一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，該封裝層包括依次層疊的保護層、氧化物層、有機硅化合物層和聚對苯二甲酸乙二酯膜層，所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層與所述陽極導電基板粘結(jié)形成封閉區(qū)間，且所述發(fā)光功能層、陰極、保護層、氧化物層和有機硅化合物層均容置于所述封閉區(qū)間內(nèi)；所述封裝層可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)是一種以有機材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為 光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等 領域有著極為廣泛的應用前景。
[0003] 有機電致發(fā)光材料對氧氣及水汽侵入特別敏感。一方面因為氧氣是淬滅劑，會 使發(fā)光的量子效率顯著下降，氧氣對空穴傳輸層的氧化作用也會使其傳輸能力下降；另一 方面，水汽會對有機化合物產(chǎn)生水解作用，使其穩(wěn)定性大大下降，從而導致器件失效，縮短 0LED器件的壽命。因此，常常需要對0LED進行封裝保護處理，使發(fā)光器件與外界環(huán)境隔離， 以防止水分、有害氣體等的侵入，進而提高0LED的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0004] 對于柔性0LED產(chǎn)品來說，若使用傳統(tǒng)的0LED封裝技術(shù)，在器件背部加上封裝蓋 板，會產(chǎn)生重量大、造價高、機械強度差等問題，限制了柔性0LED產(chǎn)品的性能發(fā)揮。目前，多 數(shù)柔性0LED的防水氧能力不強，且使用壽命較短，制備工藝復雜、成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件， 該封裝層結(jié)構(gòu)可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對器 件有機功能材料及電極形成有效的保護，延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提 供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制 備。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、 發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層，所述封裝層包括依次層疊的保護層、氧化物層、有機硅化 合物層和聚對苯二甲酸乙二酯膜層，所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層與所述陽極導電基板粘 結(jié)形成封閉區(qū)間，且所述發(fā)光功能層、陰極、保護層、氧化物層和有機硅化合物層均容置于 所述封閉區(qū)間內(nèi)；
[0007] 所述保護層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-l，r-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、一氧化硅、氟化鎂和硫化鋅中的一種；
[0008] 所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿和 五氧化二鉭中的一種；
[0009] 所述有機硅化合物層的材質(zhì)為聚[(3-(二(三氟甲基）（甲氧基）硅基）丙基）二 (三氟甲基）（甲基）硅烷]、聚[(3-(二(五氟乙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(五氟乙基） (甲基）硅烷]和聚[(3-(二(七氟丙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(七氟丙基）（甲基） 娃燒]中的一種；
[0010] 所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層的材質(zhì)為聚對苯二甲酸乙二酯（PET)。
[0011] 封裝層設置在陰極外側(cè)，包括依次層疊的保護層、氧化物層、有機硅化合物層和聚 對苯二甲酸乙二酯膜層。保護層可以在不破壞真空的條件下保護陰極，防止后續(xù)工藝對陰 極和有機層的破壞；氧化物層致密性好，是主要的水氧阻隔層；有機硅化物層兼具有機無 機特性，對PET膜阻擋能力有增強作用；外層PET膜韌性好，耐沖擊、耐摩擦，可以起防刮擦 的作用，同時自身也提供一定的阻擋作用。
[0012] 保護層的材質(zhì)為酞菁銅（CuPc)、N，N'_二苯基_N，N'_二（1-萘基）_1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、8-羥基喹啉鋁（A1 q3)、一氧化硅（SiO)、氟化鎂（MgF2)和硫化鋅（ZnS) 中的一種。
[0013] 優(yōu)選地，保護層的厚度為200?300nm。
[0014] 氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅（Si02)、三氧化二鋁（A120 3)、二氧化鈦（Ti02)、二氧化 鋯（Zr02)、二氧化鉿（Hf02)和五氧化二鉭（Ta205)中的一種。
[0015] 優(yōu)選地，氧化物層的厚度為100?150nm。
[0016] 所述聚[(3-(二(三氟甲基）（甲氧基）硅基）丙基）二(三氟甲基）（甲基）硅 烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(五氟乙基）（甲基）硅烷]和聚 [(3-(二(七氟丙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(七氟丙基）（甲基）硅烷]由2, 2, 6, 6-四 (三氟甲基）_1，2, 6-氧雜二硅氧烷、2, 2, 6, 6-四（五氟乙基）-1，2, 6-氧雜二硅氧烷和 2, 2, 6, 6-四（七氟丙基）-1，2, 6-氧雜二娃氧燒通過光固化聚合而成，所述2, 2, 6, 6-四 (三氟甲基）_1，2, 6-氧雜二硅氧烷、2, 2, 6, 6-四（五氟乙基）-1，2, 6-氧雜二硅氧烷和 2, 2, 6, 6-四（七氟丙基）-1，2, 6-氧雜二硅氧烷的結(jié)構(gòu)分別如下所示：

