高頻裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于通過對(duì)高頻裝置的饋通部附加阻抗的調(diào)節(jié)功能，從而提供能夠容易地進(jìn)行阻抗匹配的高頻裝置。具備形成于底座板(10)的主面(10a)的電介質(zhì)(12)、在該電介質(zhì)上形成的相互不接觸的信號(hào)線(14)和島形圖案(16、17、18、19)、通過第一金屬線(40)而連接于該信號(hào)線的半導(dǎo)體芯片(32)、和連接于該信號(hào)線的引線框(42)。
【專利說明】高頻裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及例如控制用于衛(wèi)星通信、地面微波通信、或者移動(dòng)體通信等的高頻信號(hào)的高頻裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻(xiàn)I中公開了具備饋通部的微波集成電路裝置。該微波集成電路裝置的饋通部的特性阻抗為50 Ω。
[0003]專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開平8-288701號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]例如，具有用于基站的發(fā)送部的功率放大器的高頻裝置為了削減匹配電路基板的數(shù)量，有時(shí)采用僅僅安裝了功率放大用的FET芯片的分立(discrete)構(gòu)成、或者僅僅安裝了 FET芯片和預(yù)匹配(prematch)基板的部分匹配(partial match)構(gòu)成。此時(shí)優(yōu)選使饋通部的阻抗為所希望的值(例如50Ω)。因此，配合所使用的半導(dǎo)體芯片、匹配電路，以能夠進(jìn)行阻抗匹配的方式設(shè)計(jì)高頻裝置的外形以及饋通部。
[0005]在設(shè)計(jì)以及試制高頻裝置的外形以及饋通部之后，無法容易地變更饋通部的阻抗。因此，當(dāng)變更了半導(dǎo)體芯片、匹配電路的構(gòu)成時(shí)難以實(shí)現(xiàn)最佳的匹配條件，存在高頻裝置的性能降低的問題。
[0006]本發(fā)明為了解決如上所述的問題而完成，目的在于通過對(duì)高頻裝置的饋通部附加阻抗的調(diào)節(jié)功能從而提供能夠容易地進(jìn)行阻抗匹配的高頻裝置。
[0007]本發(fā)明所涉及的高頻裝置的特征在于，具備:底座板，具有主面；電介質(zhì)，以沿著該底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于該主面；信號(hào)線，在該電介質(zhì)上以從該一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛟撝髅娴闹醒氩垦由斓姆绞叫纬?；島形圖案，在該電介質(zhì)上的該信號(hào)線旁邊以從該一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛟撝醒氩垦由觳⑶也慌c該信號(hào)線相接的方式由金屬形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于該信號(hào)線的一部分以及該島形圖案的一部分的追加電介質(zhì)而在該信號(hào)線以及該島形圖案上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；弓丨線框，與外側(cè)信號(hào)線連接，該外側(cè)信號(hào)線是該信號(hào)線中位于該金屬框外側(cè)的部分；半導(dǎo)體芯片，固定于該中央部；以及第一金屬線，連接該半導(dǎo)體芯片與內(nèi)側(cè)信號(hào)線，該內(nèi)側(cè)信號(hào)線是該信號(hào)線中被該金屬框包圍的部分。
[0008]本發(fā)明所涉及的其他聞?lì)l裝置的特征在于，具備:底座板，具有主面；電介質(zhì)，具有以沿著該底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于該主面的第一電介質(zhì)、和與該第一電介質(zhì)的該主面的中央部相接且與該第一電介質(zhì)厚度不同的第二電介質(zhì)；信號(hào)線，在該第一電介質(zhì)和該第二電介質(zhì)上一體地形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于該信號(hào)線的一部分的追加電介質(zhì)而在該信號(hào)線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號(hào)線中位于該金屬框的外側(cè)的部分連接；半導(dǎo)體芯片，固定于該中央部；金屬線，連接該半導(dǎo)體芯片與該信號(hào)線中被該金屬框包圍且形成于該第一電介質(zhì)上的部分或者該信號(hào)線中該第二電介質(zhì)上的部分。
