Oled器件及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種OLED器件，其包括襯底基板、TFT開關(guān)、陰極、陽(yáng)極、位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述襯底基板和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有光電薄膜層，所述光電薄膜層和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有遮擋層，所述遮擋層與TFT開關(guān)的位置相對(duì)。本發(fā)明還提供一種上述OLED器件的制作方法和包括上述OLED器件的顯示裝置。本發(fā)明在襯底基板和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)置光電薄膜層，該光電薄膜層與TFT開關(guān)相對(duì)的部位被遮擋，使得光電薄膜層形成一個(gè)由TFT開關(guān)的源極到漏極方向的電場(chǎng)，由此，可降低TFT開關(guān)工作時(shí)源漏驅(qū)動(dòng)電壓的效果，從而降低了降低OLED器件驅(qū)動(dòng)電源的能耗。
【專利說明】OLED器件及其制備方法、顯不裝直
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種OLED器件及其制備方法、顯示裝置。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光器件(0LED器件)包括襯底基板、驅(qū)動(dòng)電路、陰極、陽(yáng)極、位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。OLED器件一般采用TFT (薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，在現(xiàn)有TFT技術(shù)中，TFT正常工作時(shí)所需的柵極驅(qū)動(dòng)電壓較高，需要在源極和漏極之間的溝道方向加一個(gè)和溝道方向平行的電場(chǎng)以分擔(dān)部分驅(qū)動(dòng)電壓，該外加的電場(chǎng)的電勢(shì)降低的方向由源極指向漏極或由漏極指向源極，指向跟OLED的類型有關(guān)。
[0003]因此，單個(gè)TFT的部分功耗粗略的可以認(rèn)為是源漏電壓和溝道電流的乘積。這個(gè)功耗的提供在現(xiàn)有技術(shù)中是由驅(qū)動(dòng)電源提供的，且要得到大的漏電流的話，相應(yīng)的就要提高源漏電壓，這勢(shì)必導(dǎo)致功耗的進(jìn)一步提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何降低OLED器件驅(qū)動(dòng)電源的功耗。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種OLED器件，其包括襯底基板、TFT開關(guān)、陰極、陽(yáng)極、位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述襯底基板和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有光電薄膜層，所述光電薄膜層和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有遮擋層，所述遮擋層與TFT開關(guān)的位置相對(duì)。
[0008]進(jìn)一步地，所述光電薄膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有隔離層，所述隔離層和襯底基板將所述光電薄膜層完全包裹使得光電薄膜層與外界隔離。
[0009]進(jìn)一步地，所述陽(yáng)極和遮擋層同層設(shè)置。
[0010]進(jìn)一步地，所述光電薄膜層由透明的光電材料制成。
[0011]進(jìn)一步地，所述襯底基板和所述光電薄膜層之間設(shè)有緩沖層。
[0012]進(jìn)一步地，所述緩沖層由透明不導(dǎo)電材料制成。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括上述的OLED器件。
[0014]本發(fā)明還提供一種OLED器件的制備方法，其包括以下步驟:
[0015]在襯底基板上形成光電薄膜層；
[0016]在形成光電薄膜層的襯底基板上形成TFT開關(guān)，并在所述TFT開關(guān)的上方或下方相對(duì)的位置形成遮擋層；
[0017]在形成TFT開關(guān)后的襯底基板上依次形成陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極。
[0018]進(jìn)一步地，在形成所述光電薄膜層后，在襯底基板上形成一隔離層將所述光電薄膜層包圍隔離。
[0019]進(jìn)一步地，在形成所述TFT開關(guān)后的襯底基板上形成一平坦層，并在所述平坦層上形成所述陽(yáng)極和遮擋層。
[0020](三)有益效果
[0021]上述技術(shù)方案所提供的一種OLED器件及其制作方法、顯示裝置，在襯底基板和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)置光電薄膜層，該光電薄膜層與TFT開關(guān)相對(duì)的部位被遮擋,使得光電薄膜層形成一個(gè)由TFT開關(guān)的源極到漏極方向的電場(chǎng)，由此，可降低TFT開關(guān)工作時(shí)源漏驅(qū)動(dòng)電壓的效果，從而降低了降低OLED器件驅(qū)動(dòng)電源的能耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1-圖6是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例OLED器件制作過程的不同工藝步驟的流程圖；
[0023]圖7是本發(fā)明OLED器件的發(fā)光原理圖。
