專(zhuān)利名稱(chēng)：一種led倒裝芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種LED倒裝芯片及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的正裝藍(lán)寶石襯底GaN基LED芯片的結(jié)構(gòu)如圖1所示，在襯底101上由下至上依次設(shè)有N型GaN層2，量子阱QW有源區(qū)3、P型GaN層4和電流擴(kuò)展層5，在電流擴(kuò)展層5及N型GaN層上分布設(shè)有P電極6、N電極7。在這種結(jié)構(gòu)中，P電極6剛好位于芯片的出光面；同時(shí)，小部分P型GaN層4和量子阱QW有源區(qū)3被蝕刻，以便N電極7與下面的N型GaN層2形成電接觸。光從上面的P型GaN層4取出，P型GaN層4有限的電導(dǎo)率要求在其表面再沉積一層電流擴(kuò)展層5。這個(gè)電流擴(kuò)展層5太厚會(huì)吸收部分光，從而降低出光效率，過(guò)薄會(huì)限制電流在P型GaN層4的表面均勻和擴(kuò)散電流的能力。這種結(jié)構(gòu)制約了 LED芯片的工作效率，其PN結(jié)的熱量通過(guò)藍(lán)寶石的襯底101導(dǎo)出去，導(dǎo)熱路徑長(zhǎng)，并且藍(lán)寶石的導(dǎo)熱系數(shù)較金屬材料低，同時(shí)LED芯片熱阻大，并且其P電極6和引線(xiàn)擋住部分光線(xiàn)。此種正裝LED芯片的器件功率，出光效率和熱性能均不是最優(yōu)的設(shè)計(jì)。為了解決上述傳統(tǒng)正裝LED芯片存在的問(wèn)題，業(yè)界推出了一種倒裝LED芯片，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，襯底71位于LED芯片的最上方，在襯底71的下方依次設(shè)有N型GaN層72，量子阱QW有源區(qū)73、P型GaN層74和電流擴(kuò)展層75和光反射層76 ;光反射層76、電流擴(kuò)展層75、P型GaN層74、量子阱QW有源區(qū)73及N型GaN層72的部分被蝕刻，形成N型GaN層72裸露的區(qū)域，在N型GaN層72裸露面設(shè)有N電極77 ;光反射層76的底面設(shè)有P電極80 ；N電極77和P電極80通過(guò)金屬凸點(diǎn)78、79及焊料層81與導(dǎo)熱襯底82焊接。

在此結(jié)構(gòu)中，光從襯底71取出，不必經(jīng)過(guò)電流擴(kuò)散層75出射，這樣電流擴(kuò)散層75可以加厚，增加LED芯片的電流密度。同時(shí)這種結(jié)構(gòu)還可以將PN結(jié)的熱量直接通過(guò)金屬凸點(diǎn)導(dǎo)給導(dǎo)熱系數(shù)高的導(dǎo)熱襯底82，散熱效果較正裝LED芯片有較大優(yōu)勢(shì)。但在此種結(jié)構(gòu)中，金屬凸點(diǎn)78、79處集中的熱量非常大，導(dǎo)致此位置的溫度極高。如果金屬凸點(diǎn)過(guò)大，芯片PN電極容易導(dǎo)致金屬凸點(diǎn)粘連而短路。當(dāng)LED芯片功率增加，產(chǎn)生的熱量無(wú)法及時(shí)有效散出，使發(fā)光效率下降，溫升導(dǎo)致芯片反射出的光譜紅移，色溫質(zhì)量下降，LED壽命減少。針對(duì)倒裝LED芯片功率增加，散熱難，而發(fā)光效率降低的問(wèn)題，業(yè)界也對(duì)倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)出了進(jìn)一步的改進(jìn)。例如，專(zhuān)利號(hào)為200510110474.2的中國(guó)專(zhuān)利，公開(kāi)了一種大功率LED倒裝芯片及其制作方法，其在傳統(tǒng)倒裝LED芯片的硅襯底上蒸鍍金屬反射鏡，以提高出光效率；但其還是采用傳統(tǒng)的金屬凸點(diǎn)導(dǎo)熱，LED芯片的導(dǎo)熱及穩(wěn)定性問(wèn)題仍然沒(méi)有得以解決。請(qǐng)參閱圖3，同時(shí)，倒裝LED芯片中，PN結(jié)產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)金屬凸點(diǎn)78、79傳遞至導(dǎo)熱襯底82或外界，由于倒裝芯片的外延結(jié)構(gòu)的厚度只有幾微米并且與焊接所用的焊料層81緊貼，在將倒裝LED芯片與導(dǎo)熱基板82固定的過(guò)程中以及LED器件在較大的電流下工作時(shí)，焊接的熱量或LED芯片工作產(chǎn)生的熱量會(huì)使焊料層81熔化，焊料層81熔化后從半導(dǎo)體的金屬凸點(diǎn)爬升至外延結(jié)構(gòu)中，從而造成LED芯片短路，致使LED芯片失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其中一目的在于提供一種LED倒裝芯片。本發(fā)明的另一目的在于提供上述LED倒裝芯片的制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:一種LED倒裝芯片，包括藍(lán)寶石襯底、該藍(lán)寶石襯底上自下而上依次設(shè)有N型層、發(fā)光層、P型層、反射層、第一絕緣層；該第一絕緣層上設(shè)有N引線(xiàn)電極與P引線(xiàn)電極，該N引線(xiàn)電極沿深度自該P(yáng)型層延伸至N型層的孔與該N型層導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極與該反射層導(dǎo)電連接；以及，與該N引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的N焊盤(pán)層，與該P(yáng)引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的P焊盤(pán)層，所述N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極上設(shè)有第二絕緣層，該第二絕緣層上設(shè)有通孔，所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層透過(guò)該通孔分別與該N引線(xiàn)電極、該P(yáng)引線(xiàn)電極相接觸。