有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為：陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層，在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，采用摻雜酞菁物和氟化物的有機(jī)物作為混合阻擋層，使膜層熱穩(wěn)定性高，平整度好，有利于無(wú)機(jī)物在其上面成膜，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成了有效的保護(hù)，滿(mǎn)足了封裝的密封性的要求，可顯著地提高OLED器件的壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上以有機(jī)發(fā)光材料制作一層幾十納米厚的發(fā)光層,發(fā)光層上方設(shè)有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、且輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性產(chǎn)品是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢(shì)，但目前普遍存在壽命短的問(wèn)題，因此封裝技術(shù)的好壞直接影響器件的壽命。本發(fā)明的主要目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該封裝技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，防水氧能力(WVTR)強(qiáng)，對(duì)柔性O(shè)LED器件的壽命有顯著的提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題和不足，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件采用摻雜酞菁物和氟化物的有機(jī)物作為混合阻擋層，使膜層熱穩(wěn)定性高，平整度好，有利于無(wú)機(jī)物在其上面成膜，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0006]本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題而提出的技術(shù)方案為:一種機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為:陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；其中，
[0007]所述混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；所述酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，所述有機(jī)物為N，N’ - 二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2 *BaF2中的一種，所述氧化物為 Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O 或 MnO2 中的一種；
[0008]所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、Mg0、Si02> ZrO2> ZnO或Al2O3中的一種；
[0009]所述酞菁物占所述混合阻擋層的40~60mol%，所述氟化物占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的10~20mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的摩爾百分比不大于40%。
[0010]所述混合阻擋層的厚度為10nm?200nm。
[0011]所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50nm?lOOnm。
[0012]所述混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4?6層。
[0013]所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’_ 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料；
[0014]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0015]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；
[0016]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0017]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30被％的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料；
[0018]所述陰極層的材質(zhì)為采用真空蒸鍍的方法依次層疊的ZnS、Ag和ZnS。
[0019]本發(fā)明還包括利用上述的機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0020](a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0021](b)在所述陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在所述混合阻擋層上采用磁控濺射的方法制備無(wú)機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；其中，
[0022]所述混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2中的一種，所述氧化物為 Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O, MnO2 中的一種；
[0023]所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、Mg0、Si02、Zr02、Zn0或Al2O3中的一種；
[0024]所述酞菁物占所述混合阻擋層的40?60mol%，所述氟化物占所述混合阻擋層的10?30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的10?20mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的摩爾百分比不大于40%。
[0025]所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm?200nm ;所述混合阻擋層的厚度為50nm?10nm0
[0026]在所述步驟(a)中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0027]在所述步驟(b)中，所述混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4?6次。
[0028]在所述步驟(a)中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為IXlO-5Pa;所述空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.lA/s，所述發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2A/S，所述陰極層蒸發(fā)速度為I人/S。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，存在以下的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，采用摻雜酞菁物和氟化物的有機(jī)物作為混合阻擋層，使膜層熱穩(wěn)定性高，平整度好，有利于無(wú)機(jī)物在其上面成膜，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成了有效的保護(hù)，滿(mǎn)足了封裝的密封性的要求，可顯著地提高OLED器件的壽命。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明予以進(jìn)一步地詳盡闡述。
[0032]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106、陰極層107、混合阻擋層108、無(wú)機(jī)阻擋層109。
[0033]有機(jī)電致發(fā)光器件中，在上述陰極層表面設(shè)有若干層交替層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層?；旌献钃鯇雍蜔o(wú)機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4?6層。
[0034]混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2, MgF2, A1F3、CaF2或BaF2中的一種，氧化物為MoO3> V205、WO3> Cs20、Ni2O 或 MnO2 中的一種；
[0035]無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、Mg0、Si02> ZrO2> ZnO或Al2O3中的一種；
[0036]酞菁物占混合阻擋層的40?60mol%，氟化物占混合阻擋層的10?30mol%，氧化物占所述混合阻擋層的10?20mol%，有機(jī)物占混合阻擋層的摩爾百分比不大于40%。
[0037]混合阻擋層的厚度為10nm?200nm,無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50nm?lOOnm。
[0038]在有機(jī)電致發(fā)光器件中，陽(yáng)極導(dǎo)電基板101的材質(zhì)包括陽(yáng)極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽(yáng)極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(ΙΖ0)或摻氟氧化鋅(FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡(jiǎn)稱(chēng)ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽(yáng)極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購(gòu)獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽(yáng)極導(dǎo)電基板101。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽(yáng)極導(dǎo)電基板101上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形。陽(yáng)極導(dǎo)電基板101為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0039]有機(jī)電致發(fā)光器件中，其他功能層的材質(zhì)和厚度如下:
[0040]空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料；厚度1nm ；
[0041]空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺；厚度30nm
[0042]發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；厚度20nm ；
[0043]電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；厚度1nm ；
[0044]電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料；厚度20nm。
[0045]陰極層的材質(zhì)采用依次層疊的ZnS、Ag和ZnS，厚度為30nm。
[0046]對(duì)上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0047](a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0048]空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為IXlO-5Pa ;空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.1A/S，發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2A/S，陰極層蒸發(fā)速度為1A/S。
