有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基板；位于所述基板上的有源層；與所述有源層絕緣并與所述有源層重疊的柵電極；源電極，包括連接至所述有源層的第一源電極層和連接至所述第一源電極層且比所述第一源電極層大的第二源電極層；漏電極，包括連接至所述有源層的第一漏電極層和連接至所述第一漏電極層且比所述第一漏電極層大的第二漏電極層；電連接至所述源電極或所述漏電極的第一電極；位于所述第一電極上且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層；以及位于所述中間層上的第二電極。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
[0001]相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2012年7月30日遞交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0083515的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的一個或多個實施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地，涉及可以改善顯示質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]顯示設(shè)備正被便攜且纖薄的平板顯示設(shè)備取代。在平板顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由于其具有自發(fā)光特性和諸如寬視角、高對比度和短響應(yīng)時間之類的優(yōu)異性能，而作為下一代顯示設(shè)備受到關(guān)注。
[0005]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機(jī)發(fā)射層，并且在向第一電極和第二電極施加電壓時，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)出可見光。
[0006]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括用于操作有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的薄膜晶體管。薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極。
[0007]在此情形下，在形成薄膜晶體管時，在薄膜晶體管的薄層之間布置絕緣層。例如，可以在源電極與柵電極之間、以及漏電極與柵電極之間布置絕緣層。
[0008]在形成了絕緣層時，在要由絕緣層絕緣的元件之間，例如在柵電極與源電極之間或者在柵電極與漏電極之間，由于粒子穿透絕緣層或形成在絕緣層下的元件，例如柵電極的結(jié)構(gòu)，仍然可能發(fā)生短路。具體而言，在制造具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時，配線的線寬以及配線之間的距離減小。因此，上述缺陷頻繁發(fā)生，因此對改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量造成限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的一個或多個實施例的方面致力于一種可以改善顯不質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括:基板；在所述基板上形成的有源層；與所述有源層絕緣并與所述有源層重疊的柵電極；源電極，包括連接至所述有源層的第一源電極層和連接至所述第一源電極層且比所述第一源電極層大的第二源電極層；漏電極，包括連接至所述有源層的第一漏電極層和連接至所述第一漏電極層且比所述第一漏電極層大的第二漏電極層；電連接至所述源電極或所述漏電極的第一電極；布置在所述第一電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層；以及布置在所述中間層上的第二電極。
[0011]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成并且包括第一接觸孔的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成并且包括第二接觸孔的第二層間絕緣層。
[0012]所述第一源電極層和所述第一漏電極層中的每一個可以形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，并且所述第二源電極層和所述第二漏電極層中的每一個可以形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)。
[0013]所述第一接觸孔可以具有比所述第二接觸孔的尺寸小的尺寸。
[0014]多個第一接觸孔可以形成為連接至同一第二接觸孔。
[0015]所述第一層間絕緣層可以包括無機(jī)材料，并且所述第二層間絕緣層可以包括有機(jī)材料。
[0016]所述第二層間絕緣層的上表面可以被平坦化。
[0017]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在在所述基板上限定的存儲器區(qū)中形成并且包括第一電容器電極和第二電容器電極的電容器。
[0018]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，其中，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層各自包括與所述電容器對應(yīng)的開口。
[0019]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括在所述電容器上方形成以與所述電容器至少部分重疊的電力供應(yīng)配線。
[0020]可以在所述電容器與所述電力供應(yīng)配線之間布置有至少一個絕緣層。
[0021]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，其中所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層布置在所述電容器和所述電力供應(yīng)配線之間。
[0022]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括在所述電容器上方形成以與所述電容器至少部分重疊的數(shù)據(jù)配線。
[0023]可以在所述電容器與所述數(shù)據(jù)配線之間布置有至少一個絕緣層。
[0024]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，其中所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層布置在所述電容器與所述數(shù)據(jù)配線之間。
[0025]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述電容器上方形成以與所述電容器至少部分重疊的電力供應(yīng)配線和數(shù)據(jù)配線，其中所述電力供應(yīng)配線和所述數(shù)據(jù)配線形成為不同的層以彼此重疊。
