技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：步驟一：提供一襯底；步驟二：在襯底上依次沉積形成金屬層和第一介質(zhì)層；步驟三：刻蝕第一介質(zhì)層和金屬層，形成金屬連線和金屬連線上的第一介質(zhì)層圖案，暴露出部分襯底；步驟四：在襯底和第一介質(zhì)層圖案上沉積形成阻隔材料層；步驟五：對(duì)阻隔材料層進(jìn)行刻蝕，在相鄰的金屬連線之間形成至少一個(gè)阻隔體；步驟六：在襯底、第一介質(zhì)層圖案和阻隔體上形成第二介質(zhì)層，并在金屬連線和阻隔體之間和/或相鄰的阻隔體之間的第二介質(zhì)層中形成間隙。采用上述方法，可以在金屬連線之間的第二介質(zhì)層中形成間隙，能夠有效降低第二介質(zhì)層的介電常數(shù)，降低金屬線之間的寄生電容，從而改善互連金屬線的RC延遲。

技術(shù)研發(fā)人員：許丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201310217918
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.03
技術(shù)公布日：2017.08.25