專利名稱：Led倒裝芯片封裝器件、其制造方法及使用其的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種LED倒裝芯片封裝器件及制造方法及使用該LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)光源具有高效率、長壽命、不含Hg等有害物質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。隨著LED技術(shù)的迅猛發(fā)展，LED的亮度、壽命等性能都得到了極大的提升，使得LED的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，從路燈等室外照明到裝飾燈等室內(nèi)照明，均紛紛使用或更換成LED作為光源。LED表面貼裝型(SMD)的封裝結(jié)構(gòu)由于其應(yīng)用方便和體積小等優(yōu)勢已經(jīng)成為了主要的封裝形式。請參閱圖1，其是現(xiàn)有技術(shù)中常用的LED表面貼裝器件，包括一封裝支架101和一通過固晶工藝貼裝在封裝支架101內(nèi)的LED芯片2。封裝支架101表面設(shè)置有金屬引線5，在LED芯片2兩側(cè)的金屬引線5上設(shè)置有電極4，LED芯片2的正負(fù)電極通過金線3分別與封裝支架101上的電極4電連接。通過熒光粉涂敷和封膠工藝在LED芯片2的上方填充灌封膠體6，從而完成對(duì)LED芯片2的封裝。然而，目前這種LED表面貼裝結(jié)構(gòu)存在以下問題:由于封裝支架101是采用金屬支架為基板，再以射出塑膠凹槽或模鑄成型方式封膠后并切割而成，因此其耐溫性不佳、散熱性不夠理想，微型化不易制作。此外，由于采用了將LED芯片2上表面裝貼及采用金線3連接電極的結(jié)構(gòu)，而金線連接失效往往是LED生產(chǎn)和使用過程中出現(xiàn)最多的失效模式。另外，上表面裝貼的LED芯片2通過藍(lán)寶石散熱，其散熱效果不佳。為了解決上述封 裝支架結(jié)構(gòu)存在的問題，一個(gè)較好的方法是采用硅基板直接作為LED芯片的封裝基板。目前基于硅基板的SMD結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品還未能在實(shí)際中大量銷售和應(yīng)用，只是有相關(guān)的專利報(bào)道。他們大多采用的都是將硅片上表面挖一個(gè)深的凹槽，再在凹槽內(nèi)挖通孔，將上表面凹槽內(nèi)的電極連到下表面，形成SMD的封裝形式；LED芯片被埋入到硅凹槽中，封裝時(shí)在凹槽中填充熒光粉和封膠；而且普遍采用的是正裝芯片打金線連接。部分也采用了大功率倒裝芯片的結(jié)構(gòu)。請參閱圖2，該封裝器件包括一硅基板71、一 LED芯片72和封裝膠體73。其中，該硅基板，71的上表面具有一深凹槽，LED芯片72倒裝在該硅基板10的深凹槽內(nèi)。LED芯片72的正負(fù)電極對(duì)應(yīng)的硅基板71的凹槽內(nèi)設(shè)有通孔75，通孔75對(duì)應(yīng)的硅基板71的下表面具有導(dǎo)電焊盤76，LED芯片72通過通孔75內(nèi)設(shè)的引線與導(dǎo)電焊盤76電連接。該封裝膠體73是通過在深凹槽內(nèi)填充熒光粉和封膠而形成。這種結(jié)構(gòu)由于需要在硅片的上表面挖大的深凹槽，需要對(duì)硅片進(jìn)行長時(shí)間腐蝕，工藝復(fù)雜且成本較高；同時(shí)由于凹槽很深，從而在其內(nèi)部布線難度增加，特別是如果采用大功率倒裝芯片，需要在凹槽內(nèi)的電極上制作金屬凸點(diǎn)，其工藝難度較大；再者由于硅基板上表面有深的凹槽，不容易在娃基板上集成LED的外圍電路(如靜電保護(hù)電路、驅(qū)動(dòng)電路等)，其應(yīng)用前景上也受到限制；此外，受凹槽大小限制，凹槽內(nèi)放置的芯片數(shù)目受限，不易實(shí)現(xiàn)多芯片模組。另外，上述兩種芯片封裝方案，無論是采用大功率倒裝芯片或正裝芯片，均需要使用封裝支架，使得芯片延長散熱路徑導(dǎo)致封裝熱阻增大，不利于芯片本身散熱，同時(shí)加重封裝成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其中一目的在于提供一種LED倒裝芯片封裝器件。本發(fā)明的另一目的在于提供上述LED倒裝芯片封裝器件的制造方法。本發(fā)明的再一目的在于提供一種使用上述LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:一種LED倒裝芯片封裝器件，包括LED倒裝芯片、封裝本體，所述封裝本體將該LED倒裝芯片包覆，該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層外露于該封裝本體。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述LED倒裝芯片內(nèi)設(shè)置的絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層；該第一絕緣層覆蓋在LED倒裝芯片的反射層上，該第二絕緣層設(shè)置在LED倒裝芯片的N引線電極與該P(yáng)引線電極上，該第二絕緣層上設(shè)有通孔，所述N焊盤層與該P(yáng)焊盤層透過該通孔分別與該N引線電極、該P(yáng)引線電極相接觸。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述LED倒裝芯片的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該LED倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合?；蛘撸鯨ED 倒裝芯片的第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該LED倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線電極與該P(yáng)弓丨線電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合?；蛘?