[0026]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，其中所述電力供應(yīng)配線在所述第一層間絕緣層上形成，并且所述數(shù)據(jù)配線在所述第二層間絕緣層上形成。
[0027]所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，其中所述數(shù)據(jù)配線在所述第一層間絕緣層上形成，并且所述電力供應(yīng)配線在所述第二層間絕緣層上形成。
[0028]所述第一電容器電極可以與所述有源層在同一層上形成，并且所述第二電容器電極可以與所述柵電極在同一層上形成。
[0029]所述第一電極可以包括ITO、IZO、ZnO, ln203、IGO 或 ΑΖ0。
[0030]所述第一電極可以與所述柵電極在同一層上形成。[0031]所述柵電極可以包括第一傳導(dǎo)層和在所述第一傳導(dǎo)層上形成的第二傳導(dǎo)層，并且所述第一電極可以通過使用與形成所述第一傳導(dǎo)層所使用的材料相同的材料與所述第一傳導(dǎo)層在同一層上形成。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括:在基板上形成有源層；形成與所述有源層絕緣并且與所述有源層重疊的柵電極；形成源電極，所述源電極包括連接至所述有源層的第一源電極層和連接至所述第一源電極層且比所述第一源電極層大的第二源電極層；形成漏電極，所述漏電極包括連接至所述有源層的第一漏電極層和連接至所述第一漏電極層且比所述第一漏電極層大的第二漏電極層；形成電連接至所述源電極或所述漏電極的第一電極；形成布置在所述第一電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層；以及形成布置在所述中間層上的第二電極。
[0033]所述方法可以進(jìn)一步包括:在所述柵電極上形成第一層間絕緣層，其中所述第一層間絕緣層包括第一接觸孔；以及在所述第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層，其中所述第二層間絕緣層包括第二接觸孔。
[0034]形成所述源電極可以包括:將所述第一源電極層形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，以及將所述第二源電極層形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)，并且形成所述漏電極可以包括:將所述第一漏電極層形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，以及將所述第二漏電極層形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)。
[0035]在形成所述第一層間絕緣層和形成所述第二層間絕緣層之后，同步地或同時地形成所述第一源電極層、所述第一漏電極層、所述第二源電極層和所述第二漏電極層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中:
[0037]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；
[0038]圖2是圖1的部分A的詳細(xì)平面圖；
[0039]圖3A至圖3F是順序示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意性剖視圖；
[0040]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；并且
[0041]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0042]現(xiàn)在將參照示出本發(fā)明的示例性實施例的附圖更充分地描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和操作。
[0043]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的示意性剖視圖。
[0044]參照圖1,根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備100包括基板101、緩沖層102、第一電極108、薄膜晶體管TFT、中間層140、第二電極150、第一層間絕緣層109、第二層間絕緣層119和電容器110。
[0045]基板101由包括發(fā)射區(qū)PA、電路區(qū)TR和存儲器區(qū)ST的多個區(qū)限定。
[0046]發(fā)射區(qū)PA是至少與中間層140重疊的區(qū)，并且在發(fā)射區(qū)PA中，可見光從中間層140發(fā)出。電路區(qū)TR是在其中傳送用于在發(fā)射區(qū)PA中執(zhí)行操作的各種電氣信號并且布置有薄膜晶體管TFT的區(qū)。
[0047]薄膜晶體管TFT包括有源層103、柵電極107、源電極111和漏電極112。另外，源電極111包括第一源電極層Illa和第二源電極層111b，并且漏電極112包括第一漏電極層112a和第二漏電極層112b。
[0048]電容器110布置在存儲器區(qū)ST中，并且包括第一電容器電極113和第二電容器電極 117。
[0049]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述元件的配置。
[0050]基板101可以由包含SiO2作為主要成分的透明玻璃材料形成。然而，本發(fā)明的方面不限于此，并且基板101也可以由透明塑料材料形成。在此情形下，用于形成基板101的透明塑料材料可以是從各種合適的有機(jī)材料中選出的至少一種。
[0051]緩沖層102形成在基板101上。緩沖層102防止或阻擋摻雜的元素穿透到基板101中，并且平坦化基板101的上部。因此，緩沖層102可以由具有這種功能的各種合適的材料形成。例如，緩沖層102可以包括無機(jī)材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦，和/或包括有機(jī)材料，例如聚酰亞胺、聚酯或丙烯酸樹脂。緩沖層102可以具有其中沉積有多種材料的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0052]而且，緩沖層102不是必要元件，因此可以根據(jù)工藝狀況而省略。
[0053]有源層103和第一電容器電極113形成在緩沖層102上。有源層103和第一電容器電極113可以由相同的材料形成。有源層103和第一電容器電極113包括半導(dǎo)體材料，例如硅。
[0054]柵絕緣層104形成在緩沖層102上，從而覆蓋有源層103和第一電容器電極113。
[0055]柵電極107、第一電極108和第二電容器電極117形成在柵絕緣層104上。
[0056]柵電極107包括第一傳導(dǎo)層105和第二傳導(dǎo)層106。第一傳導(dǎo)層105包括透射傳導(dǎo)材料，例如，第一傳導(dǎo)層105可以由ITO、IZO, ZnO, ln203、IGO或AZO形成。
[0057]第二傳導(dǎo)層106可以以金屬或金屬合金，例如Mo、MoW或鋁基合金，形成在第一傳導(dǎo)層105上。然而，本發(fā)明的方面不限于此，并且第二傳導(dǎo)層106也可以包括Mo/Al/Mo的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0058]第一電極108包括透射傳導(dǎo)材料并且可以由與形成第一傳導(dǎo)層105所使用的材料相同的材料形成。傳導(dǎo)部108a布置在第一電極108的設(shè)定或預(yù)定的上部區(qū)域中。在一個實施例中，傳導(dǎo)部108a由與形成第二傳導(dǎo)層106使用的材料相同的材料形成。
