粉包括Ag、Au、Al、N1、S1、Fe、Cu、Cr、Mg、Co、Mo、Mn、Sn、T1、W、In、Ge、NiCu、NiZn、NiTi, NiFeCo, SnCu、Wcu、AlS1、CuZn 中的一種或多種。如圖4所不,本實用新型另一實施例的無機基板,其包括具有第一表面和第二表面的底板41、至少一圍堰43、至少一導電電路、至少一第一焊盤46a及至少一第二焊盤46b。底板41的第一表面具有至少一封裝表面，圍堰43及導電電路均設置在底板的封裝表面，導電電路包括至少一第一焊墊44a及至少一第二焊墊44b，還可包括至少一發(fā)光元件放置區(qū)47，該第一焊墊44a與第二焊墊44b彼此絕緣，并分別與第一焊盤46a及第二焊盤46b相連接，第一焊墊44a、第二焊墊44b及發(fā)光元件放置區(qū)47均位于圍堰43的內(nèi)側，第一焊盤46a與第二焊盤46b位于圍堰44的外側。第一焊墊44a通過第一互連金屬45a與第一焊盤46a導電連接,第二焊墊44b通過第二互連金屬45b與第二焊盤46b導電連接。該實施例與圖3所示實施例不同的在于，底板41為導電底板。圍堰43的設置方式如上述實施例無機基板中所述，如圖4所示的通過無機粘接層42設置在底板41的封裝表面上；或者，所述圍堰43通過采用包括靜壓鍵合、熱壓鍵合、共晶焊、回流焊、超聲壓焊、纖焊方式中的一種或多種組合的方式粘貼在封裝表面、封裝表面凸起處或封裝表面凹槽內(nèi)；或者，所述圍堰43通過包括卡扣、鑲嵌中的一種或多種組合的方式固定在封裝表面、封裝表面凸起處或封裝表面凹槽內(nèi)；或者，在所述封裝表面待設置圍堰43的位置上制作凹槽，在所述凹槽內(nèi)制備無機粉層或無機膠層，通過加熱在所述凹槽內(nèi)形成凸起的無機圍堰。作為一種選擇性實施方式，可在所述封裝表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板41第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板41第一表面的全部或部分和所述底板41第二表面的全部或部分設置無機非金屬絕緣層48,第一焊墊44a、第一焊盤46a、第一互連金屬45a、第二焊墊44b、第二焊盤46b、第二互連金屬45b、及發(fā)光元件放置區(qū)47全部或部分設置在無機非金屬絕緣層48表面上。該無機非金屬絕緣層48為一層或多層結構，其制備方法與無機粘接層42相同。為具有絕緣特性，所述無機非金屬絕緣層48不采用具導電特性的金屬、合金、導電陶瓷。該無機非金屬絕緣層48可由涂敷形成在底板41封裝表面的無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層，經(jīng)加熱或在對所述無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層表面均勻施壓的條件下加熱，使所述無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層中的無機組份之間以及與其相接觸的所述底板41的封裝表面之間發(fā)生固相擴散和界面鍵合，冷卻后，形成所述無機非金屬絕緣層48。無機非金屬絕緣層48也可由涂敷形成在底板41封裝表面的無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層，經(jīng)加熱或在對所述無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層表面均勻施壓的條件下加熱，所述無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層中的玻璃組份軟化，使所述無機非金屬絕緣粉層或無機非金屬絕緣膠層中的無機組份之間以及與其相接觸的所述底板41的封裝表面之間彼此熔合，冷卻后，形成所述無機非金屬絕緣層48。所述無機非金屬絕緣粉層由包括玻璃粉、絕緣陶瓷粉、氧化物粉、氮化物粉中的一種或多種組成。所述無機非金屬絕緣膠層包括玻璃、陶瓷、氧化物、氮化物中的一種或多種組份。[0056]其中，玻璃粉包括石英、硼硅酸鹽、磷酸鹽、鋁硼硅酸鹽、鋁硅酸鹽、鉛硅酸鹽、硅酸鹽及微晶玻璃中的一種或多種組合；陶瓷粉包括滑石、鎂橄欖石、鋯英石、莫來石、堇青石、Al203、Be0、BN、AlN及Si3N4中的一種或多種組合；氧化物和氮化物粉包括Si02、Si3N4、Al203、A1N、BN及BeO中的一種或多種組合。底板41可為金屬底板，其可以采用Fe、Cu、Mo、Al、或它們的合金制成。在本實施例中，底板41的第一表面為封裝表面，光滑平坦，適用于通過各種涂敷方法在封裝表面形成厚度均勻的無機非金屬絕緣層48?？梢岳斫獾氖牵庋b表面也可是具有凹凸平臺的光滑表面。無機非金屬絕緣層48可設有開口以露出底板41的部分封裝表面,底板41露出的部分封裝表面可設有反射層用以反射光源，反射層采用Al、Ag及布拉格全反射層(DBR)中的一種或多種材料形成。