[0009]本發(fā)明所涉及的其他高頻裝置的特征在于，具備:底座板，具有主面；下層電介質(zhì)，以沿著該底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于該主面；中間金屬，在該下層電介質(zhì)上形成；上層電介質(zhì)，以使該中間金屬的表面的一部分露出于外部的方式形成于該中間金屬上，與該下層電介質(zhì)厚度不同；信號(hào)線，在該上層電介質(zhì)上形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于該信號(hào)線的一部分的追加電介質(zhì)而在該信號(hào)線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號(hào)線中位于該金屬框外側(cè)的部分連接；半導(dǎo)體芯片，固定于該中央部；第一金屬線，連接該半導(dǎo)體芯片與該信號(hào)線中被該金屬框包圍的部分；以及追加金屬線，連接該信號(hào)線與該中間金屬、或者該中間金屬與該底座板。
[0010]本發(fā)明所涉及的其他高頻裝置的特征在于，具備:底座板，具有主面；電介質(zhì)，以沿著該底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于該主面；信號(hào)線，在該電介質(zhì)上以從該一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛟撝髅娴闹醒氩垦由斓姆绞叫纬桑谠撝醒氩總?cè)具有形成為梳齒狀的梳齒部；追加金屬部，在該電介質(zhì)上的、該梳齒部的梳齒之間，與該信號(hào)線不相接且與該底座板電連接；金屬框，具有與該主面相接的接觸部和經(jīng)由形成于該信號(hào)線中與該梳齒部相比靠該一個(gè)側(cè)面?zhèn)鹊牟糠值淖芳与娊橘|(zhì)而在該信號(hào)線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號(hào)線中位于該金屬框外側(cè)的部分連接；半導(dǎo)體芯片，具有電連接于該底座板的接地焊盤，固定于該中央部；以及第一金屬線，連接該半導(dǎo)體芯片與該梳齒部。
[0011]發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，通過對(duì)高頻裝置的饋通部附加阻抗的調(diào)節(jié)功能，能夠容易地進(jìn)行阻抗匹配。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻裝置的俯視圖；
圖2是沿著圖1的虛線的截面圖；
圖3是沿著圖1的單點(diǎn)劃線的截面圖；
圖4是沿著圖1的雙點(diǎn)劃線的截面圖；
圖5是示出僅僅對(duì)與信號(hào)線鄰接的島形圖案實(shí)施金屬線連接的高頻裝置的俯視圖；
圖6是示出不連接信號(hào)線與島形圖案的高頻裝置的俯視圖；
圖7是示出根據(jù)島形圖案與信號(hào)線的連接的有無，饋通部的阻抗怎樣變化的圖表；
圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻裝置的俯視圖；
圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置的截面圖；
圖10是示出金屬線連接了半導(dǎo)體芯片與信號(hào)線中第二電介質(zhì)上的部分的狀態(tài)的截面
圖；
圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置的截面圖；
圖12是示出使用追加金屬線連接中間金屬與底座板的狀態(tài)的截面圖；
圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻裝置的俯視圖；
圖14是圖13的虛線部處的截面圖；圖15是示出根據(jù)接地金屬線連接的有無，饋通部的阻抗怎樣變化的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0013]參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻裝置。有時(shí)對(duì)相同或?qū)?yīng)結(jié)構(gòu)要素附以相同附圖標(biāo)記，省略說明的重復(fù)。
