多芯片卷帶封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多芯片卷帶封裝結構，其包括可撓性基板、至少一第一芯片以及至少一第二芯片。可撓性基板包括可撓性介電層以及圖案化線路層?？蓳闲越殡妼泳哂械谝槐砻嬉约跋鄬Φ谝槐砻娴牡诙砻??？蓳闲曰灞粡澱酆缶哂袕澱鄄恳约胺謩e連接彎折部的反轉部與延伸部?？蓳闲越殡妼游挥诜崔D部的第一表面面對其位于延伸部的第一表面，其中第一芯片位于延伸部，而第二芯片位于反轉部。彎折部、反轉部與第一芯片形成容置空間，而第二芯片容置于容置空間內(nèi)。
【專利說明】多芯片卷帶封裝結構

【技術領域】
[0001]本發(fā)明有關于一種封裝結構，且特別是有關于一種多芯片卷帶封裝結構。

【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的改良，使得液晶顯示器具有低的消耗電功率、薄型量輕、解析度高、色彩飽和度高、壽命長等優(yōu)點，因而廣泛地應用在行動電話、筆記型電腦或桌上型電腦的液晶屏幕及液晶電視等與生活息息相關的電子產(chǎn)品。其中，顯示器的驅(qū)動芯片(driverIC)更是液晶顯示器不可或缺的重要元件。
[0003]因應液晶顯示裝置驅(qū)動芯片各種應用的需求，一般是采用卷帶自動接合封裝技術進行芯片封裝，其中包括有薄膜覆晶(Chip On Film, C0F)封裝、卷帶承載封裝(TapeCarrier Package, TCP)等。卷帶自動接合封裝是將半導體芯片電性連接于表面形成有配線構造的可撓性薄膜基材上，其中配線構造包含輸入端引腳及輸出端引腳，這些引腳的內(nèi)端電性連接芯片的電性端點(例如:凸塊)。
[0004]由于行動裝置、液晶顯示器、液晶電視等電子產(chǎn)品的功能需求日益復雜化，并以薄型化設計作為其主要訴求。因此，如何將多個芯片整合于單一卷帶封裝結構之中并有效降低多芯片卷帶封裝結構彎折后的的整體厚度，以于將其組裝至上述電子產(chǎn)品之中時，可符合薄型化設計的趨勢，實為目前亟待解決的問題之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種多芯片卷帶封裝結構，其適于彎折，且彎折后的封裝體具有較薄的封裝厚度。
[0006]本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構包括可撓性基板、至少一第一芯片以及至少一第二芯片?？蓳闲曰灏蓳闲越殡妼右约皥D案化線路層?？蓳闲越殡妼泳哂械谝槐砻嬉约跋鄬Φ谝槐砻娴牡诙砻?。圖案化線路層包括多個第一引腳、多個第二引腳以及多個導電通孔。這些第一引腳配置于第一表面上。這些第二引腳配置于第二表面上。這些導電通孔貫穿可撓性介電層并電性連接這些第一引腳與這些第二引腳。可撓性基板被彎折后具有彎折部以及分別連接彎折部的反轉部與延伸部，且可撓性介電層位于反轉部的第一表面面對其位于延伸部的第一表面。第一芯片設置于第一表面上并與這些第一引腳電性連接，其中第一芯片位于延伸部。第二芯片設置于第一表面上并與這些第一引腳電性連接，其中第二芯片位于反轉部。彎折部、反轉部與第一芯片間形成容置空間，而第二芯片容置于容置空間內(nèi)。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可撓性基板更包括防焊層。防焊層位于第一表面上并局部覆蓋第一引腳。防焊層具有多個開口，以供第一芯片與第二芯片設置于其內(nèi)。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一芯片具有第一主動面以及多個設置于第一主動面上的第一凸塊。第二芯片具有第二主動面以及多個設置于第二主動面上的第二凸塊，其中第一芯片與第二芯片分別借由這些第一凸塊與這些第二凸塊電性連接這些第一引腳。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可撓性基板被彎折后，反轉部與延伸部實質(zhì)上平于并沿延伸方向延伸，且在延伸方向上，第一芯片與第二芯片彼此相鄰且倒置。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一芯片與第二芯片于反轉部或延伸部上的正投影互不重疊。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一芯片與第二芯片之間具有間隙。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，其中在垂直于延伸方向的厚度方向上，第一芯片的第一主動面與第二芯片的第二主動面之間具有間距，且間距小于第一芯片與第二芯片的厚度總和。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，其中在垂直于延伸方向的厚度方向上，第一芯片的第一主動面與第二芯片的第二主動面之間具有間距，且間距不小于第一芯片與第二芯片中厚度較大者。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述的多芯片卷帶封裝結構更包括封裝膠體。封裝膠體分別填充于第一芯片及第二芯片與可撓性基板之間。
