一種真空直通組件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種真空直通組件及其制造方法，所述真空直通組件包括：導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端；塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
【專利說明】一種真空直通組件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空直通(feed-through)組件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]真空直通組件用于需要在真空環(huán)境中直通電力或電流的任何系統(tǒng)或應(yīng)用中。現(xiàn)有技術(shù)的真空直通組件基于將不銹鋼管或波紋管的一端銅焊到陶瓷環(huán)的外徑，所述陶瓷環(huán)銅焊到銅棒的外徑。將這些部件連接在一起以使真空緊密接合而所需的銅焊操作十分復(fù)雜、耗時(shí)并且昂貴。此外，陶瓷環(huán)非常易碎，當(dāng)接頭承受震動(dòng)或振動(dòng)負(fù)載時(shí)，陶瓷通常斷裂或者連接失敗。
[0003]在烘箱中執(zhí)行銅焊十分昂貴且耗時(shí)，并且陶瓷十分昂貴。某些情況下，尤其是在用于低溫組件中時(shí)，如果發(fā)生移動(dòng)和側(cè)向負(fù)載，則陶瓷會(huì)斷裂并且發(fā)生故障。故障十分嚴(yán)重，因?yàn)椴辉僬婵铡Ｔ谑褂锰沾擅芊饧r(shí)發(fā)生破裂和泄漏問題是不可接受的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種真空直通組件，包括:導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端；塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
[0005]進(jìn)一步的，所述的真空直通組件包括:外殼，所述外殼具有螺紋內(nèi)徑端；以及其中所述塑料密封件包括螺紋外徑，所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端匹配，并且所述外殼容納所述塑料密封件和所述導(dǎo)體。
[0006]進(jìn)一步的，所述塑料密封件的所述螺紋外徑通過環(huán)氧樹脂粘合到所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑。
[0007]進(jìn)一步的，所述外殼包括波紋管。
[0008]進(jìn)一步的，所述波紋管包括不銹鋼波紋管。
[0009]進(jìn)一步的，所述外殼和所述波紋管包括不銹鋼。
[0010]進(jìn)一步的，所述塑料密封件包括玻璃鋼。
[0011]進(jìn)一步的，所述環(huán)氧樹脂包括陶瓷填充環(huán)氧樹脂。
[0012]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)體包括銅。
[0013]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)體包括撓性導(dǎo)體和剛性導(dǎo)體中的一者。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種制造真空直通組件的方法，所述方法包括:將環(huán)氧樹脂涂到導(dǎo)體的螺紋外徑端、塑料密封件的螺紋內(nèi)徑、所述塑料密封件的螺紋外徑以及外殼的螺紋內(nèi)徑端；將所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端與所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑螺紋接合；以及將所述塑料密封件的所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端螺紋接合。
[0015]進(jìn)一步的，所述外殼包括波紋管。
