顯示裝置、陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，該陣列基板包括設(shè)置于其上的第一透明電極層和第二透明電極層，該第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，該第二透明電極層位于兩相鄰該條狀電極之間形成的間隙下方均設(shè)置有第一凸起，且各該條狀電極與各該第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各該條狀電極邊緣與該第二透明電極層形成的邊緣電場向該條狀電極邊緣側(cè)偏移。本發(fā)明可以有效的限定亞像素單元的邊緣電場作用范圍，即使在彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移的情況下，也不會對相鄰的亞像素造成影響，因此可以有效降低兩個相鄰的亞像素混色的風(fēng)險。
【專利說明】顯示裝置、陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)按照顯示模式主要分為TN(Twist Nematic,旋轉(zhuǎn)向列)、VA(VerticalAlign，垂直取向)、IPS(In Plane Switch，橫向電場)模式等，其中后兩者為目前主流的寬視角技術(shù)，基本解決了 TN模式視角較窄和灰階反轉(zhuǎn)嚴(yán)重的問題。
[0003]ADSDS (Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))技術(shù)通過在同一平面內(nèi)狹縫像素電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫像素電極層與板狀公共電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(Push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]隨著產(chǎn)品分辨率的不斷提高，像素的尺寸越來越小，對于像素開口率要求也不斷提高，所以黑矩陣寬度盡可能減?。煌瑫r由于ADSDS產(chǎn)品的公共電極一般為銦錫氧化物ITO(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)制作，其中ITO電阻較高，為了減小RC延遲并增加存儲電容，在設(shè)計(jì)公共電極時會盡可能增加公共電極的面積，一般地ITO和數(shù)據(jù)線會完全重疊設(shè)計(jì)。
[0005]如圖1和圖2所示，現(xiàn)有高分辨率的ADSDS產(chǎn)品包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板上設(shè)置有第一層ITO作為公共電極14’，第二層ITO作為像素電極16’、公共電極14’和像素電極16’之間的絕緣層15’和金屬數(shù)據(jù)線12’，彩膜基板上設(shè)置有多個黑矩陣22’、多個亞像素單元231’ /232’和有機(jī)平坦層24’，各亞像素單元通常分為紅、綠和藍(lán)三種顏色的亞像素單元，各亞像素單元231’和232’之間設(shè)置有黑矩陣22’，且黑矩陣22’位于數(shù)據(jù)線12’上方。
[0006]圖2為圖1所示產(chǎn)品A-B方向的截面示意圖，其中，有機(jī)平坦層13’、黑矩陣22’、亞像素單元231’和232’、有機(jī)平坦層24’均可以采用樹脂材料制作，絕緣層15’可以采用氮化硅材料制作，液晶層31’位于陣列基板和彩膜基板中間，無電場作用時，液晶層31’中的液晶分子無偏轉(zhuǎn)，顯示面板無出射光呈黑態(tài)，當(dāng)對亞像素加載數(shù)據(jù)電壓時，ITO像素電極和ITO公共電極產(chǎn)生邊緣電場32’，位于邊緣電場32’的作用區(qū)域內(nèi)的液晶分子會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，入射背光11’通過Panel的彩膜基板一側(cè)形成出射光21’。
[0007]如圖3所示，由于高分辨率產(chǎn)品黑矩陣寬度一般都小于6.0 μ m，黑矩陣和數(shù)據(jù)線的重疊寬度較小，如果彩膜基板和陣列基板對盒向一側(cè)發(fā)生輕微偏移時，像素ITO和公共ITO形成的邊緣電場范圍會接近甚至超出黑矩陣另一側(cè)，即液晶層偏轉(zhuǎn)的范圍會接近甚至超出黑矩陣另一側(cè)，當(dāng)IXD單獨(dú)顯示紅、綠、藍(lán)畫面，即對第一個亞像素單元231’加載數(shù)據(jù)電壓，相鄰亞像素單元232’不加載電壓，則除第一個亞像素單元231’的出射光21’以外，在靠近相鄰亞像素單元232’的黑矩陣一側(cè)會有較輕微的出射光25’，因此會導(dǎo)致第一個亞像素單元231’的單色出射光(如紅)與相鄰亞像素單元232’的出射單色光(如綠)發(fā)生混色(如黃色)，且該問題在側(cè)視角情況下會更加嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](一)要解決的技術(shù)問題
[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何降低由于彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移而造成的亞像素混色風(fēng)險。
[0010](二)技術(shù)方案
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括設(shè)置于其上的第一透明電極層和第二透明電極層，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，所述第二透明電極層位于兩相鄰所述條狀電極之間形成的間隙下方均設(shè)置有第一凸起，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一透明電極層為像素電極層，所述第二透明電極層為公共電極層。