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；或者，所述第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合?；蛘撸鑫挥贜引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合，位于P引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述第二絕緣層上的通孔沿該第二絕緣層的四周均勻分布。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層之間設(shè)有具備反射性能的絕緣塊。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述N焊盤(pán)層與P焊盤(pán)層間的距離大于250um。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述LED倒裝芯片的長(zhǎng)、寬之比大于2.5:1。一種LED倒裝芯片的制造方法，包括以下步驟:首先，通過(guò)MOCVD在藍(lán)寶石襯底上自下而上依次生成N型層、發(fā)光層、P型層；接著，通過(guò)氣相沉積在該P(yáng)型層的表面覆蓋一反射層，接著對(duì)該P(yáng)型層進(jìn)行光刻和干蝕刻，形成深度從該P(yáng)型層延伸至該N型層的孔；然后，通過(guò)CVD在反射層上沉積第一絕緣層；接下來(lái)，對(duì)該第一絕緣層進(jìn)行干蝕刻，使該N型層與該反射層形成裸露的區(qū)域；之后，通過(guò)氣相沉積與剝離工藝在第一絕緣層上形成具有布線(xiàn)圖案的N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極，該N引線(xiàn)電極與該N型層導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極與該反射層導(dǎo)電連接；此后，設(shè)置與該N引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的N焊盤(pán)層及與該P(yáng)引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的P焊盤(pán)層。還包括以下步驟:在該第一絕緣層上形成具有布線(xiàn)圖案的N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極后，通過(guò)CVD在該N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極上沉積第二絕緣層，并通過(guò)干蝕刻在該第二絕緣層上形成通孔；所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層設(shè)置在該第二絕緣層上，并透過(guò)該通孔分別與該N引線(xiàn)電極、該P(yáng)引線(xiàn)電極相接觸。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；或者，所述第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合。或者，所述位于N引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合；位于P引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述第二絕緣層上的通孔沿該第二絕緣層的四周均勻分布。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層之間設(shè)有具備反射性能的絕緣塊。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)二層絕緣層的設(shè)計(jì)，使得多個(gè)N引線(xiàn)電極和多個(gè)P引線(xiàn)電極連接到整塊的N焊盤(pán)層和P焊盤(pán)層，有效增大N焊盤(pán)層和P焊盤(pán)層的焊接面積，降低了大功率倒裝芯片的焊接工藝及設(shè)備的精度要求；同時(shí)，焊接面的增大有利于LED倒裝芯片的散熱。而且，第一絕緣層及第二絕緣層將LED倒裝芯片外露的側(cè)面全部包覆，使LED芯片具有了良好的絕緣效果。即使在焊接過(guò)程中的熱量或LED芯片工作產(chǎn)生的熱量使焊料層發(fā)生熔化，焊料層熔化后爬 升至LED芯片的外延結(jié)構(gòu)，也不會(huì)造成LED芯片短路，大大提高了LED芯片的穩(wěn)定性。