[0014]實(shí)施方式1.圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻裝置的俯視圖。該高頻裝置具備具有主面IOa的底座板10。底座板10為接地電位。在主面IOa以沿著底座板10的一個(gè)側(cè)面的方式形成有電介質(zhì)12。在電介質(zhì)12上形成有傳輸高頻信號(hào)的信號(hào)線14。信號(hào)線14以從底座板10的一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛑髅鍵Oa的中央部延伸的方式形成。
[0015]在電介質(zhì)12上的信號(hào)線14的旁邊形成有島形圖案16。在島形圖案16的旁邊形成有島形圖案17。島形圖案17在與島形圖案16相比距信號(hào)線14遠(yuǎn)的地點(diǎn)形成。島形圖案16、17是以不與信號(hào)線14相接的方式從底座板10的一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛑髅鍵Oa的中央部延伸的由金屬形成的圖案。如圖1所示，島形圖案16、17在信號(hào)線14的下方形成。在信號(hào)線14的上方形成有島形圖案18、19。
[0016]以包圍主面IOa的中央部的方式形成有金屬框30。金屬框30具有與主面IOa相接的接觸部30a、在信號(hào)線14以及島形圖案16、17、18、19的上方形成的橋狀部30b。而且，接觸部30a與橋狀部30b作為整體包圍主面IOa的中央部。在主面IOa的中央部固定有半導(dǎo)體芯片32。半導(dǎo)體芯片32由將高頻信號(hào)放大的FET芯片形成。 [0017]將信號(hào)線14中被金屬框30包圍的部分稱為內(nèi)側(cè)信號(hào)線14a。將信號(hào)線14中位于金屬框30外側(cè)的部分稱為外側(cè)信號(hào)線14b。將島形圖案16、17中被金屬框30包圍的部分稱為內(nèi)側(cè)島形圖案16a、17a。將島形圖案16、17中位于金屬框30外側(cè)的部分稱為外側(cè)島形圖案16b、17b。關(guān)于島形圖案18、19，也與島形圖案16、17同樣。
[0018]圖2是沿著圖1的虛線的截面圖。在信號(hào)線14的一部分形成有追加電介質(zhì)34。橋狀部30b經(jīng)由追加電介質(zhì)34而在信號(hào)線14上形成。圖3是沿著圖1的單點(diǎn)劃線的截面圖。在島形圖案16的一部分形成有前述追加電介質(zhì)34的一部分。橋狀部30b經(jīng)由追加電介質(zhì)34而在島形圖案16上形成。
[0019]如此，橋狀部30b在追加電介質(zhì)34上形成。而且，橋狀部30b經(jīng)由在信號(hào)線14的一部分以及島形圖案16、17、18、19的一部分形成的追加電介質(zhì)34而在信號(hào)線14以及島形圖案16、17、18、19上形成。圖4是沿著圖1的雙點(diǎn)劃線的截面圖。在底座板10上形成有接觸部30a。
[0020]返回圖1的說明。半導(dǎo)體芯片32與內(nèi)側(cè)信號(hào)線14a通過第一金屬線40而連接。引線框42連接于外側(cè)信號(hào)線14b。引線框42是與外部構(gòu)件連接的部分。
[0021]內(nèi)側(cè)信號(hào)線14a與內(nèi)側(cè)島形圖案16a通過第二金屬線44a而連接。內(nèi)側(cè)島形圖案16a與內(nèi)側(cè)島形圖案17a通過第二金屬線44b而連接。外側(cè)信號(hào)線14b與外側(cè)島形圖案16b通過第三金屬線46a而連接。外側(cè)島形圖案16b與外側(cè)島形圖案17b通過第三金屬線46b而連接。從圖1可知，關(guān)于島形圖案18、19，也與島形圖案16、17同樣地金屬線連接。
[0022]如此，在底座板10的左側(cè)形成有饋通部50。具有與饋通部50同樣的構(gòu)成的饋通部52在底座板10的右側(cè)形成。饋通部52具有引線框54和信號(hào)線56。另外，信號(hào)線56與半導(dǎo)體芯片32通過第一金屬線58而連接。
[0023]在此，簡單地說明本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻裝置的動(dòng)作。經(jīng)由信號(hào)線56以及第一金屬線58向半導(dǎo)體芯片32供應(yīng)從引線框54供應(yīng)的高頻信號(hào)。通過半導(dǎo)體芯片32放大的高頻信號(hào)經(jīng)由第一金屬線40以及信號(hào)線14而供應(yīng)至引線框42。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻裝置，通過調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度，能夠調(diào)節(jié)饋通部的阻抗。通過第二金屬線和第三金屬線的有無而調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度。圖1示出對(duì)全部的島形圖案16、17、18、19連接金屬線、使信號(hào)線14、56的寬度實(shí)質(zhì)上最大的高頻裝置。
