發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】一種根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光器件，包括：本體；具有第一結(jié)合部分和第二結(jié)合部分的第一引線電極；具有第三結(jié)合部分和第四結(jié)合部分的第二引線電極；介于第一引線電極與第二引線電極之間的間隙部分；位于本體的底表面上的第三引線電極；位于本體的底表面上的第四引線電極；第一連接電極；第二連接電極；發(fā)光芯片；以及第一結(jié)合構(gòu)件，其中，間隙部分包括設(shè)置在第一結(jié)合部分與第三結(jié)合部分之間的第一間隙部分，并且第一間隙部分包括彼此間隔開與第三結(jié)合部分的寬度相對應(yīng)間隔的第一區(qū)域和第二區(qū)域、以及連接至第一區(qū)域和第二區(qū)域并垂直于第一區(qū)域和第二區(qū)域設(shè)置的第三區(qū)域。
【專利說明】發(fā)光器件
[0001]本申請要求于2012年9月13日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0101819的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過參引并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本實(shí)施方式涉及發(fā)光器件以及包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003]例如發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光器件為將電能轉(zhuǎn)化成光的半導(dǎo)體器件，并且代替?zhèn)鹘y(tǒng)的熒光燈和輝光燈被廣泛地用作下一代光源。
[0004]由于LED通過使用半導(dǎo)體器件生成光，因而與通過加熱鎢絲產(chǎn)生光的輝光燈或通過促使經(jīng)由高壓放電得到的紫外線與磷光體碰撞來產(chǎn)生光的熒光燈相比，LED可以具有低功耗。
[0005]另外，LED通過使用半導(dǎo)體器件的電勢差來產(chǎn)生光，因此與傳統(tǒng)光源相比，LED在壽命、響應(yīng)特性和環(huán)保要求方面具有優(yōu)勢。
[0006]在這方面，已經(jīng)進(jìn)行了用LED取代傳統(tǒng)光源的各種研究。LED日益增多地用作諸如各種用于戶內(nèi)和戶外的燈、液晶顯示器、電子標(biāo)識板以及路燈之類的照明裝置的光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實(shí)施方式提供了 一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。
[0008]本實(shí)施方式提供了具有發(fā)光芯片的發(fā)光器件，該發(fā)光芯片形成有對準(zhǔn)標(biāo)記。
[0009]本實(shí)施方式提供了具有反射樹脂層的發(fā)光器件，該反射樹脂層設(shè)置在發(fā)光芯片周圍以覆蓋保護(hù)芯片。
[0010]本實(shí)施方式提供了包括第一樹脂層和磷光體層的發(fā)光器件，該第一樹脂層在發(fā)光芯片周圍，該磷光體層位于發(fā)光芯片上。
[0011]根據(jù)本實(shí)施方式，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括:本體；具有第一結(jié)合部分和第二結(jié)合部分的第一引線電極，第一結(jié)合部分位于本體的頂表面上，第二結(jié)合部分從第一結(jié)合部分延伸；具有第三結(jié)合部分和第四結(jié)合部分的第二引線電極，第三結(jié)合部分位于第一結(jié)合部分內(nèi)部，第四結(jié)合部分與第二結(jié)合部分相對應(yīng)；介于第一引線電極與第二引線電極之間的間隙部分；位于本體的底表面上的第三引線電極；位于本體的底表面上的第四引線電極；在本體中將第一引線電極連接至第三引線電極的第一連接電極；在本體中將第二引線電極連接至第四引線電極的第二連接電極；位于第一引線電極的第一結(jié)合部分和第二引線電極的第三結(jié)合部分上的發(fā)光芯片；以及設(shè)置在發(fā)光芯片、第一引線電極的第一結(jié)合部分、和第二引線電極的第三結(jié)合部分之間的第一結(jié)合構(gòu)件，其中，間隙部分包括設(shè)置在第一結(jié)合部分與第三結(jié)合部分之間的第一間隙部分，第一間隙部分包括彼此間隔開與第三結(jié)合部分的寬度相對應(yīng)的間隔并且彼此平行設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域、以及連接至第一區(qū)域和第二區(qū)域并垂直于第一區(qū)域和第二區(qū)域設(shè)置的第三區(qū)域。[0012]根據(jù)本實(shí)施方式,提供了一種發(fā)光器件,該發(fā)光器件包括:本體；具有第一結(jié)合部分和第二結(jié)合部分的第一引線電極，第一結(jié)合部分位于本體的頂表面上，第二結(jié)合部分從第一結(jié)合部分延伸；具有第三結(jié)合部分和第四結(jié)合部分的第二引線電極，第三結(jié)合部分位于第一結(jié)合部分內(nèi)部，第四結(jié)合部分與第二結(jié)合部分相對應(yīng)；位于本體的底表面上的第三引線電極；位于本體的底表面上的第四引線電極；在本體中將第一引線電極連接至第三引線電極的第一連接電極；在本體中將第二引線電極連接至第四引線電極的第二連接電極；位于第一引線電極的第一結(jié)合部分和第二引線電極的第三結(jié)合部分上的發(fā)光芯片；設(shè)置在發(fā)光芯片、第一引線電極的第一結(jié)合部分、和第二引線電極的第三結(jié)合部分之間的第一結(jié)合構(gòu)件；以及位于第一引線電極的第二結(jié)合部分和第二引線電極的第四結(jié)合部分上的保護(hù)芯片，其中，第一引線電極包括設(shè)置在與發(fā)光芯片的至少三個(gè)拐角相對應(yīng)的區(qū)域中的第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分，第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分具有與介于發(fā)光芯片的一個(gè)側(cè)面與本體鄰近發(fā)光芯片的所述一個(gè)側(cè)面的一個(gè)側(cè)面之間的間隔相對應(yīng)的深度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光器件的立體圖；
[0014]圖2是沿圖1中示出的發(fā)光器件的線A-A剖切的剖視圖；
[0015]圖3是示出安裝在圖1中示出的本體上的發(fā)光芯片和保護(hù)芯片的俯視圖；
[0016]圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的本體的平面圖；
[0017]圖5是圖1中示出的發(fā)光器件的仰視圖；
[0018]圖6是示出圖3的發(fā)光芯片的平面圖；
[0019]圖7是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線B-B剖切的剖視圖；
[0020]圖8是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線C-C剖切的剖視圖；
[0021]圖9是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；
[0022]圖10是示出根據(jù)第三實(shí)施方式的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；
[0023]圖11是示出根據(jù)第四實(shí)施方式的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖；
[0024]圖12是示出包括根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件的顯示裝置的立體圖；
[0025]圖13是示出包括根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件的顯示裝置的立體圖；以及
[0026]圖14是示出包括根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]在后文中，將參照附圖來詳細(xì)描述實(shí)施方式，使得本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員能夠容易地利用實(shí)施方式。然而，實(shí)施方式可以不限于下面描述的實(shí)施方式，而是可以進(jìn)行各種改型。
[0028]在以下描述中，除非另有說明，否則當(dāng)預(yù)定部分“包括”預(yù)定部件時(shí)，預(yù)定部分不排除其他部件，而是還可以包括其他部件。在實(shí)施方式的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層、膜、區(qū)域、或板被稱為位于另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板“上”時(shí)，其可以為“直接地”或“間接地”位于其他層、其他膜、其他區(qū)域、其他板上，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相比之下，當(dāng)部分被稱為“直接地”位于另一部分上時(shí)，則不存在中間層。
[0029]為了方便或清楚起見，附圖中示出的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性地繪制。另外，元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。在全部附圖中，相同的附圖標(biāo)記將表示相同的元件。
[0030]在后文中，將參照圖1至圖7來描述根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光器件。