[0059]第二電容器電極117可以由與形成第一傳導(dǎo)層105所使用的材料相同的材料形成。
[0060]第一層間絕緣層109形成在第一電極108、柵電極107和第二電容器電極117上。第一層間絕緣層109可以包括各種合適的絕緣材料，例如無機(jī)材料。
[0061]第一層間絕緣層109包括第一接觸孔109c。
[0062]而且，第一層間絕緣層109形成為不覆蓋第二電容器電極117的上表面的至少一個區(qū)域。更詳細(xì)地，第一層間絕緣層109可以包括與第二電容器電極117的上表面重疊的開口 109a。
[0063]而且，第一層間絕緣層109形成為不覆蓋第一電極108的上表面的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域。
[0064]源電極111的第一源電極層11 Ia和漏電極112的第一漏電極層112a形成為與第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c對應(yīng)。
[0065]第一源電極層Illa和第一漏電極層112a形成為連接至有源層103。第一源電極層Illa和第一漏電極層112a可以使用各種合適的材料形成。例如，第一源電極層Illa和第一漏電極層112a可以由諸如Au、Pd、Pt、N1、Rh、Ru、Ir、Os、Al、Mo、Nd、Mo或W之類的金屬或包括這些材料中的兩種或更多種材料的合金形成。然而，本發(fā)明的方面不限于此。
[0066]第二層間絕緣層119形成在第一層間絕緣層109上。第二層間絕緣層119可以包括各種合適的絕緣材料，例如有機(jī)材料。
[0067]第二層間絕緣層119包括第二接觸孔119c。
[0068]而且，第二層間絕緣層119形成為不覆蓋第二電容器電極117的上表面的至少一個區(qū)域。詳細(xì)地，第二層間絕緣層119可以包括與第二電容器電極117的上表面重疊的開口 119a。
[0069]而且，第二層間絕緣層119形成為不覆蓋第一電極108的上表面的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域。
[0070]源電極111的第二源電極層11 Ib和漏電極112的第二漏電極層112b形成為與第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c對應(yīng)。
[0071]第二源電極層Illb連接至第一源電極層111a，并且第二漏電極層112b連接至第一漏電極層112a。第二源電極層Illb和第二漏電極層112b可以由各種合適的材料形成。例如，第二源電極層Illb和第二漏電極層112b可以由諸如Au、Pd、Pt、N1、Rh、Ru、Ir、Os、Al、Mo、Nd、Mo或W之類的金屬或包括這些材料中的兩種或更多種材料的合金形成。然而，本發(fā)明的方面不限于此。
[0072]源電極111的第一源電極層Illa形成為比第二源電極層Illb小。詳細(xì)地，第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c形成為比第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c小，并且第一源電極層Illa形成為與第一接觸孔109c對應(yīng)，第二源電極層Illb形成為與第二接觸孔119c對應(yīng)。而且，如圖2所示，多個第一接觸孔109c形成為連接至一個第二接觸孔119c，使得多個第一源電極層Illa形成為連接至第二源電極層111b。
[0073]漏電極112的第一漏電極層112a形成為比第二漏電極層112b小。詳細(xì)地，第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c形成為比第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c小，并且第一漏電極層112a形成為與第一接觸孔109c對應(yīng)，第二漏電極層112b形成為與第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c對應(yīng)。而且，如圖2所示，多個第一接觸孔109c形成為連接至一個第二接觸孔119c，使得多個第一漏電極層112a形成為連接至第二漏電極層112b。
[0074]結(jié)果，在本實施例中，在柵電極107、第二源電極層11 Ib和第二漏電極層112b之間形成有兩個層間絕緣層109和119，從而可有效地防止在柵電極107、第二源電極層Illb和第二漏電極層112b之間產(chǎn)生外來物質(zhì)，或者可有效地防止由于在形成柵電極107、第二源電極層Illb和第二漏電極層112b時殘留的金屬成分，而在柵電極107、第二源電極層Illb和第二漏電極層112b之間發(fā)生短路。
[0075]具體而言，首先在柵電極107上形成包含具有用于防止?jié)駳鉂B透的優(yōu)良能力和優(yōu)良臺階覆蓋特性的無機(jī)材料的第一層間絕緣層109，使得柵電極107可以通過第一層間絕緣層109與有源層103有效地絕緣。而且，由于使用有機(jī)材料在第一層間絕緣層109上形成第二層間絕緣層119，因此第二層間絕緣層119可易于形成為期望的厚度，并且第二層間絕緣層119的上表面被平坦化，使得第二層間絕緣層119可易于充當(dāng)平坦化層。
[0076]在此情形下，第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c形成為具有小的尺寸，從而最小化(或能夠減小)源電極111與漏電極112之間的距離以及其它配線之間的距離，以便容易實現(xiàn)具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100。另外，第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c形成為比第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c大，從而可以改善薄膜晶體管TFT的電氣特性。
[0077]具體而言，多個第一接觸孔109c形成為連接至一個第二接觸孔119c，從而可易于改善第一源電極層Illa與有源層103之間的電氣接觸特性以及第一漏電極層112a與有源層103之間的電氣接觸特性。
[0078]而且，源電極111和漏電極112中之一電連接至第一電極108。圖1示出漏電極112的第二漏電極層112b電連接至第一電極108。具體地，漏電極112接觸傳導(dǎo)部108a，并因此被電連接至第一電極108。
[0079]像素限定層(PDL)130形成在第二層間絕緣層119上，從而覆蓋源電極111的第二源電極層111b、漏電極112的第二漏電極層112b以及第二電容器電極117。PDL130形成為不覆蓋第一電極108的上表面的至少一個區(qū)域。
[0080]中間層140形成在第一電極108上。更詳細(xì)地，中間層140形成為接觸第一電極108的未被TOL130覆蓋的上表面。
[0081]中間層140包括有機(jī)發(fā)射層以發(fā)射可見光。
[0082]中間層140可以是低分子量有機(jī)層或聚合物有機(jī)層。在中間層140是低分子量有機(jī)層時，中間層140可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。