[0025]圖5是示出僅僅對(duì)與信號(hào)線14、56鄰接的島形圖案實(shí)施金屬線連接的高頻裝置的俯視圖。此時(shí)，饋通部50的島形圖案17、19以及饋通部52的對(duì)應(yīng)部分對(duì)高頻信號(hào)的傳輸沒有貢獻(xiàn)。因此，與圖1相比能夠縮窄實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度。圖6是示出不連接信號(hào)線14、56與島形圖案的高頻裝置的俯視圖。此時(shí)，與圖1以及圖5的情況相比能夠縮窄實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度。
[0026]圖7是示出根據(jù)島形圖案與信號(hào)線的連接的有無，饋通部的阻抗怎樣變化的圖表。圖7的數(shù)據(jù)是通過對(duì)圖1、5、6所示的各個(gè)高頻裝置進(jìn)行饋通部的電磁場分析(模擬)而得到的數(shù)據(jù)。圖7中的倒三角形的標(biāo)記示出使高頻裝置的動(dòng)作頻率為2.6GHz時(shí)的阻抗。由圖7可知，通過改變與信號(hào)線連接的島形圖案的數(shù)量，能夠使饋通部的阻抗變化。
[0027]如此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻裝置，通過島形圖案與信號(hào)線的連接的有無，能夠調(diào)節(jié)高頻裝置的饋通部的阻抗。從而，當(dāng)例如在決定了高頻裝置的外形之后變更搭載的半導(dǎo)體芯片時(shí)，能夠在不改變?cè)撏庑蔚那闆r下實(shí)現(xiàn)對(duì)變更后的半導(dǎo)體芯片而言最佳的匹配條件。即，能夠容易地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的阻抗匹配。
[0028]若能夠容易地進(jìn)行阻抗匹配，則能夠提高設(shè)計(jì)自由度。另外，通過調(diào)節(jié)饋通部的阻抗，能夠?qū)?yīng)于各種阻抗的半導(dǎo)體芯片以及外部構(gòu)件，因而能夠提高高頻裝置的通用性。
[0029]在本發(fā)明的實(shí)施方式I中在信號(hào)圖案的左右各形成了兩個(gè)島形圖案，但是島形圖案的數(shù)量不特別受到限制。例如，作為最簡單的構(gòu)成，還可以只設(shè)置一個(gè)與信號(hào)線鄰接的島形圖案。但是，為了實(shí)現(xiàn)饋通部的阻抗的多級(jí)調(diào)節(jié)，優(yōu)選具有多個(gè)島形圖案。如此，島形圖案的數(shù)量根據(jù)市場的要求等而適當(dāng)變更即可。
[0030]信號(hào)線與島形圖案的金屬線連接、以及島形圖案彼此的金屬線連接所使用的金屬線的根數(shù)不特別受到限制。另外，金屬線連接能夠通過例如使用了毛細(xì)管(capillary)的引線接合而構(gòu)成，但是不限于此。當(dāng)金屬線連接信號(hào)線與島形圖案時(shí)，將信號(hào)線與至少多個(gè)島形圖案中的任意一個(gè)連接就足夠了。從而，本發(fā)明不限于圖1所示的金屬線的根數(shù)、連接方法。
[0031]半導(dǎo)體芯片32不限于FET芯片，也可以利用匹配電路基板形成。此外，這些變形還能夠應(yīng)用于之后的實(shí)施方式所涉及的高頻裝置。
[0032]實(shí)施方式2.本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻裝置與實(shí)施方式I的共同點(diǎn)較多，故以與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻裝置的俯視圖。
[0033]弓丨線框200連接于外側(cè)信號(hào)線14b、島形圖案16、18中金屬框30外側(cè)的部分(夕卜側(cè)島形圖案)。在與饋通部202為相反側(cè)的饋通部206中也同樣地形成有引線框204。[0034]例如在圖1所述的高頻裝置的情況下，由于金屬框30外側(cè)的金屬線露出于外部，故該金屬線有可能脫落。然而，優(yōu)選在金屬框30外側(cè)也能夠調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻裝置中，通過調(diào)節(jié)引線框200、206的寬度，能夠調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)的信號(hào)線14、56的寬度。從而，能夠調(diào)節(jié)實(shí)質(zhì)的信號(hào)線的寬度，而不需要使金屬線露出于外部。此外，為了連接信號(hào)線與島形圖案16、17、18的外側(cè)島形圖案，還可以使用比圖8的引線框?qū)挾却蟮囊€框。