[0031]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光器件的立體圖，圖2是沿圖1中示出的發(fā)光器件的線A-A剖切的剖視圖，圖3是示出安裝在圖1中示出的本體上的發(fā)光芯片和保護(hù)芯片的俯視圖，圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的本體的平面圖，圖5是圖1中示出的發(fā)光器件的仰視圖，圖6是示出圖3的發(fā)光芯片的平面圖，圖7是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線B-B剖切的剖視圖，以及圖8是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線C-C剖切的剖視圖。
[0032]參照圖1至圖4，發(fā)光器件100包括:本體101 ;設(shè)置在本體101的頂表面上的第一引線電極121和第二引線電極131 ;設(shè)置在本體101的底表面上的第三引線電極123和第四引線電極133 ;穿過本體101將第一引線電極121和第三引線電極123彼此連接的至少一個(gè)第一連接電極122和122A ;穿過本體101將第二引線電極131和第四引線電極133彼此連接的第二連接電極132 ;設(shè)置在第一引線電極121和第二引線電極131上的發(fā)光芯片151 ;以及形成在第一引線電極121和第二引線電極131上的保護(hù)芯片171 ;設(shè)置在發(fā)光芯片151和保護(hù)芯片171周圍的第一樹脂層155 ;設(shè)置在第一樹脂層155上的第二樹脂層；以及位于發(fā)光芯片151與第二樹脂層之間的磷光體層153。
[0033]本體101包括絕緣材料，例如，陶瓷材料。陶瓷材料可以包括LTCC(低溫共燒陶瓷)或HTCC (高溫共燒陶瓷)。本體101可以包括金屬氧化物，例如，Si02、SixOy, Si3N4, SixNy,Si0xNy、Al203、或A1N。優(yōu)選地，本體101可以包括AlN或Al2O3、或者具有140W/mK導(dǎo)熱率的
金屬氧化物。
[0034]本體101可以通過使用諸如PPA (聚鄰苯二甲酰胺)之類的基于樹脂的絕緣材料來設(shè)置。本體101可以通過使用如下材料來設(shè)置:硅、環(huán)氧樹脂、以及包括塑性材料、高耐熱材料或高耐光材料的熱固性樹脂。硅包括白樹脂。另外，可以選擇性地將酸酐、抗氧化劑、脫離齊IJ、反光材料、無機(jī)填充劑、硬化促進(jìn)劑、光穩(wěn)定劑、潤滑劑或二氧化鈦添加至本體101。本體101可以通過使用選自由環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅樹脂、改性硅樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯樹脂構(gòu)成的組中的至少一種來設(shè)置。例如，本體101可以通過使用B階固態(tài)環(huán)氧樹脂成分來設(shè)置，該B階固態(tài)環(huán)氧樹脂成分通過將諸如三縮水甘油酯或氫化雙酚A 二縮水甘油醚之類的環(huán)氧樹脂與諸如六氫鄰苯二甲酸酐、3-甲基六氫鄰苯二甲酸酐或4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐之類的酸酐促進(jìn)劑混合、并進(jìn)而在將用作促硬劑的DBU (1.8- 二氮雜二環(huán)(5、4、0 )十一烯-7)以及用作促進(jìn)劑的乙二醇、鈦氧化物顏料或玻璃纖維添加到環(huán)氧樹脂中之后對該混合物進(jìn)行部分地硬化來獲得，但本實(shí)施方式不限于此。
[0035]如圖1和3所示，本體101包括彼此相對的第一側(cè)面I和第二側(cè)面2、以及與第一側(cè)面I和第二側(cè)面2相鄰并彼此相對的第三側(cè)面3和第四側(cè)面4。第一側(cè)面I和第二側(cè)面2的長度Dl可以比第二側(cè)面3和第四側(cè)面4的長度D2長。例如，長度Dl可以在1.6mm±0.5mm的范圍內(nèi)，而長度D2可以在2.2mm±0.5mm的范圍內(nèi)，長度D2為發(fā)光芯片151的寬度A2至少兩倍。如圖3中所示，延伸穿過第一側(cè)面I和第二側(cè)面2的中心的線Cl可以與發(fā)光芯片151和保護(hù)芯片171的中心對準(zhǔn)。長度Dl和D2可以根據(jù)發(fā)光芯片151和保護(hù)芯片171的對準(zhǔn)方向來變化，而該實(shí)施方式不限于長度Dl和D2。
[0036]發(fā)光芯片151鄰近本體101的第一側(cè)面I設(shè)置，并且保護(hù)芯片171鄰近本體101的第二側(cè)面2設(shè)置。發(fā)光芯片151的中心線C2與本體I的第一側(cè)面I之間的距離D3在
0.7mm±0.1mm的范圍內(nèi)，而保護(hù)芯片171的中心線C3與本體I的第二側(cè)面2之間的距離D4在0.36_±0.05mm的范圍內(nèi)。距離D3可以比距離D4長。具體地,距離D3為距離D4的大約兩倍長，以允許發(fā)光芯片151設(shè)置成更接近本體101的中心位置并保護(hù)發(fā)光芯片151。
[0037]發(fā)光芯片151在第一方向上的寬度Al可以與發(fā)光芯片151在第二方向上的寬度A2相同，但本實(shí)施方式不限于此。寬度Al和寬度A2在lmm±0.5mm的范圍內(nèi)。保護(hù)芯片171的寬度可以對應(yīng)于發(fā)光芯片151在第一方向和第二方向中的至少一個(gè)方向上的寬度Al和A2的1/2。
[0038]參照圖2，本體101的厚度Tl在380iim±5iim的范圍內(nèi)以支撐發(fā)光器件。
[0039]如圖3和圖5所示，第一引線電極至第四引線電極121、131、123和133設(shè)置在本體101中。第一引線電極121和第二引線電極131設(shè)置在本體101的頂表面上，而第三引線電極123和第四引線電極133設(shè)置在本體101的底表面上。
[0040]第一引線電極121包括第一結(jié)合部分BI和第二結(jié)合部分B2，并且第一結(jié)合部分BI在其內(nèi)設(shè)置有的開放接收區(qū)域。第二結(jié)合部分B2從第一結(jié)合部分BI延伸。第二引線電極131包括第三結(jié)合部分B3和第四結(jié)合部分B4，其中，第三結(jié)合部分B3具有突出結(jié)構(gòu)，并對應(yīng)于第一引線電極121的第一結(jié)合部分BI的接收區(qū)域。間隙部分124設(shè)置在第一結(jié)合部分BI與第三結(jié)合部分B3之間。在間隙部分124中，第一結(jié)合部分BI的至少三個(gè)側(cè)面與第三結(jié)合部分B3的至少三個(gè)側(cè)面一例如三到七個(gè)側(cè)面一可以彼此對應(yīng)。即，第一結(jié)合部分BI設(shè)置在第三結(jié)合部分B3周圍，以使電流擴(kuò)展通過發(fā)光芯片151的電極。第四結(jié)合部分B4從第三結(jié)合部分B3延伸，并設(shè)置成對應(yīng)于第一引線電極121的第二結(jié)合部分B2。
[0041]另外，寬度寬于第一結(jié)合部分BI的寬度的第三結(jié)合部分B3設(shè)置在第一結(jié)合部分BI中，使得可以在發(fā)光芯片151的中心處增大相對于電極的結(jié)合面積。從而，可以使電流在發(fā)光芯片151中有效地?cái)U(kuò)展。
[0042]第一引線電極121具有在第一結(jié)合部分BI周圍的多個(gè)凹入部分M1、M2和M3。對應(yīng)于發(fā)光芯片151的至少三個(gè)邊緣來設(shè)置凹入部分M1、M2和M3。凹入部分M1、M2和M3為用于安裝發(fā)光芯片151的對準(zhǔn)標(biāo)記，且設(shè)置為比第一引線電極121的外周面更向內(nèi)。凹入部分M1、M2和M3設(shè)置在第一引線電極121被部分移出的區(qū)域中。
[0043]在凹入部分M1、M2和M3之中，第一凹入部分Ml與第二凹入部分M2之間的距離與發(fā)光芯片151在第二方向上的寬度A2相同。S卩，第一凹入部分Ml與第二凹入部分M2彼此間隔開與發(fā)光芯片151的一個(gè)側(cè)面的長度相對應(yīng)的間隔。另外,第二凹入部分M2與第三凹入部分M3之間的距離與發(fā)光芯片151在第一方向上的寬度Al相同。S卩，第二凹入部分M2與第三凹入部分M3彼此間隔開與發(fā)光芯片151的另一個(gè)側(cè)面的長度相對應(yīng)的間隔。此外，第一凹入部分Ml與第三凹入部分M3彼此間隔開與發(fā)光芯片151的對角線長度相對應(yīng)的間隔。
[0044]具有通孔結(jié)構(gòu)的連接電極122設(shè)置在與發(fā)光芯片151的未設(shè)置有凹入部分M1、M2和M3的邊緣鄰近的區(qū)域處。即，連接電極122與第一凹入部分Ml和第三凹入部分M3間隔開。例如，連接電極122與第一凹入部分Ml和第三凹入部分M3間隔開發(fā)光芯片151的寬度A2，S卩，比發(fā)光芯片151的一個(gè)側(cè)面的長度長的距離。
[0045]第一凹入部分至第三凹入部分Ml、M2和M3的深度El、E2和E3可以與發(fā)光芯片151與本體101的側(cè)面1、3和4之間的距離相對應(yīng)。第二凹入部分M2和第三凹入部分M3的深度E2和E3彼此相等，且不同于第一凹入部分Ml的深度El。
[0046]發(fā)光芯片151對準(zhǔn)在第一凹入部分至第三凹入部分Ml、M2和M3上，然后安裝在第一引線電極121的第一結(jié)合部分BI和第二引線電極131的第三結(jié)合部分B3上。
[0047]第一支撐突出部Pl和第二支撐突出部P2設(shè)置在第一引線電極121上，其中，第一支撐突出部Pl暴露于本體101的第三側(cè)面3，而第二支撐突出部P2暴露于本體101的第四側(cè)面4。
[0048]第三支撐突出部P3和第四支撐突出部P4設(shè)置在第二引線電極131上，其中，第三支撐突出部P3暴露于本體101的第三側(cè)面3，而第四支撐突出部P4暴露于本體101的第四側(cè)面4。
