發(fā)光二極管元件的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管元件，其包含基板，具有第一表面；多個發(fā)光二極管單元，形成在第一表面上，任一發(fā)光二極管單元具有一面積，且任一發(fā)光二極管單元包含：第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，形成在第一半導(dǎo)體層上；及活性層，形成在第一、二半導(dǎo)體層之間；至少一接觸發(fā)光二極管單元，形成在第一表面上，其中接觸發(fā)光二極管單元具有一面積，接觸發(fā)光二極管單元包含：第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，形成在第一半導(dǎo)體層上；及活性層，形成在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；多個導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)，連接多個發(fā)光二極管單元及接觸發(fā)光二極管單元；及第一電極襯墊形成在接觸發(fā)光二極管單元之上，其中接觸發(fā)光二極管單元的面積較至少一相鄰的發(fā)光二極管單元的面積為大。
【專利說明】發(fā)光二極管元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管元件，尤其是涉及一種具有高出光效率的陣列式發(fā)光二極管元件。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管([￡0)的發(fā)光原理和結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)光源不同，具有耗電量低、元件壽命長、無需暖燈時間、反應(yīng)速度快等優(yōu)點，再加上其體積小、耐震動、適合量產(chǎn)，容易配合應(yīng)用需求制成極小或陣列式的元件，在市場上的應(yīng)用頗為廣泛。例如，光學(xué)顯示裝置、激光二極管、交通號志、數(shù)據(jù)存儲裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置等。
[0003]現(xiàn)有的高壓發(fā)光二極管元件1，如圖1八與圖18所示，包含一透明基板10、多個發(fā)光二極管單元12以二維方向延伸，緊密排列形成于透明基板10上，每一個發(fā)光二極管單元的外延疊層120包含一第一半導(dǎo)體層121、一活性層122、以及一第二半導(dǎo)體層123。由于透明基板10不導(dǎo)電，因此于多個發(fā)光二極管單元外延疊層120之間由蝕刻形成溝槽14后可使各發(fā)光二極管單元12彼此絕緣，另外再通過部分蝕刻多個發(fā)光二極管單元外延疊層120至第一半導(dǎo)體層121以形成部分暴露區(qū)域。接著，再分別于相鄰的發(fā)光二極管單元外延疊層120的第一半導(dǎo)體層121的暴露區(qū)域以及第二半導(dǎo)體層123上形成一導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19，包含第一電極18以及第二電極16。第一電極18與第二電極16分別各自又包含第一電極延伸部180與第二電極延伸部160，分別形成于相鄰發(fā)光二極管單元外延疊層120的第一半導(dǎo)體層121與第二半導(dǎo)體層123之上，協(xié)助電流均勻分散流入半導(dǎo)體層中。通過導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19選擇性連接于多個相鄰的發(fā)光二極管單元12的第二半導(dǎo)體層123以及第一半導(dǎo)體層121，使得多個發(fā)光二極管單元12之間形成串聯(lián)或并聯(lián)的電路。其中，導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19下方可以是空氣，也可以在形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19之前，預(yù)先在發(fā)光二極管單元12的外延層部分表面及相近的發(fā)光二極管單元12外延層間以化學(xué)氣相沉積方式((^0)、物理氣相沉積方式(970)、派鍍等技術(shù)沉積形成絕緣層13，作為外延層的保護(hù)與相鄰發(fā)光二極管單元12間的電性絕緣。絕緣層13的材質(zhì)較佳例如可以是氧化鋁(八1203〉、氧化硅(310)、氮化招(^1^)、氮化娃 0、二氧化鈦(11(?)、五氧化二鉭(181111:81111111 ￠16111:0^1(16, 1^(?)等材料或其復(fù)合組合。
[0004]然而，通過導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19進(jìn)行發(fā)光二極管單元12間的電路連結(jié)時，由于發(fā)光二極管單元12與之間的溝槽14高低差距頗大，在形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)19時容易產(chǎn)生導(dǎo)線連結(jié)不良或斷線的問題，進(jìn)而影響元件的良率。
