發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一發(fā)光器件。其一種適用于SMT的發(fā)光二極管芯片，至少包括：發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，具有相對的兩個表面，其中第一表面為出光面；P、N電極焊盤，位于所述外延結(jié)構(gòu)的第二表面上，具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)，其邊緣超過LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣；熒光粉層，覆蓋所述LED外延結(jié)構(gòu)的出光面及所述P、N電極焊盤超出所述LED外延結(jié)構(gòu)的區(qū)域。
【專利說明】發(fā)光器件
[0001]本申請是申請日為2013年5月24日、申請?zhí)枮?01310195976.4、發(fā)明名稱為“貼面式發(fā)光器件及其制作方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件及其制作方法，具體為SMT式(表面貼裝技術(shù)SurfaceMounted Technology的縮寫)發(fā)光器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0003]目前LED發(fā)光器件廣泛采用SMT封裝形式，如圖1所示，其目的是降低器件熱阻，提高器件穩(wěn)定性；其常規(guī)做法是:將傳統(tǒng)LED芯片100放置于封裝體120內(nèi)，并在封裝體下方引出引腳110，使其可直接貼裝于目標板上，如PCB電路板，另外在封裝體上可涂布熒光粉材料使其形成混色光發(fā)光器件。目前SMT焊接方式主要有共晶焊接和回流焊兩種方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提出了一種貼面式發(fā)光器件及其制作，其改變傳統(tǒng)SMT的封裝形式，在結(jié)構(gòu)上將芯片通過電極焊盤直接貼面焊接于承載基板上，在制作方法在完成芯片エ藝后直接進行焊接步驟，省略了封裝步驟，主要適用于倒裝LED器件。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一個方面:ー種適用于SMT的發(fā)光二極管芯片，包括:LED外延結(jié)構(gòu)，具有相対的兩個表面，其中第一表面為出光面；P、N電極焊盤，位于所述外延結(jié)構(gòu)的第ニ表面上，具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)，所述P、N電極焊盤分別具有相對的兩個表面，其中第一表面靠近所述LED外延結(jié)構(gòu)；絕緣體，形成于所述P、N焊盤之間，防止所述P、N電極焊盤發(fā)生短路；所述P、N電極焊盤直接用于SMT封裝上使用。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，一種貼面式LED發(fā)光器件，包括芯片結(jié)構(gòu)和承載基板，其中芯片結(jié)構(gòu)包括:LED外延結(jié)構(gòu),具有相對的兩個表面,其中第一表面為出光面；P、N電極焊盤，位于所述外延結(jié)構(gòu)的第二表面上，具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)，所述P、N電極焊盤分別具有相対的兩個表面，其中第一表面靠近所迷LED外延結(jié)構(gòu)；絕緣體，形成于所述P、N焊盤之間，防止所述P、N電極焊盤發(fā)生短路；所述芯片通過所述P、N電極焊盤直接SMT封裝于所述承載基板上。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，一種貼面式LED發(fā)光器件的制作方法，步驟如下:
1)外延生長:采用外延生長エ藝在一生長襯底上形成LED外延結(jié)構(gòu)；