[0049]第一支撐突出部Pl和第二支撐突出部P2設(shè)置為鄰近延伸穿過發(fā)光芯片的中心的線C2，并且第一結(jié)合部分BI和第三結(jié)合部分B3設(shè)置在線Cl上。第三支撐突出部P3和第四支撐突出部P4可以設(shè)置在與延伸穿過保護(hù)芯片171中心的線C3的中心對準(zhǔn)的中心上。
[0050]第一和第二引線電極121和131的外表面與本體101的側(cè)面1、2、3和4間隔開預(yù)定距離Gl和G2，使得可以防止第一和第二引線電極121和131層離。距離Gl和G2具有50 iim或更大的尺寸，例如在150 iim至200 iim的范圍內(nèi)，使得第一樹脂層的下部156可以與本體101的頂表面進(jìn)行充分接觸。另外，減小了第一和第二引線電極121和131向外部的暴露以改進(jìn)電可靠性。
[0051]第一和第三結(jié)合部分BI和B3設(shè)置在第一和第二支撐突出部Pl和P2之間，并且將第一和第二支撐突出部Pl和P2彼此連接的線段可以延伸穿過發(fā)光芯片151的中心。第一和第二支撐突出部Pl和P2關(guān)于第一和第三結(jié)合部分BI和B3彼此相對設(shè)置以支撐第一和第三結(jié)合部分BI和B3的區(qū)域。
[0052]第二和第四結(jié)合部分B2和B4設(shè)置在第三和第四支撐突出部P3和P4之間，并且將第三和第四支撐突出部P3和P4彼此連接的線段可以延伸穿過保護(hù)芯片171的中心。第三和第四支撐突出部P3和P4關(guān)于第二和第四結(jié)合部分B2和B4彼此相對設(shè)置以支撐第二和第四結(jié)合部分B2和B4的區(qū)域。將第一和第二支撐突出部Pl和P2彼此連接的虛擬線可以與發(fā)光芯片151的中心對準(zhǔn)，而將第三和第四支撐突出部P3和P4彼此連接的虛擬線可以與保護(hù)芯片171的中心對準(zhǔn)。
[0053]另外，如圖2所示，第一至第四支撐突出部Pl至P4與第二樹脂層155的下部156接觸，使得可以防止第一至第四支撐突出部Pl至P4從本體101的頂表面層離。
[0054]如圖4所示，間隙部分124設(shè)置在第一和第二引線電極121和131之間。間隙部分124可以包括設(shè)置在第一和第三結(jié)合部分BI和B3之間的第一間隙部分Rl至R5以及設(shè)置在第二和第四結(jié)合部分M2和M4之間的第二間隙部分R6。
[0055]第一間隙部分Rl至R5可以包括第一和第二區(qū)域Rl和R2、以及第三區(qū)域R3，第一和第二區(qū)域Rl和R2彼此平行地間隔開第三結(jié)合部分B3的寬度D8，第三區(qū)域R3與第一和第二區(qū)域Rl和R2垂直地連接至第一和第二區(qū)域Rl和R2。另外，第一間隙部分Rl至R5可以包括在第三區(qū)域R3與第一和第二區(qū)域Rl和R2之間彎曲的第四和第五區(qū)域R4和R5。第四和第五區(qū)域R4和R5可以在第三區(qū)域R3與第一和第二區(qū)域Rl和R2之間以鈍角成弧形或彎曲。另外，可以省略第四和第五區(qū)域R4和R5中的至少一個(gè)區(qū)域，并且本實(shí)施方式不限于此。
[0056]第二間隙部分R6包括第六區(qū)域R6，該第六區(qū)域R6平行于第一和第二區(qū)域Rl和R2并垂直于第三區(qū)域R3。第六區(qū)域R6間隔開預(yù)定距離與第二區(qū)域R2并連接至第二區(qū)域R2。第六區(qū)域R6的中心與介于第一和第二區(qū)域Rl和R2之間的中心對準(zhǔn)。
[0057]參照圖5，第三和第四引線電極123和133設(shè)置在本體101的底表面102上。第三引線電極123通過第一連接電極122和122A連接至第一引線電極121，而第四引線電極133通過第二連接電極132連接至第二引線電極131。第一連接電極122和122A中的至少一個(gè)設(shè)置在本體101中并連接至第一和第三引線電極121和123。至少一個(gè)第二連接電極132設(shè)置在本體101中并連接至第二和第四引線電極131和133。
[0058]第三引線電極123的底表面的面積不同于第四引線電極133的底表面的面積。例如，第三引線電極123的底表面的面積大于第四引線電極133的底表面的面積。
[0059]第一至第四引線電極121、131、123和133可以包括選自T1、Cu、N1、Au、Cr、Ta、Pt、Pd、Sn、Ag和P的多種金屬，并且可以制備為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一至第四引線電極121、131、123和133可以具有Cu/Ni/Pd/Au的堆疊結(jié)構(gòu)。由于Au覆層設(shè)置在第一至第四引線電極121、131、123和133的表面上，因而可以抑制由濕氣滲透引起的腐蝕并可以改進(jìn)電可靠性。
[0060]第一至第四引線電極121、131、123和133可以具有在80±2iim范圍內(nèi)的厚度。在該情況下，Cu具有在7.5± 1.5 ii m范圍內(nèi)的厚度，Ni具有在5± 1.5 y m范圍內(nèi)的厚度，以及Pd或Au具有在0.1?0.3 iim范圍內(nèi)的厚度。由于Cu具有厚的厚度，所以可以改進(jìn)導(dǎo)熱效率。
[0061]除了第一至第四支撐突出部Pl至P4的外表面之外設(shè)置有覆層。由于第一至第四支撐突出部Pl至P4存在于切割表面中，因而從第一至第四支撐突出部Pl至P4的外表面移除覆層。在第三和第四引線電極123和133的表面上設(shè)置有覆層。
[0062]如圖2和圖3所示，在設(shè)置于本體101的中心區(qū)域上的第一和第二引線電極121和131上設(shè)置發(fā)光芯片151，以及在設(shè)置于本體101的側(cè)部區(qū)域上的第一和第二引線電極121和131上設(shè)置保護(hù)芯片171。
[0063]發(fā)光芯片151為能夠選擇性地發(fā)射具有波段范圍為從紫外線波段到可見光波段的光的光源。發(fā)光芯片151可以包括UV (紫外)LED (發(fā)光二極管)芯片、綠色LED芯片、藍(lán)色LED芯片以及紅色LED芯片。可以在發(fā)光芯片151的光發(fā)射區(qū)域上覆有磷光體，而本實(shí)施方式不限于此。
[0064]發(fā)光芯片151通過多個(gè)第一結(jié)合構(gòu)件125結(jié)合至第一和第二引線電極121和131,而保護(hù)芯片171通過多個(gè)第二結(jié)合構(gòu)件127結(jié)合到第一和第二引線電極121和131上?？梢酝ㄟ^使用例如焊料的導(dǎo)電材料來設(shè)置第一和第二結(jié)合構(gòu)件125和126。
[0065]發(fā)光芯片151可以具有IOOiim或更大的厚度，而保護(hù)芯片171可以具有在90
至105pm范圍內(nèi)的厚度。可以以晶閘管、齊納二極管或TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)的形式來實(shí)現(xiàn)保護(hù)芯片171，并且保護(hù)芯片171保護(hù)發(fā)光芯片151免于ESD (靜電放電)。磷光體層153具有在0.15 ii m至60 ii m范圍內(nèi)的厚度D7。發(fā)光器件具有在0.75mm±0.05mm的范圍內(nèi)的厚度D5。通過將用于發(fā)光芯片151的支撐件和導(dǎo)熱效率考慮在內(nèi)來確定以上厚度。
[0066]第一樹脂層155設(shè)置在發(fā)光芯片151周圍而不覆蓋發(fā)光芯片151的頂表面。第一樹脂層155定位成高于保護(hù)芯片171的周邊和頂表面以覆蓋保護(hù)芯片171的頂表面。第一樹脂層155的一部分設(shè)置在第一和第二引線電極121和131的頂表面、發(fā)光芯片151以及保護(hù)芯片171之間。
[0067]金屬氧化物添加至第一樹脂層155的樹脂材料。樹脂材料包括硅或環(huán)氧樹脂，并且金屬氧化物的折射率高于樹脂材料的折射率。例如，金屬氧化物可以包括TiO2或Si02。至少5wt%或更多的金屬氧化物添加至第一樹脂層155。例如，5wt%至15wt%的金屬氧化物添加至第一樹脂層155。具有金屬氧化物的第一樹脂層155可以用作在發(fā)光芯片151周圍的反射構(gòu)件。反射構(gòu)件代表相對于從發(fā)光芯片151發(fā)射的光的至少50%或更大的反射率，例如，78%。如果包含在第一樹脂層155中的金屬氧化物超過15wt%，則會(huì)顯著降低第一樹脂層155的粘性，那么濕氣會(huì)滲透到第一樹脂層155中，并且會(huì)降低第一樹脂層155相對于其他材料的結(jié)合強(qiáng)度。另外，如果第一樹脂層155中的金屬氧化物的含量降低，則會(huì)降低反射效率，從而引起光提取效率的降低。
[0068]磷光體層153設(shè)置在發(fā)光芯片151上。磷光體層153吸收從發(fā)光芯片151發(fā)射的光的一部分從而轉(zhuǎn)換光的波長。可以通過向例如硅或環(huán)氧樹脂的透光樹脂材料添加磷光體來設(shè)置磷光體層153。磷光體可以包括黃色磷光體、綠色磷光體、藍(lán)色磷光體和紅色磷光體中的至少一種。例如，磷光體可以包括選自下列物質(zhì)中的至少一種物質(zhì):主要由諸如銪(Eu)或鈰(Ce)之類的基于鑭系元素的元素活化的氮化物基磷光體、氮氧化物基磷光體和硅鋁氧氮聚合材料基磷光體；主要由諸如銪之類的基于鑭系元素的元素或諸如錳之類的過渡金屬元素活化的堿土鹵磷灰石磷光體；堿土金屬硼酸鹵磷光體；堿土金屬鋁酸鹽磷光體；堿土硅酸鹽；堿土硫化物；堿土硫代鎵酸鹽；堿土氮化硅；萌芽體；主要由諸如鈰之類的基于鑭系元素的元素活化的稀土鋁酸鹽；稀土硅酸鹽；以及主要由諸如銪之類的基于鑭系元素的元素活化的有機(jī)螯合劑，但本實(shí)施方式不僅限于此。
[0069]第二樹脂層161設(shè)置在第一樹脂層155和磷光體層153上。第二樹脂層161為可以不添加諸如磷光體、分散劑或散射劑之類添加劑的純凈成型材料，即，可以不添加折射率高于樹脂材料的折射率的雜質(zhì)。第二樹脂層161可以用作光出射面，并且第二樹脂層161的頂表面可以是凹狀的或凸?fàn)畹摹?br> [0070]第二樹脂層161的厚度可以比磷光體層153的厚度厚，但本實(shí)施方式不限于此。
[0071]圖6是示出圖3的發(fā)光芯片的平面圖，圖7是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線B-B剖切的剖視圖，圖8是沿圖6中示出的發(fā)光芯片的線C-C剖切的剖視圖。