[0013]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層下方的有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層上與各所述第一凸起相對應(yīng)的位置均設(shè)置有第二凸起。
[0014]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，所述絕緣層與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)的位置均向上翅起。
[0015]進(jìn)一步地，所述第一凸起的截面輪廓呈三角形或拋物線形。
[0016]進(jìn)一步地，所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度小于90度。
[0017]進(jìn)一步地，所述第一凸起的寬度為3.0?6.0 μ m，所述第一凸起的高度為2.0?4.0 μ m0
[0018]進(jìn)一步地,所述條狀電極的向上翅起的邊緣部分寬度為2.0?3.0 μ m,所述邊緣部分向上翹起的高度為2.0?3.0 μ m。
[0019]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有多個黑矩陣和多個亞像素單元，各所述所述亞像素單元間隔設(shè)置于所述黑矩陣之間，還包括如上述任意一種的陣列基板，各所述亞像素單元之間的黑矩陣與所述陣列基板中第二透明電極層上設(shè)置的凸起的位置相對應(yīng)。
[0020]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0021]在基板上沉積導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明電極層和第二透明電極層的圖形，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，每兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方的第二透明電極層均設(shè)置第一凸起，且各所述條狀電極與各所述凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。
[0022]進(jìn)一步地，所述步驟包括:
[0023]在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起；
[0024]在完成前述步驟的基板上沉積第二導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括各所述條狀電極的圖形，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起。
[0025]進(jìn)一步地，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之前還包括:
[0026]在基板上沉積第一絕緣薄膜層以作為有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層位于所述第二透明電極層下方，且所述有機(jī)平坦層上設(shè)置有多個第二凸起，各所述第二凸起與各所述第一凸起位置相對應(yīng)。
[0027]進(jìn)一步地，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之后還包括；
[0028]在完成沉積第一導(dǎo)電薄膜層的基板上沉積第二絕緣薄膜層以作為所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，且所述絕緣層上設(shè)置有多個翹起部分，各所述翹起部分與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)。
[0029]進(jìn)一步地，所述第一凸起的截面輪廓呈三角形或拋物線形。
[0030]進(jìn)一步地，所述條狀像電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度小于90度。
[0031](三)有益效果
[0032]本發(fā)明通過在第二透明電極層位于兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方設(shè)置第一凸起，且將條狀電極與第一凸起對應(yīng)的邊緣設(shè)置為向上翹起的形狀，從而使該條狀電極邊緣與第二透明電極層形成的邊緣電場向該條狀電極邊緣側(cè)偏移，有效的限定亞像素的邊緣電場作用范圍，即使在彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移的情況下，也不會對相鄰的亞像素造成影響，因此可以有效降低兩個相鄰的亞像素混色的風(fēng)險。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的俯視圖；
[0034]圖2是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的截面圖；
[0035]圖3是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板對盒偏移時的截面圖；