，所述LED倒裝芯片的位于N引線電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合，位于P引線電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，于該N焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有N金錫焊盤、N固定塊；于該P(yáng)焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有P金錫焊盤、P固定塊；該N固定塊和P固定塊的表面鍍有反射材料層。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述封裝本體的底面與N焊盤層與P焊盤層的底面平齊，該N固定塊與該P(yáng)固定塊頂面的面積小于或等于該N焊盤層與該P(yáng)焊盤層底面的面積?；蛘撸龇庋b本體的底面與N金錫焊盤及P金錫焊盤的底面平齊，該N固定塊與該P(yáng)固定塊頂面的面積大于或等于該N焊盤層與該P(yáng)焊盤層底面的面積。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述封裝本體的底面設(shè)有用于反射光線的金屬箔。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述封裝本體為玻璃封裝本體、硅膠封裝本體或樹脂封裝本體。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述硅膠封裝本體或樹脂封裝本體內(nèi)分布有熒光粉。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述N焊盤層與P焊盤層間設(shè)有絕緣塊。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述N焊盤層與P焊盤層間的距離大于250um。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述LED芯片的長、寬之比大于2.5:1。一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:
al、制備固定LED倒裝芯片的封裝支架:提供一金屬帶材，對(duì)該金屬帶材進(jìn)行沖壓，在該金屬帶材上形成至少一支架單元，該支架單元設(shè)有N固定塊、N預(yù)切割帶、P固定塊與P預(yù)切割帶；然后，對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電鍍，在N固定塊與P固定塊的表面形成一反射材料層；bl、將LED倒裝芯片固定在封裝支架上:該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層分別通過N金錫焊盤、P金錫焊盤與N固定塊、P固定塊鍍有反射材料層的一面固定； Cl、提供一注膠模具:該注膠模具包括相配合的上模與下模，該上模設(shè)有至少一成型腔體，該下模對(duì)應(yīng)該成型腔體設(shè)有注膠口 ；dl、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與封裝支架放置于注膠模具，該LED倒裝芯片位于成型腔體內(nèi)，該封裝支架位于上模與下模之間；閉合上模與下模，從下模的注膠口注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片，并固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與封裝支架；el、切斷封裝支架上的N預(yù)切斷帶和P預(yù)切斷帶，使N固定塊、P固定塊與封裝支架斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，el步驟后，還包括一步驟:采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤、N固定塊、P金錫焊盤及P固定塊，使LED倒裝芯片的N焊盤層和P焊盤層外露于該封裝本體。一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:a2、制備固定LED倒裝芯片的載板:提供一金屬箔，對(duì)該金屬箔進(jìn)行沖壓，在該金屬箔上形成至少一通孔；然后，在該金屬箔下方設(shè)置一藍(lán)膜與該金屬箔貼合；b2、將LED倒裝芯片與載板固定:將LED倒裝芯片設(shè)置在金屬箔的通孔內(nèi)，并使LED倒裝芯片的N焊盤層、P焊盤層與藍(lán)膜表面固定；c2、提供一注膠模具:該注膠模具包括相配合的上模與下模，該上模設(shè)有至少一成型腔體，該下模對(duì)應(yīng)該成型腔體設(shè)有注膠口 ；d2、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與載板放置于注膠模具，該LED倒裝芯片位于成型腔體內(nèi)，該載板位于上模與下模之間；閉合上模與下模，從下模的注膠口注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片，并固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板；e2、剝離藍(lán)膜。一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:a3、制備固定LED倒裝芯片的封裝支架:提供一金屬帶材，對(duì)該金屬帶材進(jìn)行沖壓，在該金屬帶材上形成至少一支架單元，該支架單元設(shè)有N固定塊、N預(yù)切割帶、P固定塊與P預(yù)切割帶；然后，對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電鍍，在N固定塊與P固定塊的表面形成一反射材料層；b3、將LED倒裝芯片固定在封裝支架上:該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層分別通過N金錫焊盤、P金錫焊盤與N固定塊、P固定塊鍍有反射材料層的一面固定；c3、提供一沖壓模具:該沖壓模具包括上模與下模，該上模設(shè)有至少一凹槽，該凹槽大于該LED倒裝芯片的外形尺寸；d3、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與封裝支架放置于上模與下模之間，封裝支架放置在下模上方，LED倒裝芯片與上模上的凹槽相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片放置于LED倒裝芯片上加熱，使固態(tài)玻璃片在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片包覆；此時(shí)下壓上模，凹槽的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片的封裝本體，待冷卻固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與封裝支架；e3、切斷封裝支架上的N預(yù)切斷帶和P預(yù)切斷帶，使N固定塊、P固定塊與封裝支架斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，e3步驟后，還包括一步驟:采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤、N固定塊、P金錫焊盤及P固定塊，使LED倒裝芯片的N焊盤層和P焊盤層外露于該封裝本體。