[0016]進(jìn)一步的，所述的方法包括:在所述導(dǎo)體的一端的外徑上形成螺紋以形成所述螺紋外徑端；在所述外殼的一端的內(nèi)徑上形成螺紋以形成所述螺紋內(nèi)徑端；在所述塑料密封件的內(nèi)徑上形成與所述導(dǎo)體的所述外徑端的螺紋相匹配的螺紋，以形成所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑；在所述塑料密封件的外徑上形成與所述外殼的所述內(nèi)徑端的螺紋相匹配的螺紋，以形成所述塑料密封件的所述螺紋外徑。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種用于超導(dǎo)磁體的電流引線組件，所述電流引線組件包括:真空室，所述真空室具有通孔；超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體布置在所述真空室的內(nèi)部并且具有磁體引線；以及真空直通組件，所述真空直通組件包括:導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端以及穿過所述通孔延伸到所述真空室內(nèi)的一端；塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
[0018]進(jìn)一步的，所述真空直通組件包括:外殼，所述外殼具有螺紋內(nèi)徑端；其中所述塑料密封件包括螺紋外徑，所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端匹配；以及其中所述外殼容納所述塑料密封件和所述導(dǎo)體。
[0019]進(jìn)一步的，所述塑料密封件的所述螺紋外徑通過環(huán)氧樹脂粘合到所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑。
[0020]進(jìn)一步的，所述外殼包括波紋管。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種磁共振成像MRI系統(tǒng)，包括:真空室，所述真空室包圍真空空間并且包括通孔；超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體布置在所述真空室的內(nèi)部并且具有磁體引線；以及真空直通組件，所述真空直通組件包括:導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端以及穿過所述通孔延伸到所述真空室內(nèi)的一端；塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]在參考附圖閱讀以下詳細(xì)說明后，將更好地理解本發(fā)明實(shí)施例的這些和其他特征以及方面，在附圖中，類似的符號(hào)代表所有附圖中類似的部分，其中:
[0023]圖1A-1D示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的真空直通組件的圖；
[0024]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的真空直通組件制造方法的流程圖；
[0025]圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的超導(dǎo)磁體的電流引線組件的圖；以及
[0026]圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的成像系統(tǒng)的方框圖，所述成像系統(tǒng)具有超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體包括圖1和3中所示的電流引線組件。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本說明書中公開的實(shí)施例提供了一種真空直通組件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述真空直通組件包括瓦楞(corrugated)波紋管，所述瓦楞波紋管在一端處螺紋旋入其內(nèi)徑中并且通過環(huán)氧樹脂粘合到塑料或環(huán)氧玻璃復(fù)合材料環(huán)或密封件的螺紋外徑，其中所述塑料或環(huán)氧玻璃復(fù)合材料環(huán)或密封件螺紋接合在其內(nèi)徑處并且通過環(huán)氧樹脂粘合到帶螺紋導(dǎo)體。所述瓦楞波紋管是可選的?？梢允褂貌粠鐾呃悴y管的管或外殼。所述導(dǎo)體可以是銅或者任何合適的導(dǎo)體材料。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種低成本真空直通組件，所述組件能夠通過強(qiáng)勁有力的接頭將高電流從環(huán)境壓力傳輸?shù)礁哒婵眨渲兴鼋宇^能夠承受震動(dòng)和振動(dòng)負(fù)載而不致故障或泄漏。如上所述，所述真空直通組件可以是撓性或剛性的。所述真空直通組件的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了真空環(huán)境中的電流供應(yīng)，包括在多達(dá)500安培或以上范圍的高電流。
