有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為：陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層，在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，采用的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層為混合物，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成了有效的保護(hù)，滿足了封裝的密封性的要求，可顯著地提高OLED器件的壽命。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上以有機(jī)發(fā)光材料制作一層幾十納米厚的發(fā)光層,發(fā)光層上方設(shè)有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、且輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性產(chǎn)品是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢(shì)，但目前普遍存在壽命短的問題，因此封裝技術(shù)的好壞直接影響器件的壽命。本發(fā)明的主要目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該封裝技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，防水氧能力(WVTR)強(qiáng)，對(duì)柔性O(shè)LED器件的壽命有顯著的提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該方法采用的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層為混合物，制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，滿足封裝的密封性和要求，可顯著地提聞OLED的壽命。
[0006]本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問題而提出的技術(shù)方案為:一種機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為:陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層；其中，
[0007]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10?30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30?50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的20 ?60mol% ；
[0008]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種，所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10?30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10?30mol%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的 40 ?80mol % ；
[0009]所述混合阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?200nmo
[0010]所述混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4?6層。
[0011]所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’_ 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料；
[0012]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0013]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；
[0014]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0015]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料；
[0016]所述陰極層的材質(zhì)為采用真空蒸鍍的方法依次層疊的ZnS、Ag和ZnS。
[0017]本發(fā)明還包括利用上述的機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0018](a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0019](b)在所述陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在所述混合阻擋層上采用真空蒸鍍的方法制備無機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備混合阻擋層和無機(jī)阻擋層；其中，
[0020]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10?30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30?50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的20 ?60mol% ；
[0021]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種，所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10?30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10?30mol%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的 40 ?80mol % ；
[0022]所述混合阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?200nm。
[0023]在所述步驟(a)中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為I X 1-5Pa,所述陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為3X KT5Pa;所述空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.1人/S，所述發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2人/s，所述陰極層蒸發(fā)速度為I A/s。
[0024]在所述步驟(b)中，所述混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4~6次。
[0025]在所述步驟(b)中，所述真空蒸鍍制備混合阻擋層時(shí)，所述真空蒸發(fā)的真空度為
IX 1-5Pa~I X 10?,所述真空蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0.5人/s~5A/s;所述真空蒸鍍制備無機(jī)阻擋層時(shí)，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?O
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，存在以下的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，該方法采用的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為混合物，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成了有效的保護(hù)，滿足了封裝的密封性的要求，可顯著地提高OLED器件的壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明予以進(jìn)一步地詳盡闡述。
[0029]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106、陰極層107、混合阻擋層108、無機(jī)阻擋層109。
[0030]有機(jī)電致發(fā)光器件中，在上述陰極層表面設(shè)有若干層交替層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層?；旌献钃鯇雍蜔o機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4~6層。
[0031]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30~50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的20 ~60mol% ；
[0032]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種，所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mol%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的 40 ~80mol % ；
[0033] 所述混合阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0034]在有機(jī)電致發(fā)光器件中，陽(yáng)極導(dǎo)電基板101的材質(zhì)包括陽(yáng)極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽(yáng)極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(ΙΖ0)或摻氟氧化鋅(FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡(jiǎn)稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽(yáng)極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購(gòu)獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽(yáng)極導(dǎo)電基板101。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽(yáng)極導(dǎo)電基板101上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形。陽(yáng)極導(dǎo)電基板101為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0035]有機(jī)電致發(fā)光器件中，其他功能層的材質(zhì)和厚度如下:
[0036]空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料；厚度1nm ；
[0037]空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺；厚度30nm
[0038]發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；厚度20nm ；
[0039]電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；厚度1nm ；
[0040]電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料；厚度20nm。
[0041]陰極層的材質(zhì)采用依次層疊的ZnS、Ag和ZnS,厚度為30nm。
[0042]對(duì)上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0043](a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層 、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0044]所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為I X 10_5Pa，所述陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為3X 10_5Pa ;所述空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.1 A/s，所述發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2A/S，所述陰極層蒸發(fā)速度為?Λ/s。
[0045](b)在陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在混合阻擋層上采用真空蒸鍍的方法制備無機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層；混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4~6次。
