技術(shù)編號：11432659
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，更具體地說，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路特征尺寸的持續(xù)減小，后段互連電阻電容延遲（ResistorCapacitor，RC）呈現(xiàn)顯著增加的趨勢，為了減少RC延遲，引入低介電常數(shù)材料，銅互連取代鋁互連成為主流工藝。生產(chǎn)中，隨著集成電路特征尺寸的減小，銅互連線的電阻率會急劇增加，特別對于45nm及以下的工藝更明顯。然而目前還沒有一種電阻率低且高性價比的導(dǎo)電材料可取代銅互連，只能通過降低互連線間介電層的介電常數(shù)來降低寄生電容，從容改善RC延遲...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。