有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器，包括：襯底、形成在襯底上且施加掃描信號(hào)的掃描線、與掃描線交叉且分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線、連接到掃描線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)TFT、連接到開關(guān)TFT的開關(guān)漏電極和驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)TFT、連接到驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)漏電極的OLED、連接在驅(qū)動(dòng)電壓線和驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間的存儲(chǔ)電容器、以及包括連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O的第一升壓電容器板和與第一升壓電容器板重疊且連接到掃描線的第二升壓電容器板的升壓電容器，其中升壓電容器的第一升壓電容器板的面積大于第二升壓電容器板的面積。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]概括地說(shuō)，所描述的技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括兩個(gè)電極和設(shè)置在這兩個(gè)電極間的有機(jī)發(fā)射層。從一個(gè)電極注入的電子和從另一個(gè)電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合，從而形成激子，并且通過(guò)由激子產(chǎn)生的能量而發(fā)光。
[0003]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括包含有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為自發(fā)光元件的多個(gè)像素，并且每個(gè)像素包含電容器和多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。
[0004]電容器包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào)的存儲(chǔ)電容器和根據(jù)信號(hào)線的電壓變化執(zhí)行升壓操作以進(jìn)一步修正灰度表現(xiàn)的升壓電容器，并且包括存儲(chǔ)電容器和升壓電容器的像素的亮度根據(jù)這兩個(gè)電容器的電容比而變化。
[0005]為獲得均勻亮度，存儲(chǔ)電容器和升壓電容器的電容比在多個(gè)像素之間通常必須是均勻的。
[0006]然而，通常將升壓電容器設(shè)定為具有比存儲(chǔ)電容器小的電容，從而根據(jù)工藝分布的變化量相對(duì)大。多個(gè)像素中包含的升壓電容器之間的電容偏差會(huì)產(chǎn)生亮度偏差和色彩偏差。
[0007]在該【背景技術(shù)】部分中公開的上述信息僅用于增進(jìn)對(duì)所描述技術(shù)的背景的理解，因此其可以包含不形成該國(guó)的本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供穩(wěn)定地保證升壓電容的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
[0009]根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括:襯底；形成在所述襯底上且施加掃描信號(hào)的掃描線；與所述掃描線交叉且分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線；連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的開關(guān)TFT ;連接到所述開關(guān)TFT的開關(guān)漏電極和所述驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)TFT ;連接到所述驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)漏電極的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED);連接在所述驅(qū)動(dòng)電壓線和所述驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間的存儲(chǔ)電容器；以及包括連接到所述驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O的第一升壓電容器板和與所述第一升壓電容器板重疊且連接到所述掃描線的第二升壓電容器板的升壓電容器，其中所述升壓電容器的所述第一升壓電容器板的面積大于所述第二升壓電容器板的面積。
[0010]所述OLED顯示器可以進(jìn)一步包括形成在所述襯底上且施加相鄰掃描信號(hào)的相鄰掃描線。
[0011 ] 所述存儲(chǔ)電容器可以包括與所述第一升壓電容器板形成在同一層上的第一存儲(chǔ)電容器板，以及與所述第一存儲(chǔ)電容器板重疊且連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓線的第二存儲(chǔ)電容器板。[0012]所述第一升壓電容器板可以與所述驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層形成在同一層上，并且所述第二升壓電容器板可以與所述掃描線形成在同一層上。
[0013]所述第一升壓電容器板可以是從所述第一存儲(chǔ)電容器板延伸的延伸部，并且所述第二升壓電容器板可以是從所述掃描線突出的突出部。
[0014]所述第一升壓電容器板可以具有錘形，并且所述第一升壓電容器板可以包括平行于所述驅(qū)動(dòng)電壓線的柄部和形成在所述柄部的末端處的頭部。
[0015]所述第二升壓電容器板的所述突出部可以從所述掃描線向上且向下突出。
[0016]所述第二升壓電容器板的所述突出部可以被放置成與所述第一升壓電容器板的所述頭部的內(nèi)部完全重疊。
[0017]所述第一升壓電容器板的所述頭部的豎直外側(cè)線和所述第二升壓電容器板的所述突出部的豎直外側(cè)線之間的水平間隔可以在大約1.2 μ m到大約2 μ m的范圍內(nèi)。