[0083]HIL可以由諸如銅酞菁(CuPc)之類的酞花青復(fù)合物或者諸如TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB之類的星爆式胺衍生物形成。
[0084]HTL 可以由 N, N’-二(3-甲苯基)_N, N’-聯(lián)苯-[1，1-二苯基]_4，4’-二胺(TPD)、N，N’ -二 (荼-1-基)-N，N’ -聯(lián)苯-聯(lián)苯二胺(a-NPD)等形成。
[0085]EIL可以由諸如LiF、NaCl.CsF, Li20、BaO或Liq之類的材料形成。
[0086]ETL可以使用三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成。
[0087]有機(jī)層可以包括宿主材料和摻雜材料。
[0088]第二電極150形成在中間層140上。第二電極150可以由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li或Ca之類的金屬形成。另外，第二電極150可以包括透光材料ΙΤ0、IZO、Zno 或 In2O30
[0089]另外，在第二電極150上可以形成有封裝件。封裝件可以由有機(jī)和/或無機(jī)材料形成。
[0090]在根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，在柵電極107、第二源電極層11 Ib和第二漏電極層112b之間形成有兩個層間絕緣層109和119，從而可以有效地防止在柵電極107、第二源電極層Illb和第二漏電極層112b之間發(fā)生短路。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的顯示質(zhì)量中的缺陷可以得到改善，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的顯示質(zhì)量。[0091]具體而言，第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c形成為具有小的尺寸，從而最小化(或能夠減小)源電極111與漏電極112之間的距離以及其它配線之間的距離，以便容易實現(xiàn)具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100。另外，第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c形成為比第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c大，從而可以改善薄膜晶體管TFT的電氣特性。
[0092]在此情形下，多個第一接觸孔109c形成為連接至一個第二接觸孔119c，從而可易于改善第一源電極層Illa與有源層103之間的電氣接觸特性以及第一漏電極層112a與有源層103之間的電氣接觸特性。
[0093]圖3A至圖3F是順序示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意性剖視圖。
[0094]具體地，圖3A至圖3F示出制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的方法的實施例。為了便于解釋，以下僅描述圖1和圖2與圖3A至圖3F之間的差別。
[0095]首先，參照圖3A，制備基板101。在基板101上形成緩沖層102。
[0096]在緩沖層102上形成有源層103和第一電容器電極113。第一電容器電極113和有源層103可以由相同的材料形成。另外，有源層103和第一電容器電極113可以通過使用一個掩膜執(zhí)行圖案化處理來同步或同時形成。
[0097]因此，參見圖3B，在緩沖層102上形成柵絕緣層104，以覆蓋有源層103和第一電容器電極113，并且在柵絕緣層104上形成柵電極107、第一電極108和第二電容器電極117。
[0098]柵電極107包括第一傳導(dǎo)層105和第二傳導(dǎo)層106。第一電極108可以由與形成第一傳導(dǎo)層105所使用的材料相同的材料形成。傳導(dǎo)層108b布置在第一電極108上,并且由與形成第二傳導(dǎo)層106所使用的材料相同的材料形成。
[0099]第二電容器電極117可以由與形成第一傳導(dǎo)層105所使用的材料相同的材料形成。在第二電容器電極117上形成覆蓋層118。覆蓋層118由與形成柵電極107的第二傳導(dǎo)層106所使用的材料相同的材料形成。柵電極107、第一電極108、傳導(dǎo)層108b、第二電容器電極117和覆蓋層118可以通過使用一個掩膜執(zhí)行圖案化處理來形成。
[0100]接下來，參照圖3C，在傳導(dǎo)層108b和柵電極107上形成第一層間絕緣層109。第一層間絕緣層109包括與有源層103對應(yīng)的第一接觸孔109c。盡管在圖3C中未示出，但多個第一接觸孔109c基于柵電極107形成為與有源層103的一個區(qū)域?qū)?yīng)，如圖2中所示。
[0101]另外，第一層間絕緣層109包括與覆蓋層118對應(yīng)的開口 109a。第一層間絕緣層109形成為使得傳導(dǎo)層108b的上表面的設(shè)定或預(yù)定區(qū)域暴露。
[0102]接下來，參照圖3D，在第一層間絕緣層109上形成第二層間絕緣層119。第二層間絕緣層119包括連接至第一接觸孔109c的第二接觸孔119c。第二接觸孔119c形成為比第一接觸孔109c大。具體而言，在第一層間絕緣層109由無機(jī)材料形成并且第二層間絕緣層119由有機(jī)材料形成時，第一接觸孔109c可易于形成為具有一致的小尺寸，并且第二接觸孔119可易于形成為比第一接觸孔109c大。
[0103]接下來，參照圖3E，形成源電極111和漏電極112。更詳細(xì)地，源電極111的第一源電極層Illa和漏電極112的第一漏電極層112a形成為與第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c對應(yīng)，并且源電極111的第二源電極層Illb和漏電極112的第二漏電極層112b形成為與第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c對應(yīng)。在此情形下，可以通過使用一個掩膜執(zhí)行圖案化處理來同時形成第一源電極層111a、第一漏電極層112a、第二源電極層Illb和第二漏電極層112b。
[0104]因此，第一源電極層11 Ia和第一漏電極層112a形成為比第二源電極層11 Ib和第二漏電極層112b小。另外，多個第一源電極層Illa連接至一個第二源電極層11 Ib，并且多個第一漏電極層112a連接至一個第二漏電極層112b。
[0105]另外，通過將第一電極108上的傳導(dǎo)層108b的設(shè)定或預(yù)定區(qū)域去除而形成傳導(dǎo)部108a,并且暴露第一電極108的上表面。
[0106]接下來，從第二電容器電極117的上部去除覆蓋層118。
[0107]接下來，參照圖3F，在第二層間絕緣層119上形成像素限定層(PDL)130，從而覆蓋源電極111的第二源電極層111b、漏電極112的第二漏電極層112b以及第二電容器電極117。PDL130形成為不覆蓋第一電極108的上表面的至少一個區(qū)域。
[0108]在第一電極108上形成中間層140。更詳細(xì)地，中間層140形成為接觸第一電極108的未被TOL130覆蓋的上表面。
[0109]中間層140包括有機(jī)發(fā)射層以發(fā)射可見光。
[0110]在中間層140上形成第二電極150，并且在第二電極150上可以形成封裝件。
