陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，能夠提高開(kāi)口率，并改善柵線因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。本發(fā)明提供的陣列基板，包括：基板，設(shè)置在基板上的公共電極，還包括：柵線；與所述柵線同層，且平行于所述柵線設(shè)置的公共電極線；所述柵線包括：多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，所述獨(dú)立部分通過(guò)搭橋相互連接；所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處直接與所述公共電極電連接。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)(Advanced-SuperDimensional Switching,簡(jiǎn)稱(chēng):ADS)通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD畫(huà)面品質(zhì)，具有高透過(guò)率、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]ADS模式顯示裝置由彩膜基板和ADS陣列基板對(duì)盒而成，如圖1所示，ADS陣列基板包括:基板，設(shè)置在基板上的薄膜晶體管、像素電極11和公共電極12，像素電極11在上為狹縫電極，公共電極12在下為板式電極。制備時(shí)，源漏金屬層形成薄膜晶體管的源/漏極172以及數(shù)據(jù)線171 ;柵金屬層形成柵線13 (柵線13的一部分充當(dāng)薄膜晶體管的柵極)和公共電極線14，同時(shí)還需形成柵連接區(qū)141 (Gate pad)，然后利用第二透明導(dǎo)電層(2ndΙΤ0，用以形成像素電極11)形成連接線15。連接線15在柵連接區(qū)141 (Gate pad)通過(guò)過(guò)孔16將公共電極線14和公共電極12電連接。公共電極線14與柵線13設(shè)置在不同層，會(huì)增加工序，但是設(shè)置在同一層，公共電極線14以及柵連接區(qū)141 (Gate pad)的存在會(huì)導(dǎo)致開(kāi)口率減少；另外，公共電極線14與公共電極12連接時(shí)存在過(guò)孔，會(huì)使得柵線的連接電阻會(huì)增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可提高開(kāi)口率，并改善柵線因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]—方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:基板，設(shè)置在基板上的公共電極，還包括:
[0007]柵線；與所述柵線同層，且平行于所述柵線設(shè)置的公共電極線；
[0008]所述柵線包括:多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，所述獨(dú)立部分通過(guò)搭橋相互連接；所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處直接與所述公共電極電連接。
[0009]優(yōu)選地，所述公共電極線上折，且，所述公共電極線的上折部分位于所述柵線的間斷處。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:薄膜晶體管；所述搭橋與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設(shè)置。
[0011]可選地，所述搭橋與所述像素電極同層設(shè)置，或者，所述搭橋與所述公共電極同層設(shè)置。[0012]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括:隔著絕緣層重疊在所述獨(dú)立部分上方的并聯(lián)線，且，
[0013]所述并聯(lián)線的兩端分別與所述獨(dú)立部分電連接。
[0014]可選地，所述陣列基板還包括:薄膜晶體；所述并聯(lián)線與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設(shè)置。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括所述的任一陣列基板。
[0016]另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0017]S1、柵金屬層制程，形成柵極、柵線和公共電極線；
[0018]S2、薄膜晶體管制程，形成薄膜晶體管的柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，以及數(shù)據(jù)線；
[0019]S3、形成公共電極的制程，所述公共電極與所述公共電極線電連接；
[0020]S4、形成鈍化保護(hù)層的制程；
[0021]S5、形成像素電極的制程；
[0022]步驟SI中形成的所述柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，步驟SI中形成的所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處延伸至所述公共電極的預(yù)設(shè)位置；
[0023]步驟S2中或者步驟S5中還形成搭橋，步驟SI中形成的獨(dú)立部分通過(guò)搭橋相互連接；當(dāng)采用在步驟S2中形成搭橋時(shí)，步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上，形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時(shí)，還同步在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接；當(dāng)采用在步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S5具體為:
[0024]形成透明導(dǎo)電膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極，同時(shí)在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
[0025]具體地，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接，具體為:
[0026]所述搭橋的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