[0072]參照圖6,發(fā)光芯片151包括設(shè)置在發(fā)光芯片151內(nèi)部而未暴露于發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面的多個(gè)第二電極41、和設(shè)置在第二電極41周圍的第一電極39。第二電極41設(shè)置在第一電極39內(nèi)部并安裝在第二引線電極123的第三結(jié)合部分B3上。
[0073]第二電極41可以規(guī)則地對準(zhǔn)。每個(gè)第二電極41包括多個(gè)凹部41A，所述多個(gè)凹部41A具有與第一電極39的凸部相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。第一電極39的一部分可以設(shè)置在第二電極41之間。第一電極39可以具有穿過第二電極41之間的區(qū)域的連接結(jié)構(gòu)。
[0074]第一電極39設(shè)置在發(fā)光芯片151的整個(gè)區(qū)域上，并包括設(shè)置在第二電極41之間的橋電極39B、和連接至橋電極39B并設(shè)置在第二電極41的凹部41A上的接觸部39A。第二電極41的凹部41A可以具有半球形形狀，但本實(shí)施方式不限于此。
[0075]通過第一結(jié)合構(gòu)件125，第一電極39連接至第一引線電極121并且第二電極41連接至第二引線電極131。橋電極39B的頂表面可以低于第一和第二電極39和41的頂表面，但本實(shí)施方式不限于此。
[0076]參照圖7和圖8，發(fā)光芯片151可以包括襯底11、緩沖層13、低導(dǎo)電層15、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21、活性層23、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25、第一電極層31、反射層33、絕緣層37、第一電極39以及第二電極41。
[0077]襯底11可以包括透光襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底11可以包括A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、Zn0、S1、GaP、InP、Ge、Ga203 和 LiGaO3 中的至少一種。可以在襯底 11 的頂表面和底表面中的至少一者上設(shè)置有多個(gè)突出部。所述突出部可以通過蝕刻襯底11設(shè)置成帶狀、半球狀或穹頂狀，或者可以設(shè)置為諸如粗糙結(jié)構(gòu)之類的單獨(dú)的光提取結(jié)構(gòu)。襯底11可以具有在30 iim至300 iim范圍內(nèi)的厚度。襯底11可以從發(fā)光芯片151中移出。在這種情況下，磷光體層直接接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0078]多個(gè)化合物半導(dǎo)體層可以生長在襯底11上?？梢酝ㄟ^電子束蒸發(fā)器、PVD (物理氣相沉積)、CVD (化學(xué)氣相沉積)、PLD (等離子體激光沉積)、復(fù)式熱蒸發(fā)器、濺射、或MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)來設(shè)置化合物半導(dǎo)體層，但本實(shí)施方式不限于此。
[0079]緩沖層13可以設(shè)置在襯底11上。緩沖層13可以通過使用I1-VI族或III至V族化合物半導(dǎo)體制備為至少一層。緩沖層13可以包括通過使用II1-V族化合物半導(dǎo)體來設(shè)置的半導(dǎo)體層。例如，緩沖層13可以包括組成式為InxAlyGa1^N(0 ^ X ^ I, 0 ^ y ^ 1，0≤x+y≤I)的化合物半導(dǎo)體中的至少一種,例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。通過交替地堆疊異質(zhì)的半導(dǎo)體層，緩沖層13可以具有超晶格結(jié)構(gòu)。
[0080]緩沖層13可以減小襯底11與氮化物半導(dǎo)體層之間的晶格失配，并且可以被限定為缺陷控制層。緩沖層13的晶格常數(shù)可以介于襯底11的晶格常數(shù)與氮化物半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)之間?？梢酝ㄟ^使用諸如ZnO之類的氧化物來設(shè)置緩沖層13，但本實(shí)施方式不限于此。緩沖層可以具有在30nm至500nm范圍內(nèi)的厚度，但本實(shí)施方式不限于此。
[0081]低導(dǎo)電層15設(shè)置在緩沖層13上。低導(dǎo)電層15包括導(dǎo)電性低于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21的導(dǎo)電性的無摻雜的半導(dǎo)體層。可以通過使用例如GaN基半導(dǎo)體的II1-V族化合物半導(dǎo)體來設(shè)置低導(dǎo)電層15。即使未有意向無摻雜的半導(dǎo)體層摻雜導(dǎo)電摻雜劑，未摻雜的半導(dǎo)體層也具有低導(dǎo)電性質(zhì)。緩沖層13和低導(dǎo)電層15中的至少一個(gè)或全部可以從發(fā)光芯片151中省略,而實(shí)施方式不限于此。
[0082]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21設(shè)置在低導(dǎo)電層15上?？梢酝ㄟ^使用摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的II1-V族化合物半導(dǎo)體來設(shè)置第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21。例如，可以通過使用組成式為InxAlyGa1^N (0^x^l,0^y^l,0^ x+y≤I)的半導(dǎo)體材料來設(shè)置第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21可以為n型半導(dǎo)體層。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21為n型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜劑包括n型摻雜劑，例如S1、Ge、Sn、Se或Te。
[0083]低導(dǎo)電層15和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21中的至少一者可以具有超晶格結(jié)構(gòu)，其中，異質(zhì)的第一和第二半導(dǎo)體層交替地堆疊。第一和第二層中的每個(gè)可以具有大約數(shù)人或更厚的厚度。
[0084]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21與活性層23之間設(shè)置第一覆層(未示出)。第一覆層可以包括GaN基半導(dǎo)體并且可以限定載體。根據(jù)另一實(shí)施方式，第一覆層可以具有InGaN或InGaN/GaN的超晶格結(jié)構(gòu)，但本實(shí)施方式不限于此。第一覆層可以包括n型和/或p型摻雜劑。例如，第一覆層可以制備為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層或低導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0085]活性層23設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21或第一覆層上?；钚詫?3可以包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、和量子線結(jié)構(gòu)中的至少一種?；钚詫?3可以具有阱層/勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。阱層可以具有連續(xù)能級。另外，阱層可以為具有量子能級的量子阱層。阱層可以被限定為量子阱層，并且勢壘層可以被限定為量子勢壘層。阱層/勢壘層可以以2至30的周期進(jìn)行重復(fù)。例如，阱層可以通過使用組成式為InxAlyGa1IyN(0^x^l,0^y^l,0^x+y^l)的半導(dǎo)體材料來設(shè)置。勢壘層可以制備為帶寬寬于阱層的帶寬的半導(dǎo)體層。例如，可以通過使用組成式為InxAlyGa1IyN (0≤X≤I,I, 0 ≤ x+y ≤ I)的半導(dǎo)體材料來設(shè)置勢壘層。阱層/勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)可以包括InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN、和 InGaN/InGaN 中的至少一種。
[0086]講層可以具有在1.5nm至5nm范圍內(nèi)的厚度,例如，2nm至4nm。勢魚層的厚度比講層的厚度厚，勢魚層的厚度在5nm至30nm范圍內(nèi)，例如5nm至7nm?？梢詫型摻雜劑摻雜到勢壘層中，但本實(shí)施方式不限于此。活性層23可以選擇性地發(fā)射波段范圍從紫外線波段到可見光波段的光。例如，活性層23可以發(fā)射峰值波長在420nm至450nm范圍內(nèi)的光。
[0087]可以在活性層23上設(shè)置第二覆層(未示出)。第二覆層的帶隙比活性層的勢壘層的帶隙寬。第二導(dǎo)電覆層可以包括II1-V族化合物半導(dǎo)體，例如GaN基半導(dǎo)體。例如，第二覆層可以具有GaN、AlGaN、或InAlGaN的超晶格結(jié)構(gòu)。第二覆層可以包括n型和/或p型摻雜劑，并且第二覆層可以制備為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層或低導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0088]第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以設(shè)置在第二覆層(未示出)或活性層23上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括第二導(dǎo)電摻雜劑。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以包括諸如GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、和AlInN之類的化合物半導(dǎo)體中的至少一種。如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25為p型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜劑為p型摻雜劑，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