[0018]所述第一升壓電容器板的所述頭部的水平外側(cè)線和所述第二升壓電容器板的所述突出部的水平外側(cè)線之間的豎直間隔可以在大約1.2 μ m到大約2 μ m的范圍內(nèi)。
[0019]所述第一升壓電容器板可以是從所述第一存儲(chǔ)電容器板延伸的延伸部，并且所述第二升壓電容器板可以連接到與所述驅(qū)動(dòng)電壓線形成在同一層上的升壓連接線。
[0020]可以進(jìn)一步包括形成在所述第一升壓電容器板上的柵絕緣層以及形成在所述柵絕緣層上的覆蓋所述第二升壓電容器板的層間絕緣層，并且所述升壓連接線可以通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述第二升壓電容器板。
[0021 ] 所述升壓連接線可以平行于所述掃描線。
[0022]所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線可以在與所述升壓連接線重疊的部分處分別被分割開，所述數(shù)據(jù)線的末端可以通過(guò)數(shù)據(jù)連接器彼此連接，并且所述驅(qū)動(dòng)電壓線的末端可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓連接器彼此連接。
[0023]所述驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O可以通過(guò)存儲(chǔ)連接器連接到所述第一存儲(chǔ)電容器板。
[0024]所述存儲(chǔ)連接器可以包括通過(guò)形成在所述層間絕緣層和所述柵絕緣層中的接觸孔連接到所述第一存儲(chǔ)電容器板的第一水平存儲(chǔ)連接器，通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述第一水平存儲(chǔ)連接器的豎直存儲(chǔ)連接器，以及通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述豎直存儲(chǔ)連接器的第二水平存儲(chǔ)連接器。
[0025]所述第二水平存儲(chǔ)連接器可以通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，升壓電容器的第一升壓電容器板的面積大于第二升壓電容器板的面積，使得由第二升壓電容器板根據(jù)制造工藝分布的豎直方向移動(dòng)和水平方向移動(dòng)所引起的升壓電容的變化率可以減到最小。
[0027]因此，可以改進(jìn)多個(gè)像素之間的色彩偏差瑕疵。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED )顯示器的一個(gè)像素的等效電路。
[0029]圖2是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的一個(gè)像素中的多個(gè)TFT和電容器的位置的示意圖。
[0030]圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的布局圖。[0031]圖4是沿線IV-1V截取的圖3所示有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視圖。
[0032]圖5是根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的布局圖。
[0033]圖6是沿線V1-VI截取的圖5所示有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下文將關(guān)于附圖詳細(xì)地描述某些實(shí)施例，使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地執(zhí)行。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到的，所描述的實(shí)施例可以以多種不同方式進(jìn)行修改，所有修改均不背離本發(fā)明的精神或范圍。
[0035]為清楚地說(shuō)明本發(fā)明，省略與說(shuō)明無(wú)關(guān)的部分，并且在整個(gè)說(shuō)明書中相同或類似的構(gòu)成元件通常用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。
[0036]此外，在附圖中示出的每個(gè)構(gòu)造的尺寸和厚度不限于此。
[0037]在附圖中，為了清楚可以放大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了更好地理解和易于描述，可以額外顯示一些層和區(qū)域的厚度?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或襯底之類的元件被稱為位于另一元件“上”時(shí)，其可以直接位于另一元件上或者還可以存在中間元件。
[0038]將關(guān)于圖1到圖4描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
[0039]圖1是根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的等效電路。
[0040]如圖1中所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的一個(gè)像素包括多條信號(hào)線121、122、123、124、171和172，連接至多條信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管(TFT) Tl、T2、T3、T4、T5和Τ6，電容器Cst和Cb以及有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。
[0041]TFT包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT Τ2、補(bǔ)償TFT Τ3、初始化TFT Τ4、第一發(fā)光控制TFTΤ5和第二發(fā)光控制TFT Τ6，并且電容器Cst和Cb包括存儲(chǔ)電容器Cst和升壓電容器Cb。