一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:a4、制備固定LED倒裝芯片的載板:提供一金屬箔，對(duì)該金屬箔進(jìn)行沖壓，在該金屬箔上形成至少一通孔；然后，在該金屬箔下方設(shè)置一藍(lán)膜與該金屬箔貼合；b4、將LED倒裝芯片與載板固定:將LED倒裝芯片設(shè)置在金屬箔的通孔內(nèi)，并使LED倒裝芯片的N焊盤層、P焊盤層與藍(lán)膜表面固定；c4、提供一沖壓模具:該沖壓模具包括上模與下模,該上模設(shè)有至少一凹槽,該凹槽大于該LED倒裝芯片的外形尺寸；d4、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與載板放置于上模與下模之間，載板放置在下模上方，LED倒裝芯片與上模上的凹槽相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片放置于LED倒裝芯片上加熱，使固態(tài)玻璃片在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片包覆；此時(shí)下壓上模，凹槽的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片的封裝本體，待冷卻固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板；
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e4、剝離藍(lán)膜。一種使用上述LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:LED倒裝芯片、封裝本體與基板，所述封裝本體將該LED倒裝芯片包覆，該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層外露于該封裝本體；所述基板上設(shè)有N粘結(jié)金屬層與P粘結(jié)金屬層；該N焊盤層、P焊盤層分別與N粘結(jié)金屬層、P粘結(jié)金屬層對(duì)應(yīng)連接；或者，該N焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有N金錫焊盤、N固定塊；該P(yáng)焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有P金錫焊盤、P固定塊，該N固定塊、P固定塊分別與N粘結(jié)金屬層、P粘結(jié)金屬層對(duì)應(yīng)連接。作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述基板與封裝本體及LED倒裝芯片的間隙內(nèi)充填
有反射層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的LED倒裝芯片封裝器件中的LED倒裝芯片散熱、絕緣性能好，穩(wěn)定性高；同時(shí)，封裝工藝簡單，大大提高了 LED倒裝芯片的封裝效率及產(chǎn)品良率。


圖1為傳統(tǒng)LED表面貼裝型的封裝器件示意圖。圖2為傳統(tǒng)LED基于硅基板表面貼裝型的封裝器件示意圖。圖3為本發(fā)明LED倒裝芯片封裝器件示意圖一。
圖4為本發(fā)明LED倒裝芯片封裝器件示意圖二。圖5為本發(fā)明LED倒裝芯片封裝器件示意圖三。圖6為本發(fā)明中LED倒裝芯片的平面示意圖。圖7為本發(fā)明中LED倒裝芯片第一種結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖8為本發(fā)明中LED倒裝芯片第二種結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9為本發(fā)明中LED倒裝芯片第三種結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖10為本發(fā)明中LED倒裝芯片第四種結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖11為本發(fā)明中LED倒裝芯片的制造流程示意圖。圖12為本發(fā)明中封裝支架的平面示意圖。圖13為本發(fā)明中LED倒裝芯片與封裝支架配合的示意圖。圖14為本發(fā)明中注膠模具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為本發(fā)明中LED倒裝芯片、封裝支架與注膠模具配合的示意圖。

圖16為本發(fā)明中金屬箔的結(jié)構(gòu)示意圖。圖17為本發(fā)明中金屬箔與藍(lán)膜貼合的示意圖。圖18為本發(fā)明中LED倒裝芯片與金屬箔及藍(lán)膜配合的示意圖。圖19為成型封裝本體后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖20為本發(fā)明中沖壓模具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖21為成型玻璃封裝本體的步驟示意圖。圖22為LED倒裝芯片封裝器件與基板封裝的結(jié)構(gòu)示意圖一。圖23為LED倒裝芯片封裝器件與基板封裝的結(jié)構(gòu)示意圖二。
