技術(shù)特征：
1.半導(dǎo)體器件，包括襯底和動作層，所述的襯底上形成Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的動作層，所述Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是指含有GaN、InN或者AlN的一種或幾種而形成的混晶化合物半導(dǎo)體，在所述襯底上生長有設(shè)有n型電極的n型半導(dǎo)體和生長有設(shè)有p型電極的p型半導(dǎo)體，其特征在于，在所述襯底和動作層之間生長有緩沖層；所述緩沖層包括第一緩沖層和生長在第一緩沖層上的第二緩沖層，從而能夠緩和因晶格失配導(dǎo)致的結(jié)晶缺陷和自發(fā)極化以及壓電極化而引起的內(nèi)部電場的產(chǎn)生；第二緩沖層為含有InAlGaN層的GaN/InAlGaN/AlGaN復(fù)合層，GaN/InAlGaN/AlGaN復(fù)合層是指在GaN層上生長InAlGaN層，在InAlGaN層上生長有AlGaN層；或者含有上述GaN/InAlGaN/AlGaN復(fù)合層的多層結(jié)構(gòu)作為第二緩沖層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底上通過化學(xué)氣相沉積法生長有GaN低溫沉積層或者AlGaN層或者AlN層形成第一緩沖層；或者是所述襯底上生長有GaN低溫沉積層、AlGaN層或AlN層中兩層或混合多層形成第一緩沖層；或者所述襯底上通過外延橫向過度生長法生長有GaN層、AlGaN層或AlN層中一層或多層而形成的第一緩沖層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二緩沖層中的InAlGaN為：InxAlyGazN，0.05<x<0.11,y＝4.66x,z＝1-x-y。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底用于生長外延的表面粗糙度限定在15nm以下。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底為單晶Al2O3、單晶SiC、單晶GaN、單晶Ga2O3、單晶ZnO、單晶GaAs、單晶InP或單晶Si；或者是上述材料在其多晶上結(jié)合其單晶而形成一體化的襯底；或者是上述材料在其非結(jié)晶上結(jié)合其單晶而形成一體化的襯底。