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝 層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層，其特征在于，所述封裝層包括依次層疊的保護層、氧化物層、有機硅化合物層和聚 對苯二甲酸乙二酯膜層，所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層與所述陽極導電基板粘結(jié)形成封閉 區(qū)間，且所述發(fā)光功能層、陰極、保護層、氧化物層和有機硅化合物層均容置于所述封閉區(qū) 間內(nèi)； 所述保護層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺、8-羥基喹啉鋁、一氧化硅、氟化鎂和硫化鋅中的一種； 所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿和五氧 化二鉭中的一種； 所述有機硅化合物層的材質(zhì)為聚[(3-(二(三氟甲基）（甲氧基）硅基）丙基）二(三氟 甲基）（甲基）硅烷]、聚[(3-(二(五氟乙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(五氟乙基）（甲 基）硅烷]和聚[(3-(二(七氟丙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(七氟丙基）（甲基）硅烷] 中的一種； 所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層的材質(zhì)為聚對苯二甲酸乙二酯。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護層的厚度為200? 300nm〇
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物層的厚度為100? 150nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機硅化合物層的厚度 為1?L5ym。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述聚對苯二甲酸乙二酯膜 層的厚度為1?1. 5ym。
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 51、 提供清潔的陽極導電基板，并對所述陽極導電基板進行活化處理； 52、 在所述陽極導電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極，所述發(fā)光功能層包括 依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層； 53、 在所述陰極表面采用真空蒸發(fā)的方式制備保護層，所述保護層的材質(zhì)為酞菁銅、 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、一氧化硅、氟 化鎂和硫化鋅中的一種； 54、 在所述保護層表面磁控濺射制備氧化物層，所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧 化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿和五氧化二鉭中的一種； 55、 提供聚對苯二甲酸乙二酯膜； 56、 在惰性氛圍下，將2, 2, 6, 6-四（三氟甲基）-1，2, 6-氧雜二硅氧烷、2, 2, 6, 6-四（五 氟乙基）_1，2, 6-氧雜二硅氧烷和2, 2, 6, 6-四（七氟丙基）_1，2, 6-氧雜二硅氧烷中的一 種旋涂在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜上，然后用紫外光進行固化，光強10?15mW/cm2,曝光 時間200?300s，得到形成于聚對苯二甲酸乙二酯膜上的有機硅化合物層，所述有機硅化 合物層的材質(zhì)為聚[(3-(二(三氟甲基）（甲氧基）硅基）丙基）二(三氟甲基）（甲基）硅 烷]、聚[(3_(二(五氟乙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(五氟乙基）（甲基）硅烷]或聚 [(3-(二(七氟丙基）（甲氧基）硅基）丙基）二(七氟丙基）（甲基）硅烷]，所述聚苯二甲 酸乙二酯膜層的材質(zhì)為聚苯二甲酸乙二酯； S7、用封裝膠將聚對苯二甲酸乙二酯膜與所述陽極導電基板粘結(jié)形成封閉區(qū)間，且發(fā) 光功能層、陰極、保護層、氧化物層和有機硅化合物層均容置于所述封閉區(qū)間內(nèi)，所述有機 硅化合物層覆蓋在所述氧化物層上； S3?S7步驟完成后得到封裝層，包括依次層疊的保護層、氧化物層、有機硅化合物層 和聚對苯二甲酸乙二酯膜層； 最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚 度為200?300nm。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述氧化物層的 厚度為1〇〇?150nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機硅化合 物層的厚度為1?1.5iim。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述聚對苯二甲 酸乙二酯膜層的厚度為1?1. 5ym。
【文檔編號】H01L51/56GK104518120SQ201310459255
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司