[0028]除非另作說明，否則本說明書中所用的科技術(shù)語與所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的意義相同。本說明書中所用的術(shù)語“第一”、“第二”等并不指示任何順序、數(shù)量或重要性，而是用于區(qū)分不同元素。此外，除非另作說明，否則術(shù)語“一個(gè)”和“一種”并不指示數(shù)量限制，而是指示存在至少一個(gè)所引用項(xiàng)，并且諸如“前部”、“后部”、“下部”、“上部”和/或“端部”等術(shù)語僅用于方便說明，并不用于限制任意位置或空間方向。此外，術(shù)語“連接”和“連通”并不用于區(qū)分兩個(gè)部件之間的直接或間隔連接/連通。相反，除非另作說明，否則此類部件可以直接或間隔連接/連通。
[0029]參考圖1A-1D，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的真空直通組件的圖。如圖1A所示，真空直通組件I包括導(dǎo)體2、塑料密封件3和外殼4。導(dǎo)體2、塑料密封件3和外殼4可以具有任何合適的形狀。在圖示的示例性實(shí)施例中，導(dǎo)體2、塑料密封件3和外殼4為圓柱形。外殼4容納導(dǎo)體2和塑料密封件3。導(dǎo)體2可以是銅或者任何合適的導(dǎo)電材料。例如，塑料密封件3可以是塑料，例如GlO ;環(huán)氧玻璃復(fù)合材料；或者增強(qiáng)塑料，例如陶瓷增強(qiáng)塑料。在本說明書中公開的實(shí)施例中，外殼4是不銹鋼并且包括瓦楞不銹鋼波紋管5。但是，外殼4也可以是剛性的并且由其他合適的材料制成。
[0030]導(dǎo)體2的端2a的外徑(即外直徑)包括螺紋6，用于形成導(dǎo)體2的帶螺紋端，如圖1B所示。參見圖1C，塑料密封件3包括螺紋內(nèi)徑(即內(nèi)直徑)7，所述螺紋內(nèi)徑具有與導(dǎo)體2的螺紋外徑端2a的螺紋6匹配的螺紋。塑料密封件3的外徑包括螺紋8。外殼4的端4a的內(nèi)徑包括螺紋9，如圖1D所示。塑料密封件3的外徑的螺紋8與外殼4的內(nèi)徑的螺紋9匹配。帶螺紋組件通過環(huán)氧樹脂粘合以形成環(huán)氧化螺紋10，如圖1A所示。
[0031]根據(jù)本說明書中所述的實(shí)施例，塑料密封件十分強(qiáng)勁，并且保護(hù)真空直通組件免于出現(xiàn)任何破裂或結(jié)構(gòu)故障。此外，所述塑料密封件具有一些靈活性，因此能夠承受震動(dòng)、振動(dòng)和負(fù)載而不致斷裂。此外，所述塑料密封件的成本效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)組件中的陶瓷密封件。本發(fā)明的實(shí)施例通過提供一種低成本、強(qiáng)勁且抗故障的密封件和真空直通組件對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出了改進(jìn)。根據(jù)本說明書中所公開的實(shí)施例，具有或不具有波紋管5的外殼4上具有螺紋，導(dǎo)體2上具有螺紋，并且塑料密封件3也具有螺紋，所述螺紋經(jīng)過環(huán)氧化以形成所述組件。環(huán)氧樹脂置于螺紋6、7、8和9上，所述螺紋接合并固化以形成真空直通組件I。大多數(shù)環(huán)氧樹脂可以在環(huán)境溫度和合理時(shí)間內(nèi)固化。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的真空直通可以應(yīng)用于將電流輸送過真空接口和/或溫度非常低的接口的任何應(yīng)用或裝置中。
[0032]圖2是示出示例性真空直通組件制造方法的流程圖。在步驟SI中，將環(huán)氧樹脂施加到導(dǎo)體2的螺紋外徑端(即“帶螺紋外直徑端”)2a上、塑料密封件3的螺紋內(nèi)徑(即“帶螺紋內(nèi)直徑”)7上、塑料密封件3的螺紋外徑(即“帶螺紋外直徑”)8上以及外殼的螺紋內(nèi)徑端(即“帶螺紋內(nèi)直徑端”)4a上。在步驟S2中，導(dǎo)體2的螺紋外徑端2a與塑料密封件3的螺紋內(nèi)徑7螺紋接合。在步驟S3中，塑料密封件3的螺紋外徑8與外殼4的螺紋內(nèi)徑端4a螺紋接合。
[0033]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的超導(dǎo)磁體的電流引線組件中的真空直通組件I的一個(gè)實(shí)施例的圖。盡管電流引線組件包括兩個(gè)用于操作的可伸縮電流引線，但是為便于說明，將只描述可伸縮電流引線組件的一側(cè)。真空室12容納超導(dǎo)磁體14、通過低溫冷卻機(jī)(未圖示)冷卻的熱屏障16以及電流引線組件11。超導(dǎo)磁體14通常冷卻到約4K的溫度，而熱屏障通常冷卻到約50K的溫度。但是，實(shí)施例并不限于這些示例性溫度，也可以使用其他溫度。