[0027]進(jìn)一步地，步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上，除形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線外，還同步在所述獨(dú)立部分的上方形成并聯(lián)線，所述并聯(lián)線的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與所述獨(dú)立部分相連接。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置，所述柵線設(shè)置成多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，再通過(guò)搭橋?qū)⑺霆?dú)立部分相互連接，這樣，公共電極線經(jīng)過(guò)柵線間斷處直接與公共電極電連接，與現(xiàn)有技術(shù)相比，省去了為連接公共電極線和公共電極而設(shè)的柵連接區(qū)(Gate pad)和過(guò)孔，因而可提高開(kāi)口率，并改善柵線因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。其中，所述柵線間斷處位于搭橋下方，特指相鄰的兩個(gè)獨(dú)立部分之間的間隙。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0030]圖1為現(xiàn)有的ADS模式陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的柵金屬層結(jié)構(gòu)示意圖一；[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的柵金屬層結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0033]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一第一種【具體實(shí)施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一第二種【具體實(shí)施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0035]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一第二種【具體實(shí)施方式】提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0036]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板制備方法流程圖。
[0037]附圖標(biāo)記
[0038]11-像素電極，12-公共電極，13-柵線，14-公共電極線，141-柵連接區(qū)，
[0039]15-連接線，16-過(guò)孔，171-數(shù)據(jù)線，172-源/漏極，152-搭橋，
[0040]131-薄膜晶體管的柵極，130-獨(dú)立部分，142-上折部分，153-并聯(lián)線。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0042]實(shí)施例一
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括:基板，設(shè)置在基板上的公共電極，還包括:柵線；以及與所述柵線同層，且平行于所述柵線設(shè)置的公共電極線；如圖2所示，所述柵線包括:多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分130，獨(dú)立部分130通過(guò)搭橋相互連接；公共電極線14經(jīng)柵線的間斷處直接與公共電極12電連接。
[0044]本實(shí)施例提供一種用于平面場(chǎng)顯示裝置的陣列基板，所述陣列基板設(shè)置有像素電極和公共電極，以及控制顯示信號(hào)加載的薄膜晶體管；就膜層結(jié)構(gòu)而言，所述陣列基板一般包括基板，設(shè)置在基板上的柵金屬層(用于形成柵線和薄膜晶體管的柵極)，柵絕緣層，半導(dǎo)體層，源漏金屬層(用于形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極和漏極)，層間絕緣層，第一透明導(dǎo)電層，鈍化保護(hù)層，第二透明導(dǎo)電層，其中，第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層分別用于形成像素電極和公共電極。
[0045]為便于理解，圖2中僅示出公共電極12和柵金屬層，本實(shí)施例所述柵金屬層包括柵線和公共電極線14，所述柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分130，獨(dú)立部分130通過(guò)搭橋(圖中未示出)相互連接；公共電極線14經(jīng)柵線的間斷處直接與公共電極12電連接。其中，獨(dú)立部分130還包括薄膜晶體管的柵極131。
[0046]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例所述柵線間斷處位于搭橋下方，特指相鄰兩個(gè)獨(dú)立部分130之間的間隙。
[0047]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例省去了為連接公共電極線和公共電極而設(shè)的柵連接區(qū)(Gate pad)和過(guò)孔，因而可提高開(kāi)口率，減小柵線的連接電阻，進(jìn)而改善因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。
[0048]優(yōu)選地，本實(shí)施例還可加大相鄰獨(dú)立部分130的間隙，同時(shí)使公共電極線14上折，如圖3所示(僅示出公共電極12和柵金屬層)，公共電極線14的上折部分分布在柵線的間斷處。具體而言，在相鄰兩個(gè)獨(dú)立部分130的間隙，部分公共電極線14向上彎折，上折部分142分出一支路與公共電極12相連，另一支路隱藏在柵線搭橋的遮擋位置，從而減小金屬走線占用面積，進(jìn)一步提聞開(kāi)口率。
[0049]可以理解的是，本發(fā)明實(shí)施例中用以連接獨(dú)立部分130組成柵線的搭橋，可以是陣列基板上本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意導(dǎo)電膜層，或新增設(shè)的專(zhuān)門(mén)用以形成所述搭橋的導(dǎo)電膜層。例如，本實(shí)施例所述搭橋可以與薄膜晶體管的源/漏極同層設(shè)置，也可以與基板上的像素電極或公共電極同層設(shè)置。所述搭橋與像素電極或公共電極同層設(shè)置時(shí)，所述搭橋?yàn)橥该鲗?dǎo)電材質(zhì)。因此，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)形成搭橋的膜層以及形成方式不做具體限定。
[0050]為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)，下面通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0051]如圖4所示，本實(shí)施例的第一種【具體實(shí)施方式】中，所述陣列基板上設(shè)置有像素電極11、公共電極12、薄膜晶體管、柵線、公共電極線14與數(shù)據(jù)線171 ;柵線與數(shù)據(jù)線171縱橫交錯(cuò)形成像素區(qū)域，像素電極11和公共電極12設(shè)置在像素區(qū)域，薄膜晶體管設(shè)置在柵線與數(shù)據(jù)線171的交叉位置。