[0046]真空蒸鍍制備混合阻擋層時(shí)，真空蒸發(fā)的真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，真空蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0.5A/S~5A/S;真空蒸鍍制備無機(jī)阻擋層時(shí)，真空度為I X KT5Pa~I X KT3Pa。
[0047]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30~50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的20 ~60mol% ；
[0048]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種，所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mol%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的 40 ~80mol % ；
[0049]所述混合阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0050]以下以實(shí)施例1~6對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備步驟進(jìn)行具體說明:
[0051]實(shí)施例1
[0052]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0053]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0054]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、TAPC-MoO3-Ag 層，LiF-CdS-Ag 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0055]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0056]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0057]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0058]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.lA/s，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0059]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0060]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度1nm;
[0061]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0062]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度 IA/S;
[0063]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為TAPC，另一種為MoO3,第三種為Ag，金屬Ag所占比例為為20mol%，氧化物所占比例為為40mol%，TAPC所占比例為為40mol%，混合阻擋層的真空度1父10-中&，蒸發(fā)速度1人/5，厚度250nm;
[0064]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為L(zhǎng)iF，另一種為CdS，第三種為Ag，氟化物所占比例為20mol%,硫化物所占比例為30mol %, Ag所占比例為50mol %,無機(jī)阻擋層的真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A/S，厚度150nm ；
[0065]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i) 6次。
[0066]實(shí)施例2
[0067]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0068]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0069]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS 層、NPB-V2O5-Al 層，CeF2-PbS-Al 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0070]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0071]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0072]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;
[0073]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0074]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0075]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度1nm;
[0076]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0077]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度 IA/S;
[0078]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為NPB，另一種為V2O5，第三種為Al，金屬所占比例為30mol%，氧化物所占比例為40mol%，NPB所占比例為30mol%，混合阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 5A/S,厚度 300nm ；
[0079]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為CeF2，另一種為PbS，第三種為Al，硫化物所占比例為15wt%，氟化物所占比例為15wt%，Al所占比例為70wt%，混合阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 0.5A/s，厚度 10nm ；
[0080]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i) 5次。
[0081]實(shí)施例3
[0082]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0083] 陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0084]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、Alq3-WO3-Ni 層，MgF2-FeS2-Ni 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0085]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0086]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0087]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s;
[0088]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度1父10^^，蒸發(fā)速度0.1人/8，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0089]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0090]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度Ο,?Α/s，蒸發(fā)厚度1nm;
[0091]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0092]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度I 4 s
[0093]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，采用真空蒸發(fā)制作，一種為Alq3，另一種為WO3，第三種為Ni, Alq3所占比例為為30mol%,金屬所占比例為為10mol%,氧化物所占比例為為30mol%,混合阻擋層的真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度200nm ；
[0094]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為四種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為MgF2，另一種為FeS2，第三種為Ni，Ni所占比例為66wt%，硫化物所占比例為18mol%，氟化物所占比例為16wt%，無機(jī)阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 5 A/S,厚度 200nm ；
[0095]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i) 6次。
[0096]實(shí)施例4
[0097]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0098]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0099]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、m-MTDATA_Cs20-Au 層，AlF3-CuS-Au 層。(斜桿“/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表示相互摻雜。)
[0100]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0101]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0102]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%,厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s；
[0103]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0104]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S戈發(fā)厚度20nm;
[0105]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s，蒸發(fā)厚度1nm;
[0106]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0107]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度I XKT5Pa,蒸發(fā)速度 I A/s;
[0108]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為m-MTDATA,另一種為Cs2O,第三種為Au,m-MTDATA所占比例為35mol%，金屬所占比例為15mol%，氧化物所占比例為50mol%，混合阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度Ikh，厚度240nm ；
[0109]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為AlF3，另一種為CuS，第三種為Au，氟化物所占比例為15mol%，硫化物所占比例為20mol%，Au所占比例為llwt%，無機(jī)阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度3 Α/s，厚度180nm ；
[0110]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)4次。
[0111]實(shí)施例5
[0112]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0113]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0114]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、BCP-Ni2O-Cu 層，CaF2-ZnS-Cu 層。(斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0115]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0116]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0117]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%，厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S;