[0005]此外，上述的發(fā)光二極管元件1還可以進(jìn)一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置0圖2為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，一發(fā)光裝置100包含一具有至少一電路101的次載體10，將上述發(fā)光二極管元件1粘結(jié)固定于次載體110上；以及，一電連接結(jié)構(gòu)104，以電連接發(fā)光元件1的第一電極襯墊16’、第二電極襯墊18’與次載體110上的電路101 ；其中，上述的次載體110可以是導(dǎo)線架(163(1 ^81116)或大尺寸鑲嵌基底(111011111:丨叩，以方便發(fā)光裝置100的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。上述的電連接結(jié)構(gòu)104可以是焊線03011(11118或其他連結(jié)結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管兀件，包含:一基板，具有一第一表面；多個發(fā)光二極管單元，形成在第一表面上，任一些發(fā)光二極管單元具有一面積，且任一些發(fā)光二極管單元包含:一第一半導(dǎo)體層；一第二半導(dǎo)體層，形成在第一半導(dǎo)體層上；以及一活性層，形成在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；至少一接觸發(fā)光二極管單元，形成在第一表面上，其中接觸發(fā)光二極管單元具有一面積，且接觸發(fā)光二極管單元包含:一第一半導(dǎo)體層；一第二半導(dǎo)體層，形成在第一半導(dǎo)體層上；以及一活性層，形成在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間；多個導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)，連接些多個發(fā)光二極管單元及接觸發(fā)光二極管單元；以及一第一電極襯墊形成在接觸發(fā)光二極管單元之上，其中接觸發(fā)光二極管單元的面積較至少一相鄰的發(fā)光二極管單元的面積為大。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1八為一結(jié)構(gòu)圖，顯示一現(xiàn)有陣列發(fā)光二極管元件側(cè)視結(jié)構(gòu)圖；
[0008]圖18為一結(jié)構(gòu)圖，顯示一現(xiàn)有陣列發(fā)光二極管元件上視結(jié)構(gòu)圖；
[0009]圖2為一示意圖，顯示一現(xiàn)有發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖3八為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管單元側(cè)視結(jié)構(gòu)圖；
[0011]圖38為一結(jié)構(gòu)圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管單元上視結(jié)構(gòu)圖；
[0012]圖4為一示意圖，顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管元件局部上視示意圖。

【具體實施方式】
[0013]本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)，為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請參照下列描述并配合圖3八至圖4的圖示。
[0014]以下配合【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的各實施例。隨著市場需求，發(fā)光二極管元件的體積逐漸縮小化。當(dāng)發(fā)光二極管元件中每一個發(fā)光二極管單元的面積相對應(yīng)縮小時，形成于發(fā)光二極管單元出光面上的電極，電極延伸部，與導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)等不透光的結(jié)構(gòu)，相對應(yīng)大幅影響發(fā)光二極管單元的出光效率。
[0015]首先，圖3八與圖38所示為本發(fā)明第一實施例的陣列發(fā)光二極管元件2的側(cè)視圖與上視圖。發(fā)光二極管元件2具有一個基板20，基板20具有第一表面201與底面202，其中第一表面201與底面202相對?；?0并不限定為單一材料，也可以是由多個不同材料組合而成的復(fù)合式透明基板。例如:基板20可以包含兩個相互接合的第一基板與第二基板(圖未示)。本實施例中，基板20的材質(zhì)為藍(lán)寶石(83卯11116)。然而，基板20的材質(zhì)也可以包含但不限于招酸鋰(111:111111110X1(16，八 1(?)、氧化鋒(21110 0X1(16，2=0)、磷化鎵(職 11111111 1)11081)111(16，(^?)、玻璃((^￡188)、有機(jī)高分子板材、氮化招(￠1111111111111111111^1(16，八 18)、石申化嫁(^811111111 81^6111(16，(?八8)、韋占石、石英、娃(81110011, 81) (81110011 08^131(16, 810) ((118111011(1 11 垃6
著，在基板20的第一表面201上，形成多個二維延伸排列的陣列式發(fā)光二極管單元22。陣列式發(fā)光二極管單元22的制作方式，例如下面所述:
[0016]首先，以傳統(tǒng)的外延成長制作工藝，在一成長基板(圖未示)上形成一外延疊層220，包含第一半導(dǎo)體層221，活性層222，以及第二半導(dǎo)體層223。成長基板的材質(zhì)可包含但不限于砷化鎵((? 八 8〉、鍺(8610115111111111, (?)、磷化銦(111(1111111 ￠11081)111 (16，匕？)、藍(lán)寶石
