高光透玻璃基板led照明裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高光透玻璃基板LED照明裝置，包括玻璃透明基板，通過氣相沉積技術直接制備于所述玻璃透明基板上的光學增透膜層，通過氣相沉積技術制備于所述光學增透膜層上的金屬線路層，所述金屬線路層與一LED發(fā)光芯片電性導通，一熒光膠層膠設于所述LED發(fā)光芯片外并將其固定于所述金屬線路層之上。本發(fā)明還公開了該高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法。本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：通過增加封裝基板的透光率來明顯提升光源的光效，將光學增透膜層采用氣相沉積的方式直接制備于玻璃基板上，采用這種封裝方式的LED光效可提高5~8lum/W，效果巨大。
【專利說明】高光透玻璃基板LED照明裝置及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED照明裝置，尤其是一種采用玻璃基板的高光透LED照明裝置及其制備方法，屬于照明【技術領域】。
【背景技術】
[0002]LED照明裝置作為一種固態(tài)半導體照明技術，實現(xiàn)照明的過程必須通過LED芯片固定在金屬線路上實現(xiàn)。LED線路板的材料目前均為金屬基(鋁、銅等)、樹脂基(FR4、PI等)、陶瓷基(氧化鋁、氮化鋁等)，這些材料大多因為其絕緣性能良好和導熱性良好而被用作以用途。玻璃材料由于具有良好的光透過性能，用于LED的封裝基板可實現(xiàn)更好的光效，所以是一種理想的封裝基板材料。但由于普通玻璃的透過率在90%左右，采用這樣技術的LED光源的光效會受到一定程度的限制。
[0003]目前LED光效的提高主要通過芯片工藝，材料和結構完成，但所花費的成本較大，得到的效果卻偏低，例如將增透膜用于燈罩之上，但由于燈罩的面積較大，同時又遠離光源，所以不但成本較聞，而且光效提聞有限(在1%以內(nèi))。因此，在芯片制造業(yè)提聞光效llum/ff已經(jīng)是一個技術的非常突破。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明提出了一種有效提升光源的光效的采用玻璃基板的高光透LED照明裝置及其制備方法。
[0005]本發(fā)明的發(fā)明目的通過以下技術方案實現(xiàn):一種高光透玻璃基板LED照明裝置，包括玻璃透明基板，通過氣相沉積技術直接制備于所述玻璃透明基板上的光學增透膜層，通過氣相沉積技術制備于所述光學增透膜層上的金屬線路層，所述金屬線路層與一 LED發(fā)光芯片電性導通，一熒光膠層膠設于所述LED發(fā)光芯片外并將其固定于所述金屬線路層之上。
[0006]優(yōu)選的，所述玻璃透明基板的下方設有熒光膠層。
[0007]或者，所述玻璃透明基板的下方依次設有光學增透膜層和熒光膠層。
[0008]或者，所述玻璃透明基板的下方依次設有通過氣相沉積技術制備的光學增透膜層和金屬線路層，以及與所述金屬線路層電性導通的LED發(fā)光芯片，一熒光膠層膠設于所述LED發(fā)光芯片之外。
[0009]優(yōu)選的，所述光學增透膜層為MgF2涂層，或摻雜有TiO2的MgF2復合涂層。
[0010]優(yōu)選的，所述金屬線路層為Ni, Cr, Cu, Al金屬層,厚度為0.5um至5um。
[0011]優(yōu)選的，所述玻璃透明基板的厚度小于0.5毫米。
[0012]本發(fā)明還揭示了一種高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法，包括以下步驟:
51、采用超聲波清洗技術對玻璃基板進行表面清洗；
52、清洗完的玻璃基片置于鍍膜真空室內(nèi)，抽至l*10_4Pa以上的真空度；
53、在所述玻璃透明基板的上表面采用磁控濺射技術制備光學增透膜層；制備增透膜也可采用電子束，熱蒸發(fā)等其它PVD技術；
54、在所述光學增透膜層上表面采用磁控濺射技術制備金屬線路層；制備金屬線路也可采用電子束，熱蒸發(fā)等其它PVD技術；
55、采用貼片工藝完成玻璃基板上的LED芯片焊接，之后采用熒光膠將LED發(fā)光芯片封裝于所述金屬線路層上。
[0013]優(yōu)選的，還包括S6、在所述玻璃透明基板的下表面涂覆熒光膠層。
[0014]或者,還包括:
56、在所述玻璃透明基板的下表面采用PVD技術制備光學增透膜層；
57、在所述光學增透膜層的下表面涂覆熒光膠層。
[0015]或者,還包括:
56、在所述玻璃透明基板的下表面采用PVD技術制備光學增透膜層和金屬線路層；
57、采用熒光膠將LED發(fā)光芯片封裝于所述金屬線路層上，從而形成所述玻璃透明基板兩側均設有LED發(fā)光芯片。
[0016]本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:通過增加封裝基板的透光率來明顯提升光源的光效，將光學增透膜層采用氣相沉積的方式直接制備于玻璃基板上，采用這種封裝方式的LED光效可提高5?81um/W，效果巨大。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1:本發(fā)明高光透玻璃基板LED照明裝置的第一實施例的結構示意圖。
[0018]圖2:本發(fā)明高光透玻璃基板LED照明裝置的第二實施例的結構示意圖。