具體實(shí)施例方式請參閱圖3，圖中所示的LED倒裝芯片封裝器件，包括LED倒裝芯片601、封裝本體201。該封裝本體201將該LED倒裝芯片601包覆，該LED倒裝芯片601的N焊盤層26與P焊盤層27外露于該封裝本體201。其中，所述封裝本體201可以采用玻璃、硅膠或樹脂材料的封裝本體。為進(jìn)一步提高封裝器件的光取出效率，采用硅膠或樹脂材料的封裝本體時(shí)，可以在娃膠或樹脂材料內(nèi)摻入熒光粉,使封裝本體內(nèi)分布有熒光粉。而且，該封裝本體201也可以根據(jù)設(shè)計(jì)需求，設(shè)計(jì)為任意形狀，如半球形、子彈頭形、方形體或其它形狀。較優(yōu)的，在封裝本體201的底面設(shè)有用于反射光線的金屬箔90。LED倒裝芯片封裝器件工作時(shí)，會(huì)有部分光線朝封裝本體201的下方射出，金屬箔90可以將此部分光線反射回去，以提高LED倒裝芯片封裝器件的取光效率。 較優(yōu)的，為便于LED倒裝芯片封裝器件與基板焊接，請參閱圖4，于該LED倒裝芯片601的N焊盤層26外露的面依次設(shè)有N金錫焊盤501、N固定塊301 ;于該P(yáng)焊盤層27外露的面依次設(shè)有P金錫焊盤502、P固定塊302。其中，N固定塊301和P固定塊302的表面鍍有反射材料層(圖未示)，例如，銀材料。在本實(shí)施方案中，較優(yōu)的，封裝本體201的底面與N焊盤層26與P焊盤層27的底面平齊，使N焊盤層26與P焊盤層27的底面外露于該封裝本體201 ;該N固定塊301與該P(yáng)固定塊302頂面的面積小于或等于該N焊盤層26與該P(yáng)焊盤層27底面的面積，由于N固定塊301和P固定塊302表面的反射材料層，這樣就可以將LED芯片朝下方射出的光線部分反射回去，使得LED器件的出光效率得到提升；同時(shí)，LED芯片通過N固定塊301、P固定塊302與基板焊接，使得此種倒裝芯片封裝過程中不需要高精度定位工藝及設(shè)備，更易于倒裝芯片焊接固定于普通鋁基板或玻纖板上?；蛘撸垍㈤唸D5，所述封裝本體201的底面也可以與N金錫焊盤501及P金錫焊盤502的底面平齊，在此種結(jié)構(gòu)中，該N固定塊301與該P(yáng)固定塊302頂面的面積大于或等于該N焊盤層26與該P(yáng)焊盤層27底面的面積。上述的具體實(shí)施方式
中，LED倒裝芯片601可以使用傳統(tǒng)的LED倒裝芯片，也可以使用本發(fā)明所述的改進(jìn)型LED倒裝芯片，以下具體實(shí)施方式
將采用本發(fā)明所述的改進(jìn)型LED倒裝芯片為較佳實(shí)施例予以說明，但并不局限于此。請參閱圖6與圖7，該LED倒裝芯片601包括藍(lán)寶石襯底1、自下而上依次設(shè)置在該藍(lán)寶石襯底I上自下而上依次設(shè)有N型層11、發(fā)光層12、P型層13、反射層15、第一絕緣層16。該第一絕緣層16上設(shè)有N引線電極17與P引線電極18，該N引線電極17沿深度自該P(yáng)型層13延伸至N型層11的孔14 (請參閱圖9)與該N型層11導(dǎo)電連接，該P(yáng)引線電極18與該反射層15導(dǎo)電連接。所述N引線電極17與該P(yáng)引線電極18上設(shè)有第二絕緣層22，該第二絕緣層22上設(shè)有通孔28。N焊盤層26與P焊盤層27分別設(shè)置在該第二絕緣層22上，并透過通孔28分別與N引線電極17、P引線電極18相接觸形成導(dǎo)電連接。其中，藍(lán)寶石襯底I在倒裝芯片中是可以剝離的，例如，采用激光剝離工藝制作的薄膜倒裝芯片(TFFC)。N型層11、發(fā)光層12和P型層13中的每一個(gè)均可以具有任意的常規(guī)已知結(jié)構(gòu)。N型層11可以具有例如，N型接觸層、ESD層和N覆層依次沉積的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層12可以具有例如，INGaN阱層和GaN勢壘層交替沉積的MQW’結(jié)構(gòu)。P型層13可以具有例如，P覆層和P接觸層依次沉積的結(jié)構(gòu)。反射層15是 與P型層13接觸的P接觸電極，對(duì)于LED芯片的發(fā)射波長是透明的。覆蓋在反射層15上的第一絕緣層16可以采用對(duì)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)射波長表現(xiàn)出透明性的絕緣材料，例如Si02、Si3N4^Al2O3或Ti02。在第一絕緣層16上設(shè)有N引線電極17和P引線電極18，在平面上該N引線電極17和該P(yáng)引線電極18形成類似于兩個(gè)梳子以一定間隔彼此配合的形狀；同時(shí)，第二絕緣層22上的通孔28沿該第二絕緣層28的四周均勻分布，以提高倒裝芯片的電流密度的均勻度。其中，通孔28可以是圓形孔、方孔或呈其它形狀。設(shè)置在第二絕緣層22上的N焊盤層26與P焊盤層27可以采用T1、N1、Au、AuSn、Au形成。較優(yōu)的，為保證N焊盤層26和P焊盤層27之間不會(huì)形成短路，N焊盤層26和P焊盤層27之間距離A大于250um，為了更好地滿足焊盤層之間不形成短路，LED倒裝芯片601的長、寬之比大于2.5:1。例如長度為1500um的LED倒裝芯片，其寬度則要小于600um。較優(yōu)的，N焊盤層26和P焊盤層27之間還設(shè)有絕緣塊29，絕緣塊29可以使二氧化硅、氮化硅、氧化鋁或二氧化硅層與氮化硅層相組合的材料；絕緣塊29具備不易與錫及金錫合金相粘結(jié)的特性，這樣可以進(jìn)一步提高N焊盤層26和P焊盤層27之間的絕緣性能。絕緣塊29可以采用PECVD工藝沉積，然后光刻處理形成。同時(shí)，為提高N引線電極17、P引線電極18與N型層11、反射層15的連接的導(dǎo)電性能，在孔14內(nèi)及反射層15上分別設(shè)有N中間電極24、P中間電極25 ；N引線電極17與該N型層11之間通過N中間電極24連接，該P(yáng)引線電極18與該反射層15間通過P中間電極25連接。通過二層絕緣層的設(shè)計(jì)，使得多個(gè)N引線電極17和多個(gè)P引線電極18連接到整塊的N焊盤層26和P焊盤層27，有效增大N焊盤層26和P焊盤層27的焊接面積，降低了大功率倒裝芯片的焊接工藝及設(shè)備的精度要求；同時(shí)，焊接面的增大有利于LED倒裝芯片的散熱。請參閱圖8、圖9、圖10，為進(jìn)一步提高LED倒裝芯片的絕緣性能，所述第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底1，與該藍(lán)寶石襯底I的表面貼合。