[0036]圖4是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的截面圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板對盒偏移時的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0039]本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括設(shè)置于其上的第一透明電極層和第二透明電極層，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，所述第二透明電極層位于兩相鄰所述條狀電極之間形成的間隙下方均設(shè)置有第一凸起，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。[0040]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，通過在第二透明電極層位于兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方設(shè)置第一凸起，且將條狀電極與第一凸起對應(yīng)的邊緣設(shè)置為向上翹起的形狀，從而使該條狀電極邊緣與第二透明電極層形成的邊緣電場向該條狀電極邊緣側(cè)偏移，有效的限定亞像素的邊緣電場作用范圍，即使在彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移的情況下，也不會對相鄰的亞像素造成影響，因此可以有效降低兩個相鄰的亞像素混色的風(fēng)險。
[0041]其中，所述第一透明電極層可以為像素電極層，所述第二透明電極層可以為公共電極層。
[0042]具體地，上述第一凸起的結(jié)構(gòu)可以采用多種方式形成，例如，在形成公共電極層時，可以將公共電極層中預(yù)設(shè)位置上的厚度形成為大于其他位置上的厚度，以便在該預(yù)設(shè)位置上形成第一凸起；或者是首先在公共電極層下方的有機(jī)平坦層形成第二凸起，而后在有機(jī)平坦層上形成公共電極層，以便在公共電極層與第二凸起對應(yīng)的位置上形成第一凸起。同理，像素電極中條狀電極翹起的結(jié)構(gòu)也可以通過上述方法形成。
[0043]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層下方的有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層上與各所述第一凸起相對應(yīng)的位置均設(shè)置有第二凸起，從而對該第一凸起起到支撐的作用。
[0044]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，所述絕緣層與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)的位置均向上翹起，從而能夠?qū)l狀電極的向上翹起的邊緣部分起到相應(yīng)的支撐作用。
[0045]圖4為本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的截面圖，所述陣列基板包括設(shè)置于其上的像素電極層16和公共電極層14，像素電極層16包括兩個間隔設(shè)置的條狀電極16a和16b，該陣列基板上設(shè)置有彩膜基板，該彩膜基板上設(shè)置有黑矩陣22、亞像素單元231和232以及彩膜基板的有機(jī)平坦層24，其中，亞像素單元231和232之間設(shè)置有黑矩陣22，且黑矩陣22位于數(shù)據(jù)線12上方，其中，條狀電極16b為亞像素單元231對應(yīng)的像素電極，條狀電極16a為亞像素單元232對應(yīng)的像素電極，公共電極層14位于條狀電極16a和16b之間形成的間隙下方設(shè)置有第一凸起14a，其中，條狀電極16b與第一凸起14a對應(yīng)的邊緣向上翹起，條狀電極16a與第一凸起14a對應(yīng)的邊緣向上翹起，以便第一凸起14a與條狀電極16b形成亞像素單元231的邊緣電場32，第一凸起14a與16a形成亞像素232的邊緣電場33，從圖4中可以看出，該邊緣電場32和33方向不相同，邊緣電場32和33以經(jīng)過凸起14a的分界19為界限，當(dāng)彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移時，使得像素電極層16上方的黑矩陣22向亞像素單元231所在一側(cè)偏移，參見圖5，公共電極層14的凸起14a分為兩個方向，同時亞像素單元231中的條狀電極16b的邊緣部分也具有一定方向，當(dāng)對亞像素單元231加載數(shù)據(jù)電壓時，亞像素單元231的邊緣電場32作用范圍未超出經(jīng)過第一凸起17a的分界19，且由于分界19仍位于黑矩陣22的下方，因此，亞像素單元231的邊緣電場32未影響到亞像素單元232，可以有效防止相鄰的亞像素單元232區(qū)域內(nèi)的液晶31發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使背光11只能透過亞像素單元231發(fā)出出射光21，而不能使背光11透過亞像素單元232，進(jìn)而降低亞像素單元231和亞像素單元232之間混色的風(fēng)險。
[0046]其中，參見圖4，該陣列基板還包括設(shè)置于公共電極層14下方的陣列基板的有機(jī)平坦層13，該有機(jī)平坦層13上與第一凸起14a相對應(yīng)的位置設(shè)置有第二凸起17，以便對該第一凸起14a起到支撐作用。
[0047]此外，該陣列基板還包括設(shè)置于公共電極層14和像素電極層16之間的絕緣層15，該絕緣層15與條狀電極16a和16b的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)的位置均向上翹起，例如，在亞像素單元232中，可以將絕緣層中與條狀電極16a的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)的位置18設(shè)置為向上翅起狀態(tài)。
[0048]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，該第一凸起的截面輪廓可以呈三角形或拋物線形，優(yōu)選地，可以為等腰三角形，該第一凸起的寬度可以為3.0?6.0 μ m，高度可以為2.0?