[0019]圖3:本發(fā)明高光透玻璃基板LED照明裝置的第三實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]以下通過典型實施例，對本發(fā)明進一步說明，但本發(fā)明并不局限于所述實施例。[0021 ] 如圖1所示，本發(fā)明的高光透玻璃基板LED照明裝置，包括玻璃透明基板5，通過氣相沉積技術直接制備于所述玻璃透明基板5上的光學增透膜層4，通過氣相沉積技術制備于所述光學增透膜層4上的金屬線路層3，所述金屬線路層3與一 LED發(fā)光芯片2電性導通，一熒光膠層I膠設于所述LED發(fā)光芯片2外并將其固定于所述金屬線路層3之上。制備光學增透膜層4或金屬線路層3的氣相沉積技術包括磁控濺射，電子束，熱蒸發(fā)等，均為現(xiàn)有技術，在此不再贅述。本發(fā)明將光學增透膜層采用氣相沉積的方式直接制備于玻璃基板上，而非貼附在LED發(fā)光芯片或熒光膠層之上，采用這種封裝方式的LED光效可提高5?81um/W，大大超出了現(xiàn)有技術的對于光效的提高可能性。
[0022]目前的光學增透膜的主要增透波段為460納米左右，其主要原因是針對藍光LED波段，藍光先透過增透后的玻璃然后激發(fā)熒光膠層，從而獲得高光效。由于折射的藍光可能從封裝玻璃的兩端漏出而產(chǎn)生漏光和眩光的效果，所以玻璃基板的厚度必須小于0.5mm,而側面的漏光則可通過玻璃基板兩端增加熒光膠層的方法解決。當然，針對不同LED芯片也可以選擇不同波段的增透膜。
[0023]如圖1揭示的第一實施例，所述玻璃透明基板5的下方設有熒光膠層I。
[0024]如圖2揭示的第二實施例，所述光學增透膜層4直接設置在玻璃透明基板5的雙面，即所述玻璃透明基板5的下方也依次設有光學增透膜層4和熒光膠層I。
[0025]如圖3揭示的第三實施例，所述LED發(fā)光芯片2封裝在玻璃透明基板5的雙面，即所述玻璃透明基板5的下方依次設有通過氣相沉積技術制備的光學增透膜層4和金屬線路層3，以及與所述金屬線路層3電性導通的LED發(fā)光芯片2，一熒光膠層I膠設于所述LED發(fā)光芯片2之外。
[0026]所述光學增透膜層4為MgF2涂層，或摻雜有TiO2的MgF2復合涂層。采用光學增透膜層的玻璃透明基板對于波長在460nm的藍光透過率可增加5%~8%。在400nm至700nm
波長范圍的透過率提高如下表所示。
[0027]
【權利要求】
1.一種高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:包括玻璃透明基板(5)，通過氣相沉積技術直接制備于所述玻璃透明基板(5)上的光學增透膜層(4)，通過氣相沉積技術制備于所述光學增透膜層(4)上的金屬線路層(3)，所述金屬線路層(3)與一 LED發(fā)光芯片(2)電性導通，一熒光膠層(I)膠設于所述LED發(fā)光芯片(2)外并將其固定于所述金屬線路層(3)之上。
2.根據(jù)權利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述玻璃透明基板(5)的下方設有突光膠層(I)。
3.根據(jù)權利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述玻璃透明基板(5)的下方依次設有光學增透膜層(4)和熒光膠層(I)。
4.根據(jù)權利要求1所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述玻璃透明基板(5)的下方依次設有通過氣相沉積技術制備的光學增透膜層(4)和金屬線路層(3)，以及與所述金屬線路層(3 )電性導通的LED發(fā)光芯片(2)，一熒光膠層(I)膠設于所述LED發(fā)光芯片(2)之外。
5.根據(jù)權利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述玻璃透明基板(5)的厚度小于0.5毫米。
6.根據(jù)權利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述光學增透膜層(4)為MgF2涂層，或摻雜有TiO2的MgF2復合涂層。
7.根據(jù)權利要求1-4任一所述的高光透玻璃基板LED照明裝置，其特征在于:所述金屬線路層(3)為Ni , Cr, Cu, Al金屬層，厚度為0.5um至5um。
8.一種高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法，其特征在于:包括以下步驟: s1、采用超聲波清洗技術對玻璃基板進行表面清洗； s2、清洗完的玻璃基片置于鍍膜真空室內(nèi)，抽至l*10_4Pa以上的真空度； s3、在所述玻璃透明基板(5)的上表面采用磁控濺射技術制備光學增透膜層(4);制備增透膜也可采用電子束，熱蒸發(fā)的PVD技術； s 4、在所述光學增透膜層(4)上表面采用磁控濺射技術制備金屬線路層(3);制備金屬線路也可采用電子束，熱蒸發(fā)的PVD技術； s5、采用貼片工藝完成玻璃基板上的LED芯片焊接，之后采用熒光膠將LED發(fā)光芯片(2 )封裝于所述金屬線路層(3 )上。
9.根據(jù)權利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法，其特征在于:還包括S6、在所述玻璃透明基板(5 )的下表面涂覆熒光膠層(I)。
10.根據(jù)權利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法，其特征在于:還包括， s 6、在所述玻璃透明基板(5)的下表面采用PVD技術制備光學增透膜層(4)； s7、在所述光學增透膜層(4)的下表面涂覆熒光膠層(I)。
11.根據(jù)權利要求8所述的高光透玻璃基板LED照明裝置的制備方法，其特征在于:還包括， s6、在所述玻璃透明基板(5)的下表面采用PVD技術制備光學增透膜層(4)和金屬線路層(3)； s7、采用熒光膠將一LED發(fā)光芯片(2)封裝于所述金屬線路層(3)上，從而形成所述玻璃透明基板(5)兩側均設有LED`發(fā)光芯片(2)。
【文檔編號】H01L33/00GK103633223SQ201310569882
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權日:2013年11月13日
【發(fā)明者】錢濤 申請人:蘇州熱馳光電科技有限公司