[0035]實(shí)施方式3.本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置與實(shí)施方式I的共同點(diǎn)較多，故以與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置，通過與使用了島形圖案的實(shí)施方式I的高頻裝置不同的方法，能夠調(diào)節(jié)饋通部的阻抗。
[0036]圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置的截面圖。電介質(zhì)300具有厚度不同的第一電介質(zhì)300a和第二電介質(zhì)300b。第一電介質(zhì)300a以沿著底座板10的一個(gè)側(cè)面的方式形成于主面10a。第二電介質(zhì)300b與第一電介質(zhì)300a的主面IOa的中央部側(cè)相接。第二電介質(zhì)300b與第一電介質(zhì)300a相比厚度較薄。此外，若第一電介質(zhì)300a的厚度與第二電介質(zhì)300b的厚度不同，貝U不限于此。
[0037]信號(hào)線302在第一電介質(zhì)300a和第二電介質(zhì)300b上一體地形成。S卩，信號(hào)線302具有在第一電介質(zhì)300a上形成的部分302a和在第二電介質(zhì)300b上形成的部分302b。
[0038]金屬框30的橋狀部30b經(jīng)由在信號(hào)線302的一部分(部分302a)形成的追加電介質(zhì)34而在信號(hào)線302上形成。引線框42與信號(hào)線302中金屬框30外側(cè)的部分連接。半導(dǎo)體芯片32與信號(hào)線302中在第一電介質(zhì)300a上形成的部分302a通過金屬線304而連接。此外，底座板10的右側(cè)的饋通部為與上述底座板10的左側(cè)的饋通部同樣的構(gòu)成。
[0039]本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置的特征在于以階梯狀形成電介質(zhì)300。若如圖9所示地將金屬線304固定于第一電介質(zhì)300a上的部分302a，則對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度成為yl + y2。
[0040]圖10是示出金屬線連接半導(dǎo)體芯片32與信號(hào)線302中第二電介質(zhì)300b上的部分302b的狀態(tài)的截面圖。半導(dǎo)體芯片32與部分302b通過金屬線306而連接。此時(shí)，對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度成為yl。
[0041]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻裝置，通過選擇是使用圖9的金屬線304還是使用圖10的金屬線306，能夠調(diào)節(jié)對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度。因而，能夠通過只改變打上金屬線的地點(diǎn)而容易地調(diào)節(jié)饋通部的阻抗。而且，在將金屬線304固定于部分302a的情況和將金屬線306固定于部分302b的情況中，金屬線的長度不同。該金屬線的長度的不同引起饋通部的阻抗的不同。
[0042]實(shí)施方式4.本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置與實(shí)施方式I的共同點(diǎn)較多，故以與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置的截面圖。本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置通過與實(shí)施方式3的高頻裝置不同的方法調(diào)節(jié)電介質(zhì)的厚度，從而能夠調(diào)節(jié)饋通部的阻抗。
[0043]在主面IOa形成有下層電介質(zhì)400a。下層電介質(zhì)400a以沿著底座板10的一個(gè)側(cè)面的方式形成。在下層電介質(zhì)400a上形成有中間金屬402。在中間金屬402上以使中間金屬402的表面的一部分露出于外部的方式形成有上層電介質(zhì)400b。上層電介質(zhì)400b與下層電介質(zhì)400a相比較薄地形成。此外,若上層電介質(zhì)400b的厚度與下層電介質(zhì)400a不同則不限于此。