[0111]在本實施例中，在形成柵電極107之后、形成源電極111和漏電極112之前，形成兩個層間絕緣層109和119，從而可以有效地防止在柵電極107、源電極111和漏電極112之間發(fā)生短路。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的顯示質(zhì)量中的缺陷得以改善，從而可以改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的顯示質(zhì)量。
[0112]具體而言，第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c形成為具有小的尺寸，從而最小化(或能夠減小)源電極111與漏電極112之間的距離以及其它配線之間的距離，以便易于實現(xiàn)具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100。另外，第二層間絕緣層119的第二接觸孔119c形成為比第一層間絕緣層109的第一接觸孔109c大，從而可以改善薄膜晶體管TFT的電氣特性。
[0113]在此情形下，多個第一接觸孔109c形成為連接至一個第二接觸孔119c，從而可易于改善第一源電極層Illa與有源層103之間的電氣接觸特性以及第一漏電極層112a與有源層103之間的電氣接觸特性。
[0114]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的示意性剖視圖。
[0115]參照圖4,根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備200包括基板201、緩沖層202、第一電極208、薄膜晶體管TFT、中間層240、第二電極250、第一層間絕緣層209、第二層間絕緣層219、電容器210和電力供應(yīng)配線280。
[0116]基板201由包括發(fā)射區(qū)PA、電路區(qū)TR和存儲器區(qū)ST的多個區(qū)限定。
[0117]發(fā)射區(qū)PA是至少與中間層240重疊的區(qū)，并且在發(fā)射區(qū)PA中，可見光從中間層240發(fā)出。電路區(qū)TR是在其中傳送用于在發(fā)射區(qū)PA中執(zhí)行操作的各種電氣信號并且布置有薄膜晶體管TFT的區(qū)。
[0118]薄膜晶體管TFT包括有源層203、柵電極207、源電極211和漏電極212。另外，源電極211包括第一源電極層211a和第二源電極層211b，并且漏電極212包括第一漏電極層212a和第二漏電極層212b。[0119]電容器210布置在存儲器區(qū)ST中，并且包括第一電容器電極213和第二電容器電極 217。
[0120]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述元件的配置。為了便于解釋，以下僅描述圖1和圖2、圖3A至圖3F與圖4之間的差別。
[0121]緩沖層202形成在基板201上。緩沖層202防止或阻擋摻雜的元素穿透到基板201中并平坦化基板201的上部。因此，緩沖層202可以由具有這種功能的各種合適的材料形成。另外，緩沖層202不是必要元件，因此可以根據(jù)工藝條件而省略。
[0122]有源層203和第一電容器電極213形成在緩沖層202上。有源層203和第一電容器電極213可以由相同的材料形成。
[0123]柵絕緣層204形成在緩沖層202上，從而覆蓋有源層203和第一電容器電極213。
[0124]柵電極207、第一電極208和第二電容器電極217形成在柵絕緣層204上。
[0125]第一電極208包括透射傳導(dǎo)材料并且可以由與形成第二電容器電極217所使用的材料相同的材料形成。傳導(dǎo)部208a布置在第一電極208的預(yù)定的上部區(qū)域中。傳導(dǎo)部208a由與形成柵電極207所使用的材料相同的材料形成。
[0126]第一層間絕緣層209形成在第一電極208、柵電極207和第二電容器電極217上。第一層間絕緣層209可以包括各種合適的絕緣材料，例如無機(jī)材料。
[0127]第一層間絕緣層209包括第一接觸孔209c。
[0128]另外，第一層間絕緣層209形成為覆蓋第二電容器電極217。
[0129]另外，第一層間絕緣層209形成為不覆蓋第一電極208的上表面的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域。
[0130]源電極211的第一源電極層21 Ia和漏電極212的第一漏電極層212a形成為與第一層間絕緣層209的第一接觸孔209c對應(yīng)。
[0131]第一源電極層211a和第一漏電極層212a形成為連接至有源層203。
[0132]第二層間絕緣層219形成在第一層間絕緣層209上。第二層間絕緣層219可以包括各種合適的絕緣材料，例如有機(jī)材料。
[0133]第二層間絕緣層219包括第二接觸孔219c。
[0134]第二層間絕緣層219形成為覆蓋第二電容器電極217且不覆蓋第一電極208的上表面的預(yù)定區(qū)域。
[0135]源電極211的第二源電極層211b和漏電極212的第二漏電極層212b形成為與第二層間絕緣層219的第二接觸孔219c對應(yīng)。
[0136]第二源電極層211b連接至第一源電極層211a，并且第二漏電極層212b連接至第一漏電極層212a。
[0137]源電極211的第一源電極層21 Ia形成為比第二源電極層21 Ib小。更詳細(xì)地，第一層間絕緣層209的第一接觸孔209c形成為比第二層間絕緣層219的第二接觸孔219c小，并且第一源電極層211a形成為與第一接觸孔209c對應(yīng)，而第二源電極層211b形成為與第二接觸孔219c對應(yīng)。另外，如圖2先前所示，多個第一接觸孔209c形成為連接至一個第二接觸孔219c，使得多個第一源電極層211a形成為連接至第二源電極層211b。
[0138]漏電極212的第一漏電極層212a形成為比第二漏電極層212b小。更詳細(xì)地，第一層間絕緣層209的第一接觸孔209c形成為比第二層間絕緣層219的第二接觸孔219c小，并且第一漏電極層212a形成為與第一接觸孔209c對應(yīng)，而第二漏電極層212b形成為與第二接觸孔219c對應(yīng)。另外，如圖2先前所示，多個第一接觸孔209c形成為連接至一個第二接觸孔219c，使得多個第一漏電極層212a形成為連接至第二漏電極層212b。
[0139]另外，源電極211和漏電極212中之一電連接至第一電極208。圖4中，漏電極212的第二漏電極層212b電連接至第一電極208。更詳細(xì)地，漏電極212接觸傳導(dǎo)部208a，因此被電連接至第一電極208。
[0140]電力供應(yīng)配線280形成在第二層間絕緣層219上。電力供應(yīng)配線280是用于向有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200供電從而在發(fā)射區(qū)域PA中執(zhí)行發(fā)射操作的配線。特別地，電力供應(yīng)配線280可以是電源ELVDD配線。電力供應(yīng)配線280配置為與存儲器區(qū)ST的電容器210至少部分重疊。
[0141]換言之，由于不需要附加區(qū)來在其中形成電力供應(yīng)配線280，因此可以增大有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的開口率，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的顯示質(zhì)量。