[0089]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21、活性層23和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以組成發(fā)光結(jié)構(gòu)層20。
[0090]在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20中，第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層21和25的導(dǎo)電類型可以變化為與上述相反。具體地，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25可以制備為n型半導(dǎo)體層，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21可以制備為p型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25上設(shè)置n型半導(dǎo)體層，該n型半導(dǎo)體層為極性與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25的極性相反的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)層20可以具有n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、和p_n_p結(jié)結(jié)構(gòu)中之一。在n_p結(jié)結(jié)構(gòu)和P-n結(jié)結(jié)構(gòu)的情況下，活性層23設(shè)置在兩層之間。在n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)和p_n_p結(jié)結(jié)構(gòu)的情況下，至少一個(gè)活性層23設(shè)置在三層之間。
[0091]在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20上設(shè)置有第一電極層31、反射層33、第二電極層35、絕緣層37和第二電極41,并且第一電極39設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20的一部分上。
[0092]第一電極層31為電流擴(kuò)展層且包括透光和導(dǎo)電材料。第一電極層31可以制備為折射率低于化合物半導(dǎo)體層的折射率的透明電極層。
[0093]第一電極層31設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25的頂表面上并且包括金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。第一電極層31可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的一種。第一電極層31可以制備為至少一個(gè)層。例如,可以通過使用選自Al、Ag、Pd、Rh、Pt、Ir和它們的合金中的至少一種以光可以穿過第一電極層31的方式來淺薄地設(shè)
置第一電極層31。例如，第一電極層31可以具有50人或更薄的厚度，例如10人。
[0094]反射層33設(shè)置在第一電極層31上。反射層33可以包括Ag或Al。優(yōu)選地，Al被用于反射層33，這是因?yàn)锳l表現(xiàn)出高于Ag的反射率的反射率。
[0095]可以在第一電極層31與反射層33之間的區(qū)域上部分地設(shè)置有粘合層(未示出)。粘合層可以包括表現(xiàn)出對于450nm波長的光具有80%或更大的透射率的含氟過渡金屬化合物。由于與Ag反射層相比，粘合層表現(xiàn)出對于Al反射層具有較高粘合力，因而可以改進(jìn)反射層33的粘合性能。由于改進(jìn)了反射層33的粘合性能，因而也可以改進(jìn)反射效率。通過將相對于反射層33的粘合強(qiáng)度考慮在內(nèi)，粘合層可以具有在IOnm到I y m范圍內(nèi)的厚度。
[0096]第二電極層35設(shè)置在反射層33上?？梢酝ㄟ^使用諸如勢壘金屬層之類的金屬層來設(shè)置第二電極層35。第二電極層35可以包括T1、W、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、Ag和Au中的至少一種，并且可以制備為單層或多層。例如，可以通過使用諸如Tiff (鎢化鈦)之類的合金來設(shè)置第二電極層35，但本實(shí)施方式不限于此。第一電極層31、反射層33和第二電極層35可以具有ITO/Ag/TiW的堆疊結(jié)構(gòu)。可以省略第一電極層31。
[0097]如圖8所示，在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20中設(shè)置有至少一個(gè)凹口 19，并且該至少一個(gè)凹口 19可以具有足以用于將發(fā)光結(jié)構(gòu)層20從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層25暴露到一部分所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21的深度?？梢栽O(shè)置多個(gè)凹口 19同時(shí)將它們彼此間隔開，但本實(shí)施方式不限于此。
[0098]絕緣層37設(shè)置在第二電極層35上并在凹口 19周圍延伸。在設(shè)置在凹口 19中的絕緣層37中設(shè)置有孔，并且第一電極39的部分39A設(shè)置在該孔中。第一電極39的部分39A具有通孔結(jié)構(gòu)并與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層21進(jìn)行物理接觸。
[0099]絕緣層37也可以設(shè)置在第一電極39與發(fā)光結(jié)構(gòu)層20之間的側(cè)壁處。絕緣層37可以包括絕緣材料或絕緣樹脂，例如，Al、Cr、S1、T1、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物。例如，絕緣層37可以包括選自Si02、Si3N4、Al203、和TiO2中的一種。絕緣層37可以制備為單層或多層，但本實(shí)施方式不限于此。
[0100]另外，絕緣層37可以包括非導(dǎo)電金屬化合物，例如氟化物金屬化合物。例如，絕緣層37可以制備為MxFy，其中，M包括諸如Ga、Mg和Al、以及過渡金屬之類的金屬中的至少一種，X在I至3的范圍內(nèi)，并且y為2或3。氟化物過渡金屬化合物包括MgF2、AlF3、或GaF3。
[0101]第一電極層31設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20上,反射層33設(shè)置在第一電極層31上,并且第二電極層35設(shè)置在反射層33上。反射層33可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)層20的頂部的大約80%或更多，并且反射層33的粘合強(qiáng)度可以通過粘合層進(jìn)行改進(jìn)。第二電極層35可以與第一電極層31和反射層33的橫向側(cè)面接觸，但本實(shí)施方式不限于此。
[0102]第二電極41設(shè)置在第二電極層35上。第二電極41可以以臂圖案的形式分支并彼此連接。絕緣層37的一部分還可以設(shè)置在第二電極41與第二電極層35之間，但本實(shí)施方式不限于此。第一電極39的上部寬度可以寬于其下部寬度，以及第二電極41的上部寬度可以寬于其下部寬度。
[0103]由于第一和第二電極39和41的頂表面在發(fā)光結(jié)構(gòu)層20上的同一平面上對準(zhǔn)，因而可以用倒裝方案將第一和第二電極39和41安裝在襯底上或安裝在封裝件中。[0104]第一和第二電極39 和 41 可以包括 Cr、T1、Co、N1、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、N1、Mo、W、La、Ta、Ti或它們的合金，并且可以制備為單層或多層。另外，第一和第二電極39和41可以具有相同的金屬堆疊結(jié)構(gòu)。例如，第一和第二電極39和41可以具有Cr/NiAl/Au的堆疊結(jié)構(gòu)，但本實(shí)施方式不限于此。
[0105]在發(fā)光芯片151中，從活性層23發(fā)射的光的一部分從反射層33反射并朝向襯底11和側(cè)壁被提取出?？梢砸缘寡b方案將發(fā)光芯片151結(jié)合到襯底上或結(jié)合在封裝件中。
[0106]圖9是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光器件的剖視圖。在第二實(shí)施方式的以下描述中，與第一實(shí)施方式有關(guān)的描述將通過參引并入。
[0107]參照圖9，發(fā)光器件包括本體101、多個(gè)引線電極121、131、123和133、多個(gè)連接電極122和132、發(fā)光芯片151、保護(hù)芯片171、第一樹脂層155、第二樹脂層151和磷光體層154。