[0052]其中，柵線如圖3所示包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分130，由柵金屬層形成，獨(dú)立部分130通過(guò)搭橋152相互連接形成可導(dǎo)通的柵線，如圖4所示，其中搭橋152與薄膜晶體管的源/漏極172同層設(shè)置。公共電極線14與柵線平行設(shè)置，且部分公共電極線14上折，上折部分142分出一支路與公共電極12直接相連，另一支路隱藏在搭橋152的遮擋位置。
[0053]如圖5所示，本實(shí)施例的第二種【具體實(shí)施方式】中，所述柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分130 (獨(dú)立部分130可參考圖2所示)，獨(dú)立部分130通過(guò)搭橋152相互連接，搭橋152與像素電極11同層設(shè)置。公共電極線14與柵線平行設(shè)置，且公共電極線14通過(guò)搭橋152下方的柵線間斷處與公共電極12直接相連。
[0054]進(jìn)一步，如圖6所示，本實(shí)施方式中所述陣列基板還可包括:隔著絕緣層重疊在獨(dú)立部分130上方的并聯(lián)線153，且，并聯(lián)線153的兩端分別與獨(dú)立部分130電連接。優(yōu)選的，并聯(lián)線153的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與獨(dú)立部分130相連接。
[0055]獨(dú)立部分130通過(guò)搭橋152相互連接形成可導(dǎo)通的柵線，為降低柵線電阻(主要是降低因ITO搭橋增加的柵線電阻)，避免柵信號(hào)延遲，在部分(或全部)獨(dú)立部分130的上方隔著絕緣層設(shè)置一并聯(lián)線153，且，并聯(lián)線153兩端通過(guò)過(guò)孔連接在獨(dú)立部分130上，即并聯(lián)線153與獨(dú)立部分130并聯(lián)。
[0056]其中，搭橋152、并聯(lián)線153可分別通過(guò)獨(dú)立設(shè)置的過(guò)孔按上述要求與獨(dú)立部分130連接，當(dāng)然也可以共用過(guò)孔。優(yōu)選地，如圖6所示，每個(gè)獨(dú)立部分130上只需設(shè)置兩個(gè)過(guò)孔，搭橋152、并聯(lián)線153和獨(dú)立部分130在過(guò)孔處實(shí)現(xiàn)電連接。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例將柵線設(shè)置成間斷分布的獨(dú)立部分，公共電極線通過(guò)柵線間斷處直接連接至公共電極，省去了為連接公共電極線和公共電極而設(shè)的柵連接區(qū)(Gate pad)和過(guò)孔，因而可提高開(kāi)口率，減小柵線的連接電阻，進(jìn)而改善因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。另一方面，本實(shí)施例通過(guò)獨(dú)立部分加搭橋的連接方式形成柵線，為避免柵線電阻增加，又在獨(dú)立部分130上方隔著絕緣層設(shè)置并聯(lián)線153，并聯(lián)線153與獨(dú)立部分130并聯(lián)，可降低柵線電阻，改善因柵線電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。
[0058]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例所述陣列基板雖然以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管為例，但對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管同樣適用，對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇上方或下方的導(dǎo)電層(一般為金屬層或電極層)形成搭橋。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可提高開(kāi)口率，并改善柵線因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲，從而獲得更高的顯示品質(zhì)。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件
[0060]實(shí)施例二
[0061]另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，如圖7所示，該方法包括:
[0062]S1、柵金屬層制程，形成柵極、柵線和公共電極線；其中，本步驟中形成的柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，形成的所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處延伸至公共電極的預(yù)設(shè)位置；
[0063]S2、薄膜晶體管制程，形成薄膜晶體管的柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，以及數(shù)據(jù)線；其中，本步驟中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上，形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時(shí)，還同步在獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
[0064]S3、形成公共電極的制程，所述公共電極與所述公共電極線電連接；
[0065]S4、形成鈍化保護(hù)層的制程；
[0066]S5、形成像素電極的制程；
[0067]本實(shí)施例所述陣列基板制備方法，步驟SI中柵金屬層的圖形與現(xiàn)有技術(shù)存在差另|J，步驟SI中形成的柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，形成的公共電極線經(jīng)柵線的間斷處延伸至公共電極的預(yù)設(shè)位置；步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時(shí)，還同步在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接，除此之外，其余步驟與現(xiàn)有技術(shù)大致類(lèi)似，在此不再贅述。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例所述陣列基板制備方法，省去了為連接公共電極線和公共電極而設(shè)的柵連接區(qū)(Gate pad)和過(guò)孔，因而可提高開(kāi)口率，減小柵線的連接電阻，進(jìn)而改善因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。
[0069]優(yōu)選地，步驟SI中形成的公共電極線上折，公共電極線的上折部分位于柵線的間斷處，可進(jìn)一步提高開(kāi)口率。