或者，所述第一絕緣層16沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該藍(lán)寶石襯底I，與該藍(lán)寶石襯底I的表面貼合；該第二絕緣層22沿該N引線電極17與該P(yáng)引線電極18的側(cè)面延伸至該第一絕緣層16，與該第一絕緣層16的表面貼合?；蛘撸鑫挥贜引線電極17側(cè)的第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層11，與該N型層11的表面貼合，位于P引線電極18側(cè)的第二絕緣層22沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層13，與該P(yáng)型層13的表面貼合。采用此種結(jié)構(gòu)，第一絕緣層16及第二絕緣層22將LED倒裝芯片外露的側(cè)面全部包覆，使LED芯片具有了良好的絕緣效果。即使在焊接過程中的熱量或LED芯片工作產(chǎn)生的熱量使焊料層發(fā)生熔化，焊料層熔化后爬升至LED芯片的外延結(jié)構(gòu)，也不會(huì)造成LED芯片短路，大大提聞了 LED芯片的穩(wěn)定性。請參閱圖 11，上述LED倒裝芯片的制造方法，包括以下步驟:首先，通過MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)在藍(lán)寶石襯底I上自下而上依次生成N型層11、發(fā)光層12、P型層13。MOCVD所用的原料氣體如下:做為Ga源的TMG (三甲基稼)、做為IN源的TMI (三甲基錮)、做為Al源的TMA (三甲基鋁)、做為氮源的氨、做為N型摻雜氣體的硅烷、做為P型摻雜氣體的環(huán)戊二烯基鎂以及做為載氣的氫或氮。接著，通過氣相沉積在該P(yáng)型層13的表面覆蓋一反射層15 (需打孔14暴露N型層11的區(qū)域預(yù)留，不需要沉積反射層15)，接著對(duì)P型層13進(jìn)行光刻和干蝕刻，形成深度從P型層13延伸至該N型層11的孔14。然后，采用氣相沉積和剝離工藝在該孔14的底部及反射層15上分別生成N中間電極24與P中間電極25，并進(jìn)行熱處理。然后,通過CVD (Chemical Vapor Deposition、化學(xué)氣相沉積)在反射層15上沉積第一絕緣層25 ;接下來，對(duì)該第一絕緣層16進(jìn)行干蝕刻，分別使該N中間電極24與該P(yáng)中間電極25裸露。之后，通過氣相沉積與剝離工藝在第一絕緣層16上形成具有布線圖案的N引線電極17和P引線電極18。N引線電極17與該N型層11之間通過N中間電極24連接，該P(yáng)引線電極18與該反射層15間通過P中間電極25連接，以形成與P型層13的導(dǎo)電連接。然后，通過CVD在該N引線電極17和P引線電極18上沉積第二絕緣層22，并通過干蝕刻在該第二絕緣層22上形成通孔28。較優(yōu)的，通孔28沿第二絕緣層22的四周均勻分布。最后，將N焊盤層26與P焊盤層27設(shè)置在該第二絕緣層22上，N焊盤層26與P焊盤層27透過第二絕緣層22上的通孔28分別與N引線電極17、P引線電極18相接觸。第一實(shí)施方法當(dāng)封裝本體采用硅膠或樹脂材料時(shí)，上述LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:請參閱圖12，首先，制備固定LED倒裝芯片的封裝支架300:提供一金屬帶材，對(duì)該金屬帶材進(jìn)行沖壓，在該金屬帶材上形成至少一支架單元305，該支架單元305設(shè)有N固定塊301、N預(yù)切割帶303、P固定塊302與P預(yù)切割帶304 ;然后，對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電鍍，在N固定塊301與P固定塊302的表面形成一反射材料層(圖未示)。請參閱圖13，然后，將LED倒裝芯601固定在封裝支架300上:該LED倒裝芯片601的N焊盤層26與P焊盤層27分別通過N金錫焊盤501、P金錫焊盤502與N固定塊301、P固定塊302鍍有反射材料層的一面固定。請參閱圖14，接著，提供一注膠模具:該注膠模具包括相配合的上模801與下模802，該上模801設(shè)有至少一成型腔體804，該下模802對(duì)應(yīng)該成型腔體804設(shè)有注膠口 803。請參閱圖15，接著，成型封裝本體:將LED倒裝芯片601與封裝支架300放置于注膠模具，該LED倒裝芯片601位于成型腔體804內(nèi)，該封裝支架300位于上模801與下模802之間；閉合上模801與下模802，從下模802的注膠口 803注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片601，并固化后，打開上模801與下模802，取出封裝有封裝本體201的LED倒裝芯片601與封裝支架300。請?jiān)俅螀㈤唸D12，切斷封裝支架300上的N預(yù)切斷帶303和P預(yù)切斷帶304，使N固定塊301、P固定塊302與封裝支架300斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。請參閱圖4，按·此步驟制造的LED倒裝芯片封裝器件，LED倒裝芯片的N焊盤層26外露于該封裝本體201的面設(shè)有N金錫焊盤501、N固定塊301 ；P焊盤層27外露于該封裝本體201的面設(shè)有P金錫焊盤502、P固定塊302。此種結(jié)構(gòu)便于LED倒裝芯片封裝器件與基板焊接，但LED倒裝芯片封裝器件厚度的增加也會(huì)增大芯片的熱阻，造成散熱性能降低，在要求散熱性能較高的情況下，較優(yōu)的，切斷封裝支架300上的N預(yù)切斷帶303和P預(yù)切斷帶304，使N固定塊301、P固定塊302與封裝支架300斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件后，還包括一步驟:采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤501、N固定塊301、P金錫焊盤502及P固定塊302，使LED倒裝芯片601的N焊盤層26和P焊盤層27的一面外露于該封裝本體201 ;單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件與基板固定時(shí)，N焊盤層26和P焊盤層27可以直接與基板固定。第二實(shí)施方法當(dāng)封裝本體采用硅膠或樹脂材料時(shí)，上述LED倒裝芯片封裝器件還可以采用以下制造方法，包括以下步驟:請參閱圖16，首先，制備固定LED倒裝芯片的載板:提供一金屬箔902，對(duì)該金屬箔902進(jìn)行沖壓，在該金屬箔902上形成至少一通孔901。請參閱圖17，然后，在該金屬箔902下方設(shè)置一藍(lán)膜903與該金屬箔902貼合。請參閱圖18，接著，將LED倒裝芯片601與載板固定:將LED倒裝芯片601設(shè)置在金屬箔902的通孔901內(nèi)，并使LED倒裝芯片601的N焊盤層26、P焊盤層27與藍(lán)膜903