[0034]電流引線組件11包括可伸縮電流引線或?qū)w2，所述可伸縮電流引線或?qū)w通過真空室12中的通孔20延伸到真空室12中?？缮炜s電流引線18通過緊固件24固定到蓋22。可伸縮電流引線2包括可伸縮觸點(diǎn)17。提供了致動(dòng)器組件26，以便以可伸縮方式接合和脫離所述可伸縮觸點(diǎn)?？缮炜s電流引線2和可伸縮觸點(diǎn)17可以形成一體(如圖所示)，或者分割成多個(gè)部分，例如致動(dòng)桿和觸點(diǎn)部分。致動(dòng)器組件26可以根據(jù)多種技術(shù)進(jìn)行布置，以使可伸縮電流引線2能夠以可伸縮方式延伸到真空室12中。在圖3所示的實(shí)施例中，致動(dòng)器組件26包括連接到緊固件24的支撐桿25和螺釘27。螺釘27使可伸縮電流引線2能夠接合和脫離可伸縮觸點(diǎn)17。真空直通組件I包括可伸縮電流引線2、塑料密封件3和波紋管5。
[0035]電流引線組件11還包括布置在真空室12內(nèi)的電流觸點(diǎn)32。電流觸點(diǎn)32通過熱連接器36連接到磁體引線34。接納熱連接器36的熱力站35通過電氣絕緣層37固定(例如，螺栓連接)到熱屏障16。電氣絕緣層37具有高導(dǎo)熱性，以便熱力站的溫度接近熱屏障16的溫度。電氣絕緣層37的材料實(shí)例包括具有真空潤滑脂的卡普頓材料或者玻璃充填的環(huán)氧樹脂。也可以使用其他合適的材料。電流觸點(diǎn)32通過熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38支撐在真空室12內(nèi)。熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38由提供熱絕緣的材料支撐，同時(shí)具有足夠的強(qiáng)度以支撐電流觸點(diǎn)32并承受連接時(shí)的高負(fù)載。此類材料的實(shí)例包括具有環(huán)氧樹脂的玻璃纖維、諸如GlO的塑料絕緣體或者其他合適的材料。熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38在可伸縮觸點(diǎn)17縮回時(shí)提供電流觸點(diǎn)32與環(huán)境溫度之間的熱絕緣，以便電流觸點(diǎn)32的溫度與熱屏障16的溫度大致相同。因此，當(dāng)可伸縮電流引線2與電流觸點(diǎn)32之間的接觸或連接斷開時(shí)，電流觸點(diǎn)32、熱連接器36和熱屏障16全部維持在約50K，在環(huán)境溫度與真空容器熱絕緣。
[0036]熱連接器36經(jīng)過選擇以將可伸縮觸點(diǎn)17與電流觸點(diǎn)32連接以向磁體供電而形成的超導(dǎo)磁體14的熱負(fù)載降至最小，即使是在500安培到1000安培及以上的供電電流情形下。具體來說，熱連接器36的特性，例如材料、長度、直徑、面積長度比，經(jīng)過選擇以將導(dǎo)熱性降至最低。例如，熱連接器36可以是銅或銅纜或電線，并且可以是剛性或撓性的。熱連接器36使得能夠以最小熱負(fù)載在環(huán)境溫度連接到電源，或者轉(zhuǎn)換到低溫或超導(dǎo)磁體14的超導(dǎo)溫度。
[0037]較高的電流對(duì)超導(dǎo)磁體有益，因?yàn)橄鄬?duì)于用于制造超導(dǎo)線圈的較小線材而言，較大的超導(dǎo)線材在人力和材料方面的成本效益更高。具體來說，用于較高電流的較大線材的每安培米的單位成本小于較小線材，所述較小線材通常用于較低電流，例如100安培到200安培。此外，磁體線圈繞組所需的匝數(shù)較少。迄今為止，這些較高電流在氦蒸汽或浴環(huán)境而非在真空環(huán)境中供應(yīng)到超導(dǎo)磁體。本說明書中公開的實(shí)施例能夠通過將至磁體的熱負(fù)載降至最低而在真空環(huán)境中對(duì)超導(dǎo)磁體使用高電流。
[0038]此外，現(xiàn)有技術(shù)傳導(dǎo)性冷卻超導(dǎo)磁體中的電流引線組件在低溫接通。在諸如50° K及以下的低溫接通可能導(dǎo)致高阻抗和高熱負(fù)載，因?yàn)殡y以實(shí)現(xiàn)良好接通，這是因?yàn)橛捎谟|點(diǎn)溫度極低、堅(jiān)硬、受污染以及不符合要求，因此難以建立電接觸。在本說明書中所公開的實(shí)施例中，磁體在環(huán)境溫度與電源電接觸，以便能夠通過在觸點(diǎn)處施加壓力而建立具有清潔觸點(diǎn)和極低接觸電阻的非常良好的電接觸。