[0044]在上層電介質(zhì)400b上形成有信號(hào)線14。通過下層電介質(zhì)400a與上層電介質(zhì)400b形成電介質(zhì)400。信號(hào)線14與中間金屬402通過追加金屬線410而連接。追加金屬線410形成于金屬框30外側(cè)與內(nèi)側(cè)雙方。
[0045]本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置的特征在于在上層電介質(zhì)400b與下層電介質(zhì)400a之間形成中間金屬402。通過如圖11所示地使用追加金屬線410連接信號(hào)線14與中間金屬402，信號(hào)線14與中間金屬402成為等電位。從而，對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度成為下層電介質(zhì)400a的厚度y3。
[0046]另一方面，若使用追加金屬線連接中間金屬402與底座板10，則中間金屬402成為底座板的接地電位。圖12是示出使用追加金屬線412連接中間金屬402與底座板10的狀態(tài)的截面圖。此時(shí)，對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度成為上層電介質(zhì)400b的厚度H。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻裝置，通過選擇是使用圖11的追加金屬線410還是使用圖12的追加金屬線412，能夠調(diào)節(jié)對(duì)饋通部的阻抗有貢獻(xiàn)的電介質(zhì)的厚度。即，通過使用追加金屬線連接信號(hào)線14與中間金屬402或者中間金屬402與底座板10，能夠調(diào)節(jié)饋通部的阻抗。
[0048]實(shí)施方式5.本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻裝置與實(shí)施方式I的共同點(diǎn)較多，故以與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻裝置的俯視圖。
[0049]在電介質(zhì)12上以從底座板10的一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛑髅鍵Oa的中央部延伸的方式形成有信號(hào)線500。信號(hào)線500在中央部側(cè)具有形成為梳齒狀的梳齒部500a。在梳齒部500a的梳齒之間以不與信號(hào)線500(梳齒部500a)相接的方式形成有追加金屬部502。在追加金屬部502形成有貫穿電介質(zhì)12的第一貫穿孔502a。從第一貫穿孔502a露出的電介質(zhì)12的側(cè)面使用鍍層覆蓋。經(jīng)由該鍍層，從第一貫穿孔502a露出的底座板10與追加金屬部502電連接。
[0050]在半導(dǎo)體芯片32處形成有連接于底座板10的接地焊盤32a。在接地焊盤32a形成有貫穿半導(dǎo)體芯片32的第二貫穿孔32b。從第二貫穿孔32b露出的半導(dǎo)體芯片32的側(cè)面使用鍍層覆蓋。經(jīng)由該鍍層，底座板10與接地焊盤32a電連接。
[0051]半導(dǎo)體芯片32具備傳輸高頻信號(hào)的信號(hào)焊盤32c。半導(dǎo)體芯片32的信號(hào)焊盤32c與信號(hào)線500的梳齒部500a通過第一金屬線40而連接。追加金屬部502與接地焊盤32a通過接地金屬線504而連接。接地金屬線504的固定例如使用焊錫。高頻裝置的左側(cè)的饋通部506與右側(cè)的饋通部508具有相同構(gòu)成。
[0052]圖14是圖13的虛線部處的截面圖。橋狀部30b經(jīng)由信號(hào)線500中與梳齒部相比在基板的一個(gè)側(cè)面?zhèn)鹊牟糠中纬傻淖芳与娊橘|(zhì)34而在信號(hào)線500上形成。追加金屬部502與底座板10通過鍍層502b而連接。接地焊盤32a與底座板10通過鍍層32d而連接。
[0053]在本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻裝置能夠根據(jù)接地金屬線504的有無來調(diào)節(jié)第一金屬線40以及信號(hào)線500相對(duì)于底座板10(地)的距離。即，當(dāng)有接地金屬線504時(shí)，第一金屬線40以及信號(hào)線500相對(duì)于底座板10 (地)的距離變短，當(dāng)沒有接地金屬線時(shí)第一金屬線40以及信號(hào)線500相對(duì)于底座板10 (地)的距離變長。