[0024]其中，1、襯底基板；2、緩沖層；3、光電薄膜層；4、隔離層；5、TFT開關(guān)；51、源極；52、漏極；53、柵極；54、有源層；55、柵絕緣層；56、柵隔離層；6、平坦層；7、陽(yáng)極金屬層；71、陽(yáng)極；72、遮擋層；8、像素電極層；9、有機(jī)發(fā)光層；10、陰極。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0026]如圖6所示，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例是針對(duì)P型導(dǎo)電的TFT開關(guān)所提供的一種OLED器件，其包括襯底基板1、TFT開關(guān)5、陰極10、陽(yáng)極71、位于陽(yáng)極71和陰極10之間的有機(jī)發(fā)光層9,襯底基板I和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有光電薄膜層3,光電薄膜層3和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有遮擋層72，該遮擋層72與TFT開關(guān)位置相對(duì)，由此，光電薄膜層3與TFT開關(guān)相對(duì)的位置的光線被該遮擋層72所遮擋。
[0027]一般來說，P型導(dǎo)電的TFT開關(guān)5包括源極51、漏極52、柵極53和有源層54，柵極53設(shè)于源極51和漏極52的上方，有源層54位于源極51和漏極52的下方，用于連通源極51和漏極52，其中，源極51用于與數(shù)據(jù)線連接，漏極52用于與像素電極連接，電場(chǎng)方向?yàn)閺脑礃O51到漏極52的方向。
[0028]優(yōu)選地，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的陽(yáng)極71和遮擋層72同層設(shè)置，位于TFT開關(guān)5與有機(jī)發(fā)光層9之間，陽(yáng)極71和遮擋層72共同構(gòu)成了一陽(yáng)極金屬層7。并在陽(yáng)極金屬層7和TFT開關(guān)5之間設(shè)置平坦層6。
[0029]針對(duì)于P型導(dǎo)電的TFT開關(guān)5，光電薄膜層3選擇漏光的部位為位于TFT開關(guān)的源極的一側(cè)，因此，當(dāng)TFT開關(guān)5驅(qū)動(dòng)陽(yáng)極和陰極，使得陽(yáng)極和陰極之間電流導(dǎo)通，使得有機(jī)發(fā)光層發(fā)光時(shí)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)光后可照射光電薄膜層未被遮擋的部位，使得該未被遮擋的部分帶正電荷，而被遮擋的部位不帶電或帶負(fù)電荷，因此，該光電薄膜層上帶電的部位與不帶電的部位之間就會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，由于該光電薄膜層被遮擋的部位與TFT開關(guān)位置相對(duì)，此時(shí)就會(huì)形成一個(gè)由TFT開關(guān)的源極到漏極方向的電場(chǎng)，如圖7所示，由此，可降低TFT開關(guān)工作時(shí)源漏驅(qū)動(dòng)電壓的效果，從而降低了降低OLED器件驅(qū)動(dòng)電源的能耗。
[0030]光電薄膜層3遠(yuǎn)離襯底基板I的一側(cè)設(shè)有隔離層4，隔離層4和襯底基板I將光電薄膜層3完全包裹使得光電薄膜層3與外界隔離，使得光電薄膜層3產(chǎn)生的電子不會(huì)導(dǎo)出，相應(yīng)地會(huì)在原地形成正電荷區(qū)，如果光照達(dá)到穩(wěn)定后，該光電薄膜層上的正、負(fù)電荷分布達(dá)到平衡，這樣可以使得該外加的電場(chǎng)穩(wěn)定。優(yōu)選地，該隔離層采用SiOx/SiNx材料制成。
[0031]光電薄膜層3由透明的光電材料制成，該光電材料可為Ag-Cs2O或Ag-BaO等，優(yōu)選為 Ag_Cs20。
[0032]襯底基板I和光電薄膜層3之間設(shè)有緩沖層2。該緩沖層2由透明不導(dǎo)電材料制成，優(yōu)選地，緩沖層2由SiOx/SiNx材料制成。
[0033]本發(fā)明還提供一種上述技術(shù)方案的OLED器件的制備方法，其包括以下步驟:在襯底基板I上形成光電薄膜層3 ;在形成光電薄膜層3的襯底基板I上形成TFT開關(guān)5,并在TFT開關(guān)5的上方或下方相對(duì)的位置形成遮擋層72 ;在形成TFT開關(guān)5后的襯底基板I上依次形成陽(yáng)極71、有機(jī)發(fā)光層9和陰極10。優(yōu)選地，在形成光電薄膜層3后，在襯底基板上形成一隔離層4將光電薄膜層3包圍隔離。優(yōu)選地，在形成TFT開關(guān)5后的襯底基板I上形成一平坦層6，并在該平坦層6上形成陽(yáng)極71和遮擋層72。
[0034]以下以P型導(dǎo)電的TFT開關(guān)為例，詳細(xì)說明本發(fā)明OLED制備方法的優(yōu)選實(shí)施例，N型導(dǎo)電的TFT開關(guān)的制作方法以此相似，具體為:
[0035]S1、在襯底基板I上沉積SiOx/SiNx緩沖層2，該緩沖層2的作用是起到防止有源層被污染的作用，其厚度可為2000/丨000A;
[0036]S2、如圖1所不,用金屬掩模板做為擋板,蒸鍍Ag_Cs20光電薄膜層3,并在真空條件下再在該光電薄膜層3上沉積隔離層4，該隔離層4包圍整個(gè)光電薄膜層3，隔離層4可選用SiNx/SiOx材料，其厚度以其光電子電場(chǎng)可以作用到源漏溝道且可以靈敏控制其中的載流子為準(zhǔn)；