[0108]磷光體層154從發(fā)光芯片151的頂表面延伸到橫向側(cè)面。由于磷光體層154設(shè)置在發(fā)光芯片151的頂表面和橫向側(cè)面上，因而從發(fā)光芯片151的活性層發(fā)射的光的一部分通過磷光體層154的磷光體被轉(zhuǎn)換成具有長得波長。設(shè)置在發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面上的磷光體層154與第一樹脂層155接觸，使得可以改進(jìn)磷光體層154的粘合性能，并且可以防止由在第一樹脂層155處的光反射引起的光損失。
[0109]第二樹脂層155設(shè)置在發(fā)光芯片151周圍并與發(fā)光芯片151的所有側(cè)面接觸?？梢酝ㄟ^向娃材料添加第一金屬氧化物來設(shè)置第一樹脂層155。第一金屬氧化物包括具有高折射率的材料，例如具有2.0或更高的折射率的TiO2。添加到第一金屬氧化物的第一樹脂層155的含量在5wt%至15wt%的范圍內(nèi)，例如，10wt%至15wt%。第一樹脂層155的硅材料具有在1.51至1.55范圍內(nèi)的折射率。這樣的硅材料相對于其他材料具有良好的粘合性能。
[0110]包括第一金屬氧化物的第一樹脂層155可以用作能夠反射從發(fā)光芯片151發(fā)射的光的大約70%或更多的反射層。由于第一樹脂層155用作反射層，因而在發(fā)光芯片151的橫向方向上發(fā)射的光可以被有效地反射。第一成型構(gòu)件155結(jié)合至發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面，所以可以改善從發(fā)光芯片151發(fā)射的光的光束分布。
[0111]可以通過使用相對于第一樹脂層155具有優(yōu)良的粘合性能的材料來設(shè)置第二樹脂層161。例如，第二樹脂層161可以包括與第一樹脂層155的材料相同的材料。
[0112]第二樹脂層161與第一樹脂層155的頂表面和發(fā)光芯片151的頂表面接觸?？梢酝ㄟ^向硅材料添加第二金屬氧化物來設(shè)置第二樹脂層161。第二金屬氧化物包括具有高折射率的材料，并且與添加至第一樹脂層155的第一金屬氧化物不同。例如，第二金屬氧化物可以包括折射率為2或更小的Si02。通過向硅材料添加第二金屬氧化物來設(shè)置的第二樹脂層161可以用作擴(kuò)散層。如果第一和第二樹脂層155和161通過使用相同材料來設(shè)置，則可以在第一和第二樹脂層155和161之間的界面表面處防止氣泡和界面脫粘。
[0113]圖10是示出根據(jù)第三實(shí)施方式的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在第三實(shí)施方式的以下描述中，與第一實(shí)施方式有關(guān)的描述將通過參引并入。
[0114]參照圖10，發(fā)光器件包括本體101、多個(gè)引線電極121、131、123和133、多個(gè)連接電極122和132、發(fā)光芯片151、保護(hù)芯片171、第一樹脂層155、第二樹脂層161和磷光體層153。
[0115]第一樹脂層155具有底表面高于發(fā)光芯片51的底表面的凹口 155A。例如，凹口155A的底表面可以具有與發(fā)光芯片151中的反射層的頂表面線LI相似或相等的高度。另夕卜，凹口 155A的內(nèi)壁相對于發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面或凹口 155A的底表面傾斜以將入射光朝向光出射面反射。
[0116]第二樹脂層161的與發(fā)光芯片151的外周邊部接觸的部分161A與凹口 155A接觸。由此，第二樹脂層161的部分161A可以將從發(fā)光芯片151發(fā)射的光沿橫向方向引導(dǎo)。
[0117]另外，磷光體層153設(shè)置在發(fā)光芯片151上,并且磷光體層153的頂表面可以與第二樹脂層161的頂表面在同一平面上對準(zhǔn)。磷光體層153可以延伸到發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面，但本實(shí)施方式不限于此。由于以倒裝方案來安裝發(fā)光芯片151，因而從發(fā)光芯片151發(fā)射的光的大部分被向上定向，而光的約20%或更少沿橫向方向被定向。由此，即使磷光體層153設(shè)置在發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面處,光在發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面處的波長轉(zhuǎn)換率也會(huì)是低的。
[0118]圖11是示出根據(jù)第四實(shí)施方式的發(fā)光器件的剖視圖。在第四實(shí)施方式的以下描述中，與第一實(shí)施方式有關(guān)的描述將通過參引并入。
[0119]參照圖11，發(fā)光器件包括本體101、多個(gè)引線電極121、131、123和133、多個(gè)連接電極122和132、發(fā)光芯片151、保護(hù)芯片171、第一樹脂層156、第二樹脂層162、第三樹脂層157和磷光體層163。
[0120]第一樹脂層156的頂表面與設(shè)置在發(fā)光芯片151的活性層的底表面與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的底表面之間的線L2相對應(yīng)地對準(zhǔn)。第一樹脂層156的頂表面可以低于保護(hù)芯片171的頂表面，而當(dāng)保護(hù)芯片171被暴露時(shí)會(huì)發(fā)生光吸收損失。為了解決該問題，在保護(hù)芯片171上設(shè)置有第三樹脂層157。
[0121]第三樹脂層157設(shè)置在保護(hù)芯片171和第一樹脂層156上，并且將添加至第一樹脂層156的金屬氧化物添加至第三樹脂層157，使得第三樹脂層157可以用作反射構(gòu)件?？梢韵虻谌龢渲瑢?57添加約5被％或更多的金屬氧化物。例如，添加至第三樹脂層157的金屬氧化物的含量可以高于以預(yù)定比率(例如，5wt%或更多)添加至第一樹脂層156的金屬氧化物的含量。
[0122]第三樹脂層157與發(fā)光芯片151的橫向側(cè)面間隔開，所以第三樹脂層157可以用
作反射側(cè)壁。
[0123]第二樹脂層162設(shè)置在發(fā)光芯片151、第一樹脂層156和第三樹脂層157上。第二樹脂層162的一部分設(shè)置在發(fā)光芯片151與第三樹脂層157之間以引起沿橫向方向的光提取。
[0124]磷光體層163設(shè)置在第二樹脂層162上以及發(fā)光器件的整個(gè)頂表面上。磷光體層163可以制備成膜或樹脂層的形式，但本實(shí)施方式不限于此。
[0125]〈照明系統(tǒng)〉
[0126]根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件可應(yīng)用于照明系統(tǒng)。照明系統(tǒng)包括排列有多個(gè)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。照明系統(tǒng)包括圖12和13中示出的顯示裝置、圖14中示出的照明裝置、照明燈、閃光燈、信號燈、用于車輛的頭燈以及電子顯示器。
[0127]圖12是示出具有根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件的顯示裝置的分解立體圖。
[0128]參照圖12，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置1000包括導(dǎo)光板1041、向?qū)Ч獍?041提供光的光源模塊1031、在導(dǎo)光板1041之下的反射構(gòu)件1022、在導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051、在光學(xué)片1051上的顯示面板1061、以及接收導(dǎo)光板1041、光源模塊1031和反射構(gòu)件1022的底蓋1011，但本實(shí)施方式不限于此。
[0129]可以將底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041、光學(xué)片1051、以及照明單元1050定義為光單元1050。
[0130]導(dǎo)光板1041將由光源模塊1031提供的光進(jìn)行擴(kuò)散以提供表面光線。導(dǎo)光板1041可以包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括諸如PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)之類的丙烯醛基樹脂、PET (聚乙烯對苯二甲酸酯)、PC (聚碳酸酯)、COC (環(huán)烯烴共聚物)和PEN (聚萘乙烯)樹脂中的一種。
[0131]光源模塊1031設(shè)置在導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)，以將光提供到導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。光源模塊1031用作顯示裝置的光源。
[0132]至少一個(gè)光源模塊1031設(shè)置成直接地或間接地從導(dǎo)光板1041的一側(cè)提供光。光源模塊1031可以包括襯底1033以及根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件或發(fā)光器件1035。發(fā)光器件或發(fā)光器件1035布置在襯底1033上、同時(shí)以預(yù)定間隔彼此間隔開。
[0133]襯底1033可以包括具有電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。另外，襯底1033還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及典型PCB，但本實(shí)施方式不限于此。如果發(fā)光器件1035安裝在底蓋1011的側(cè)面上或散熱板上，則可以省略襯底1033。散熱板部分地接觸底蓋1011的頂表面。
[0134]另外，發(fā)光器件1035布置成使得將發(fā)光器件1035發(fā)出的光釋放的光出射面與導(dǎo)光板1041在襯底1033上以預(yù)定距離間隔開，但本實(shí)施方式不限于此。發(fā)光器件1035可以將光直接地或間接地提供到光入射面，該光入射面為導(dǎo)光板1041的一側(cè)，但本實(shí)施方式不限于此。