2)芯片制作:在所述LED外延結(jié)構(gòu)的表面定義P、N電極區(qū)及隔離區(qū)，并在所述各區(qū)域分別制作P、N電極焊盤和絕緣體，其中所述P、N電極焊盤具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)，所述絕緣體形成于所述P、N焊盤之間，防止所述P、N電極焊盤發(fā)生短路；移除生長襯底，并単一化所述LED外延結(jié)構(gòu)形成LED芯片；
3)SMT封裝:提供ー承載基板，將所述LED芯片的P、N電極焊盤直接SMT封裝于所述承載基板上，形成貼面式LED發(fā)光器件。[0008]具體地，所述LED外延結(jié)構(gòu)為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，可在所述薄膜LED表面上制作一圖案化鈍化層。在一些實施例中，可在所述薄膜LED表面上涂布熒光粉材料。
[0009]所述P、N電極焊盤的具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，所述P電極焊盤的厚度為50 μ m以上，N電極焊盤的厚度為50 μ m以上。在一些實施例中，所述P、N電極焊盤所占整體發(fā)光區(qū)域面積大于80%以上，剩馀面積為絕緣體結(jié)構(gòu)。
[0010]所述P、N電極焊盤之間具有一定的間隙D。所述絕緣體填充所述P、N電極焊盤之間的間隙，優(yōu)先地，所述絕緣體與P、N電極焊盤體間緊密接合(基本無間隙)，保證了外延結(jié)構(gòu)的物理支撐。在一些實施例中，所述絕緣體具有相對的兩個表面，其中第一表面靠近所述LED外延結(jié)構(gòu)，第二表面凸出于所述P、N電極焊盤的任一第二表面。絕緣體突出所述電極焊盤的第二表面，有效防止了在芯片在后面SMT工藝中的P、N電極短路問題。在一些實施例中，所述P、N電極焊盤的下表面位于同一水平面上，所述P、N電極焊盤的下表面與絕緣體的下表面的高度差H與P、N電極焊盤的間隙D的關(guān)系為:H/D為0.5~2。在一些實施例中，所述P、N電極焊盤的間隙D為20-?50 μ m。在一些實施例中，所述絕緣體的熔點或軟化點低于所述P、N電極焊盤的熔點，其材料可選用膠體材料，如SU8，BCB或干膜等。在一些實施例中，所述絕緣體下表面與所述P、N電極焊盤的下表面的高度差H為20 μ m-150
[0011]所述Ρ、Ν電極焊盤的面積和絕緣體基本占滿所述LED外延結(jié)構(gòu)的整個表面。在一些實施例，所述P、N電極焊盤的邊緣超過所述LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣且具有一定的距離，防止芯片在SMT焊接時因錫膏的回流導(dǎo)致錫膏爬上外延層導(dǎo)致器件漏電。優(yōu)選地，所述P、N電極焊盤的邊緣超過所述LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣的距離D與P、N電極焊盤的最小厚度T的關(guān)系為:D/T為0.5~2。設(shè)外延薄膜層面積為SI，焊盤層超過外延層面積為S2，其中S1/S2的比值為1/2~3/1，較佳值為9/5。在一些實施例，所述P、N電極焊盤的邊緣超出LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣的距離大于或等于30 um。
[0012]在一些大尺寸的發(fā)光器件中，P、N電極焊盤的形狀及大小會成為影響器件可靠性的重要因素之一，如在習(xí)知技藝的非對稱式電極設(shè)計，在共晶制程中因其電極面積大小差異過大可能導(dǎo)致芯片傾斜，在面積相對較小的電極處產(chǎn)生共晶失效，最后導(dǎo)致電性連接失敗。故對于較大尺寸的發(fā)光器件，所述P、N電極焊盤的面積關(guān)系較佳取為6:Π:1 (此比例不限制P電極焊盤的面積大于N電極焊盤)，最佳值為Ρ、Ν電極焊盤的面積相同。一些實施例中，所述Ρ、Ν電極焊盤與LED外延結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有至少兩絕緣層和一導(dǎo)電層，其中第一絕緣層與導(dǎo)電層實現(xiàn)電流均勻注入LED外延結(jié)構(gòu)，第二絕緣層實現(xiàn)所述P、N電極焊盤的面積基本相同。