[0039]具體來說，熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38提供的熱絕緣使電流觸點(diǎn)32能夠在電流引線2縮回時(shí)維持在約50K的低溫，或者在電流引線2的電流觸點(diǎn)17與觸點(diǎn)32接合時(shí)維持在環(huán)境溫度。此外，熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38足夠強(qiáng)勁以便向接觸區(qū)域施加高負(fù)載。當(dāng)可伸縮電流引線2脫離電流觸點(diǎn)32時(shí)，電流觸點(diǎn)32是冷的，因?yàn)槠渫ㄟ^熱連接器36和磁體引線34連接到磁體14。但是每次在可伸縮電流引線2與電流觸點(diǎn)32之間建立接通時(shí)，電路觸電32的溫度升高到環(huán)境溫度以便實(shí)現(xiàn)良好的電接通并且開始傳導(dǎo)熱量和電力。在環(huán)境溫度，可由電流觸點(diǎn)32上的冷凍除氣材料形成的任何污染將隨著電流觸點(diǎn)32在與可伸縮電流引線2接觸后溫度升高而消失。熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38基本上避免任何熱負(fù)載進(jìn)入真空室12的低溫區(qū)15內(nèi)。當(dāng)可伸縮電流引線2與電流觸點(diǎn)32之間的接觸斷裂時(shí)，熱絕緣支撐結(jié)構(gòu)38維持電流觸點(diǎn)32的位置并且電流觸點(diǎn)32再次冷卻到低溫。此布置使可伸縮電流引線2和電流觸點(diǎn)32能夠接合和脫離，而不影響其性質(zhì)，因?yàn)榻佑|在環(huán)境溫度發(fā)生。
[0040]參見圖4，磁共振成像系統(tǒng)圖示為包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的真空直通組件。MRI系統(tǒng)通常使用超導(dǎo)磁體，通常具有多個(gè)線圈以產(chǎn)生均勻的磁場。在MRI系統(tǒng)中運(yùn)行的示例性超導(dǎo)磁體系統(tǒng)需要超導(dǎo)磁體偶然斜升(ramp)以將磁體用于MRI系統(tǒng)中。超導(dǎo)磁體斜升后，用于磁體斜升的電流供應(yīng)斷開連接，并且在進(jìn)一步磁體斜升之前不再需要使用，例如，在計(jì)劃服務(wù)、磁體失磁(quench)等之后將超導(dǎo)磁體去磁或者超導(dǎo)磁體再磁化。
[0041]圖2中所示的MRI系統(tǒng)50的操作由操作員控制臺(tái)52控制，所述操作員控制臺(tái)包括鍵盤或其他輸入裝置54、控制板56和顯示屏58?？刂婆_(tái)52通過鏈路60與單獨(dú)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)62通信，以使操作員控制圖像的產(chǎn)生并在顯示屏58上控制圖像的顯示。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)62包括多個(gè)模塊，所述模塊通過背板62a而彼此通信。這些包括圖像處理器模塊64、CPU模塊66和存儲(chǔ)器模塊68，在所屬領(lǐng)域中稱為幀緩沖器，以用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)陣列。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)62連接到磁盤存儲(chǔ)器70和可移動(dòng)存儲(chǔ)器72，以用于儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)和程序，并且通過高速串行鏈路76與單獨(dú)的系統(tǒng)控制器74通信。輸入裝置54可以包括鼠標(biāo)、操縱桿、鍵盤、跟蹤球、觸摸激活屏幕、光棒、語言控制或者任何類型或等效的輸入裝置，并且可用于交互性幾何結(jié)構(gòu)。
[0042]系統(tǒng)控制器74包括通過背板74a連接在一起的一組模塊。這些包括CPU模塊76和脈沖發(fā)生器模塊78，所述脈沖發(fā)生器模塊通過串行鏈路80連接到操作員控制臺(tái)52。系統(tǒng)控制器74通過鏈路80從操作員接收指示要執(zhí)行的掃描序列的命令。脈沖發(fā)生器模塊78操作系統(tǒng)部件執(zhí)行所需的掃描序列并且產(chǎn)生數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)指示所產(chǎn)生的射頻脈沖的定時(shí)、強(qiáng)度和形狀，以及數(shù)據(jù)采集窗的定時(shí)和長度。脈沖發(fā)生器模塊78連接到一組梯度放大器82，以指示在掃描期間產(chǎn)生的梯度脈沖的定時(shí)和形狀。脈沖發(fā)生器模塊78還可以從生理采集控制器84接收患者數(shù)據(jù)，所述生理采集控制器從連接到患者的多個(gè)不同傳感器接收信號(hào)，例如來自連接到患者的電極的ECG信號(hào)。最后，脈沖發(fā)生器模塊78連接到掃描室接口電路86，所述掃描室接口電路從與患者和磁體系統(tǒng)的條件相關(guān)的多個(gè)傳感器接收信號(hào)。患者定位系統(tǒng)88通過掃描室接口電路86接收將患者移動(dòng)到所需掃描位置的命令。