[0049](b)在陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在混合阻擋層上采用磁控濺射的方法制備無(wú)機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4?6次。
[0050]真空蒸鍍制備混合阻擋層時(shí)，真空蒸發(fā)的真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，真空蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0.5人/S?5A/S;磁控濺射制備無(wú)機(jī)阻擋層時(shí)，真空度為IX KT5Pa?I X KT3Pa。
[0051]其中，混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2中的一種，氧化物為MoO3> V205、WO3> Cs20、Ni20、MnO2 中的一種；
[0052]無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、Mg0、Si02、Zr02、Zn0或Al2O3中的一種；
[0053]酞菁物占混合阻擋層的40?60mol%，氟化物占混合阻擋層的10?30mol%，氧化物占混合阻擋層的10?20mol%，有機(jī)物占混合阻擋層的摩爾百分比不大于40%。
[0054]混合阻擋層的厚度為10nm?200nm,無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50nm?lOOnm。
[0055]以下以實(shí)施例1?6對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備步驟進(jìn)行具體說(shuō)明:
[0056]實(shí)施例1
[0057]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0058]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0059]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、CuPc-TAPC-LiF-MoO3 層，T12 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0060]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0061]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ITO玻璃基板的厚度為10nm ；
[0062]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0063]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0064]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0065]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s，蒸發(fā)厚度1nm;
[0066]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0067]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度[A/S:
[0068]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為CuPc (酞菁銅)，另一種為有機(jī)物TAPC，第三種為L(zhǎng)iF，第四種為MoO3，其中，CuPc所占比例為50mol%, LiF所占比例為30mol%, MoO3所占比例為16mol%，有機(jī)物TAPC所占比例為4mol%?；旌献钃鯇拥恼婵斩菼 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度1A/S，厚度 200nm;
[0069]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成T12膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度I X l(T5Pa,厚度lOOnm。制備時(shí),通入Ar的流量為1sccm, CH4的流量20sccm ；
[0070]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i) 6次。
[0071]實(shí)施例2
[0072]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0073]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0074]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS 層、ZnPc-NPB-CeF2-V2O5 層，MgO 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0075]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0076]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑儆煤嫦淇靖纱?；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；IT0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0077]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S;
[0078]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0079]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0080]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度1nm;
[0081]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0082]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度 I A/s;
[0083]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為ZnPc (酞菁鋅)，另一種為NPB，第三種為CeF2,第四種為V2O5, ZnPc所占比例為40mol%，NPB所占比例為35mol%，CeF2所占比例為15mol%，V2O5所占比例為10mol%，混合阻擋層的真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度150nm ；
[0084]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成MgO膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度I X 10_5Pa，厚度50nm。制備時(shí)，通入Ar的流量為5sccm，CH4的流量15sccm ；
[0085]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i) 5次。
[0086]實(shí)施例3
[0087]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0088]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0089]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、FePc-Alq3-MgF2-WO3 層，S12 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0090]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0091]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0092]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0093]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度1父10^^，蒸發(fā)速度0.1人/8，蒸發(fā)厚度30nm;
[0094]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0095]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.丨A/s,蒸發(fā)厚度1nm ；
[0096]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0097]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度 IA/S;
[0098]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為FePc (酞菁鐵)，另一種為Alq3，第三種為MgF2,第四種為W03，F(xiàn)ePc所占比例為60mol%，Alq3所占比例為10mol%MgF2所占比例為10mol%，WO3所占比例為20mol%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s，厚度200nm ；
[0099]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成S12膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度I X 10_5Pa，厚度70nm。制備時(shí)，通入Ar的流量為7sccm，CH4的流量1sccm ；
[0100]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)6次。
[0101]實(shí)施例4
[0102]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0103]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0104]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、CoPc-m_MTDATA-AlF3-Cs20 層，ZrO2 層。(斜桿“/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表示相互摻雜。)
[0105] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0106]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0107]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0108]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度1父10_^，蒸發(fā)速度0.1人/5，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0109]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0110]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/S，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0111]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0112]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度lX10_5Pa,蒸發(fā)速度 I A/s;