[0013]前述適用于SMT的發(fā)光二極管芯片可通過下面步驟獲得(但不局限以此):1)提供一生長襯底，在其上依次成長緩沖層、N型外延層、發(fā)光層、P型外延層；2)圖案化外延層，刻蝕部分外延層，露出N型外延層；3)在P型外延層上形成高反射P型歐姆接觸層，在N型外延層上形成N型歐姆接觸層；4)在上述P型歐姆接觸層以及N型歐姆接觸層之間形成一絕緣膠材隔離層；5)電鍍Ρ、Ν電極焊盤，使之形成可支撐外延的電鍍層；6)去除生長基板，露出緩沖外延層，定義芯粒大小，刻蝕定義區(qū)外的外延層至露出歐姆接觸層；7)在緩沖外延層上形成鈍化層，并粗化表面；8)在芯粒表面涂布熒光粉材料，形成混色光發(fā)光芯片，可直接用于SMT貼片。
[0014]在一些實施例中，將前述LED芯片直接進行SMT步驟中，所述承載基板表面涂有焊料層，其厚度小于或等于所述絕緣體第二表面與所述P、N電極焊盤的任一第二表面的高度差。絕緣體材料選用絕緣膠材，并進行芯片與承載基板進行對位時，下壓絕緣膠材，進一步保證了 P、N電極焊盤在回流焊接中保持電性隔離。
[0015]本發(fā)明所述的貼面式LED發(fā)光器件之制作方法，簡化了傳統(tǒng)應(yīng)用于SMT的LED芯片封裝流程，在完成步驟2)后形成特殊結(jié)構(gòu)的芯片，直接焊接于承載基板上，省略了封裝處理的步驟。在一些實施例，在芯片制作過程中，在移除生長襯底后，先蝕刻LED外延結(jié)構(gòu)形成切割道，接著采用物理方式切割所述切割道上的電極焊盤，從而使得所述P、N電極焊盤的邊緣超過所述LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣且具有一定的距離，形成一系列LED芯片。
[0016]本發(fā)明公開的LED發(fā)光器件及其制作方法，省略了傳統(tǒng)SMT工藝中LED芯片須先封裝處理的步驟，在成本上有極大優(yōu)勢；相對常規(guī)倒裝芯片，在回流焊上又有很大的穩(wěn)定性優(yōu)勢，而且傳統(tǒng)倒裝芯片由于無支持襯底，幾乎不能將生長襯底移除，而該LED發(fā)光器件則因為較厚的電鍍焊盤使其可支撐外延，去除生長襯底，從而提高了光效。
[0017]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。
[0019]圖1傳統(tǒng)SMT發(fā)光器件的簡化結(jié)構(gòu)圖。
[0020]圖2為本發(fā)明實施例1的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0021]圖3為本發(fā)明實施例2的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0022]圖4為本發(fā)明實施例3的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0023]圖5-6為本發(fā)明實施例4的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0024]圖7為本發(fā)明實施例5的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0025]圖8采用圖7所示發(fā)光二極管芯片制備獲得的SMT發(fā)光器件。
[0026]圖擴17為制備圖7所示的發(fā)光器件的過程示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的LED器件的結(jié)構(gòu)及其制作方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0028]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0029]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種STM發(fā)光器件及其制作方法，將發(fā)光二極管芯片直接貼面安裝于承載基板上。在器件結(jié)構(gòu)上，其中芯片的P、N電極焊盤具有足夠的厚度以支撐外延結(jié)構(gòu)，在P、N電極焊盤之間設(shè)置絕絕緣體，下表面低于P、N電極焊盤的任一下表面，在支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)的同時防止所述芯片用于焊接工藝時P、N電極焊盤發(fā)生短路。在制作方法上，完成芯片制作工藝后，直接進行焊接工藝，省略了封裝步驟。