[0042]從圖1中可看出，信號(hào)線包括傳送掃描信號(hào)Sn的掃描線121和向初始化TFTT4傳送相鄰掃描信號(hào)Sn-1的相鄰掃描線122。相鄰掃描線122是來(lái)自與掃描線121相關(guān)聯(lián)的像素的相鄰像素的掃描線。信號(hào)線進(jìn)一步包括向第一發(fā)光控制TFT Τ5和第二發(fā)光控制TFTΤ6傳送發(fā)光控制信號(hào)En的發(fā)光控制線123，傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm并與掃描線121交叉的數(shù)據(jù)線171，傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD并與數(shù)據(jù)線171基本平行的驅(qū)動(dòng)電壓線172，以及傳送對(duì)驅(qū)動(dòng)TFT Tl進(jìn)行初始化的初始化電壓Vint的初始化電壓線124。
[0043]開關(guān)TFT Τ2包括連接到掃描線121的柵電極、連接到數(shù)據(jù)線171的源電極以及連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源電極和驅(qū)動(dòng)電壓線172的漏電極。開關(guān)TFT Τ2根據(jù)通過(guò)掃描線121傳送的掃描信號(hào)執(zhí)行開關(guān)操作。
[0044]驅(qū)動(dòng)TFT Tl根據(jù)開關(guān)TFT Τ2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并且向有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流。
[0045]驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極連接到存儲(chǔ)電容器Cst的一端，并且存儲(chǔ)電容器Cst的另一端與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。此外，連接到開關(guān)TFT Τ2的柵電極的掃描線121與升壓電容器Cb的一端連接，并且升壓電容器Cb的另一端與驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極連接。
[0046]驅(qū)動(dòng)TFT Tl的漏電極與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)極電連接。此外，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陰極與公共電壓ELVSS連接。因此，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)通過(guò)用從驅(qū)動(dòng)TFT Tl傳送的驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光來(lái)顯示圖像。[0047]下面將更詳細(xì)地描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器的一個(gè)像素的工作過(guò)程。
[0048]首先，當(dāng)初始化TFT T4根據(jù)通過(guò)相鄰掃描線122傳送的相鄰掃描信號(hào)Sn-1處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cst的一端和驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極中的每一個(gè)被供應(yīng)有初始化電壓 Vint。
[0049]接下來(lái)，開關(guān)TFT T2和補(bǔ)償TFT T3根據(jù)通過(guò)掃描線121傳送的掃描信號(hào)導(dǎo)通。當(dāng)開關(guān)TFT T2和補(bǔ)償TFT T3處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線171傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm被傳送給驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源電極，并且驅(qū)動(dòng)TFT Tl以二極管形式連接。然后，驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極和源電極被施加有通過(guò)從數(shù)據(jù)電壓減去驅(qū)動(dòng)TFT Tl的閾值電壓而獲得的電壓。
[0050]接下來(lái)，第一發(fā)光控制TFT T5和第二發(fā)光控制TFT T6由通過(guò)發(fā)光控制線123傳送的發(fā)光控制信號(hào)En導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極處的電壓通過(guò)掃描線121傳送的掃描信號(hào)Sn的增大而升壓。
[0051]當(dāng)?shù)谝话l(fā)光控制TFT T5和第二發(fā)光控制TFT T6處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓線172的驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD被供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源電極，并且根據(jù)柵電極和源電極之間的電壓差的驅(qū)動(dòng)電流流向驅(qū)動(dòng)TFT Tl。驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)導(dǎo)通的第二發(fā)光控制TFT T6被傳送給有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)極，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
[0052]現(xiàn)在，將結(jié)合圖2到圖4以及圖1更詳細(xì)地描述圖1所示OLED顯示器的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。
[0053]圖2是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的一個(gè)像素中的多個(gè)TFT和電容器的位置的示意圖，圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的布局圖，并且圖4是沿線IV-1V截取的圖3所示有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的首1J視圖。