圖1為已知技術(shù)中普通正裝LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為已知技術(shù)中普通倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2所示的倒裝LED芯片的焊料層熔化后的示意圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例LED倒裝芯片的平面示意圖。圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例LED倒裝芯片的剖面圖。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例LED倒裝芯片的剖面圖。圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例LED倒裝芯片的剖面圖。圖8為本發(fā)明第四實(shí)施例LED倒裝芯片的剖面圖。圖9為本發(fā)明LED倒裝芯片的制造方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖4與圖5，LED倒裝芯片，包括藍(lán)寶石襯底1、自下而上依次設(shè)置在該藍(lán)寶石襯底I上自下而上依次設(shè)有N型層11、發(fā)光層12、P型層13、反射層15、第一絕緣層16。該第一絕緣層16上設(shè)有N引線(xiàn)電極17與P引線(xiàn)電極18，該N引線(xiàn)電極17沿深度自該P(yáng)型層13延伸至N型層11的孔14 (請(qǐng)參閱圖9)與該N型層11導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極18與該反射層15導(dǎo)電連接。所述N引線(xiàn)電極17與該P(yáng)引線(xiàn)電極18上設(shè)有第二絕緣層22，該第二絕緣層22上設(shè)有通孔28。N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27分別設(shè)置在該第二絕緣層22上，并透過(guò)通孔28分別與N引線(xiàn)電極17、P引線(xiàn)電極18相接觸形成導(dǎo)電連接。其中，藍(lán)寶石襯底I在倒裝芯片中是可以剝離的，例如，采用激光剝離工藝制作的薄膜倒裝芯片(TFFC)。N型層11、發(fā)光層12和P型層13中的每一個(gè)均可以具有任意的常規(guī)已知結(jié)構(gòu)。N型層11可以具有例如，N型接觸層、ESD層和N覆層依次沉積的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層12可以具有例如，INGaN阱層和GaN勢(shì)壘層交替沉積的MQW’結(jié)構(gòu)。P型層13可以具有例如，P覆層和P接觸層依次沉積的結(jié)構(gòu)。反射層15是與P型層13接觸的P接觸電極，對(duì)于LED芯片的發(fā)射波長(zhǎng)是透明的。覆蓋在反射層15上的第一絕緣層16可以采用對(duì)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)射波長(zhǎng)表現(xiàn)出透明性的絕緣材料，例如Si02、Si3N4^Al2O3或Ti02。在第一絕緣層16上設(shè)有N引線(xiàn)電極17和P引線(xiàn)電極18，在平面上該N引線(xiàn)電極17和該P(yáng)引線(xiàn)電極18形成類(lèi)似于兩個(gè)梳子以一定間隔彼此配合的形狀；同時(shí)，第二絕緣層22上的通孔28沿該第二絕緣層28的四周均勻分布，以提高倒裝芯片的電流密度的均勻度。其中，通孔28可以是圓形孔、方孔或呈其它形狀。設(shè)置在第二絕緣層22上的N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27可以采用T1、N1、Au、AuSn、Au形成。較優(yōu)的，為保證N焊盤(pán)層26和P焊盤(pán)層27之間不會(huì)形成短路，N焊盤(pán)層26和P焊盤(pán)層27之間距離A大于250um，N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27之間可以設(shè)有具備反射性能的絕緣塊29，以避免N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象，并提高芯片的出光效率。為了更好地滿(mǎn)足焊盤(pán)層之間不形成短路，LED倒裝芯片的長(zhǎng)、寬之比大于2.5:1。例如長(zhǎng)度為1500um的LED倒裝芯片，其寬度則要小于600um。同時(shí)，為提高N引線(xiàn)電極17、P引線(xiàn)電極18與N型層11、反射層15的連接的導(dǎo)電性能，在孔14內(nèi)及反射層15上分別設(shè)有N中間電極24、P中間電極25 ；N引線(xiàn)電極17與該N型層11之間通過(guò)N中間電極24連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極18與該反射層15間通過(guò)P中間電極25連接。通過(guò)二層絕緣層的設(shè)計(jì)，使得多個(gè)N引線(xiàn)電極17和多個(gè)P引線(xiàn)電極18連接到整塊的N焊盤(pán)層26和P焊盤(pán)層27，有效增大N焊盤(pán)層26和P焊盤(pán)層27的焊接面積，降低了大功率倒裝芯片的焊接工藝及設(shè)備的精度要求；同時(shí)，焊接面的增大有利于LED倒裝芯片的散熱。請(qǐng)參閱圖6、圖7、圖8，為進(jìn)一步提高LED倒裝芯片的絕緣性能，所述第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底1，與該藍(lán)寶石襯底I的表面貼合?；蛘撸龅谝唤^緣層16沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底I，與該藍(lán)寶石襯底I的表面貼合；該第二絕緣層22沿該N引線(xiàn)電極17與該P(yáng)引線(xiàn)電極18的側(cè)面延伸至該第一絕緣層16，與該第一絕緣層16的表面貼合。