[0030]以下結(jié)合核心思想，詳細說明本發(fā)明所述SMT發(fā)光器件及其制作方法。
[0031]實施例1 請參看附圖2，一種適用于SMT的發(fā)光二極管芯片200，包括:發(fā)光外延疊層210，歐姆接觸層221、222，電極焊盤231、232，絕緣體230。其中，發(fā)光外延疊層210為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，至上而下包括N型外延層、發(fā)光層、P型外延層，但不限制于此。N型歐姆接觸層221和P型歐姆接觸層222分別位于N型外延層和P型外延層上且下表面齊平，其材料可選用Cr、Au、T1、N1、Ag、Pt或TiW的一種或其組合，作為一個較佳的實施方式，采用具有高反射性的金屬材料的多層結(jié)構(gòu)，其一方面可作為歐姆接觸，另一方面起到鏡面反射作用。P、N電極焊盤232,231分別位于P、N型歐姆接觸層上，其厚度為50 μ m以上，以保證支撐前述倒裝薄膜結(jié)構(gòu)210，較佳值為70~150 μ m。P、N電極焊盤232,231的材料可為T1、N1、Cu、Au、AuSn、SnCu、SnBi,AgSnCu的一種或其組合。絕緣體230位于P、N電極焊盤232、231之間并填充N型歐姆接觸層221和P型歐姆接觸層222之間的間隙，下表面低下P、N電極焊盤232、231的下表面，呈臺階狀，其材料可為永久絕緣膠體，如SU8、BCB、干膜等。作為一個較佳的實施方式，可在外延層的表面上覆蓋鈍化層240，其材料可選用氮化硅或氧化硅等。
[0032]在本實施例中，P、N電極焊盤具備兩個作用:第一，支撐LED外延結(jié)構(gòu)，故其具備足夠的厚度和面積，其面積最好占外延層面積的80%以上，剩余面積為絕緣體材料；第二,直接用于SMT封裝。為了實現(xiàn)前述兩個作用，需要保證LED外延結(jié)構(gòu)的物理支撐的完整性，同時需要防止P、N電極焊盤短路。為此，P、N電極焊盤的面積和絕緣體基本占滿LED外延結(jié)構(gòu)的整個表面，且之間緊密接合(基本無間隙)，保證了外延結(jié)構(gòu)支撐的完整性，可以有效防止倒裝外延薄膜的損壞。絕緣體230突出電極焊盤的下表面，有效防止了在芯片在后面SMT工藝中的P、N電極短路問題。P、N電極焊盤的下表面位于同一水平面上，假設(shè)其相對位置與絕緣體的下表面的相對位置的高度差為H，P、N電極焊盤的間隙D，通過調(diào)整H和D的大小可以優(yōu)化本實施例的實施效果。在本實施例中，？^電極焊盤的間隙0為20~15(^111，高度差 H 為 20μm-150 μ m。
[0033]實施例2
請參看附圖3，本實施例與實施例1的主要區(qū)別在于:P、N電極焊盤232、231的邊緣超過LED外延結(jié)構(gòu)210的邊緣且具有一定的距離，如此可有效防止芯片在SMT焊接時因錫膏的回流導(dǎo)致錫膏爬上外延層導(dǎo)致器件漏電。假設(shè)P、N電極焊盤的邊緣超過LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣的距離為D，P、N電極焊盤的厚度為T，一般D隨T的增加而增加，在較佳的實施方式中，D/T的比例取0.5~2。設(shè)LED外延結(jié)構(gòu)210的面積為SI，P、N電極焊盤超過外延層面積為S2，其中S1/S2的比值為1/2~3/1，較佳值為9/5。以上關(guān)于各個參數(shù)的取值范圍僅作為實施參考，并不限制于此。
[0034]實施例3
在一些大尺寸的發(fā)光器件中，P、N電極焊盤的形狀及大小會成為影響器件可靠性的重要因素之一，如在習(xí)知技藝的非對稱式電極設(shè)計，在共晶制程中因其電極面積大小差異過大可能導(dǎo)致芯片傾斜，在面積相對較小的電極處產(chǎn)生共晶失效，最后導(dǎo)致電性連接失敗。[0035]請參看附圖4，本實施例與實施例2的主要區(qū)別在于:P、N電極焊盤的面積接近或基本相同。具體通過下面方式實現(xiàn):在P、N歐姆接觸層232、231上設(shè)置絕緣層250，并使N型歐姆接觸層231與LED外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光層和P型半導(dǎo)體實現(xiàn)電絕緣。在絕緣層250上對應(yīng)P、N歐姆接觸層的位置上開孔，P、N電極焊盤填充通過該開孔結(jié)構(gòu)分別與P、N歐姆接觸層接觸。