[0054]如圖2到圖4所示，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的實(shí)施例包括以行方向形成并且分別施加掃描信號(hào)Sn、相鄰掃描信號(hào)Sn-Ι、發(fā)光控制信號(hào)En和初始化電壓Vint的掃描線121、相鄰掃描線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124。像素進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172與掃描線121、相鄰掃描線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124叉交，并且分別向像素施加數(shù)據(jù)信號(hào)Dm和驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD0
[0055]像素進(jìn)一步包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、第一發(fā)光控制TFT T5、第二發(fā)光控制TFT T6、存儲(chǔ)電容器Cst、升壓電容器Cb和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 70。
[0056]驅(qū)動(dòng)TFT Tl包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)源電極176a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)源區(qū)，并且驅(qū)動(dòng)漏電極177a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)漏區(qū)。
[0057]開關(guān)TFT T2包括開關(guān)半導(dǎo)體層131b、開關(guān)柵電極125b、開關(guān)源電極176b和開關(guān)漏電極177b。
[0058]補(bǔ)償TFT T3包括補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c、補(bǔ)償柵電極125c、補(bǔ)償源電極176c和補(bǔ)償漏電極177c。初始化TFT T4包括初始化半導(dǎo)體層131d、初始化柵電極125d、初始化源電極176d和初始化漏電極177d。
[0059]第一發(fā)光控制TFT T5包括第一發(fā)光控制半導(dǎo)體層131e、第一發(fā)光控制柵電極125e、第一發(fā)光控制源電極176e和第一發(fā)光控制漏電極177e。第二發(fā)光控制TFTT6包括第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f、第二發(fā)光控制柵電極125f、第二發(fā)光控制源電極176f和第二發(fā)光控制漏電極177f。
[0060]存儲(chǔ)電容器Cst包括第一存儲(chǔ)電容器板132和第二存儲(chǔ)電容器板127，第一存儲(chǔ)電容器板132和第二存儲(chǔ)電容器板127以柵絕緣層140位于二者之間的方式布置。這里，柵絕緣層140是介電材料，并且存儲(chǔ)電容器Cst的存儲(chǔ)電容是根據(jù)兩個(gè)電容器板132和127之間的電荷和電壓確定的。
[0061]第一存儲(chǔ)電容器板132與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b、補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c、第一發(fā)光控制半導(dǎo)體層131e和第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f形成在同一層上。第二存儲(chǔ)電容器板127與掃描線121和相鄰掃描線122形成在同一層上。
[0062]驅(qū)動(dòng)TFT Tl的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a將開關(guān)半導(dǎo)體層131b和補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c彼此連接，并且將第一發(fā)光控制半導(dǎo)體層131e和第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f彼此連接。
[0063]相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)源電極176a連接到開關(guān)漏電極177b和第一發(fā)光控制漏電極177e，并且驅(qū)動(dòng)漏電極177a連接到補(bǔ)償漏電極177c和第二發(fā)光控制源電極176f。第一發(fā)光控制源電極176e通過(guò)形成在層間絕緣層160和柵絕緣層140中的接觸孔165連接到第一發(fā)光控制半導(dǎo)體層131e的源區(qū)。
[0064]存儲(chǔ)電容器Cst的第一存儲(chǔ)電容器板132連接到補(bǔ)償源電極176c和初始化漏電極177d，并且通過(guò)連接器174連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a。連接器174與數(shù)據(jù)線171形成在同一層上。連接器174通過(guò)形成在層間絕緣層160和柵絕緣層140中的接觸孔166連接到第一存儲(chǔ)電容器板132，并且通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔167連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a。
[0065]存儲(chǔ)電容器Cst的第二存儲(chǔ)電容器板127連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，并且基本平行于掃描線121。
[0066]升壓電容器Cb的第一升壓電容器板133從第一存儲(chǔ)電容器板132延伸，并且第二升壓電容器板129具有從掃描線121向上且向下突出的部分。
[0067]第一升壓電容器板133具有錘形，并且第一升壓電容器板133包括平行于驅(qū)動(dòng)電壓線172的柄部133a和形成在柄部133末端處的頭部133b。
[0068]第二升壓電容器板129的突出部分被放置成與第一升壓電容器板133的頭部133b的內(nèi)部完全重疊。因此升壓電容器Cb的第一升壓電容器板133的面積大于第二升壓電容器板129的面積。
[0069]第一升壓電容器板133的頭部133b的豎直外側(cè)線和第二升壓電容器板129的突出部分的豎直外側(cè)線之間的水平間隔Xl和X2可以在大約1.2 μ m到大約2 μ m的范圍內(nèi)，并且第一升壓電容器板133的頭部133b的水平外側(cè)線和第二升壓電容器板129的突出部分的水平外側(cè)線之間的豎直間隔Yl和Y2可以在大約1.2 μ m到大約2 μ m的范圍內(nèi)。
[0070]如上面所述，升壓電容器Cb的第一升壓電容器板133的面積大于第二升壓電容器板129的面積，使得即便第二升壓電容器板129由于制造工藝分布而在豎直方向上產(chǎn)生移動(dòng)，升壓電容的變化率也可以減到最小。因此，可以改進(jìn)在多個(gè)像素之間產(chǎn)生的色彩偏差瑕疵。
[0071]開關(guān)TFT T2用作選擇用于發(fā)光的像素的開關(guān)元件。開關(guān)柵電極125b連接到掃描線121。開關(guān)源電極176b連接到數(shù)據(jù)線171。開關(guān)漏電極177b與驅(qū)動(dòng)TFT Tl和第一發(fā)光控制TFT T5連接。
[0072]第二發(fā)光控制TFT T6的第二發(fā)光控制漏電極177f通過(guò)保護(hù)層180的接觸孔181與有機(jī)發(fā)光二極管70的像素電極191直接連接。
[0073]接下來(lái)參考圖4描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的結(jié)構(gòu)。
[0074]具體地說(shuō)，將根據(jù)第二發(fā)光控制TFT T6描述TFT的結(jié)構(gòu)。此外，其它TFT T1、T2、Τ3、Τ4和Τ5在分層結(jié)構(gòu)上與第二發(fā)光控制TFT Τ6類似，因此將不提供對(duì)TFT Tl、Τ2、Τ3、Τ4和Τ5的進(jìn)一步描述。
[0075]在襯底110上形成緩沖層111，并且在緩沖層11上形成第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f和用于形成升壓電容器Cb的第一升壓電容器板133。襯底110由以玻璃、石英、陶瓷或塑料等制成的絕緣襯底形成。第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f和第一升壓電容器板133由多晶硅層形成。此外，第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f包括未摻雜的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)兩偵_ P+摻雜的源區(qū)和漏區(qū)。雜質(zhì)可以根據(jù)TFT的類型來(lái)選擇。
[0076]在第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f上形成由氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)形成的柵絕緣層140。
[0077]在柵絕緣層140上形成包括掃描線121、相鄰掃描線122和發(fā)光控制線123的柵極引線，掃描線121包括開關(guān)柵電極125b和補(bǔ)償柵電極125c，相鄰掃描線122b包括初始化柵電極125d和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a，發(fā)光控制線123包括第二發(fā)光控制柵電極125f。第二發(fā)光控制柵電極125f被形成為與第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的至少一部分(比如像溝道區(qū))重疊。柵極引線進(jìn)一步包括形成存儲(chǔ)電容器Cst的第二存儲(chǔ)電容器板127和形成升壓電容器Cb的第二升壓電容器板129。
[0078]第二存儲(chǔ)電容器板127通過(guò)接觸孔168連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，并且第二升壓電容器板129連接到掃描線121。
[0079]在柵絕緣層140上形成覆蓋第二發(fā)光控制柵電極125f的層間絕緣層160。柵絕緣層140和層間絕緣層160包括暴露第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的漏區(qū)的接觸孔163。與柵絕緣層140類似，層間絕緣層160使用基于陶瓷的材料(比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02))形成。
[0080]在層間絕緣層160上形成包括數(shù)據(jù)線171、連接器174、第二發(fā)光控制漏電極177f和驅(qū)動(dòng)電壓線172的數(shù)據(jù)引線，數(shù)據(jù)線171包括開關(guān)源電極176b。
[0081]此外，開關(guān)源電極176b和第二發(fā)光控制漏電極177f通過(guò)分別形成在層間絕緣層160和柵絕緣層140中的接觸孔163和164，分別與開關(guān)半導(dǎo)體層131b的源區(qū)和第二發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的漏區(qū)連接。
[0082]在層間絕緣層160上形成覆蓋數(shù)據(jù)引線171、174、177f和172的保護(hù)層180，并且在保護(hù)層180上形成像素電極191。像素電極191通過(guò)形成在保護(hù)層180中的接觸孔181與第二發(fā)光控制漏電極177f連接。
[0083]在像素電極191的邊緣和保護(hù)層180上形成障壁350，并且障壁350包括暴露像素電極191的障壁開口 351。障壁350可以由諸如聚丙烯酸脂和聚酰亞胺之類的樹脂形成，或者由硅基無(wú)機(jī)材料形成。
[0084]在通過(guò)障壁開口 351暴露的像素電極191上形成有機(jī)發(fā)射層370，并且在有機(jī)發(fā)射層370上形成公共電極270。以此方式，形成包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和公共電極270的有機(jī)發(fā)光二極管70。