[0043]脈沖發(fā)生器模塊78產(chǎn)生的梯度波形應(yīng)用到梯度放大器系統(tǒng)82，所述梯度放大器系統(tǒng)具有Gx、Gy和Gz放大器。每個(gè)梯度放大器激勵(lì)梯度線圈組件90內(nèi)的相應(yīng)物理梯度線圈，以產(chǎn)生用于空間編碼采集信號(hào)的磁場梯度。梯度線圈組件90形成磁體組件92的一部分，所述磁體組件包括極化磁體94和整體射頻線圈96。系統(tǒng)控制器74中的收發(fā)器模塊98產(chǎn)生脈沖，所述脈沖通過射頻放大器100放大并且通過收發(fā)開關(guān)102連接到射頻線圈96。從患者內(nèi)的激發(fā)細(xì)胞核發(fā)出的信號(hào)可以由相同的射頻線圈96感測并且通過收發(fā)開關(guān)102連接到前置放大器104。放大的MR信號(hào)在收發(fā)器98的接收器部分中解調(diào)、過濾和數(shù)字化。收發(fā)開關(guān)102受從脈沖發(fā)生器模塊78發(fā)出的信號(hào)控制，以在發(fā)射模式期間將射頻放大器100電連接到線圈96并且在接收模式期間將前置放大器104連接到線圈96。收發(fā)開關(guān)102還可以使單獨(dú)的射頻線圈(例如，表面線圈)能夠同時(shí)用于發(fā)射或接收模式中。
[0044]射頻線圈96采集的MR信號(hào)通過收發(fā)器模塊98數(shù)字化并且傳輸?shù)较到y(tǒng)控制器74中的存儲(chǔ)器模塊106。當(dāng)存儲(chǔ)器模塊106中采集到原始K空間數(shù)據(jù)時(shí)，掃描完成。所述原始K空間數(shù)據(jù)將針對(duì)要重構(gòu)的每幅圖像重構(gòu)成單獨(dú)的K空間數(shù)據(jù)，并且每個(gè)數(shù)據(jù)輸入到陣列處理器108中，所述陣列處理器操作性地將數(shù)據(jù)傅里葉變換成圖像數(shù)據(jù)陣列。所述圖像數(shù)據(jù)通過串行鏈路76傳輸?shù)接?jì)算機(jī)系統(tǒng)62中，并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，例如磁盤存儲(chǔ)器70中。響應(yīng)于從操作員控制臺(tái)52接收的命令，所述圖像數(shù)據(jù)可以存檔在長期存儲(chǔ)器中，例如可移動(dòng)存儲(chǔ)器72上，或者可以由圖像處理器64進(jìn)一步處理，并且傳輸?shù)讲僮鲉T控制臺(tái)52并且呈現(xiàn)在顯示器58上。
[0045]盡管本發(fā)明只有特定特征已在本說明書中圖示和描述，但是所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員將看出許多修改和變化。因此，應(yīng)了解，隨附的權(quán)利要求書旨在涵蓋在本發(fā)明實(shí)際精神內(nèi)的所有此類修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種真空直通組件，包括: 導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端； 塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及 環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空直通組件，進(jìn)一步包括: 外殼，所述外殼具有螺紋內(nèi)徑端；以及 其中所述塑料密封件進(jìn)一步包括螺紋外徑，所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端匹配，并且所述外殼容納所述塑料密封件和所述導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空直通組件，其中所述塑料密封件的所述螺紋外徑通過環(huán)氧樹脂粘合到所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空直通組件，其中所述外殼進(jìn)一步包括波紋管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空直通組件，其中所述波紋管包括不銹鋼波紋管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空直通組件，其中所述外殼和所述波紋管包括不銹鋼。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空直通組件，其中所述塑料密封件包括玻璃鋼。