[0015]在本發(fā)明的一實施例中，上述的可撓性基板被彎折后是通過這些第二引腳分別電性連接第一外部元件及第二外部元件，其中連接第一外部元件與第二外部元件的這些第二引腳分別位于延伸部與反轉部。
[0016]基于上述，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構的可撓性基板被彎折后具有彎折部以及連接彎折部的反轉部與延伸部，彎折部、反轉部與多個芯片的其中一者形成容置空間，而其他多個芯片容置于容置空間內(nèi)。各個芯片沿反轉部與延伸部所延伸方向依序排列，其中任兩相鄰的芯片之間具有間隙。換言之，各個芯片于反轉部或延伸部上的正投影皆互不重疊。
[0017]另一方面，，多芯片卷帶封裝結構被彎折而組裝于第一外部元件與第二外部元件上時可具有較薄的組裝厚度。并且，因用于與第一外部元件與第二外部元件連接的第二引腳是配置于可撓性介電層的第二表面上，多芯片卷帶封裝結構被彎折后，第二表面是面向外部而不會被卷繞于內(nèi)部。因此，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構的設計并不會影響后續(xù)組裝作業(yè)。
[0018]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明一實施例的多芯片卷帶封裝結構的示意圖。
[0020]圖2是圖1的多芯片卷帶封裝結構體彎折后的示意圖。
[0021]圖3是本發(fā)明另一實施例的多芯片卷帶封裝結構的示意圖。
[0022]圖4是圖3的多芯片卷帶封裝結構彎折后的示意圖。
[0023]【附圖標記說明】
[0024]10:第一外部元件
[0025]20:第二外部元件
[0026]100A、100B:多芯片卷帶封裝結構
[0027]110:可撓性基板
[0028]IlOa:彎折部
[0029]110b:反轉部
[0030]110c:延伸部
[0031]112:可撓性介電層
[0032]112a:第一表面
[0033]112b:第二表面
[0034]114:圖案化線路層
[0035]114a:第一引腳
[0036]114b:第二引腳
[0037]114c:導電通孔
[0038]116:防焊層
[0039]120:第一芯片
[0040]120a:第一主動面
[0041]122、132、152:凸塊
[0042]130:第二芯片
[0043]130a:第二主動面
[0044]140:封裝膠體
[0045]150:第三芯片
[0046]150a:第三主動面
[0047]Cl:容置空間
[0048]Dl:延伸方向
[0049]D2:厚度方向
[0050]G1、G3、G4:間隙
[0051]G2、G5、G6:間距
[0052]S1:距離
[0053]Tl ?T3:厚度

【具體實施方式】
[0054]圖1是本發(fā)明一實施例的多芯片卷帶封裝結構的示意圖。圖2是圖1的多芯片卷帶封裝結構彎折后的示意圖。請參考圖1以及圖2，在本實施例中，多芯片卷帶封裝結構100A包括可撓性基板110、第一芯片120、第二芯片130以及封裝膠體140。
[0055]可撓性基板110包括可撓性介電層112、圖案化線路層114以及防焊層116，其中可撓性介電層112具有第一表面112a以及相對第一表面112a的第二表面112b。圖案化線路層114包括第一引腳114a、第二引腳114b以及導電通孔114c，第一引腳114a配置于第一表面112a上,第二引腳114b配置于第二表面112b上,而導電通孔114c貫穿可撓性介電層112并電性連接第一引腳114a與第二引腳114b。防焊層116位于第一表面112a上并局部覆蓋第一引腳114a。
[0056]在本實施例中，第一芯片120與第二芯片130分別具有第一主動面120a與第二主動面130a以及多個位于第一主動面120a上的第一凸塊122與多個位于第二主動面130a上的第二凸塊132。防焊層116具有開口局部顯露出第一引腳114a,第一芯片120與第二芯片130設置于防焊層116的開口內(nèi)并分別借由第一凸塊122與第二凸塊132而與第一引腳114a形成電性及機械性連接。封裝膠體140分別填充于第一芯片120及第二芯片130與可撓性基板110之間，以保護電性接點。