表面固定。
請參閱圖14，此后，提供一注膠模具，該注膠模具與上述實(shí)施方式中所述一致，在此不再進(jìn)行贅述。請參閱圖19，成型封裝本體:將LED倒裝芯片601與載板(金屬箔902與藍(lán)膜903)放置于注膠模具，該LED倒裝芯片位于成型腔體內(nèi)，該載板位于上模與下模之間；閉合上模與下模，從下模的注膠口注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片601，并固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板。最后，剝離掉藍(lán)膜903。第三實(shí)施方法當(dāng)封裝本體采用玻璃材料時(shí)，上述LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，包括以下步驟:請參閱圖12，首先，制備上述方法所使用的封裝支架300。請參閱圖13，接著，將LED倒裝芯片固定在封裝支架上。該兩步驟·與上述第一實(shí)施方法一致，在此不再詳述。請參閱圖20，提供一沖壓模具:該沖壓模具包括上模904與下模906，該上模904設(shè)有至少一凹槽905，該凹槽905大于該LED倒裝芯片601的外形尺寸(長度、寬度、厚度)。請參閱圖21，成型封裝本體:將LED倒裝芯片601與封裝支架300放置于上模904與下模906之間，封裝支架300放置在下模906上方，LED倒裝芯片601與上模904上的凹槽905相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片907放置于LED倒裝芯片601上加熱，使固態(tài)玻璃片907在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片601包覆；此時(shí)下壓上模904，凹槽905的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片601側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片601的封裝本體201，待冷卻固化后，打開上模904與下模906，取出封裝有封裝本體201的LED倒裝芯片601與封裝支架300。請?jiān)俅螀㈤唸D12，切斷封裝支架300上的N預(yù)切斷帶303和P預(yù)切斷帶304，使N固定塊301、P固定塊302與封裝支架300斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。較優(yōu)的，可以采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤501、N固定塊301、P金錫焊盤502及P固定塊302，使LED倒裝芯片601的N焊盤層26和P焊盤層27的一面外露于該封裝本體201。第四實(shí)施方法當(dāng)封裝本體采用玻璃材料時(shí)，上述LED倒裝芯片封裝器件還可以采用以下制造方法，包括以下步驟:請參閱圖16、圖17與圖18，制備固定LED倒裝芯片的載板；將LED倒裝芯片與載板固定；該兩步驟與前述第二實(shí)施方法一致，在此不再詳述。請參閱圖20，提供一沖壓模具，該模具與上述第三實(shí)施方法所采用的沖壓模具一致。成型封裝本體:將LED倒裝芯片601放置于上模904與下模906之間，載板金屬箔902與藍(lán)膜903)放置在下模906上方，LED倒裝芯片601與上模904上的凹槽905相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片放置于LED倒裝芯片上加熱，使固態(tài)玻璃片在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片包覆；此時(shí)下壓上模，凹槽的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片的封裝本體，待冷卻固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板；最后，剝離藍(lán)膜903。請參閱圖22，使用上述LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:LED倒裝芯片601、封裝本體201與基板401。該封裝本體201將該LED倒裝芯片601包覆，該LED倒裝芯片601的N焊盤層26與P焊盤層27外露于該封裝本體201。所述基板401上設(shè)有N粘結(jié)金屬層402與P粘結(jié)金屬層403。該N焊盤層26、P焊盤層27分別與N粘結(jié)金屬層402、P粘結(jié)金屬403層對(duì)應(yīng)連接。請參閱圖23，或者，該N焊盤，26外露于封裝本體201的一面依次設(shè)有N金錫焊盤50UN固定塊301。該P(yáng)焊盤層27外露于封裝本體201的一面依次設(shè)有P金錫焊盤502、P固定塊302，該N固定塊301、P固定塊302分別與N粘結(jié)金屬層402、P粘結(jié)金屬層403對(duì)