[0085]這里，像素電極191是陽(yáng)極，陽(yáng)極是空穴注入電極，并且公共電極270是陰極，陰極是電子注入電極。本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，并且根據(jù)OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，像素電極191可以是陰極，而公共電極270可以是陽(yáng)極?？昭ê碗娮訌南袼仉姌O191和公共電極270注入有機(jī)發(fā)射層370中，并且當(dāng)由于注入有機(jī)發(fā)射層370中的空穴和電子結(jié)合而形成的激子從激發(fā)態(tài)變化到基態(tài)時(shí)，有機(jī)發(fā)射層370發(fā)光。
[0086]有機(jī)發(fā)射層370由低分子有機(jī)材料或諸如聚-3，4-乙撐-二氧噻吩(PEDOT)的高分子有機(jī)材料形成。此外，有機(jī)發(fā)射層370可以由包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中至少一層的多層形成。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層370包括所有上面提到的層時(shí)，在是空穴注入電極的像素電極191上布置空穴注入層(HIL)，并且在空穴注入層(HIL)上順序分層放置空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。由于公共電極270由反射導(dǎo)電材料形成，所以O(shè)LED顯示器被形成為底部發(fā)射型OLED顯示器。反射材料可以包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(Lif/Ca)、氟化鋰/鋁(Lif/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)和金(Au)。
[0087]在一些實(shí)施例中，掃描線的一部分由升壓電容器Cb的第二升壓電容器板129形成。在其它實(shí)施例中，附加的升壓連接線可以連接到第二升壓電容器板129，以使掃描線所引起的寄生電容減到最小。
[0088]接下來(lái)，將結(jié)合圖5和圖6描述另一實(shí)施例。
[0089]圖5是根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的布局圖，并且圖6是沿線V1-VI截取的圖5所示有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的剖視圖。
[0090]除連接到第二升壓電容器板的附加升壓連接線以外，圖5和圖6所示的實(shí)施例與圖1到圖4所示的實(shí)施例基本相同，因此省略共同的描述。
[0091]如圖5和圖6所示，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中，升壓電容器Cb的第一升壓電容器板133是從第一存儲(chǔ)電容器板132延伸出的延伸部，并且第二升壓電容器板129連接到與驅(qū)動(dòng)電壓線172形成在同一層上的升壓連接線71。
[0092]升壓連接線71通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔69連接到第二升壓電容器板129，并且升壓連接線71與掃描線121平行地形成。
[0093]數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172在與升壓連接線71重疊的部分處分別被分割開。數(shù)據(jù)線171的末端通過(guò)與掃描線121形成在同一層上的數(shù)據(jù)連接器21彼此連接，并且驅(qū)動(dòng)電壓線172的末端通過(guò)與掃描線121形成在同一層上的驅(qū)動(dòng)電壓連接器22彼此連接。
[0094]數(shù)據(jù)線171被分割開的末端通過(guò)層間絕緣層160的接觸孔211和212連接到數(shù)據(jù)連接器21，并且驅(qū)動(dòng)電壓線172被分割開的末端通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔221和222連接到驅(qū)動(dòng)電壓連接器22。
[0095]驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a通過(guò)存儲(chǔ)連接器72、73和24連接到第一存儲(chǔ)電容器板 132。
[0096]存儲(chǔ)連接器72、24和73包括通過(guò)形成在層間絕緣層160和柵絕緣層140中的接觸孔721連接到第一存儲(chǔ)電容器板132的第一水平存儲(chǔ)連接器72，通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔722連接到第一水平存儲(chǔ)連接器72的豎直存儲(chǔ)連接器24，以及通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔732連接到豎直存儲(chǔ)連接器24的第二水平存儲(chǔ)連接器73。
[0097]第二水平存儲(chǔ)連接器73通過(guò)形成在層間絕緣層160中的接觸孔731連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a。
[0098]第一水平存儲(chǔ)連接器72和第二水平存儲(chǔ)連接器73與數(shù)據(jù)線171形成在同一層上，并且豎直存儲(chǔ)連接器24與掃描線121形成在同一層上。
[0099]如上面描述的，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的一些實(shí)施例中，升壓連接線71獨(dú)立地連接到第二升壓電容器板129，使得由掃描線121引起的寄生電容可以減到最小。升壓連接線71與數(shù)據(jù)線171形成在同一層上，因而升壓連接線71和第一升壓連接器板133之間的間隔增大，使得由升壓連接線71和第一升壓電容器板133的重疊引起的寄生電容可以減到最小。因此，即便制造工藝分布在豎直方向和水平方向上移動(dòng)了第二升壓電容器板，升壓電容的變化率也可以減到最小。
[0100]盡管已結(jié)合某些實(shí)施例描述了本公開內(nèi)容，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的多種修改和等同布置。
[0101]符號(hào)說(shuō)明
[0102]110:襯底121:掃描線
[0103]127:第二存儲(chǔ)電容器板 129:第二升壓電容器板