[0113]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為CoPc (酞菁鈷)，另一種為m-MTDATA，第三種為AlF3，第四種為Cs20，CoPc所占比例為50mol%，m-MTDATA所占比例為15mol%，AlF3所占比例為20mol%，Cs2O所占比例為15mol%，混合阻擋層的真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度3A/s，厚度150nm ；
[0114]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成ZrO2膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度5 X l(T5Pa,厚度10nm,制備時(shí),通入Ar流量1sccm, CH4流量20sccm ；
[0115]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)4次。
[0116]實(shí)施例5
[0117]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0118]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0119]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、MnPc-BCP-CaF2-Ni2O 層，ZnO 層。(斜桿“/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0120]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0121]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0122]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S:
[0123]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0124]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0125]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/S，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0126]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0127] g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度IXKT5Pa,蒸發(fā)速度 lA/s;
[0128]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為MnPc (酞菁錳)，另一種為BCP，第三種為CaF2,第四種為Ni2O, MnPc所占比例為55mol%，BCP所占比例為15mol%CaF2所占比例為15mol%，
Ni2O所占比例為15mol%，混合阻擋層的厚度150nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度丨A S
[0129]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成ZnO膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度5 X l(T5Pa,厚度80nm。制備時(shí),通入Ar的流量為5sccm, CH4的流量20sccm ；
[0130]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)6次。
[0131]實(shí)施例6
[0132]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0133]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層。
[0134]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、NiPc-TPB1-BaF2-MnO2 層，Al2O3 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0135]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0136]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；Ι Τ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0137]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0138]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1 A/s，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0139]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0140]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s，蒸發(fā)厚度1nm;
[0141]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0142]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度lX10_5Pa,蒸發(fā)速度 IA/S;
[0143]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為NiPc (酞菁鎳)，另一種為T(mén)PBi，第三種為BaF2,第四種為MnO2, NiPc所占比例為60mol%，TPBi所占比例為19mol%，BaF2所占比例為16mol%，MnO2所占比例為15mol%，混合阻擋層的真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度5A/S,厚度150nm ;
[0144]i)無(wú)機(jī)阻擋層的制作:采用磁控濺射的方法制作成Al2O3膜，無(wú)機(jī)阻擋層的本底真空度I X 10?,厚度70nm。制備時(shí)，通入Ar的流量為7sccm，CH4的流量13sccm ；
[0145]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)6次。
[0146]性能測(cè)試
[0147]對(duì)以上實(shí)施例1~6對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行防水氧能力(WVTR)和透射率測(cè)試，可以從下表1中看到，其防水氧能力達(dá)到10 — 4g/m2/day以上的性能，由其制作的OLED發(fā)光器件，壽命也達(dá)到了平均4800小時(shí)以上。
[0148]表1
[0149]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為:陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；其中， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；所述酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一種，所述氧化物為 Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O 或 MnO2 中的一種； 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、MgO、S12, ZrO2, ZnO或Al2O3中的一種； 所述酞菁物占所述混合阻擋層的40~60 mol%，所述氟化物占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的10~20mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的摩爾百分比不大于40 %。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為10nm ~200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50nm ~10nm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4飛層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于: 所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料； 所述陰極層的材質(zhì)為采用真空蒸鍍的方法依次層疊的ZnS、Ag和ZnS。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟: (a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； (b)在所述陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在所述混合阻擋層上采用磁控濺射的方法制備無(wú)機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；其中， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為酞氰物、有機(jī)物、氟化物與氧化物組成的混合物；酞氰物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳中的一種，所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氟化物為L(zhǎng)iF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一種，所述氧化物為 Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O 或 MnO2 中的一種； 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)i02、MgO、S12, ZrO2, ZnO或Al2O3中的一種； 所述酞菁物占所述混合阻擋層的40~60 mol%，所述氟化物占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的10~20mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的摩爾百分比不大于40 %。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為10nm~200nm ;所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50nm~lOOnm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(a)中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為IXlO-5Pa;所述空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.lA/s，所述發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2A/s，所述陰極層蒸發(fā)速度為lA/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(b)中，所述混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4飛次。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(b)中，所述真空蒸鍍制備混合阻擋層時(shí)，所述真空蒸發(fā)的真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,所述真空蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0.5A/s~5A/s ;所述磁控濺射制備無(wú)機(jī)阻擋層時(shí)，真空度為I X 10_5Pa~I X 10_3Pa。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104078601SQ201310108759
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司