技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：步驟一：提供一襯底；步驟二：在所述襯底上依次沉積形成金屬層和第一介質(zhì)層；步驟三：刻蝕所述第一介質(zhì)層和金屬層，形成金屬連線和金屬連線上的第一介質(zhì)層圖案，暴露出部分襯底；步驟四：在所述襯底和第一介質(zhì)層圖案上沉積形成阻隔材料層；步驟五：對(duì)所述阻隔材料層進(jìn)行刻蝕，在相鄰的所述金屬連線之間形成至少一個(gè)阻隔體，所述阻隔體與相鄰的一條金屬連線之間的距離小于等于預(yù)定值；步驟六：在所述襯底、第一介質(zhì)層圖案和阻隔體上形成第二介質(zhì)層，并在所述金屬連線和阻隔體之間和/或相鄰的阻隔體之間的第二介質(zhì)層中形成間隙...