[0142]H)L230形成在第二層間絕緣層219上，從而覆蓋源電極211的第二源電極層211b、漏電極212的第二漏電極層212b以及電力供應(yīng)配線280。TOL230形成為不覆蓋第一電極208的上表面的至少一個區(qū)域。
[0143]中間層240形成在第一電極208上。更詳細(xì)地，中間層240形成為接觸第一電極208的未被TOL230覆蓋的上表面。
[0144]中間層240包括有機(jī)發(fā)射層以發(fā)射可見光。
[0145]第二電極250形成在中間層240上。
[0146]盡管未示出，但第二電極250上可以形成有封裝件(未示出)。封裝件可以利用有機(jī)或無機(jī)材料形成。
[0147]在根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200中，在柵電極207、第二源電極層21 Ib和第二漏電極層212b之間形成有兩個層間絕緣層209和219，從而可以有效地防止在柵電極207、第二源電極層211b和第二漏電極層212b之間發(fā)生短路。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的顯示質(zhì)量中的缺陷可以得到改善，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的顯示質(zhì)量。
[0148]具體而言，第一層間絕緣層209的第一接觸孔209c形成為具有小的尺寸，從而最小化(或能夠減小)源電極211與漏電極212之間的距離以及其它配線之間的距離，以便易于實現(xiàn)具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200。另外，第二層間絕緣層219的第二接觸孔219c形成為比第一接觸孔209c大，從而可以改善薄膜晶體管TFT的電氣特性。
[0149]在此情形下，多個第一接觸孔209c形成為連接至一個第二接觸孔219c，從而可易于改善第一源電極層211a與有源層203之間的電氣接觸特性和第一漏電極層212a與有源層203之間的電氣接觸特性。
[0150]電力供應(yīng)配線280形成在第二層間絕緣層219上，以至少部分重疊電容器210，從而不需要形成附加的空間以在其中形成電力供應(yīng)配線280，并且可易于改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的開口率，從而可以改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的顯示質(zhì)量。
[0151]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的示意性剖視圖。
[0152]參照圖5,根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備300包括基板301、緩沖層302、第一電極308、薄膜晶體管TFT、中間層340、第二電極350、第一層間絕緣層309、第二層間絕緣層319、電容器310、電力供應(yīng)配線380和數(shù)據(jù)配線390。[0153]基板301由包括發(fā)射區(qū)PA、電路區(qū)TR和存儲器區(qū)ST的多個區(qū)限定。
[0154]發(fā)射區(qū)PA是至少與中間層340重疊的區(qū)，并且在發(fā)射區(qū)PA中，可見光從中間層340發(fā)出。電路區(qū)TR是在其中傳送用于在發(fā)射區(qū)PA中執(zhí)行操作的各種電氣信號并且布置有薄膜晶體管TFT的區(qū)。
[0155]薄膜晶體管TFT包括有源層303、柵電極307、源電極311和漏電極312。另外，源電極311包括第一源電極層311a和第二源電極層311b，并且漏電極312包括第一漏電極層312a和第二漏電極層312b。
[0156]電容器310布置在存儲器區(qū)ST中。電容器310包括第一電容器電極313和第二電容器電極317。
[0157]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述元件的配置。為了便于解釋，以下僅描述圖1和圖2、圖3A至圖3F、圖4與圖5之間的差別。
[0158]緩沖層302形成在基板301上。緩沖層302防止或阻擋摻雜的元素穿透到基板301中并平坦化基板301的上部。緩沖層302可以由具有這種功能的各種合適的材料形成。另外，緩沖層302不是必要元件，因此可以根據(jù)工藝狀況而省略。
[0159]有源層303和第一電容器電極313形成在緩沖層302上。有源層303和第一電容器電極313可以由相同的材料形成。
[0160]柵絕緣層304形成在緩沖層302上，從而覆蓋有源層303和第一電容器電極313。
[0161]柵電極307、第一電極308和第二電容器電極317形成在柵絕緣層304上。
[0162]第一電極308包括透射傳導(dǎo)材料并且可以由與形成第二電容器電極317所使用的材料相同的材料形成。傳導(dǎo)部308a布置在第一電極308的設(shè)定或預(yù)定的上部區(qū)域中。傳導(dǎo)部308a由與形成柵電極307所使用的材料相同的材料形成。
[0163]第一層間絕緣層309形成在第一電極308、柵電極307和第二電容器電極317上。第一層間絕緣層309可以包括各種絕緣材料，例如無機(jī)材料。
[0164]第一層間絕緣層309包括第一接觸孔309c。
[0165]另外，第一層間絕緣層309形成為覆蓋第二電容器電極317。
[0166]另外，第一層間絕緣層309形成為不覆蓋第一電極308的上表面的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域。
[0167]源電極311的第一源電極層31 Ia和漏電極312的第一漏電極層312a形成為與第一層間絕緣層309的第一接觸孔309c對應(yīng)。
[0168]第一源電極層311a和第一漏電極層312a形成為連接至有源層303。
[0169]另外，電力供應(yīng)配線380形成在第一層間絕緣層309上。電力供應(yīng)配線380是用于向有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300供電以在發(fā)射區(qū)PA中執(zhí)行發(fā)射操作的配線。特別地，電力供應(yīng)配線380可以是電源ELVDD配線。電力供應(yīng)配線380與存儲器區(qū)ST的電容器310至少部
分重疊。
[0170]換言之，由于不需要附加區(qū)來在其中形成電力供應(yīng)配線380，因此可以增大有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的開口率，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量。
[0171]第二層間絕緣層319形成在第一層間絕緣層309上。第二層間絕緣層319可以包括各種合適的絕緣材料，例如有機(jī)材料。
[0172]第二層間絕緣層319包括第二接觸孔319c。[0173]第二層間絕緣層319形成為覆蓋電力供應(yīng)配線380且不覆蓋第一電極308的上表面的設(shè)定或預(yù)定區(qū)域。
[0174]源電極311的第二源電極層31 Ib和漏電極312的第二漏電極層312b形成為與第二層間絕緣層319的第二接觸孔319c對應(yīng)。
[0175]第二源電極層311b連接至第一源電極層311a，并且第二漏電極層312b連接至第一漏電極層312a。