[0118]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.丨A/s，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0119]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0120]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0121]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0122]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度IXKT5Pa,蒸發(fā)速度 I A/ s ；
[0123]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為BCP，另一種為Ni2O,第三種為Cu，金屬所占比例為19mol%，氧化物所占比例為45mol%，BCP所占比例為36mol%，混合阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 I Α/s，厚度 260nm ；
[0124]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為CaF2，另一種為ZnS，第三種為Cu，氟化物所占比例為30mol%，硫化物所占比例為1mol %，無機(jī)阻擋層的真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
2Α/s，厚度 140nm;
[0125]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)6次。
[0126]實(shí)施例6
[0127]本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為:
[0128]陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、混合阻擋層、無機(jī)阻擋層。
[0129]在本實(shí)施例中具體依次為:ITO玻璃基板、MoO3-NPB層、TCTA層、TPB1-1r (ppy) 3層、Bphen 層、CsN3-Bphen 層、ZnS/Ag/ZnS、TPB1-MnO2-Pt 層，BaF2-NiS-Pt 層。(斜桿“/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，橫杠表不相互摻雜。)
[0130]上述有機(jī)電致發(fā)光器件是采用如下步驟制備的:
[0131]a) ITO玻璃基板的前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，所述清洗均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板的厚度為10nm ；
[0132]b)空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜的濃度為30wt%,厚度為10nm，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S:
[0133]c)空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1 Α/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0134]d)發(fā)光層:采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作為主體材料，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0135]e)電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s，蒸發(fā)厚度1nm;
[0136]f)電子注入層的制備:以Bphen電子注入層主體材料,作為將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0137]g)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS,厚度為10nm,真空度IXKT5Pa,蒸發(fā)速度 I A/ s ；
[0138]h)混合阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層混合阻擋層，混合阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為TPBi，另一種為MnO2，第三種為Pt，金屬摻雜濃度為25mol%，氧化物摻雜濃度為40mol%，TPBi摻雜濃度為35mol%，混合阻擋層的真空度I X 10?,蒸發(fā)速度I Α/S，厚度220nm ；
[0139]i)無機(jī)阻擋層的制作:采用真空蒸發(fā)的方式在混合阻擋層上制備一層無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層為三種物質(zhì)摻雜共蒸制作，一種為BaF2，另一種為NiS，第三種為Pt，氟化物所占比例為10mol%，硫化物所占比例為20mol%，Pt所占比例為70wt%，無機(jī)阻擋層的真空度I X 10?,蒸發(fā)速度2 A /S，厚度150nm ；
[0140]j)交替重復(fù)上述步驟h)和i)6次。
[0141]性能測(cè)試
[0142] 對(duì)以上實(shí)施例1~6對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行防水氧能力(WVTR)和透射率測(cè)試，可以從下表1中看到，其防水氧能力達(dá)到10 — 4g/m2/day以上的性能，由其制作的OLED發(fā)光器件，壽命也達(dá)到了平均4080小時(shí)以上。
[0143]表1
[0144]
I實(shí)施例1 I實(shí)施例2 I實(shí)施例3 I實(shí)施例4~I實(shí)施例5~I實(shí)施例6 WVTR(g/m2/day)~ 6.2E — 4 6.5E - 4 6.9E - 4 7.1E - 4~ 7.4E - 4~ 7.9E - 4 壽命(小時(shí))42124l51 4140 41224U2^80
[0145]由此可見，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，存在以下的優(yōu)點(diǎn):
[0146]1.采用的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為混合物，可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料及電極形成了有效的保護(hù)，滿足了封裝的密封性的要求，可顯著地提高OLED器件的壽命。其防水氧能力達(dá)到了 10 —4g/m2/day，由其制作的OLED發(fā)光器件，壽命也達(dá)到了平均4080小時(shí)以上。
[0147]2.本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法制備工藝簡(jiǎn)單、易大面積制備，該技術(shù)特別適用于柔性O(shè)LED器件的應(yīng)用，解決了柔性O(shè)LED面臨的封裝問題，促進(jìn)了柔性O(shè)LED產(chǎn)品的發(fā)展。
[0148]上述內(nèi)容，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用于限制本發(fā)明的實(shí)施方案，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的主要構(gòu)思和精神，可以十分方便地進(jìn)行相應(yīng)的變通或修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為:陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，在所述陰極層表面設(shè)有交替層疊的混合阻擋層和無機(jī)阻擋層；其中， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10~30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30~50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的20 ~60mol% ； 所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為Cds、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2 中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mOl%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的40 ~80mol %。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為200nm ~300nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm ~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4~6層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于: 所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照30wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料； 所述陰極層的材質(zhì)為采用真空蒸鍍的方法依次層疊的ZnS、Ag和ZnS。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟: (a)在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； (b)在所述陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備混合阻擋層；接著在所述混合阻擋層上采用真空蒸鍍的方法制備無機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備混合阻擋層和無機(jī)阻擋層；其中， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)物、金屬和氧化物組成的混合物；所述有機(jī)物為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述氧化物為Mo03、V2O5, WO3> Cs2O, Ni2O或MnO2中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述金屬占所述混合阻擋層的10~.30mol%，所述氧化物占所述混合阻擋層的30~50mol%，所述有機(jī)物占所述混合阻擋層的.20 ~60mol% ； 所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為由硫化物、氟化物和金屬組成的混合物，所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS 或 NiS 中的一種，所述氟化物為 LiF、CeF2、MgF2、A1F3、CaF2 或 BaF2 中的一種，所述金屬為Ag、Al、N1、Au、Cu或Pt中的一種,所述氟化物占所述無機(jī)阻擋層的10~.30mol%，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的10~30mOl%，所述金屬占所述無機(jī)阻擋層的.40 ~80mol %。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為200nm~.300nm ;所述無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~200nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(a)中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為I X 10?,所述陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為3X10_5Pa ;所述空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0.1A/S，所述發(fā)光層和電子注入層蒸發(fā)速度為0.2A/S，所述陰極層蒸發(fā)速度為 I A/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(b)中，所述混合阻擋層和無機(jī)阻擋層交替次數(shù)為4~6次。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(b)中，所述真空蒸鍍制備混合阻擋層時(shí)，所述真空 蒸發(fā)的真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,所述真空蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0.5A/S~5A/S;所述真空蒸鍍制備無機(jī)阻擋層時(shí)，真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104078600SQ201310108757
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司