或者，所述位于N引線(xiàn)電極17側(cè)的第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層11，與該N型層11的表面貼合，位于P引線(xiàn)電極18側(cè)的第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層13，與該P(yáng)型層13的表面貼合。采用此種結(jié)構(gòu)，第一絕緣層16及第二絕緣層22將LED倒裝芯片外露的側(cè)面全部包覆，使LED芯片具有了良好的絕緣效果。即使在焊接過(guò)程中的熱量或LED芯片工作產(chǎn)生的熱量使焊料層發(fā)生熔化，焊料層熔化后爬升至LED芯片的外延結(jié)構(gòu)，也不會(huì)造成LED芯片短路，大大提聞了 LED芯片的穩(wěn)定性。請(qǐng)參閱圖9，上述LED倒裝芯片的制造方法，包括以下步驟:首先，通過(guò)MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)在藍(lán)寶石襯底I上自下而上依次生成N型層11、發(fā)光層12、P型層13。MOCVD所用的原料氣體如下:做為Ga源的TMG(三甲基稼)、做為IN源的TMI (三甲基錮)、做為Al源的TMA (三甲基鋁)、做為氮源的氨、做為N型摻雜氣體的硅烷、做為P型摻雜氣體的環(huán)戊二烯基鎂以及做為載氣的氫或氮。接著，通過(guò)氣相沉積在該P(yáng)型層13的表面覆蓋一反射層15 (需打孔14暴露N型層11的區(qū)域預(yù)留，不需要沉積反射層15)，接著對(duì)P型層13進(jìn)行光刻和干蝕刻，形成深度從P型層13延伸至該N型層11的孔14。然后,通過(guò)CVD (Chemical Vapor Deposition、化學(xué)氣相沉積)在反射層15上沉積第一絕緣層16 ;接下來(lái)，對(duì)該第一絕緣層16進(jìn)行干蝕刻，分別使該孔14的底部與該反射層15形成裸露的區(qū)域。之后，通過(guò)氣相沉積與剝離工藝在第一絕緣層16上形成具有布線(xiàn)圖案的N引線(xiàn)電極17和P引線(xiàn)電極18。N引線(xiàn)電極17與該N型層11導(dǎo)電連接；該P(yáng)引線(xiàn)電極18與該反射層15、該P(yáng)型層13間形成導(dǎo)電連接。然后，通過(guò)CVD在該N引線(xiàn)電極17和P引線(xiàn)電極18上沉積第二絕緣層22，并通過(guò)干蝕刻在該第二絕緣層22 上形成通孔28。較優(yōu)的，通孔28沿第二絕緣層22的四周均勻分布。最后，將N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27設(shè)置在該第二絕緣層22上，N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27透過(guò)第二絕緣層22上的通孔28分別與N引線(xiàn)電極17、P引線(xiàn)電極18相接觸。較優(yōu)的，可以在N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27之間填充入具備反射性能的絕緣材料，以避免N焊盤(pán)層26與P焊盤(pán)層27之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象，并提高芯片的出光效率。同時(shí)，在上述LED倒裝芯片的制造方法中，所述孔14的底部及反射層15上可以分別設(shè)置N中間電極24 (請(qǐng)參閱圖5)與P中間電極25 (請(qǐng)參閱圖5)。N引線(xiàn)電極17與N型層11之間可以通過(guò)該N中間電極24連接，P引線(xiàn)電極18與該反射層15間可以通過(guò)P中間電極連接。此種方式，可以提高N引線(xiàn)電極17、P引線(xiàn)電極18與N型層11、反射層15的連接的導(dǎo)電性能。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；凡是依本發(fā)明所作的等效變化與修改，都被本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)的范圍所覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種LED倒裝芯片，包括藍(lán)寶石襯底、該藍(lán)寶石襯底上自下而上依次設(shè)有N型層、發(fā)光層、P型層、反射層、第一絕緣層；該第一絕緣層上設(shè)有N引線(xiàn)電極與P引線(xiàn)電極，該N引線(xiàn)電極沿深度自該P(yáng)型層延伸至N型層的孔與該N型層導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極與該反射層導(dǎo)電連接；以及，與該N引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的N焊盤(pán)層，與該P(yáng)引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的P焊盤(pán)層，其特征在于:所述N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極上設(shè)有第二絕緣層，該第二絕緣層上設(shè)有通孔，所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層透過(guò)該通孔分別與該N引線(xiàn)電極、該P(yáng)引線(xiàn)電極相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED倒裝芯片，其特征在于: 所述第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合； 或者，所述第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合。