[0176]源電極311的第一源電極層31 Ia形成為比第二源電極層31 Ib小。更詳細(xì)地，第一層間絕緣層309的第一接觸孔309c形成為比第二層間絕緣層319的第二接觸孔319c小，并且第一源電極層311a形成為與第一接觸孔309c對應(yīng)，而第二源電極層311b形成為與第二接觸孔319c對應(yīng)。另外，如圖2先前所示，多個第一接觸孔309c形成為連接至一個第二接觸孔319c，使得多個第一源電極層311a形成為連接至第二源電極層311b。
[0177]漏電極312的第一漏電極層312a形成為比第二漏電極層312b小。更詳細(xì)地，第一層間絕緣層309的第一接觸孔309c形成為比第二層間絕緣層319的第二接觸孔319c小，并且第一漏電極層312a形成為與第一接觸孔309c對應(yīng)，而第二漏電極層312b形成為與第二接觸孔319c對應(yīng)。另外，如圖2先前所示，多個第一接觸孔309c形成為連接至一個第二接觸孔319c，使得多個第一漏電極層312a形成為連接至第二漏電極層312b。
[0178]另外，源電極311和漏電極312中之一電連接至第一電極308。圖5中，漏電極312的第二漏電極層312b電連接至第一電極308。更詳細(xì)地，漏電極312接觸傳導(dǎo)部308a，因此被電連接至第一電極308。
[0179]數(shù)據(jù)配線390形成在第二層間絕緣層319上。數(shù)據(jù)配線390將從數(shù)據(jù)驅(qū)動單元(未示出)輸出的數(shù)據(jù)信號傳送至發(fā)射區(qū)PA。數(shù)據(jù)配線390與存儲器區(qū)ST的電容器310至少部分重疊。另外，數(shù)據(jù)配線390與電力供應(yīng)配線380重疊。
[0180]在圖5中，數(shù)據(jù)配線390包括第一數(shù)據(jù)配線391、第二數(shù)據(jù)配線392和第三數(shù)據(jù)配線393。數(shù)據(jù)配線390對應(yīng)于一個像素。第一數(shù)據(jù)配線391、第二數(shù)據(jù)配線392和第三數(shù)據(jù)配線393對應(yīng)于一個像素中布置的多個子像素。
[0181]然而，本發(fā)明的方面不限于此，并且對應(yīng)于一個子像素的數(shù)據(jù)配線可以形成為對應(yīng)于電容器310和電力供應(yīng)配線380。
[0182]另外，在另一可選實施例中，數(shù)據(jù)配線390可以形成在第一層間絕緣層309上，并且電力供應(yīng)配線380可以形成在第二層間絕緣層319上。
[0183]H)L330形成在第二層間絕緣層319上，從而覆蓋源電極311的第二源電極層311b、漏電極312的第二漏電極層312b以及數(shù)據(jù)配線390。TOL330形成為不覆蓋第一電極308的上表面的至少一個區(qū)域。
[0184]中間層340形成在第一電極308上。更詳細(xì)地，中間層340形成為接觸第一電極308的未被TOL330覆蓋的上表面。
[0185]中間層340包括有機(jī)發(fā)射層以發(fā)射可見光。
[0186]第二電極350形成在中間層340上。
[0187]盡管未示出，但第二電極350上可以形成有封裝件(未示出)。封裝件可以使用有機(jī)或無機(jī)材料形成。
[0188]在圖5中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300中，在柵電極307、第二源電極層311b和第二漏電極層312b之間形成有兩個層間絕緣層309和319，從而可以有效地防止在柵電極307、第二源電極層311b和第二漏電極層312b之間發(fā)生短路。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量中的缺陷可以得到改善，從而可以改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量。
[0189]具體而言，第一層間絕緣層309的第一接觸孔309c形成為具有小的尺寸，從而最小化(或能夠減小)源電極311與漏電極312之間的距離以及其它配線之間的距離，以便易于實現(xiàn)具有高分辨率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300。另外，第二層間絕緣層319的第二接觸孔319c形成為比第一接觸孔309c大，從而可以改善薄膜晶體管TFT的電氣特性。
[0190]在此情形下，多個第一接觸孔309c形成為連接至一個第二接觸孔319c，從而可易于改善第一源電極層311a與有源層303之間的電氣接觸特性和第一漏電極層312a與有源層303之間的電氣接觸特性。
[0191]電力供應(yīng)配線380形成在第一層間絕緣層309上，以至少部分重疊電容器310，從而不需要形成附加的空間以在其中形成電力供應(yīng)配線380，因此可易于改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的開口，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量。
[0192]另外，數(shù)據(jù)配線390形成在第二層間絕緣層319上，以至少部分重疊電容器310，從而不需要附加的空間以在其中形成數(shù)據(jù)配線390，因此可以改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的開口率，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量。特別是，數(shù)據(jù)配線390與電容器310和電力供應(yīng)配線380重疊，從而可以顯著地改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的顯示質(zhì)量。
[0193]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中，可易于改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。
[0194]盡管已參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變，而不背離本發(fā)明的由所附權(quán)利要求及其等同物限定的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括: 基板； 位于所述基板上的有源層； 與所述有源層絕緣并與所述有源層重疊的柵電極； 源電極，包括連接至所述有源層的第一源電極層和連接至所述第一源電極層的第二源電極層，所述第二源電極層比所述第一源電極層大； 漏電極，包括連接至所述有源層的第一漏電極層和連接至所述第一漏電極層的第二漏電極層，所述第二漏電極層比所述第一漏電極層大； 電連接至所述源電極或所述漏電極的第一電極； 位于所述第一電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層；以及 位于所述中間層上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上并且包括第一接觸孔的第一層間絕緣層；以及 位于所述第一層間絕緣層上并且包括第二接觸孔的第二層間絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一源電極層和所述第一漏電極層中的每一個形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，并且 