[0057]在本實施例中，可撓性介電層112的材質(zhì)例如是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚酸亞胺(Polyimide, PI)、聚醚(polyethersulfone, PES)、碳酸脂(polycarbonate, PC)。圖案化線路層114例如是由銅等金屬材質(zhì)所構成。第一凸塊122與第二凸塊132的材質(zhì)例如是選自金、銅、銀、錫、招、鎳、其合金或其任何組合。一般而言，形成導電通孔114c的方法可包括激光鉆孔或機械鉆孔等加工方式。第一芯片120與第二芯片130以覆晶(flip chip)方式接合于可撓性基板110上，并通過加熱加壓使第一凸塊122與第二凸塊132分別與圖案化線路層114的第一引腳114a共晶接合。
[0058]請參考圖2，多芯片卷帶封裝結構100A于后續(xù)應用時會被彎折以組裝于第一外部元件10 (例如玻璃基板)以及第二外部元件20 (例如印刷電路板)上?？蓳闲曰?10被彎折后具有彎折部110a、連接彎折部IlOa的反轉部IlOb以及延伸部110c，其中反轉部IlOb與延伸部IlOc連接彎折部110a，且分別位于彎折部IlOa的兩側。第一芯片120位于延伸部110c，第二芯片130位于反轉部110b，且彎折部110a、反轉部IlOb與第一芯片120之間形成容置空間Cl，而第二芯片130容置于容置空間Cl內(nèi)。具體而言，反轉部IlOb與延伸部IlOc大致上平行并沿延伸方向Dl延伸，且可撓性介電層112位于反轉部IlOb的第一表面112a是面對其位于延伸部IlOc的第一表面112a，使得第一芯片120與第二芯片130彼此相鄰且倒置。在延伸方向Dl上，兩相鄰且倒置的第一芯片120與第二芯片130之間具有間隙G1。
[0059]換句話說，在本實施例中，第一芯片120與第二芯片130例如是自彎折部IlOa沿著延伸方向Dl依序排列。此外，第一芯片120與第二芯片130于反轉部IlOb或延伸部IlOc上的正投影互不重疊。另一方面，于本發(fā)明中，多芯片卷帶封裝結構100A是通過配置于可撓性介電層112的第二表面112b上的第二引腳114b分別電性連接第一外部元件10及第二外部元件20。更具體而言，連接第一外部元件10與第二外部元件20的第二引腳114b分別位于延伸部IlOc與反轉部110b。
[0060]此外，在垂直于延伸方向Dl的厚度方向D2上，兩相鄰且倒置的第一芯片120的第一主動面120a與第二芯片130的第二主動面130a之間具有間距G2。具體而言，在本實施例中，以第一芯片120的厚度Tl等于第二芯片130的厚度T2作為舉例說明，其中間距G2、第一芯片120的厚度Tl與第二芯片130的厚度T2例如是彼此相等。如此配置下，可使得反轉部IlOb上的第一表面112a與延伸部IlOc上的第一表面112a之間的距離SI獲得縮減，而有助于降低彎折后的封裝結構在厚度方向D2上的整體厚度。
[0061]再者，即便在間距G2不等于第一芯片120的厚度Tl與第二芯片130的厚度T2的情況下，距離SI與間距G2仍可小于第一芯片120的厚度Tl與第二芯片130的厚度T2的總和，但間距G2不小于第一芯片120的厚度Tl或第二芯片130的厚度T2。如此情況下，可避免第一芯片120與第二芯片130不抵觸到可撓性基板110，亦能有助于降低彎折后的封裝結構在厚度方向D2上的整體厚度。
[0062]應注意的是，雖然上述實施例是以第一芯片120的厚度Tl等于第二芯片130的厚度T2作為舉例說明，但在第一芯片120的厚度Tl不等于第二芯片130的厚度Τ2情況下，間距G2是以不小于第一芯片120的厚度Tl與第二芯片厚度Τ2中厚度較大者為原則，借以在降低彎折后的封裝結構的整體厚度的同時，避免第一芯片120或第二芯片130抵觸到可撓性基板110。簡言之，多芯片卷帶封裝結構100Α被彎折而組裝于第一外部元件10與第二外部元件20上時可具有較薄的組裝厚度。并且，因用于與第一外部元件10與第二外部元件20連接的第二引腳114b配置于可撓性介電層112的第二表面112b上，多芯片卷帶封裝結構100A被彎折后，第二表面112b面向外部而不會被卷繞于內(nèi)部，因此，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構100A的設計并不會影響后續(xù)組裝作業(yè)。
[0063]圖3是本發(fā)明另一實施例的多芯片卷帶封裝結構的示意圖。圖4是圖3的多芯片卷帶封裝結構彎折后的示意圖。請參考圖3以及圖4，圖3以及圖4的多芯片卷帶封裝結構100B與圖1以及圖2的多芯片卷帶封裝結構100A的不同之處在于:多芯片卷帶封裝結構100B更包括第三芯片150，其具有第三主動面150a以及多個位于第三主動面150a上的凸塊152。第三芯片150借由凸塊152分別與圖案化線路層114的第一引腳114a電性連接。其中第三芯片150可位于延伸部IlOc或反轉部110b，于本實施例中，第三芯片150是位于延伸部110c。