[0054]從而，能夠根據(jù)接地金屬線的有無而改變饋通部506的阻抗。在本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻裝置中，對(duì)一個(gè)饋通部506形成了四個(gè)追加金屬部502，因而能夠通過在O?4根的范圍內(nèi)改變接地金屬線504來實(shí)現(xiàn)五種阻抗。
[0055]圖15是示出根據(jù)接地金屬線連接的有無，饋通部的阻抗怎樣變化的圖表。圖15的數(shù)據(jù)是通過對(duì)圖13的高頻裝置和從圖13的高頻裝置中去除了接地金屬線的高頻裝置分別進(jìn)行饋通部的電磁場分析(模擬)而得到的數(shù)據(jù)。
[0056]圖15中的倒三角形的標(biāo)記示出使高頻裝置的動(dòng)作頻率為2.6GHz時(shí)的阻抗。從圖15可知，能夠根據(jù)接地金屬線的有無而改變饋通部的阻抗。此外，該實(shí)施方式中的饋通部包括第一金屬線40。
[0057]只要能夠使追加金屬部502和接地焊盤32a為接地電位，則第一貫穿孔502a、第二貫穿孔32b非必須。例如還可以通過在電介質(zhì)和半導(dǎo)體芯片中形成到達(dá)底座板的通路(via)來使追加金屬部和接地焊盤為接地電位。此外，還可以適當(dāng)?shù)亟M合并使用至此說明的各實(shí)施方式所涉及的高頻裝置的特征。
[0058]附圖標(biāo)記說明
10底座板；10a主面；12電介質(zhì)；14、56信號(hào)線；14a內(nèi)側(cè)信號(hào)線；14b外側(cè)信號(hào)線；
16、17、18、19島形圖案；16a、17a內(nèi)側(cè)島形圖案；16b、17b外側(cè)島形圖案；30金屬框；30a接觸部；30b橋狀部；32半導(dǎo)體芯片；32a接地焊盤；32b第二貫穿孔；32c信號(hào)焊盤；34追加電介質(zhì)；40、58第一金屬線；42、54引線框；44a、44b第二金屬線；46a、46b第三金屬線；50、52、202、206、506、508饋通部；200、204引線框；300電介質(zhì)；300a第一電介質(zhì)；300b第二電介質(zhì)；302信號(hào)線；304、306金屬線；400電介質(zhì)；400a下層電介質(zhì)；400b上層電介質(zhì)；402中間金屬；410、412追加金屬線；500信號(hào)線；500a梳齒部；502追加金屬部；502a第一貫穿孔；504接地金屬線。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻裝置，其特征在于，具備: 底座板，具有主面； 電介質(zhì)，以沿著所述底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于所述主面； 信號(hào)線，在所述電介質(zhì)上以從所述一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛩鲋髅娴闹醒氩垦由斓姆绞叫纬?；島形圖案，在所述電介質(zhì)上的所述信號(hào)線旁邊以從所述一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛩鲋醒氩垦由觳⑶也慌c所述信號(hào)線相接的方式由金屬形成； 金屬框，具有與所述主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于所述信號(hào)線的一部分以及所述島形圖案的一部分的追加電介質(zhì)而在所述信號(hào)線以及所述島形圖案上形成的橋狀部，所述接觸部與所述橋狀部作為整體包圍所述中央部； 引線框，與外側(cè)信號(hào)線連接，所述外側(cè)信號(hào)線是所述信號(hào)線中位于所述金屬框外側(cè)的部分； 半導(dǎo)體芯片，固定于所述中央部；以及 第一金屬線，連接所述半導(dǎo)體芯片與內(nèi)側(cè)信號(hào)線，所述內(nèi)側(cè)信號(hào)線是所述信號(hào)線中被所述金屬框包圍的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻裝置，其特征在于: 所述島形圖案具有多個(gè)島形圖案， 具有連接所述信號(hào)線與至少所述多個(gè)島形圖案中的任何一個(gè)的金屬線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻裝置，其特征在于，具備: 第二金屬線，連接所述內(nèi)側(cè)信號(hào)線與內(nèi)側(cè)島形圖案，所述內(nèi)側(cè)島形圖案是所述島形圖案中被所述金屬框包圍的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的高頻裝置，其特征在于，具備: 第三金屬線，連接所述外側(cè)信號(hào)線與外側(cè)島形圖案，所述外側(cè)島形圖案是所述島形圖案中位于所述金屬框外側(cè)的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的高頻裝置，其特征在于: 所述引線框連接于所述外側(cè)信號(hào)線和外側(cè)島形圖案，所述外側(cè)島形圖案是所述島形圖案中位于所述金屬框外側(cè)的部分。