所述第二源電極層和所述第二漏電極層中的每一個形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一接觸孔具有比所述第二接觸孔的尺寸小的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中多個第一接觸孔形成為連接至同一第二接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一層間絕緣層包括無機(jī)材料，并且所述第二層間絕緣層包括有機(jī)材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二層間絕緣層的上表面被平坦化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于在所述基板上限定的存儲器區(qū)中并且包括第一電容器電極和第二電容器電極的電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上的第一層間絕緣層；以及 位于所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層， 其中，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層各自包括與所述電容器對應(yīng)的開□。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述電容器上方形成以與所述電容器至少部分重疊的電力供應(yīng)配線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中在所述電容器與所述電力供應(yīng)配線之間布置有至少一個絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上的第一層間絕緣層；以及位于所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層， 其中所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層布置在所述電容器與所述電力供應(yīng)配線之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述電容器上方形成以與所述電容器至少部分重疊的數(shù)據(jù)配線。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中在所述電容器與所述數(shù)據(jù)配線之間布置有至少一個絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上的第一層間絕緣層；以及 位于所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層， 其中，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層布置在所述電容器與所述數(shù)據(jù)配線之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 形成在所述電容器上方以與所述電容器至少部分重疊的電力供應(yīng)配線和數(shù)據(jù)配線， 其中所述電力供應(yīng)配線和所述數(shù)據(jù)配線形成為不同的層以彼此重疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上的第一層間絕緣層；以及、 位于所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層， 其中，所述電力供應(yīng)配線位于所述第一層間絕緣層上，并且所述數(shù)據(jù)配線位于所述第二層間絕緣層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 位于所述柵電極上的第一層間絕緣層；以及 位于所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層， 其中所述數(shù)據(jù)配線位于所述第一層間絕緣層上，并且所述電力供應(yīng)配線位于所述第二層間絕緣層上
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電容器電極與所述有源層位于同一層上，并且 所述第二電容器電極與所述柵電極位于同一層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括ITO、IZO,ZnO,In2O3、IGO 或 AZO。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極與所述柵電極位于同一層上。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述柵電極包括第一傳導(dǎo)層和位于所述第一傳導(dǎo)層上的第二傳導(dǎo)層，并且 所述第一電極通過使用與形成所述第一傳導(dǎo)層所使用的材料相同的材料與所述第一傳導(dǎo)層形成在同一層上。
23.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括: 在基板上形成有源層； 形成與所述有源層絕緣并且與所述有源層重疊的柵電極；形成源電極，所述源電極包括連接至所述有源層的第一源電極層和連接至所述第一源電極層的第二源電極層，所述第二源電極層比所述第一源電極層大； 形成漏電極，所述漏電極包括連接至所述有源層的第一漏電極層和連接至所述第一漏電極層的第二漏電極層，所述第二漏電極層比所述第一漏電極層大； 形成電連接至所述源電極或所述漏電極的第一電極； 在所述第一電極上形成中間層以包括有機(jī)發(fā)射層；以及 在所述中間層上形成第二電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，進(jìn)一步包括: 在所述柵電極上形成第一層間絕緣層，其中所述第一層間絕緣層包括第一接觸孔；以及 在所述第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層，其中所述第二層間絕緣層包括第二接觸孔。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中， 形成所述源電極包括:將所述第一源電極層形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，以及將所述第二源電極層形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)；以及 形成所述漏電極包括:將 所述所述第一漏電極層形成為與所述第一接觸孔對應(yīng)，以及將所述所述第二漏電極層形成為與所述第二接觸孔對應(yīng)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，在形成所述第一層間絕緣層和形成所述第二層間絕緣層之后，同時形成所述第一源電極層、所述第一漏電極層、所述第二源電極層和所述第二漏電極層。
【文檔編號】H01L21/336GK103579285SQ201310152369
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年4月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月30日
【發(fā)明者】柳春基, 崔埈厚 申請人:三星顯示有限公司