[0036]實施例4
本實施例對LED外延層的電流注入結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，其與實施例3的主要區(qū)別在于:在P、N歐姆接觸層與P、N電極焊盤之間設(shè)置雙絕緣層和導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，其中第一絕緣層與導(dǎo)電層實現(xiàn)電流均勻注入LED外延結(jié)構(gòu)，第二絕緣層實現(xiàn)所述P、N電極焊盤的面積基本相同。請參看附圖5和附圖6，其中附圖6為沿第一絕緣層251的剖開的截面圖，在LED外延結(jié)構(gòu)210的中央?yún)^(qū)域開復(fù)數(shù)個第一孔洞結(jié)構(gòu)，其穿過P型外延層和發(fā)光層至N型外延層，在P型外延層的表面上覆蓋歐姆接觸層220，在歐姆接觸層220上覆蓋第一絕緣層251，其同時覆蓋孔洞結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，露出N型外延層；在第一絕緣層251對應(yīng)的歐姆接觸層220的位置上至少開一個第二孔洞結(jié)構(gòu)；在第一絕緣層251上制作導(dǎo)電層，其劃分為N導(dǎo)電區(qū)261和P導(dǎo)電區(qū)262，其中N導(dǎo)電區(qū)261通過第一孔洞結(jié)構(gòu)與N型外延層接觸，P導(dǎo)電區(qū)262通過第二孔洞結(jié)構(gòu)與歐姆接觸層220接觸；在導(dǎo)電層上制作第二絕緣層252，并分別在N導(dǎo)電區(qū)261和P導(dǎo)電區(qū)262對應(yīng)的位置開第三孔洞結(jié)構(gòu)，P、N電極焊盤232、231填充通過該開孔結(jié)構(gòu)分別與導(dǎo)電層的P、N導(dǎo)電區(qū)接觸。
[0037]實施例5
請參看附圖7，本實施例與實施例2的主要區(qū)別在于:在LED外延結(jié)構(gòu)的表面上覆蓋鈍化層240，并在出光面上涂布熒光粉層250。作為較佳的實施方式，可在出光面作粗化處理。
[0038]請參看附圖8，為采用圖7所示發(fā)光二極管芯片制備獲得的SMT發(fā)光器件。其制作方法中主要包括三大工藝:外延生長、芯片制作、STM焊接，下面結(jié)合附圖擴17對此SMT發(fā)光器件的制作方法進行詳細說明。
[0039]首先進行外延生長，具體為:提供生長襯底201，在其上依次成長緩沖層、N型外延層、發(fā)光層、P型外延層，此外延堆疊層命名為210，如圖9所示。在此步驟中可采用常規(guī)外延生長工藝進行即可，如M0CVD。
[0040]接下來進行芯片制作工藝，包括臺面蝕刻、制作歐姆接觸層、制作絕緣體、制作電極焊盤及單一化處理。具體如下:1)利用黃光微影技術(shù)圖案化外延層210，利用ICP干法刻蝕部分外延層，露出N型外延層，刻蝕深度約I μ m ;2)利用真空電子束在P型外延層上蒸鍍高反射P型歐姆接觸層222，該金屬層可包含Cr、Ag、N1、Al、Pt、Au、T1、Tiff的一種或者多種，其總體厚度不小于0.5 μ m，最佳厚度為I μπι ;在N型外延層上形成N型歐姆接觸層221，該金屬層可包含Cr、Ag、N1、Al、Pt、Au、T1、TiW的一種或者多種，其總體厚度不小于1.5 μ m，最佳厚度為2 μ m ;兩接觸金屬最終保持等高，如圖10所示；3)利用干膜光阻制程，在上述P型接觸以及N型接觸之間形成干膜光阻隔離層作為絕緣體230，該干膜光阻高度不小于70 μ m,最佳高度120 μ m，如圖11所示；4)利用電鍍技術(shù)，在上述P型歐姆接觸層222上電鍍一層較厚的P型電極焊盤層232，在上述N型歐姆接觸層221上電鍍一層較厚的N型電極焊盤層231，電鍍材料為N1、Cu、Au、Ag等能與Sn共熔的金屬材料，其厚度不少于50 μ m，并形成可支撐外延的電鍍層，如圖12所示；5)利用激光剝離技術(shù)去除生長襯底201，露出外延層，利用黃光微影技術(shù)定義每顆芯粒大小，并利用ICP干法刻蝕定義區(qū)外的外延層至露出P型歐姆接觸層222以及N型歐姆接觸層221，如圖13 ;6)根據(jù)芯片的尺寸，采用干蝕刻或濕蝕刻的方式蝕刻LED外延結(jié)構(gòu)形成切割道；7)在露出的外延層表面上形成鈍化層240，該鈍化層材料可以是Si的氧化物或者氮化物，利用干法或者濕法的方式在表面上制作納米級粗化結(jié)構(gòu)，如圖15所示；8)利用熒光粉涂布技術(shù)在芯粒表面涂布熒光粉材料250 ;9)采用物理切割的方式，沿切割道切割電極焊盤層，從而實現(xiàn)發(fā)光結(jié)構(gòu)的單一化，形成LED芯片，至此完成芯片制作步驟。如附圖16所示，該LED芯片可直接應(yīng)用于SMT貼面焊接。
[0041]最后采用傳統(tǒng)SMT焊接步驟按前述制備好的LED芯片封裝于一承載基板上。具體包括:1)提供承載基板，利用鋼網(wǎng)印刷或是絲網(wǎng)印刷的方式將錫膏材料定義至承載基板中的特地區(qū)域，其中特定區(qū)域區(qū)分出P、N接點；2)將前述LED芯片放置于承載基板上，P、N電極焊盤與承載基板的P，N接點對位；3)將LED放置好的承載基板送入回流焊設(shè)備中進行回流焊動作，形成貼面式LED發(fā)光器件。其中，承載基板為MCPCB結(jié)構(gòu)，回流焊溫度介于28(T320C，錫膏厚度大于30 μ m,鋼網(wǎng)或絲網(wǎng)的厚度大于錫膏厚度。
[0042]在本實施例，絕緣體230凸出P、N電極焊盤的高度取大于錫膏厚度，如此在進行芯片與承載基板進行對位時，保證了 P、N電極焊盤在回流焊接中保持電性隔離。
[0043]在實施例中，先蝕刻LED外延結(jié)構(gòu)形成切割道，接著采用物理方式切割切割道上的電極焊盤，從而使得所述P、N電極焊盤的邊緣超過所述LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣且具有一定的距離，形成一系列LED芯片。
[0044]本實施例省略了傳統(tǒng)SMT工藝中LED芯片須先封裝處理的步驟，在成本上有極大優(yōu)勢；相對常規(guī)倒裝芯片，在回流焊上又有很大的穩(wěn)定性優(yōu)勢，而且傳統(tǒng)倒裝芯片由于無支持襯底，幾乎不能將生長襯底移除，而該LED發(fā)光器件則因為較厚的電鍍焊盤使其可支撐外延，去除生長襯底，從而提聞了光效。
【權(quán)利要求】
1.發(fā)光器件，包括: LED外延結(jié)構(gòu),具有相對的兩個表面,其中第一表面為出光面； P、N電極焊盤，位于所述外延結(jié)構(gòu)的第二表面上，具有足夠的厚度以支撐所述LED外延結(jié)構(gòu)，其邊緣超過LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣； 熒光粉層，覆蓋所述LED外延結(jié)構(gòu)的出光面及所述P、N電極焊盤超出所述LED外延結(jié)構(gòu)的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于:所述P、N電極焊盤的邊緣超過LED外延結(jié)構(gòu)的邊緣，超出距離大于或等于30 um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于:所述P、N電極焊盤的第二表面齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于:所述P、N電極焊盤的間隙為20^150 μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于:所述電極焊盤的厚度為50μ m以上，以支撐所述LED外延 結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L33/62GK103531689SQ201310488438
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月24日
【發(fā)明者】黃少華, 曾曉強, 趙志偉 申請人:安徽三安光電有限公司