8.根據(jù)權(quán)利要求`1所述的真空直通組件，其中所述環(huán)氧樹脂包括陶瓷填充環(huán)氧樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空直通組件，其中所述導(dǎo)體包括銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空直通組件，其中所述導(dǎo)體包括撓性導(dǎo)體和剛性導(dǎo)體中的一者。
11.一種制造真空直通組件的方法，所述方法包括: 將環(huán)氧樹脂涂到導(dǎo)體的螺紋外徑端、塑料密封件的螺紋內(nèi)徑、所述塑料密封件的螺紋外徑以及外殼的螺紋內(nèi)徑端； 將所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端與所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑螺紋接合；以及 將所述塑料密封件的所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端螺紋接合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述外殼包括波紋管。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括: 在所述導(dǎo)體的一端的外徑上形成螺紋以形成所述螺紋外徑端； 在所述外殼的一端的內(nèi)徑上形成螺紋以形成所述螺紋內(nèi)徑端； 在所述塑料密封件的內(nèi)徑上形成與所述導(dǎo)體的所述外徑端的螺紋相匹配的螺紋，以形成所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑； 在所述塑料密封件的外徑上形成與所述外殼的所述內(nèi)徑端的螺紋相匹配的螺紋，以形成所述塑料密封件的所述螺紋外徑。
14.一種用于超導(dǎo)磁體的電流引線組件，所述電流引線組件包括: 真空室，所述真空室具有通孔； 超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體布置在所述真空室的內(nèi)部并且具有磁體引線；以及 真空直通組件，所述真空直通組件包括: 導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端以及穿過所述通孔延伸到所述真空室內(nèi)的一端； 塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及 環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電流引線組件，其中所述真空直通組件進(jìn)一步包括: 外殼，所述外殼具有螺紋內(nèi)徑端； 其中所述塑料密封件進(jìn)一步包括螺紋外徑，所述螺紋外徑與所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑端匹配；以及 其中所述外殼容納所述塑料密封件和所述導(dǎo)體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電流引線組件，其中所述塑料密封件的所述螺紋外徑通過環(huán)氧樹脂粘合到所述外殼的所述螺紋內(nèi)徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電流引線組件，其中所述外殼進(jìn)一步包括波紋管。
18.一種磁共振成像MRI系統(tǒng)，包括: 真空室，所述真空室包圍真空空間并且包括通孔； 超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體布置在所述真空室的內(nèi)部并且具有磁體引線；以及 真空直通組件，所述真空直通組件包括: 導(dǎo)體，所述導(dǎo)體具有螺紋外徑端以及穿過所述通孔延伸到所述真空室內(nèi)的一端； 塑料密封件，所述塑料密封件具有螺紋內(nèi)徑，所述螺紋內(nèi)徑與所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端匹配；以及 環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂將所述塑料密封件的所述螺紋內(nèi)徑粘合到所述導(dǎo)體的所述螺紋外徑端。
【文檔編號(hào)】H01R13/52GK103872505SQ201310685049
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】E.T.拉斯卡里斯, G.孔特, S.邁恩 申請(qǐng)人:通用電氣公司