該無機基板用于制備半導體發(fā)光光源時，發(fā)光兀件設置在底板41封裝表面上的發(fā)光元件放置區(qū)47，并與第一焊墊44a及第二焊墊44b導電連接，圍堰43于底板41上位于發(fā)光元件的周圍，可以方便熒光膠涂覆，灌封體成形，和光源光強在空間的分布等。發(fā)光元件放置區(qū)47可以是平坦，也可以呈凹狀或凸狀，當發(fā)光元件放置區(qū)47呈凹狀時，優(yōu)選在其表面設反射層用以反射光線。所述發(fā)光元件放置區(qū)47也可以設置在第一、第二焊墊44a、44b表面，使發(fā)光元件上的電極和焊墊之間實現(xiàn)直接的導電連接。 可以理解的，上述各技術特征可以任意組合使用而不受限制。以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
權利要求1.一種無機基板，其特征在于，包括底板，所述底板具有第一表面和第二表面，在所述底板第一表面有至少一封裝表面，在所述封裝表面至少有一圍堰和至少有一導電電路，在所述圍堰內(nèi)側至少有一發(fā)光元件放置區(qū)； 所述圍堰為采用與所述底板相同或不同的無機材料制成的無機圍堰； 所述導電電路包括至少一第一焊墊和至少一第二焊墊；所述底板有至少一與所述第一焊墊相連接的第一焊盤、連接所述第一焊盤和所述第一焊墊的第一互連金屬、至少一與所述第二焊墊相連接的第二焊盤、及連接所述第二焊盤和所述第二焊墊的第二互連金屬；所述第一焊墊與所述第二焊墊位于所述圍堰的內(nèi)側，所述第一焊盤與所述第二焊盤位于所述圍堰的外側。
2.根據(jù)權利要求1所述的無機基板，其特征在于，在所述封裝表面至少有一無機非金屬絕緣層； 所述無機非金屬絕緣層覆蓋所述封裝表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板第一表面的全部或部分、或包括部分或全部所述封裝表面的所述底板第一表面的全部或部分和所述底板第二表面的全部或部分； 所述導電電路，所述第一、第二焊盤及所述第一、第二互連金屬的全部或部分設置在所述無機非金屬絕緣層表面。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的無機基板，其特性在于，在所述圍堰與所述封裝表面之間至少有一無機粘接層，所述無機粘接層把所述圍堰粘接在所述封裝表面、所述封裝表面的凸起處或所述封裝表面的凹槽內(nèi)。
4.根據(jù)權利要求3所述的無機基板，其特征在于，設置所述第一焊盤的位置包括所述封裝表面和除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面中的一個或多個；所述第一互連金屬經(jīng)過的位置包括所述封裝表面、除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面、貫穿所述底板、貫穿所述圍堰、貫穿所述圍堰與所述封裝表面連接處中的一個或多個； 或，所述第一焊盤為穿過所述底板與所述第一焊墊導電連接的第一針狀物。
5.根據(jù)權利要求3所述的無機基板，其特征在于，設置所述第二焊盤的位置包括所述封裝表面和除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面中的一個或多個；所述第二互連金屬經(jīng)過的位置包括所述封裝表面、除去所述封裝表面以外的所述底板的所有側面、第一表面、第二表面、貫穿所述底板、貫穿所述圍堰、貫穿所述圍堰與所述封裝表面連接處中的一個或多個； 或，所述第二焊盤為穿過所述底板與所述第一焊墊導電連接的第二針狀物。
6.根據(jù)權利要求3所述的無機基板，其特征在于，所述封裝表面為平坦光滑表面或包括凹凸平臺的光滑表面。
專利摘要本實用新型公開了一種無機基板，包括底板，底板具第一表面和第二表面，在底板第一表面有至少一封裝表面，在封裝表面至少有一圍堰和至少一導電電路；圍堰采用與底板相同或不同的無機材料制成；導電電路包括至少一第一焊墊和至少一第二焊墊；底板有至少一與第一焊墊相連接的第一焊盤、連接第一焊盤和第一焊墊的第一互連金屬、至少一與第二焊墊連接的第二焊盤、及連接第二焊盤和第二焊墊的第二互連金屬；第一焊墊與第二焊墊位于圍堰的內(nèi)側，第一焊盤與第二焊盤位于圍堰的外側。本實用新型無機基板具有結構簡單、使用方便、制造成本低特點，適用于制備半導體發(fā)光光源，其制造方法流程短、步驟少，工藝和設備簡單，適于大面積大批量低成本產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號H01L33/62GK203071126SQ20132007129
公開日2013年7月17日 申請日期2013年2月7日 優(yōu)先權日2013年2月7日
發(fā)明者李剛 申請人:羅容