技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有襯底與外延層不可避免的存在晶格失配和熱脹失配的問題，同時也存在自發(fā)極化以及電壓極化而引起的內(nèi)部電場的問題。本半導(dǎo)體器件包括襯底和動作層，在所述襯底上生長有設(shè)有n型電極的n型半導(dǎo)體和生長有設(shè)有p型電極的p型半導(dǎo)體，在所述襯底與動作層之間生長有能夠降低襯底結(jié)晶缺陷對半導(dǎo)體器件影響的緩沖層。本發(fā)明通過在襯底和動作層之間生長緩沖層來降低襯底結(jié)晶缺陷對半導(dǎo)體器件影響，有較好的高可靠性和更高的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：安部正幸
受保護的技術(shù)使用者：臺州市一能科技有限公司;安部正幸
文檔號碼：201310198971
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.23
技術(shù)公布日：2017.02.08