應(yīng)連接。為進(jìn)一步提高LED器件的出光效率，所述基板401與封裝本體201及LED倒裝芯片601的間隙內(nèi)充填有反射層701。該反射層701可以采用摻雜有氧化鈦的硅膠或環(huán)氧樹脂材料，填充可以采用點(diǎn)膠的工藝施加，主要利用LED倒裝芯片601與所述基板401形成間隙而產(chǎn)生的毛細(xì)現(xiàn)象的虹吸力將反射材料吸入。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；凡是依本發(fā)明所作的 等效變化與修改，都被本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍所覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種LED倒裝芯片封裝器件，包括LED倒裝芯片、封裝本體，其特征在于:所述封裝本體將該LED倒裝芯片包覆，該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層外露于該封裝本體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述LED倒裝芯片內(nèi)設(shè)置的絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層；該第一絕緣層覆蓋在LED倒裝芯片的反射層上，該第二絕緣層設(shè)置在LED倒裝芯片的N引線電極與該P(yáng)引線電極上，該第二絕緣層上設(shè)有通孔，所述N焊盤層與該P(yáng)焊盤層透過該通孔分別與該N引線電極、該P(yáng)引線電極相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于: 所述LED倒裝芯片的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該LED倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合； 或者，所述LED倒裝芯片的第一絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該LED倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底，與該藍(lán)寶石襯底的表面貼合；該第二絕緣層沿該N引線電極與該P(yáng)引線電極的側(cè)面延伸至該第一絕緣層，與該第一絕緣層的表面貼合； 或者，所述LED倒裝芯片的位于N引線電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該N型層，與該N型層的表面貼合，位于P引線電極側(cè)的第二絕緣層沿該LED倒裝芯片的側(cè)面延伸至該P(yáng)型層，與該P(yáng)型層的表面貼合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:于該N焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有N金錫焊盤、N固定塊；于該P(yáng)焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有P金錫焊盤、P固定塊；該N固定塊和P固定塊的表面鍍有反射材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于: 所述封裝本體的底面與N焊盤層與P焊盤層的底面平齊，該N固定塊與該P(yáng)固定塊頂面的面積小于或等于該N焊盤層與該P(yáng)焊盤層底面的面積；` 或者，所述封裝本體的底面與N金錫焊盤及P金錫焊盤的底面平齊，該N固定塊與該P(yáng)固定塊頂面的面積大于或等于該N焊盤層與該P(yáng)焊盤層底面的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述封裝本體的底面設(shè)有用于反射光線的金屬箔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述封裝本體為玻璃封裝本體、硅膠封裝本體或樹脂封裝本體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述硅膠封裝本體或樹脂封裝本體內(nèi)分布有熒光粉。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述N焊盤層與P焊盤層間設(shè)有絕緣塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述N焊盤層與P焊盤層間的距離大于250um。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝芯片封裝器件，其特征在于:所述LED倒裝芯片的長、寬之比大于2.5:1。
12.—種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: al、制備固定LED倒裝芯片的封裝支架:提供一金屬帶材，對(duì)該金屬帶材進(jìn)行沖壓，在該金屬帶材上形成至少一支架單元，該支架單元設(shè)有N固定塊、N預(yù)切割帶、P固定塊與P預(yù)切割帶；然后，對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電鍍，在N固定塊與P固定塊的表面形成一反射材料層； bl、將LED倒裝芯片固定在封裝支架上:該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層分別通過N金錫焊盤、P金錫焊盤與N固定塊、P固定塊鍍有反射材料層的一面固定； Cl、提供一注膠模具:該注膠模具包括相配合的上模與下模，該上模設(shè)有至少一成型腔體，該下模對(duì)應(yīng)該成型腔體設(shè)有注膠口 ； dl、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與封裝支架放置于注膠模具，該LED倒裝芯片位于成型腔體內(nèi)，該封裝支架位于上模與下模之間；閉合上模與下模，從下模的注膠口注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片，并固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與封裝支架； el、切斷封裝支架上的N預(yù)切斷帶和P預(yù)切斷帶，使N固定塊、P固定塊與封裝支架斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于:el步驟后，還包括一步驟:采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤、N固定塊、P金錫焊盤及P固定塊，使LED倒裝芯片的N焊盤層和P焊盤層外露于該封裝本體。