[0064]再者，如圖4所示，可撓性基板110被彎折后，彎折部110a、反轉部IlOb與第一芯片120之間形成容置空間Cl，而第二芯片130與第三芯片150容置于容置空間Cl內(nèi)。此夕卜，反轉部IlOb與延伸部IlOc大致上平行并沿延伸方向Dl延伸，且可撓性介電層112位于反轉部IlOb的第一表面112a面對其位于延伸部IlOc的第一表面112a，使得第一芯片120、第二芯片130與第三芯片150彼此相鄰且倒置。在延伸方向Dl上，兩相鄰的第一芯片120與第二芯片130以及兩相鄰的第三芯片150與第二芯片130之間分別具有間隙G3與G4。換句話說，在本實施例中，第三芯片150、第二芯片130與第一芯片120例如是自彎折部IlOa沿著延伸方向Dl依序排列，且第一芯片120、第二芯片130與第三芯片150于反轉部IlOb或延伸部IlOc上的正投影互不重疊。
[0065]另一方面，在垂直于延伸方向Dl的厚度方向D2上,兩相鄰且倒置的第一芯片120的第一主動面120a與第二芯片130的第二主動面130a之間具有間距G5，而兩相鄰且倒置的第三芯片150的第三主動面150a與第二芯片130的第二主動面130a之間具有間距G6。具體而言，在本實施例中，以第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度T2與第三芯片150的厚度T3彼此相等作為舉例說明，其中間距G5與G6、第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度T2與第三芯片150的厚度T3彼此相等。如此配置下，可使得反轉部IlOb上的第一表面112a與延伸部IlOc上的第一表面112a之間的距離SI獲得縮減，而有助于降低彎折后的封裝結構在厚度方向D2上的整體厚度。
[0066]再者，即便在間距G5與G6不等于第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度T2與第三芯片150的厚度T3的情況下，距離SI以及間距G5與G6仍可小于第一芯片120的厚度Tl與第二芯片130的厚度T2的總和或是第三芯片150的厚度T3與第二芯片130的厚度T2的總和，但間距G5與G6不小于第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度T2或第三芯片150的厚度T3。如此情況下，可避免第一芯片120、第二芯片130與第三芯片150抵觸到可撓性基板110，亦能有助于降低彎折后的封裝結構在厚度方向D2上的整體厚度。
[0067]應注意的是，雖然上述實施例是以第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度T2與第三芯片150的厚度Τ3彼此相等作為舉例說明，但在厚度Tl、厚度Τ2與厚度Τ3中任兩者不相等或互不相等情況下，G5與G6是以不小于第一芯片120的厚度Tl、第二芯片130的厚度Τ2與第三芯片150的厚度Τ3中厚度較大者為原則，借以在降低彎折后的封裝結構的整體厚度的同時，避免第一芯片120、第二芯片130或第三芯片150抵觸到可撓性基板110。簡言之，多芯片卷帶封裝結構100Β被彎折后而組裝于第一外部元件10與第二外部元件20上時可具有較薄的組裝厚度。并且，因用于與第一外部元件10與第二外部元件20連接的第二引腳114b配置于可撓性介電層112的第二表面112b上，多芯片卷帶封裝結構100B被彎折后第二表面112b面向外部而不會被卷繞于內(nèi)部，因此，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構100B的設計并不會影響后續(xù)組裝作業(yè)。
[0068]在此必須說明的是，本發(fā)明并不限制芯片的配置數(shù)量，凡是在多芯片卷帶封裝結構被彎折之后，各個芯片是自彎折部沿著延伸部與反轉部的延伸方向依序排列，且前述多個芯片于反轉部或延伸部上的正投影互不重疊等態(tài)樣下，皆不脫離本發(fā)明的范疇。
[0069]綜上所述，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構的可撓性基板被彎折后具有彎折部以及連接彎折部的反轉部與延伸部，彎折部、反轉部與多個芯片的其中一者形成容置空間，而其他多個芯片容置于容置空間內(nèi)。各個芯片沿反轉部與延伸部所延伸方向依序排列，且任兩相鄰的芯片之間具有間隙，換言之，各個芯片于反轉部或延伸部上的正投影皆互不重疊。