[0037]S3、如圖2所示，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)工藝沉積a_Si(非晶硅)薄膜，其厚度可以選擇為400?500A，然后進(jìn)行脫氫處理；接著，對(duì)a-Si薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光晶化(ELA)處理，使其形成P-Si (多晶硅)，之后進(jìn)行曝光及刻蝕工藝，形成TFT開關(guān)的有源層54 ;并以PECVD工藝沉積柵絕緣層55，該柵絕緣層55可采用SiOx/SiNx材料制成，其總厚度為1200A左右，并用磁控濺射的方法沉積柵金屬，厚度在2000A左右，并進(jìn)行曝光及刻蝕工藝形成柵極53，如圖3所示；
[0038]S4、在上層結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上進(jìn)行離子注入工藝，形成源漏P型摻雜(源漏P型摻雜屬于半導(dǎo)體摻雜工藝，采用離子注入的方式，其目的是令半導(dǎo)體導(dǎo)電);以PECVD工藝沉積柵隔離層56，該柵隔離層56的材料可為SiOx/SiOx，其厚度在5000 A左右，并進(jìn)行源漏激活處理，并在上層結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上進(jìn)行過孔曝光和刻蝕工藝，形成源漏電極過孔，如圖3所示；
[0039]S5、如圖4所示，以磁控濺射的方法沉積源漏金屬電極，并進(jìn)行曝光和刻蝕工藝，形成源極51和漏極52 ;并涂覆一層聚酰亞胺材料作為平坦層6，該平坦層6的作用是令底層TFT表面平坦，之后可在平坦層上制作發(fā)光層，該平坦層6的厚度約2 μ m厚；
[0040]S6、以磁控濺射工藝在平坦層6上沉積陽(yáng)極金屬層7，該陽(yáng)極金屬層7的材料為IT0/Ag/IT0，該層陽(yáng)極金屬層7的圖形要保證后續(xù)發(fā)光層和Ag-Cs20光電薄膜層重疊的部分為ITO層，該ITO層作為陽(yáng)極71，與TFT開關(guān)5位置相對(duì)的部分保留Ag層，該Ag層作為遮擋層72，如圖5所示。
[0041]S7、最后在陽(yáng)極層上涂覆聚酰亞胺材料的像素電極層8，之后進(jìn)行有機(jī)發(fā)光層9的蒸鍍，之后再進(jìn)行陰極10的沉積，至此完成整個(gè)OLED結(jié)構(gòu)，如圖6所示。[0042]上述優(yōu)選實(shí)施例主要是針對(duì)P型導(dǎo)電的TFT開關(guān)，對(duì)于N型導(dǎo)電的TFT驅(qū)動(dòng)，其結(jié)構(gòu)與P型基本一致，區(qū)別僅在于，將TFT開關(guān)的源極和漏極的位置互換，這是因?yàn)镹溝道的TFT工作時(shí)，電子是從源極流向漏極，因此令漏極朝向光電薄膜材料漏光的一側(cè)，而源極朝向遮光的一側(cè)即可實(shí)現(xiàn)針對(duì)N型導(dǎo)電的TFT所提供的OLED器件的應(yīng)用。
[0043]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述技術(shù)方案所述的OLED器件。
[0044]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED器件，其包括襯底基板、TFT開關(guān)、陰極、陽(yáng)極、位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所述襯底基板和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有光電薄膜層，所述光電薄膜層和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)有遮擋層，所述遮擋層與TFT開關(guān)的位置相對(duì)。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述光電薄膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有隔離層，所述隔離層和襯底基板將所述光電薄膜層完全包裹使得光電薄膜層與外界隔尚。
3.如權(quán)利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述陽(yáng)極和遮擋層同層設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述光電薄膜層由透明的光電材料制成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述襯底基板和所述光電薄膜層之間設(shè)有緩沖層。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述緩沖層由透明不導(dǎo)電材料制成。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的OLED器件。
8.—種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底基板上形成光電薄膜層； 在形成光電薄膜層的襯底基板上形成TFT開關(guān)，并在所述TFT開關(guān)的上方或下方相對(duì)的位置形成遮擋層； 在形成TFT開關(guān)后的襯底基板上依次形成陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極。
9.如權(quán)利要求8所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，在形成所述光電薄膜層后，在襯底基板上形成一隔離層將所述光電薄膜層包圍隔離。
10.如權(quán)利要求8所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，在形成所述TFT開關(guān)后的襯底基板上形成一平坦層，并在所述平坦層上形成所述陽(yáng)極和遮擋層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103474585SQ201310459391
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】石磊 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司