[0135]反射構(gòu)件1022設(shè)置在導(dǎo)光板1041之下。反射構(gòu)件1022將穿過導(dǎo)光板1041的底表面向下傳播的光朝向顯示面板1061反射，從而提高了光單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC或PVC樹脂，但本實(shí)施方式不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面，但本實(shí)施方式不限于此。
[0136]底蓋1011可以在其中接收導(dǎo)光板1041、光源模塊1031、以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011具有接收部分1012，接收部分1012具有開放頂表面的盒狀形狀，但本實(shí)施方式不僅限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)聯(lián)接，但本實(shí)施方式不限于此。
[0137]可以使用金屬材料或樹脂材料、通過擠壓工藝或擠出工藝來制造底蓋1011。另外，底蓋1011可以包括具有超導(dǎo)熱率的金屬或非金屬材料，但本實(shí)施方式不限于此。
[0138]顯示面板1061例如是IXD面板，該IXD面板包括彼此相對的第一和第二透明襯底以及置于第一和第二襯底之間的液晶層。顯示面板1061的至少一個(gè)表面上可以附接有偏振片，但本實(shí)施方式不限于此。顯示面板1061通過允許光穿過其中來顯示信息。顯示器件1000能夠應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、監(jiān)視器或膝上計(jì)算機(jī)、以及電視。
[0139]光學(xué)片1051設(shè)置在顯不面板1061與導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透光片。例如，光學(xué)片1051包括選自擴(kuò)散片、水平和豎直的棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，水平和豎直的棱鏡片將入射光聚集到顯示面板1061上，而亮度增強(qiáng)片通過重新利用損失的光來提高亮度。另外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但本實(shí)施方式不限于此。
[0140]導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以作為光學(xué)構(gòu)件設(shè)置在光源模塊1031的光線路徑中，但本實(shí)施方式不限于此。
[0141]圖13是示出根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置的剖視圖。
[0142]參照圖13，顯示裝置1100包括底蓋1152、其上排列有發(fā)光器件1124的襯底1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯不面板1155。
[0143]襯底1120和發(fā)光器件1124可以組成光源模塊1160。另外，底蓋1152、至少一個(gè)光源模塊1160、以及光學(xué)構(gòu)件1154可以組成光單元。底蓋1151可以設(shè)置有接收部分1153，但本實(shí)施方式不限于此。光源模塊1160包括襯底1120、以及布置在襯底1120上的多個(gè)發(fā)光器件或發(fā)光器件1124。
[0144]光學(xué)構(gòu)件1154可以包括選自透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和豎直的棱鏡片、和亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)。可以省略導(dǎo)光板。散光片使入射光擴(kuò)散，水平和豎直的棱鏡片將入射光聚集到顯示區(qū)域上，而亮度增強(qiáng)片通過重新利用損失的光來提高亮度。
[0145]光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在光源模塊1160上方以將從光源模塊1160發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成
表面光線。
[0146]圖14是示出具有根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光器件的照明裝置的分解立體圖。
[0147]參照圖14，根據(jù)本實(shí)施方式的照明裝置可以包括蓋2100、光源模塊2200、熱輻射構(gòu)件2400、供電部分2600、內(nèi)殼2700、以及管座2800。另外，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件還可以包括構(gòu)件2300和保持件2500中的至少一者。光源模塊2200可以包括根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件。
[0148]例如，蓋2100呈燈泡形狀或半球形形狀。蓋2100可以具有中空結(jié)構(gòu)，并且蓋2100的一部分可以是開放的。蓋2100可以光學(xué)地連接至光源模塊2200并且可以與熱輻射構(gòu)件2400聯(lián)接。蓋2100可以具有與熱輻射構(gòu)件2400聯(lián)接的凹入部分。
[0149]蓋2100的內(nèi)表面可以覆有用作擴(kuò)散劑的乳白色顏料。通過使用乳白色材料可以使從光源模塊2200發(fā)射的光分散或擴(kuò)散,從而可以將光釋放到外部。
[0150]蓋2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE或PC。在這種情形下，PC表現(xiàn)出優(yōu)良的耐光性、優(yōu)良的耐熱性以及優(yōu)良的強(qiáng)度。蓋2100可以是透明的，使得可以在外部識別光源模塊2200。另外，蓋2100可以是不透明的?？梢酝ㄟ^吹塑成型方案來形成蓋2100。
[0151]光源模塊2200可以設(shè)置在熱福射構(gòu)件2400的一個(gè)表面處。因此,從光源模塊2200發(fā)出的熱量被傳導(dǎo)到熱輻射構(gòu)件2400。光源模塊2200可以包括發(fā)光器件2210、連接板2230以及連接器2250。
[0152]構(gòu)件2300設(shè)置在熱輻射構(gòu)件2400的頂表面上并且具有導(dǎo)槽2310，連接器2250以及多個(gè)發(fā)光器件2210插入到導(dǎo)槽2310中。導(dǎo)槽2310對應(yīng)于發(fā)光器件2210的襯底和連接器 2250。
[0153]在構(gòu)件2300的表面上可以施加有或覆有白色顏料。構(gòu)件2300將由蓋2100的內(nèi)表面反射回光源模塊2200的光朝向蓋2100反射。因此，可以提高根據(jù)本實(shí)施方式的照明裝置的光利用率。
[0154]構(gòu)件2300可以包括絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包括導(dǎo)電材料。因此，熱輻射構(gòu)件2400可以電連接至連接板2230。構(gòu)件2300包括絕緣材料以防止連接板2230與熱輻射構(gòu)件2400之間的電短路。熱輻射構(gòu)件2400接收來自光源模塊2200的熱量和來自供電部分2600的熱量并輻射這些熱量。
[0155]保持件2500阻擋設(shè)置在絕緣部分2710中的內(nèi)殼2700的接收槽2719。因此，在內(nèi)殼2700的絕緣部分2710中接收的供電部分2600被封閉。保持件2500具有導(dǎo)向突出部分2510。導(dǎo)向突出部分2510可以包括允許供電部分2600的突出部分2610穿過的孔。
[0156]供電部分2600對從外部接收的電信號進(jìn)行處理和轉(zhuǎn)換，并將電信號供給到光源模塊2200。供電部分2600接收在內(nèi)殼2700的接收槽2719中，并且由保持件2500封閉在內(nèi)殼2700中。
[0157]供電部分2600可以包括突出部分2610、引導(dǎo)部分2630、基部2650以及延伸部分2670。
[0158]引導(dǎo)部分2630從基板2650的一側(cè)向外突出。引導(dǎo)部分2630可以插入到保持件2500中。可以在基部2650的一個(gè)表面上設(shè)置多個(gè)部件。例如，這些部件包括DC變換器、驅(qū)動(dòng)光源模塊220的驅(qū)動(dòng)芯片、以及保護(hù)光源模塊2200的ESD (靜電放電)保護(hù)器件，但本實(shí)施方式不限于此。
[0159]延伸部分2670從基板2650的另一側(cè)向外突出。延伸部分2670插入到內(nèi)殼2700的連接部分2750中，并且接收來自外部的電信號。例如，延伸部分2670可以等于或小于內(nèi)殼2700的連接部分2750的寬度。延伸部分2670可以通過線纜電連接至管座2800。
[0160]內(nèi)殼2700可以在其中一起設(shè)置有供電部分2600和模塑部分。模塑部分通過使模塑液體硬化來形成，使得供電部分2600可以固定到內(nèi)殼2700中。
[0161]本實(shí)施方式具有以下效果。
[0162]根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光器件可以有效地消散發(fā)光芯片的熱量。
[0163]本實(shí)施方式可以提供具有對準(zhǔn)標(biāo)記從而容易地安裝發(fā)光芯片的發(fā)光器件。
[0164]根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光器件可以提高光提取效率。
[0165]本實(shí)施方式可以提高發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)的可靠性。