[0070]另外，本實(shí)施例也可以不在步驟S2中形成搭橋，而改在步驟S5中形成搭橋，當(dāng)采用在步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S5具體為:形成透明導(dǎo)電膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極，同時(shí)在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。具體實(shí)施時(shí)，所述搭橋的兩端可分別通過(guò)過(guò)孔與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
[0071]進(jìn)一步地，若步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述源漏金屬層上，除形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線外，還可同步在獨(dú)立部分的上方形成并聯(lián)線，所述并聯(lián)線的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與所述獨(dú)立部分相連接。
[0072]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法，在柵金屬層形成柵線時(shí)，只形成多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，形成的所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處延伸至公共電極的預(yù)設(shè)位置；在后續(xù)形成薄膜晶體管的源/漏極或像素電極時(shí)，再同步形成搭橋，將所述獨(dú)立部分相互連接形成柵線，這樣，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可省去為連接公共電極線和公共電極而設(shè)的柵連接區(qū)(Gate pad)和過(guò)孔，因而可提高開(kāi)口率，并改善柵線因連接電阻增加導(dǎo)致的柵信號(hào)延遲。其中，所述柵線間斷處位于搭橋下方，特指相鄰的兩個(gè)獨(dú)立部分之間的間隙。
[0073]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于方法實(shí)施例而言，由于其基本相似于設(shè)備實(shí)施例，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)設(shè)備實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0074]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:基板，設(shè)置在基板上的公共電極，其特征在于，還包括:柵線；與所述柵線同層，且平行于所述柵線設(shè)置的公共電極線； 所述柵線包括:多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，所述獨(dú)立部分通過(guò)搭橋相互連接； 所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處直接與所述公共電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線上折，且，所述公共電極線的上折部分位于所述柵線的間斷處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:薄膜晶體管； 所述搭橋與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:像素電極； 所述搭橋與所述像素電極同層設(shè)置，或者，所述搭橋與所述公共電極同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括:隔著絕緣層重疊在所述獨(dú)立部分上方的并聯(lián)線，且， 所述并聯(lián)線的兩端分別與所述獨(dú)立部分電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括:薄膜晶體管； 所述并聯(lián)線與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設(shè)置。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制備方法,包括: 51、柵金屬層制程，形成柵極、柵線和公共電極線； 52、薄膜晶體管制程，形成薄膜晶體管的柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，以及數(shù)據(jù)線.53、形成公共電極的制程，所述公共電極與所述公共電極線電連接； 54、形成鈍化保護(hù)層的制程； 55、形成像素電極的制程；其特征在于， 步驟SI中形成的所述柵線包括多個(gè)間斷分布的獨(dú)立部分，步驟SI中形成的所述公共電極線經(jīng)所述柵線的間斷處延伸至所述公共電極的預(yù)設(shè)位置； 步驟S2中或者步驟S5中還形成搭橋，步驟SI中形成的獨(dú)立部分通過(guò)搭橋相互連接；當(dāng)采用在步驟S2中形成搭橋時(shí)，步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上，形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時(shí)，還同步在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接；當(dāng)采用在步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S5具體為: 形成透明導(dǎo)電膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極，同時(shí)在所述獨(dú)立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接，具體為: 所述搭橋的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與相鄰的兩個(gè)所述獨(dú)立部分電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟S5中形成搭橋時(shí)，步驟S2中通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上，除形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線外，還同步在所述獨(dú)立部分的上方形成并聯(lián)線，所述并聯(lián)線的兩端分別通過(guò)過(guò)孔與所述獨(dú)立部分相連接。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103715202SQ201310717853
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】崔賢植, 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司