技術(shù)總結(jié)
一種大電流碳化硅SBD/JBS功率芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法，該結(jié)構(gòu)包括好的元件和壞的元件，所述好的元件和壞的元件在銅蓋和銅底之間采用壓接式封裝；所述銅蓋與好的元件的金屬接觸層陽(yáng)極之間通過(guò)第一鉬片扣合，所述銅底與好的元件陰極之間通過(guò)第二鉬片扣合完成以使所有好的元件處于并聯(lián)連接狀態(tài)。該制造方法用來(lái)制造上述功率芯片結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有制造方便、無(wú)淀積絕緣層、可提高器件性能等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：李誠(chéng)瞻;吳煜東;劉可安;周正東;史晶晶;楊勇雄;吳佳;蔣華平;趙艷黎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司
文檔號(hào)碼：201310537220
技術(shù)研發(fā)日：2013.11.04
技術(shù)公布日：2017.06.23