、碳化娃(81110011 08^131(16, 810) (81110011)(111:11111111
0x1(16，、氧化鋒(21110 0x1(16，2=0)、氮化嫁(職 11111111、氮化招
(^11111111111111。上述第一半導(dǎo)體層221，活性層222，以及第二半導(dǎo)體層223的材料可包含一種或一種以上的元素選自鎵((?)、鋁(八1)、銦(?)、砷(^)、磷(巧、氮(吣以及硅(31)所構(gòu)成群組。常用的材料如磷化鋁鎵銦(八系列、氮化鋁鎵銦(八1(^111^0系列等III族氮化物、氧化鋅(2=0)系列等。
[0017]接著，以黃光光刻制作工藝技術(shù)選擇性移除部分外延疊層以在成長基板上形成分開排列的多個發(fā)光二極管單元外延疊層220，如圖38所示。其中，還可包含以黃光光刻制作工藝技術(shù)蝕刻形成每一個發(fā)光二極管單元第一半導(dǎo)體層221的暴露區(qū)域，以做為后續(xù)導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)的形成平臺。
[0018]為了增加元件整體的出光效率，可以通過基板轉(zhuǎn)移與基板接合的技術(shù)，將發(fā)光二極管單元外延疊層220設(shè)置于基板20之上。發(fā)光二極管單元外延疊層220可以以加熱或加壓的方式與基板20直接接合，或是通過透明粘著層(圖未示)將發(fā)光二極管單元外延疊層220與基板20粘著接合。其中，透明粘著層可以是一有機(jī)高分子透明膠材，例如聚酰亞胺(即匕加丨如)、苯環(huán)丁烯類高分子(8(?)、全氟環(huán)丁基類高分子(卩卩⑶)、環(huán)氧類樹脂
、壓克力類樹脂(八⑶-化如#!!)、聚脂類樹脂$￡1)、聚碳酸酯類樹脂等材料或其組合；或一透明導(dǎo)電氧化金屬層，例如氧化銦錫(工扣)、氧化銦(1=0)、氧化錫(^^)、氧化鋅(2=0)、氧化錫氟()、銻錫氧化物(“0 )、鎘錫氧化物(^10 )、氧化鋅鋁(八20 )、摻鎘氧化鋅(￠20)等材料或其組合；或一無機(jī)絕緣層，例如氧化鋁(八1203〉、氮化硅(31隊〉、氧化娃(31(?)、氮化招(八 1吣、二氧化鈦(丁1(?)、五氧化二鉭(18111:8111111等材料或其組合。
[0019]實際上，將發(fā)光二極管單元外延疊層220設(shè)置于基板20上的方法不限于此，于本【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識的人應(yīng)可以理解，根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)特性，發(fā)光二極管單元外延疊層220也可以外延成長的方式直接形成于基板20上。此外，根據(jù)基板20轉(zhuǎn)移次數(shù)的不同，可以形成第二半導(dǎo)體層223與基板的第一表面201相鄰,第一半導(dǎo)體層221在第二半導(dǎo)體層223上，中間夾有活性層222的結(jié)構(gòu)。
[0020]接著，在發(fā)光二極管單元外延疊層220的部分表面及相鄰發(fā)光二極管單元外延疊層220間以化學(xué)氣相沉積方式((^0)、物理氣相沉積方式⑴乂!))、派鍍等技術(shù)沉積形成絕緣層23，作為外延層的保護(hù)與相鄰發(fā)光二極管單元22間的電性絕緣。絕緣層23的材質(zhì)較佳例如可以是氧化鋁(八1203〉、氧化硅(31(?)、氮化鋁(八1吣、氮化硅0、二氧化鈦(了1(?)、五氧化二鉭等材料或其復(fù)合組合。
[0021]之后，以濺鍍的方式在兩個相鄰的發(fā)光二極管單元22的第一半導(dǎo)體層221表面上與第二半導(dǎo)體層223表面上分別形成多個彼此完全分離的導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29。這些彼此完全分離的多個導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29，一端以單一方向分布(亦即無其他方向的延伸電極)的方式配置在第一半導(dǎo)體層221上，直接與第一半導(dǎo)體層221接觸，并通過第一半導(dǎo)體層221使導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29彼此電性連結(jié)；這些在空間上彼此分離的導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29繼續(xù)延伸至另一個相鄰的發(fā)光二極管單元22的第二半導(dǎo)體層223上，另一端與發(fā)光二極管單元22的第二半導(dǎo)體層223電性相連，使兩個相鄰的發(fā)光二極管單元22形成電性串聯(lián)。
[0022]實際上，將相鄰的發(fā)光二極管單元22進(jìn)行電性連結(jié)的方法不限于此，于本【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識的人應(yīng)可以理解，通過將導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)兩端分別配置于不同發(fā)光二極管單元的相同或不同導(dǎo)電極性的半導(dǎo)體層上，可以使發(fā)光二極管單元間形成并聯(lián)或串聯(lián)的電性連結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0023]自圖38上視圖觀之，在電路設(shè)計上為一串串聯(lián)陣列排列的發(fā)光二極管元件2中，于串聯(lián)陣列電路末端的第一接觸發(fā)光二極管單兀的第一半導(dǎo)體層221上形成第一電極襯墊26。在一實施例中，也可選擇在串聯(lián)陣列電路另一末端的第二接觸發(fā)光二極管單元03的第二半導(dǎo)體層223上形成第二電極襯墊28。