[0104]132:第一存儲(chǔ)電 容器板 133:第一升壓電容器板。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括: 襯底； 形成在所述襯底上且施加掃描信號(hào)的掃描線； 與所述掃描線交叉且分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線； 連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管； 連接到所述開關(guān)薄膜晶體管的開關(guān)漏電極和所述驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)漏電極的有機(jī)發(fā)光二極管； 連接在所述驅(qū)動(dòng)電壓線和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間的存儲(chǔ)電容器；以及包括第一升壓電容器板和第二升壓電容器板的升壓電容器，所述第一升壓電容器板連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，所述第二升壓電容器板與所述第一升壓電容器板重疊并且連接到所述掃描線， 其中所述升壓電容器的所述第一升壓電容器板的面積大于所述第二升壓電容器板的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括形成在所述襯底上且施加相鄰掃描信號(hào)的相鄰掃描線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述存儲(chǔ)電容器包括: 與所述第一升壓電容器板形成在同一層上的第一存儲(chǔ)電容器板；以及` 與所述第一存儲(chǔ)電容器板重疊且連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓線的第二存儲(chǔ)電容器板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第一升壓電容器板與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層形成在同一層上，并且 所述第二升壓電容器板與所述掃描線形成在同一層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第一升壓電容器板是從所述第一存儲(chǔ)電容器板延伸的延伸部，并且 所述第二升壓電容器板是從所述掃描線突出的突出部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第一升壓電容器板具有錘形，并且所述第一升壓電容器板包括平行于所述驅(qū)動(dòng)電壓線的柄部和形成在所述柄部的末端處的頭部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第二升壓電容器板的所述突出部從所述掃描線向上且向下突出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第二升壓電容器板的所述突出部被放置成與所述第一升壓電容器板的所述頭部的內(nèi)部完全重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第一升壓電容器板的所述頭部的豎直外側(cè)線和所述第二升壓電容器板的所述突出部的豎直外側(cè)線之間的水平間隔在1.2μπι到2μπι的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第一升壓電容器板的所述頭部的水平外側(cè)線和所述第二升壓電容器板的所述突出部的水平外側(cè)線之間的豎直間隔在1.2μπι到2μπι的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一升壓電容器板是從所述第一存儲(chǔ)電容器板延伸的延伸部，并且所述第二升壓電容器板連接到與所述驅(qū)動(dòng)電壓線形成在同一層上的升壓連接線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括: 形成在所述第一升壓電容器板上的柵絕緣層；以及 形成在所述柵絕緣層上的覆蓋所述第二升壓電容器板的層間絕緣層， 其中所述升壓連接線通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述第二升壓電容器板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述升壓連接線平行于所述掃描線。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線在與所述升壓連接線重疊的部分處分別被分割開； 所述數(shù)據(jù)線的末端通過(guò)數(shù)據(jù)連接器彼此連接；并且 所述驅(qū)動(dòng)電壓線的末端通過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓連接器彼此連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O通過(guò)存儲(chǔ)連接器連接到所述第一存儲(chǔ)電容器板。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述存儲(chǔ)連接器包括: 通過(guò)形成在所述層間絕緣層 和所述柵絕緣層中的接觸孔連接到所述第一存儲(chǔ)電容器板的第一水平存儲(chǔ)連接器； 通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述第一水平存儲(chǔ)連接器的豎直存儲(chǔ)連接器；以及 通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述豎直存儲(chǔ)連接器的第二水平存儲(chǔ)連接器。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第二水平存儲(chǔ)連接器通過(guò)形成在所述層間絕緣層中的接觸孔連接到所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103489889SQ201310059444
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
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