[0166]在說明書中對“一個(gè)實(shí)施方式”、“實(shí)施方式”、“示例性實(shí)施方式”等的任何參照意指:結(jié)合實(shí)施方式描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式中。在說明書中任何地方出現(xiàn)的上述短語未必全都指的是相同的實(shí)施方式。此外，在結(jié)合任何實(shí)施方式描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為，其在本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合實(shí)施方式中的其他實(shí)施方式來實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。
[0167]盡管已經(jīng)參照許多示意性實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)想出許多其他改型和實(shí)施方式，這些其他改型和實(shí)施方式落在在本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對主題組合布置的組成部件和/或布置進(jìn)行各種變型和改型是可能的。除了組成部件和/或布置方面的變型和改型，替選的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 本體； 具有第一結(jié)合部分和第二結(jié)合部分的第一引線電極，所述第一結(jié)合部分位于所述本體的頂表面上，所述第二結(jié)合部分從所述第一結(jié)合部分延伸； 具有第三結(jié)合部分和第四結(jié)合部分的第二引線電極，所述第三結(jié)合部分位于所述第一結(jié)合部分內(nèi)部，所述第四結(jié)合部分與所述第二結(jié)合部分相對應(yīng)； 間隙部分，所述間隙部分介于所述第一引線電極與所述第二引線電極之間； 第三引線電極，所述第三引線電極位于所述本體的底表面上； 第四引線電極，所述第四引線電極位于所述本體的所述底表面上； 第一連接電極，所述第一連接電極在所述本體中將所述第一引線電極連接至所述第三引線電極； 第二連接電極，所述第二連接電極在所述本體中將所述第二引線電極連接至所述第四引線電極； 發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片位于所述第一引線電極的所述第一結(jié)合部分和所述第二引線電極的所述第三結(jié)合部分上；以及 第一結(jié)合構(gòu)件，所述第一結(jié)合構(gòu)件設(shè)置在所述發(fā)光芯片、所述第一引線電極的所述第一結(jié)合部分以及所述第二引線電極的所述第三結(jié)合部分之間， 其中，所述間隙部分包括設(shè)置在所述第一結(jié)合部分與所述第三結(jié)合部分之間的第一間隙部分，并且 所述第一間隙部分包括第一區(qū)域和第二區(qū)域、以及第三區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域彼此間隔開與所述第三結(jié)合部分的寬度相對應(yīng)的間隔并且彼此平行設(shè)置，所述第三區(qū)域連接至所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域并相對于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域垂直設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括介于所述第二結(jié)合部分與所述第四結(jié)合部分之間的保護(hù)芯片以及設(shè)置在所述保護(hù)芯片與所述第二結(jié)合部分和所述第四結(jié)合部分之間的第二結(jié)合構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述間隙部分包括設(shè)置在所述第二結(jié)合部分與所述第四結(jié)合部分之間的第二間隙部分， 其中，所述第二間隙部分相對于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域平行設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，還包括相對于所述第三區(qū)域以鈍角彎曲并設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的至少一者與所述第三區(qū)域之間的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述第一結(jié)合部分和所述第三結(jié)合部分的至少三個(gè)側(cè)面在所述間隙部分的區(qū)域中彼此對應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述第一引線電極的外表面和所述第二引線電極的外表面與所述本體的橫向側(cè)面間隔開，并且所述發(fā)光器件還包括: 第一支撐突出部，所述第一支撐突出部從所述第一引線電極延伸至所述本體的第一側(cè)面； 第二支撐突出部，所述第二支撐突出部從所述第一引線電極延伸至所述本體的第二側(cè)面；第三支撐突出部，所述第三支撐突出部從所述第二引線電極延伸至所述本體的第一側(cè)面； 第四支撐突出部，所述第四支撐突出部從所述第一引線電極延伸至所述本體的第二側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，將所述第一支撐突出部與所述第二支撐突出部彼此連接的虛擬線與所述發(fā)光芯片的中心在同一條線上對準(zhǔn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，將所述第三支撐突出部與所述第四支撐突出部彼此連接的虛擬線與所述保護(hù)芯片的中心在同一條線上對準(zhǔn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述第一引線電極包括設(shè)置在與所述發(fā)光芯片的至少三個(gè)拐角相對應(yīng)的區(qū)域中的第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分，并且 所述第一凹入部分、第二凹入部分和第三凹入部分具有與介于所述發(fā)光芯片的一個(gè)側(cè)面與所述本體鄰近所述發(fā)光芯片的所述一個(gè)側(cè)面的一個(gè)側(cè)面之間的間隔相對應(yīng)的深度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第一凹入部分和所述第二凹入部分均鄰近所述發(fā)光芯片的一個(gè)側(cè)面，并且所述第一凹入部分與所述第二凹入部分之間的間隔與所述發(fā)光芯片的所述一個(gè)側(cè)面的長度相對應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第一凹入部分與所述第三凹入部分彼此間隔開的間隔大于所述第一凹入部分與所述第二凹入部分之間的所述間隔，并且所述第一凹入部分與所述第三凹入部分之間的間隔與所述發(fā)光芯片的對角線長度相對應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第一連接電極鄰近所述發(fā)光芯片的一個(gè)邊緣，并且所述第一連接電極與所述第一凹入部分、所述第二凹入部分和所述第三凹入部分間隔開的距離比所述發(fā)光芯片的一個(gè)側(cè)面的長度長。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括: 第一樹脂層，所述第一樹脂層包括在所述發(fā)光芯片周圍的金屬氧化物； 磷光體層，所述磷光體層設(shè)置在所述發(fā)光芯片上；以及 第二樹脂層，所述第二樹脂層設(shè)置在所述第一樹脂層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第一樹脂層的頂表面的高度低于所述發(fā)光芯片的頂表面的高度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第一樹脂層包括以5wt%至15wt%的范圍添加于所述第一樹脂層中的金屬氧化物， 其中所述金屬氧化物為TiO2材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一樹脂層與所述第二樹脂層之間并且內(nèi)含金屬氧化物的第三樹脂層， 其中，所述第三樹脂層與所述發(fā)光芯片的側(cè)面間隔開并且覆蓋所述保護(hù)芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光芯片包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第一電極層，所述第一電極層位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上； 反射層，所述反射層位于所述第一電極層上； 第二電極層，所述第二電極層位于所述反射層上；第二電極，所述第二電極設(shè)置在與所述第一引線電極的所述第一結(jié)合部分相對應(yīng)的所述第二電極層上； 多個(gè)凹口，所述多個(gè)凹口暴露所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層中的所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 絕緣層，所述絕緣層位于所述凹口中并且位于所述第二電極層的一部分上；以及多個(gè)第一電極，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在與所述第二引線電極的所述第二結(jié)合部分相對應(yīng)的所述絕緣層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光芯片的所述第一電極彼此間隔開，并且所述第二電極 的一部分設(shè)置在所述第一電極之間。
【文檔編號】H01L33/62GK103682071SQ201310418515
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月13日
【發(fā)明者】尹汝贊, 吳成株, 鄭在桓, 金鎮(zhèn)成, 閔鳳杰 申請人:Lg伊諾特有限公司