[0024]通過此第一電極襯墊26及第二電極襯墊28，可以以打線或焊錫等方式與外部電源或其他電路元件形成電連接。其中，形成第一電極襯墊26及第二電極襯墊28的制作工藝，可以與導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29于同一形成制作工藝中進(jìn)行，也可以由多次制作工藝所完成。而形成第一電極襯墊26及第二電極襯墊28的材質(zhì)，可以分別與形成導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29的材質(zhì)相同或不同。
[0025]在一實施例中，上述第一接觸發(fā)光二極管單元具有一第一面積，而任一相鄰的發(fā)光二極管單元02具有第二面積，且第一接觸發(fā)光二極管單元的面積較任一相鄰的發(fā)光二極管單元02的面積為大。在一實施例中，任一發(fā)光二極管單元02與第一接觸發(fā)光二極管單元的面積差異小于20%。在一實施例中，其中任意兩個發(fā)光二極管單元02的面積差異小于20%。其中，為了達(dá)到一定的導(dǎo)電度，第一電極襯墊26與導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29材質(zhì)較佳例如可以是金屬，例如金(八幻、銀(?)、銅(⑶、鉻(⑵、鋁(八1〉、鉬時)、鎳(附〉、鈦(丁土)、錫(?)等，其合金或其疊層組合。
[0026]在一實施例中，上述第一接觸發(fā)光二極管單元具有一第一形狀，而任一相鄰的發(fā)光二極管單元02具有第二形狀，且第一接觸發(fā)光二極管單元的形狀與任一相鄰的發(fā)光二極管單元02的形狀不同。
[0027]根據(jù)實驗結(jié)果得知，發(fā)光二極管單元表面金屬導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)的電流橫向傳導(dǎo)距離極限大約為100微米(^!!!)。因此，為了使電流在半導(dǎo)體層中可以均勻擴(kuò)散，在發(fā)光二極管單元半導(dǎo)體層上配置導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)時，必須進(jìn)行適度的調(diào)整；此外，還可通過改變發(fā)光二極管單元本身的形狀來調(diào)整發(fā)光二極管單元間的電流擴(kuò)散效率。
[0028]圖4顯示發(fā)光二極管元件2其中一個串聯(lián)的發(fā)光二極管單元02與第一接觸發(fā)光二極管單元的結(jié)構(gòu)設(shè)計。其中，第一接觸發(fā)光二極管單元依序具有四個邊界81-84，其中第一電極襯墊26與第一邊界81及第二邊界82相鄰。為了達(dá)到均勻的電流擴(kuò)散速率，第一接觸發(fā)光二極管單元的第四邊界84具有一導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29，且此導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)29可包含一第一延伸部291及一第二延伸部292，其中第一延伸部291往第一邊界81延伸且第二延伸部292往第三邊界83延伸。
[0029]如圖4所示，第一延伸部291可與第一邊界81具有一最短距離X”且第二延伸部292與第三邊界83可具有一最短距離在一實施例中^?^2〈100 ^ 111、^^^2?90 9爪、父?父2〈80 ^ II1、111110在一實施例中0.90(/?^.2。于本發(fā)明的一實施例中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層221與基板20間尚可選擇性地包含一緩沖層0311打61~ 1奶61'，未顯示)。此緩沖層介于二種材料系統(tǒng)之間，使基板的材料系統(tǒng)”過渡”至半導(dǎo)體系統(tǒng)的材料系統(tǒng)。對發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)而言，一方面，緩沖層用以降低二種材料間晶格不匹配的材料層。另一方面，緩沖層也可以是用以結(jié)合二種材料或二個分離結(jié)構(gòu)的單層、多層或結(jié)構(gòu)，其可選用的材料如:有機(jī)材料、無機(jī)材料、金屬、及半導(dǎo)體等；其可選用的結(jié)構(gòu)如:反射層、導(dǎo)熱層、導(dǎo)電層、歐姆接觸((30111:21(31:)層、抗形變層、應(yīng)力釋放1*6162186 )層、應(yīng)力調(diào)整(8廿688￡1(1^1181:1116111:)層、接合(13011(11118 )層、波長轉(zhuǎn)換層、及機(jī)械固定構(gòu)造等。