14.一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: a2、制備固定LED倒裝芯片的載板:提供一金屬箔，對(duì)該金屬箔進(jìn)行沖壓，在該金屬箔上形成至少一通孔；然后，在該金屬箔下方設(shè)置一藍(lán)膜與該金屬箔貼合； b2、將LED倒裝芯片與載板固定:將LED倒裝芯片設(shè)置在金屬箔的通孔內(nèi)，并使LED倒裝芯片的N焊盤層、P焊盤層與藍(lán)膜表面固定； c2、提供一注膠模具:該注膠模具包括相配合的上模與下模，該上模設(shè)有至少一成型腔體，該下模對(duì)應(yīng)該成型腔體設(shè)有注膠口 ； d2、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與載板放置于注膠模具，該LED倒裝芯片位于成型腔體內(nèi)，該載板位于上模與下模之間；閉合上模與下模，從下模的注膠口注入液態(tài)封裝膠體，待液態(tài)封裝膠體包覆LED倒裝芯片，并固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板；e2、剝離藍(lán)膜。
15.一種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: a3、制備固定LED倒裝芯片的封裝支架:提供一金屬帶材，對(duì)該金屬帶材進(jìn)行沖壓，在該金屬帶材上形成至少一支架單元，該支架單元設(shè)有N固定塊、N預(yù)切割帶、P固定塊與P預(yù)切割帶；然后，對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電鍍，在N固定塊與P固定塊的表面形成一反射材料層； b3、將LED倒裝芯片固定在封裝支架上:該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層分別通過N金錫焊盤、P金錫焊盤與N固定塊、P固定塊鍍有反射材料層的一面固定； c3、提供一沖壓模具:該沖壓模具包括上模與下模，該上模設(shè)有至少一凹槽，該凹槽大于該LED倒裝芯片的外形尺寸； d3、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與封裝支架放置于上模與下模之間，封裝支架放置在下模上方，LED倒裝芯片與上模上的凹槽相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片放置于LED倒裝芯片上加熱，使固態(tài)玻璃片在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片包覆；此時(shí)下壓上模，凹槽的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片的封裝本體，待冷卻固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與封裝支架； e3、切斷封裝支架上的N預(yù)切斷帶和P預(yù)切斷帶，使N固定塊、P固定塊與封裝支架斷開連接，形成單個(gè)的LED倒裝芯片封裝器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于:e3步驟后，還包括一步驟:采用化學(xué)刻蝕及機(jī)械切割方式移除N金錫焊盤、N固定塊、P金錫焊盤及P固定塊，使LED倒裝芯片的N焊盤層和P焊盤層外露于該封裝本體。
17.—種LED倒裝芯片封裝器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: a4、制備固定LED倒裝芯片的載板:提供一金屬箔，對(duì)該金屬箔進(jìn)行沖壓，在該金屬箔上形成至少一通孔；然后，在該金屬箔下方設(shè)置一藍(lán)膜與該金屬箔貼合； b4、將LED倒裝芯片 與載板固定:將LED倒裝芯片設(shè)置在金屬箔的通孔內(nèi)，并使LED倒裝芯片的N焊盤層、P焊盤層與藍(lán)膜表面固定； c4、提供一沖壓模具:該沖壓模具包括上模與下模，該上模設(shè)有至少一凹槽，該凹槽大于該LED倒裝芯片的外形尺寸； d4、成型封裝本體:將LED倒裝芯片與載板放置于上模與下模之間，載板放置在下模上方，LED倒裝芯片與上模上的凹槽相對(duì)應(yīng)；將固態(tài)玻璃片放置于LED倒裝芯片上加熱，使固態(tài)玻璃片在氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境下熔化，熔融狀態(tài)的玻璃流動(dòng)將LED倒裝芯片包覆；此時(shí)下壓上模，凹槽的側(cè)壁將位于LED倒裝芯片側(cè)的熔融玻璃隔斷，形成包覆LED倒裝芯片的封裝本體，待冷卻固化后，打開上模與下模，取出封裝有封裝本體的LED倒裝芯片與載板；e4、剝離藍(lán)膜。
18.一種使用如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:LED倒裝芯片、封裝本體與基板，其特征在于: 所述封裝本體將該LED倒裝芯片包覆，該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層外露于該封裝本體；所述基板上設(shè)有N粘結(jié)金屬層與P粘結(jié)金屬層； 該N焊盤層、P焊盤層分別與N粘結(jié)金屬層、P粘結(jié)金屬層對(duì)應(yīng)連接；或者，該N焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有N金錫焊盤、N固定塊；該P(yáng)焊盤層外露于封裝本體的一面依次設(shè)有P金錫焊盤、P固定塊，該N固定塊、P固定塊分別與N粘結(jié)金屬層、P粘結(jié)金屬層對(duì)應(yīng)連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的使用LED倒裝芯片封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板與封裝本體及LED倒裝芯片的間隙內(nèi)充填有反射層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LED倒裝芯片封裝器件，包括LED倒裝芯片、封裝本體，所述封裝本體將該LED倒裝芯片包覆，該LED倒裝芯片的N焊盤層與P焊盤層外露于該封裝本體。該LED倒裝芯片封裝器件中的LED倒裝芯片散熱、絕緣性能好，穩(wěn)定性高，同時(shí)，封裝工藝簡單，大大提高了LED倒裝芯片的封裝效率及產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)H01L33/64GK103236490SQ20131011528
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者王冬雷, 莫慶偉 申請人:大連德豪光電科技有限公司