[0070]另一方面，多芯片卷帶封裝結構被彎折而組裝于第一外部元件與第二外部元件上時可具有較薄的組裝厚度。并且，因用于與第一外部元件與第二外部元件連接的第二引腳配置于可撓性介電層的第二表面上，多芯片卷帶封裝結構被彎折后，第二表面面向外部而不會被卷繞于內(nèi)部。因此，本發(fā)明的多芯片卷帶封裝結構的設計并不會影響后續(xù)組裝作業(yè)。
[0071]雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術領域】中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
【權利要求】
1.一種多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，包括: 可撓性基板，包括: 可撓性介電層，具有第一表面以及相對該第一表面的第二表面；以及 圖案化線路層，包括多個第一引腳、多個第二引腳以及多個導電通孔，該多個第一引腳配置于該第一表面上，該多個第二引腳配置于該第二表面上，該多個導電通孔貫穿該可撓性介電層并電性連接該多個第一引腳與該多個第二引腳； 其中該可撓性基板被彎折后具有彎折部以及分別連接該彎折部的兩側的反轉部及延伸部，且該可撓性介電層位于該反轉部的該第一表面面對其位于該延伸部的該第一表面； 至少一第一芯片，設置于該第一表面上并與該多個第一引腳電性連接，其中該至少一第一芯片位于該延伸部；以及 至少一第二芯片，設置于該第一表面上并與該多個第一引腳電性連接，其中該至少一第二芯片位于該反轉部； 其中該彎折部、該反轉部與該至少一第一芯片間形成容置空間，而該至少一第二芯片容置于該容置空間內(nèi)。
2.如權利要求1所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該可撓性基板更包括防焊層，位于該第一表面上并局部覆蓋該多個第一引腳，該防焊層具有多個開口，以供該至少一第一芯片與該至少一第二芯片設置于其內(nèi)。
3.如權利要求1所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該至少一第一芯片具有第一主動面以及多個設置于該第一主動面上的第一凸塊，該至少一第二芯片具有第二主動面以及多個設置于該第二主動面上的第二凸塊，其中該至少一第一芯片與該至少一第二芯片分別借由該多個第一凸塊與該多個第二凸塊電性連接該多個第一引腳。
4.如權利要求3所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該可撓性基板被彎折后，該反轉部與該延伸部實質(zhì)上平行并沿延伸方向延伸，且在該延伸方向上，該至少一第一芯片與該至少一第二芯片彼此相鄰且倒置。
5.如權利要求4所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該至少一第一芯片與該至少一第二芯片于該反轉部或該延伸部上的正投影互不重疊。
6.如權利要求4所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該至少一第一芯片與該至少一第二芯片之間具有間隙。
7.如權利要求4所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，在垂直于該延伸方向的厚度方向上，該至少一第一芯片的該第一主動面與該至少一第二芯片的該第二主動面之間具有間距，且該間距小于該至少一第一芯片與該至少一第二芯片的厚度總和。
8.如權利要求4所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，在垂直于該延伸方向的厚度方向上，該至少一第一芯片的該第一主動面與該至少一第二芯片的該第二主動面之間具有間距，且該間距不小于該至少一第一芯片與該至少一第二芯片中厚度較大者。
9.如權利要求1所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，更包括封裝膠體，分別填充于該至少一第一芯片及該至少一第二芯片與該可撓性基板之間。
10.如權利要求1所述的多芯片卷帶封裝結構，其特征在于，該可撓性基板被彎折后通過該多個第二引腳分別電性連接第一外部元件及第二外部元件，其中連接該第一外部元件與該第二外部元件的該多個第二引腳分別位于該延伸部與該反轉部。
【文檔編號】H01L23/498GK104517950SQ201310753191
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權日:2013年9月30日
【發(fā)明者】陳崇龍, 李明勛 申請人:南茂科技股份有限公司