[0030]外延疊層220上還可選擇性地形成一接觸層(未顯示)。接觸層設(shè)置于外延疊層220遠(yuǎn)離基板20的一側(cè)。具體而言,接觸層可以為光學(xué)層、電學(xué)層、或其二者的組合。光學(xué)層可以改變來自于或進(jìn)入活性層222的電磁輻射或光線。在此所稱的「改變」指改變電磁輻射或光的至少一種光學(xué)特性，前述特性包含但不限于頻率、波長、強(qiáng)度、通量、效率、色溫、演色性111(161 ?、光場(11^1: 61 (1)、及可視角(81^16 0？ 乂土一界)。電學(xué)層可以使得接觸層的任一組相對側(cè)間的電壓、電阻、電流、電容中至少其一的數(shù)值、密度、分布發(fā)生變化或有發(fā)生變化的趨勢。接觸層的構(gòu)成材料包含氧化物、導(dǎo)電氧化物、透明氧化物、具有50%或以上穿透率的氧化物、金屬、相對透光金屬、具有50%或以上穿透率的金屬、有機(jī)質(zhì)、無機(jī)質(zhì)、熒光物、磷光物、陶瓷、半導(dǎo)體、摻雜的半導(dǎo)體、及無摻雜的半導(dǎo)體中至少其一。于某些應(yīng)用中，接觸層的材料為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、與氧化鋅錫中至少其一。若為相對透光金屬，其厚度較佳地約為0.005 4 111?0.6 4 111。在一實施例中，由于接觸層具有較佳的橫向電流擴(kuò)散速率，可以用以協(xié)助電流均勻擴(kuò)散到外延疊層220之中。一般而言，根據(jù)接觸層摻混的雜質(zhì)與制作工藝的方式不同而有所變動，其能隙的寬度可介于0.56乂至56乂之間。
[0031]以上各附圖與說明雖僅分別對應(yīng)特定實施例，然而，各個實施例中所說明或公開的元件、實施方式、設(shè)計準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實施之外，吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。雖然本發(fā)明已說明如上，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管元件，包含: 基板，具有第一表面； 多個發(fā)光二極管單元，形成在該第一表面上，任一該些發(fā)光二極管單元具有一面積，且任一該些發(fā)光二極管單元包含:第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，形成在該第一半導(dǎo)體層上；以及活性層，形成在該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間； 至少一接觸發(fā)光二極管單元，形成在該第一表面上，其中該接觸發(fā)光二極管單元具有一面積，且該接觸發(fā)光二極管單元包含:第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，形成在該第一半導(dǎo)體層上；以及活性層，形成在該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間； 多個導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)，連接該些多個發(fā)光二極管單元及該接觸發(fā)光二極管單元；以及 第一電極襯墊，形成在該接觸發(fā)光二極管單元之上，其中該接觸發(fā)光二極管單元的面積較至少一相鄰的發(fā)光二極管單元的面積為大。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中任意兩個該發(fā)光二極管單元的面積差異小于20%。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中任一該發(fā)光二極管單元與該接觸發(fā)光二極管單元的面積差異小于20%。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中還包含金屬氧化物層，形成于該第二半導(dǎo)體層之上。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中任意兩個該多個導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)彼此完全分離，且其中任一該些導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)其第一端形成在該第二半導(dǎo)體層上，直接接觸該第二半導(dǎo)體層，并通過該第二半導(dǎo)體層彼此電性連結(jié)；其第二端分別形成在另一該發(fā)光二極管單元上，直接接觸另一該發(fā)光二極管單元所包含的該些半導(dǎo)體層其中之一。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管元件，其中該接觸發(fā)光二極管單元依序具有至少第一至第四個邊界，且該第一電極襯墊與該第一及第二邊界相鄰，以及該接觸發(fā)光二極管單元的導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)可具有第一延伸部及第二延伸部，其中該導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)與該第四邊界相鄰，且該第一延伸部往該第一邊界延伸及該第二延伸部往該第三邊界延伸。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管兀件，其中該第一延伸部與該第一邊界具有一最短距離Xi，該第二延伸部與該第三邊界具有一最短距離x2，且Xi+Xy10 μ m。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管兀件，其中該第一延伸部與該第一邊界具有一最短距離X:，該第二延伸部與該第三邊界具有一最短距離X2，且0.9<X1/X2<1.2。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管元件，其中該第一延伸部與該第一邊界具有一最短距離X:，該第二延伸部與該第三邊界具有一最短距離x2，且X:或χ2〈80 μ m。
【文檔編號】H01L27/15GK104425537SQ201310392154
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】葉慧君 申請人:晶元光電股份有限公司