6.一種高頻裝置，其特征在于，具備: 底座板，具有主面； 電介質(zhì)，具有以沿著所述底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于所述主面的第一電介質(zhì)、和與所述第一電介質(zhì)的所述主面的中央部相接且與所述第一電介質(zhì)厚度不同的第二電介質(zhì)； 信號(hào)線，在所述第一電介質(zhì)和所述第二電介質(zhì)上一體地形成； 金屬框，具有與所述主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于所述信號(hào)線的一部分的追加電介質(zhì)而在所述信號(hào)線上形成的橋狀部，所述接觸部與所述橋狀部作為整體包圍所述中央部; 引線框，與所述信號(hào)線中位于所述金屬框的外側(cè)的部分連接； 半導(dǎo)體芯片，固定于所述中央部 ；以及 金屬線，連接所述半導(dǎo)體芯片與所述信號(hào)線中被所述金屬框包圍且形成于所述第一電介質(zhì)上的部分或者所述信號(hào)線中所述第二電介質(zhì)上的部分。
7.一種高頻裝置，其特征在于，具備: 底座板，具有主面； 下層電介質(zhì)，以沿著所述底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于所述主面； 中間金屬，在所述下層電介質(zhì)上形成； 上層電介質(zhì)，以使所述中間金屬的表面的一部分露出于外部的方式形成于所述中間金屬上，與所述下層電介質(zhì)厚度不同； 信號(hào)線，在所述上層電介質(zhì)上形成； 金屬框，具有與所述主面相接的接觸部、和經(jīng)由形成于所述信號(hào)線的一部分的追加電介質(zhì)而在所述信號(hào)線上形成的橋狀部，所述接觸部與所述橋狀部作為整體包圍所述中央部; 引線框，與所述信號(hào)線中位于所述金屬框外側(cè)的部分連接； 半導(dǎo)體芯片，固定于所述中央部； 第一金屬線，連接所述半導(dǎo)體芯片與所述信號(hào)線中被所述金屬框包圍的部分；以及 追加金屬線，連接所述信號(hào)線與所述中間金屬、或者所述中間金屬與所述底座板。
8.一種高頻裝置，其特征在于，具備: 底座板，具有主面； 電介質(zhì)，以沿著所述底座板的一個(gè)側(cè)面的方式形成于所述主面；` 信號(hào)線，在所述電介質(zhì)上以從所述一個(gè)側(cè)面?zhèn)认蛩鲋髅娴闹醒氩垦由斓姆绞叫纬?，在所述中央部?cè)具有形成為梳齒狀的梳齒部； 追加金屬部，在所述電介質(zhì)上的、所述梳齒部的梳齒之間，與所述信號(hào)線不相接且與所述底座板電連接； 金屬框，具有與所述主面相接的接觸部和經(jīng)由形成于所述信號(hào)線中與所述梳齒部相比靠所述一個(gè)側(cè)面?zhèn)鹊牟糠值淖芳与娊橘|(zhì)而在所述信號(hào)線上形成的橋狀部，所述接觸部與所述橋狀部作為整體包圍所述中央部； 引線框，與所述信號(hào)線中位于所述金屬框外側(cè)的部分連接； 半導(dǎo)體芯片，具有電連接于所述底座板的接地焊盤，固定于所述中央部；以及 第一金屬線，連接所述半導(dǎo)體芯片與所述梳齒部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻裝置，其特征在于，具備: 接地金屬線，連接所述追加金屬部與所述接地焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的高頻裝置，其特征在于: 在所述追加金屬部形成有貫穿所述電介質(zhì)的第一貫穿孔，從所述第一貫穿孔露出的所述底座板與所述追加金屬部電連接， 在所述接地焊盤形成有貫穿所述半導(dǎo)體芯片的第二貫穿孔，所述底座板與所述接地焊盤經(jīng)由所述第二貫穿孔而電連接。
【文檔編號(hào)】H01L25/07GK103887269SQ201310604642
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月27日
【發(fā)明者】三輪真一, 今井翔平, 服部公春, 吉岡貴章 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社