4.0 μ m0
[0049]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，像素電極層16的厚度可以為500 A，絕緣層15
可以采用氮化硅材料制作，厚度可以為2000 A，條狀電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度可以小于90度，其向上翹起的邊緣部分寬度可以為2.0?3.0 μ m，邊緣部分向上翹起的高度可以為2.0?3.0 μ m，公共電極層14的厚度可以為700 A，有機(jī)平坦層13可以采用樹脂材料制作，厚度可以為2.0um。
[0050]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，通過在公共電極層位于兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方設(shè)置第一凸起，且將條狀電極與第一凸起對應(yīng)的邊緣設(shè)置為向上翹起的形狀，從而使該條狀電極邊緣與公共電極層形成的邊緣電場向該條狀電極邊緣側(cè)偏移，有效的限定亞像素的邊緣電場作用范圍，即使在彩膜基板和陣列基板對盒發(fā)生輕微偏移的情況下，也不會對相鄰的亞像素造成影響，因此可以有效降低兩個相鄰的亞像素單元混色的風(fēng)險。
[0051]此外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有多個黑矩陣和多個亞像素單元，各所述所述亞像素單元間隔設(shè)置于所述黑矩陣之間，還包括上述任意一種的陣列基板，各所述亞像素單元之間的黑矩陣與所述陣列基板中第二透明電極層上設(shè)置的凸起的位置相對應(yīng)。
[0052]其中，該顯示裝置可以為:液晶面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0053]此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0054]在基板上沉積導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明電極層和第二透明電極層的圖形，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，每兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方的第二透明電極層均設(shè)置第一凸起，且各所述條狀電極與各所述凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。
[0055]其中，上述步驟具體包括:
[0056]在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起；
[0057]在完成前述步驟的基板上沉積第二導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括各所述條狀電極的圖形，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起。
[0058]優(yōu)選地，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之前還包括:
[0059]在基板上沉積第一絕緣薄膜層以作為有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層位于所述第二透明電極層下方，且所述有機(jī)平坦層上設(shè)置有多個第二凸起，各所述第二凸起與各所述第一凸起位置相對應(yīng)。
[0060]優(yōu)選地，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之后還包括；
[0061]在完成沉積第一導(dǎo)電薄膜層的基板上沉積第二絕緣薄膜層以作為所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，且所述絕緣層上設(shè)置有多個翹起部分，各所述翹起部分與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)。
[0062]優(yōu)選地，所述第一凸起的截面輪廓呈三角形或拋物線形。
[0063]優(yōu)選地，所述條狀像電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度小于90度。
[0064]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，所述陣列基板包括設(shè)置于其上的第一透明電極層和第二透明電極層，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，其特征在于，所述第二透明電極層位于兩相鄰所述條狀電極之間形成的間隙下方均設(shè)置有第一凸起，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極層為像素電極層，所述第二透明電極層為公共電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層下方的有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層上與各所述第一凸起相對應(yīng)的位置均設(shè)置有第二凸起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，所述絕緣層與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)的位置均向上翹起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一凸起的截面輪廓呈三角形或拋物線形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度小于90度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一凸起的寬度為3.0~6.0 μ m,所述第一凸起的高度為2.0~4.0 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分寬度為2.0~3.0 μ m，所述邊緣部分向上翹起的高度為2.0~3.0 μ m。
9.一種顯示裝置，包括彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有多個黑矩陣和多個亞像素單元，各所述所述亞像素單元間隔設(shè)置于所述黑矩陣之間，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的陣列基板，各所述亞像素單元之間的黑矩陣與所述陣列基板中第二透明電極層上設(shè)置的凸起的位置相對應(yīng)。
10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上沉積導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明電極層和第二透明電極層的圖形，所述第一透明電極層包括多個間隔設(shè)置的條狀電極，每兩相鄰條狀電極之間形成的間隙下方的第二透明電極層均設(shè)置第一凸起，且各所述條狀電極與各所述凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起，以使各所述條狀電極邊緣與所述第二透明電極層形成的邊緣電場向所述條狀電極邊緣側(cè)偏移。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述步驟包括: 在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起； 在完成前述步驟的基板上沉積第二導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝形成包括各所述條狀電極的圖形，且各所述條狀電極與各所述第一凸起對應(yīng)的邊緣向上翹起。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之前還包括:在基板上沉積第一絕緣薄膜層以作為有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層位于所述第二透明電極層下方，且所述有機(jī)平坦層上設(shè)置有多個第二凸起，各所述第二凸起與各所述第一凸起位置相對應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述在基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜層以作為第二透明電極層，且所述第二透明電極層與待形成的各條狀電極之間形成的間隙下方的位置均設(shè)置有第一凸起，之后還包括； 在完成沉積第一導(dǎo)電薄膜層的基板上沉積第二絕緣薄膜層以作為所述第二透明電極層與所述第一透明電極層之間的絕緣層，且所述絕緣層上設(shè)置有多個翹起部分，各所述翹起部分與各所述條狀電極的向上翹起的邊緣部分對應(yīng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一凸起的截面輪廓呈三角形或拋物線形。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述條狀像電極的向上翹起的邊緣部分翹起角度小于90度。
【文檔編號】H01L21/77GK103645589SQ201310667582
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】莫再隆, 石天雷, 樸承翊 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司