或者，所述位于N引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合，位于P引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的一種LED倒裝芯片，其特征在于:所述第二絕緣層上的通孔沿該第二絕緣層的四周均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED倒裝芯片，其特征在于:所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層之間設(shè)有具備反射性能的絕緣塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種LED倒裝芯片，其特征在于:所述N焊盤(pán)層與P焊盤(pán)層間的距離大于250um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED倒裝芯片，其特征在于:所述LED倒裝芯片的長(zhǎng)、寬之比大于2.5:1。
7.一種LED倒裝芯片的制造方法，包括以下步驟: 首先，通過(guò)MOCVD在藍(lán)寶石襯底上自下而上依次生成N型層、發(fā)光層、P型層；接著，通過(guò)氣相沉積在該P(yáng)型層的表面覆蓋一反射層，此后對(duì)該P(yáng)型層進(jìn)行光刻和干蝕刻，形成深度從該P(yáng)型層延伸至該N型層的孔；然后，通過(guò)CVD在反射層上沉積第一絕緣層；接下來(lái)，對(duì)該第一絕緣層進(jìn)行干蝕刻，使該N型層與該反射層形成裸露的區(qū)域；之后，通過(guò)氣相沉積與剝離工藝在第一絕緣層上形成具有布線(xiàn)圖案的N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極，該N引線(xiàn)電極與該N型層導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極與該反射層導(dǎo)電連接；此后，設(shè)置與該N引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的N焊盤(pán)層及與該P(yáng)引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的P焊盤(pán)層； 其特征在于，還包括以下步驟:在該第一絕緣層上形成具有布線(xiàn)圖案的N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極后，通過(guò)CVD在該N引線(xiàn)電極和P引線(xiàn)電極上沉積第二絕緣層，并通過(guò)干蝕刻在該第二絕緣層上形成通孔； 所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層設(shè)置在該第二絕緣層上，并透過(guò)該通孔分別與該N引線(xiàn)電極、該P(yáng)引線(xiàn)電極相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED倒裝芯片的制造方法，其特征在于: 所述第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；或者，所述第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合。
或者，所述位于N引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合；位于P引線(xiàn)電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED倒裝芯片的制造方法，其特征在于:所述第二絕緣層上的通孔沿該第二絕緣層的四周均勻分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED倒裝芯片的制造方法，其特征在于:所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層之間設(shè)有具備 反射性能的絕緣塊。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LED倒裝芯片，包括藍(lán)寶石襯底、該藍(lán)寶石襯底上自下而上依次設(shè)有N型層、發(fā)光層、P型層、反射層、第一絕緣層；該第一絕緣層上設(shè)有N引線(xiàn)電極與P引線(xiàn)電極，該N引線(xiàn)電極與該N型層導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線(xiàn)電極與該反射層導(dǎo)電連接；以及，與該N引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的N焊盤(pán)層，與該P(yáng)引線(xiàn)電極導(dǎo)電連接的P焊盤(pán)層，所述N引線(xiàn)電極與該P(yáng)引線(xiàn)電極上設(shè)有第二絕緣層，該第二絕緣層上設(shè)有通孔，所述N焊盤(pán)層與該P(yáng)焊盤(pán)層透過(guò)該通孔分別與該N引線(xiàn)電極、該P(yáng)引線(xiàn)電極相接觸。本發(fā)明有利于LED倒裝芯片的散熱；使LED芯片具有了良好的絕緣效果；提高了LED芯片的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L33/62GK103247741SQ201310115299
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者王冬雷, 莫慶偉 申請(qǐng)人:大連德豪光電科技有限公司