一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成。本發(fā)明消除玻璃與陽極之間的全反射，使更多的光入射到基板中，散射層可有效避免光從側(cè)面發(fā)射所引起的損失，可有效提高器件的發(fā)光效率；摻雜層同時起到陽極和空穴注入層的作用；緩沖層避免了摻雜層中的金屬滲透到有機層中，同時緩沖層具有一定的空穴注入效果，進(jìn)一步提高空穴注入能力。本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件避免了全反射現(xiàn)象的發(fā)生，提高了發(fā)光效率。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(OLED)。IOV下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W，壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以陽極玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會先經(jīng)過陽極導(dǎo)電材料的吸收反射，再進(jìn)行一次玻璃的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，但是玻璃和陽極界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8)，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，避免全反射現(xiàn)象，有效提高發(fā)光射率，同時，提高了器件的空穴注入能力；本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，所述散射層的材質(zhì)為二氧化鈦(TiO2),所述摻雜層材質(zhì)為二氧化鐠(PrO2)、三氧化二鐠(Pr203)、氧化衫(Sm2O3)和三氧化鐿(Yb2O3)中的一種與銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)和金(Au)中的一種按質(zhì)量比為0.05?0.3:1的比例形成的混合材料，所述緩沖層的材質(zhì)為二氧化鐠(PrO2)、三氧化二鐠(Pr2O3)、氧化衫(Sm2O3)和三氧化鐿(Yb2O3)。
[0007]優(yōu)選地，所述散射層厚度為50?500nm。
[0008]優(yōu)選地，所述摻雜層厚度為10?50nm。
[0009]優(yōu)選地，所述緩沖層厚度為I?10nm。
[0010]優(yōu)選地，所述二氧化鈦為市售二氧化鈦，粒徑為20?200nm。
[0011]優(yōu)選地，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%。
[0012]更優(yōu)選地，所述玻璃基底選自牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率為1.8?1.9。
[0013]本發(fā)明采用折射率為為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，可以消除玻璃與陽極之間的全反射，使更多的光入射到基板中；所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，散射層對光有散射作用，使側(cè)向發(fā)射的光散射到器件中間，有效避免光從側(cè)面發(fā)射所引起的損失，而摻雜層由金屬與高功函數(shù)的材料(功函數(shù)為-7.2eV~-6.5eV)摻雜組成，同時起到了陽極和空穴注入層的作用，提高空穴注入能力，緩沖層避免了摻雜層中的金屬滲透到有機層中，破壞有機層，同時，緩沖層也具有一定的空穴注入效果，進(jìn)一步提高空穴注入能力，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件可有效提高器件的發(fā)光效率和空穴注入能力。
[0014]優(yōu)選地,所述空穴傳輸層材質(zhì)為1，1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’- (1-萘基)_N，N’- 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20~60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，厚度為30nm。
[0015]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5~40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0016]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40~250nm,更優(yōu)選地,所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為80nm。
[0017]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，厚度為0.5~10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度為lnm。
[0018]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，厚度為80~250nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Al，厚度為150nm。
[0019]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0020]提供相應(yīng)的玻璃基底，清洗后干燥；
[0021]在玻璃基底出光面上制備陽極層，所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，具體制備方法為:首先在玻璃基底出光面上采用電子束蒸鍍的方法制備所述散射層，所述散射層的材質(zhì)為二氧化鈦(TiO2),所述電子束蒸鍍的能量密度為1(T100W/Cm2 ；然后在散射層上采用熱阻蒸鍍法依次制備所述摻雜層和緩沖層；其中，所述摻雜層材質(zhì)為二氧化鐠(PrO2)、三氧化二鐠(Pr2O3)、氧化衫(Sm2O3)和三氧化鐿(Yb2O3)中的一種與銀(Ag)、鋁(Al) j^(Pt)和金(Au)中的一種按質(zhì)量比為0.05~0.3:1的比例形成的混合材料，所述緩沖層的材質(zhì)為二氧化鐠(Pr02)、三氧化二鐠(Pr203)、氧化釤(Sm2O3)或三氧化鐿(Yb2O3);所述摻雜層和緩沖層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5 X l(T5~2X10-3Pa，蒸鍍速率為I~IOnm/s ;
[0022]在緩沖層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0023]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5X10_5~2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述蒸鍍陰極時的蒸鍍壓強為5父1(^~2\10，&，蒸鍍速率為I~10nm/s。
[0024]優(yōu)選地，所述散射層厚度為50~500nm。[0025]優(yōu)選地，所述摻雜層厚度為10?50nm。
[0026]優(yōu)選地，所述緩沖層厚度為I?10nm。
[0027]優(yōu)選地，所述二氧化鈦為市售二氧化鈦，粒徑為20?200nm。
[0028]優(yōu)選地，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%。
[0029]更優(yōu)選地，所述玻璃基底選自牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率為1.8?1.9。
[0030]優(yōu)選地，所述清洗后干燥為將玻璃基板依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0031]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC、TCTA或NPB，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，厚度為30nm。
[0032]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0033]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為BpheruTAZ或TPBI，厚度為40?250nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為80nm。
[0034]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為Cs2C03、CsF、CsN3*LiF，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF,厚度為lnm。
[0035]優(yōu)選地，所述陰極為Ag、Al、Pt或Au,厚度為80?250nm,更優(yōu)選地,所述陰極為Al，厚度為150nm。
[0036]本發(fā)明采用折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，可以消除玻璃與陽極之間的全反射，使更多的光入射到基板中。所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，散射層對光有散射作用，使側(cè)向發(fā)射的光散射到器件中間，有效避免光從側(cè)面發(fā)射所引起的損失，而摻雜層由金屬與高功函數(shù)(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV)的材料摻雜組成，同時起到陽極和空穴注入層的作用，提高空穴注入能力，緩沖層避免了摻雜層中的金屬滲透到有機層中，破壞有機層，同時，緩沖層也具有一定的空穴注入效果，進(jìn)一步提高空穴注入能力，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件可有效提高器件的發(fā)光效率和空穴注入能力。
[0037]實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果:
[0038]本發(fā)明消除玻璃與陽極之間的全反射，使更多的光入射到基板中，散射層可有效避免光從側(cè)面發(fā)射所引起的損失，可有效提高器件的發(fā)光效率；摻雜層同時具有陽極和空穴注入的效果，緩沖層避免了摻雜層中的金屬滲透到有機層中，同時緩沖層具有一定的注入效果，進(jìn)一步提聞空穴注入能力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖?！揪唧w實施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0043]實施例1
[0044]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0045](I)選用牌號為N-LASF44的玻璃(折射率為1.8，在400nm的光透過率為96%)作為玻璃基底1，將玻璃基底I依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0046](2)在玻璃基底出光面上制備陽極層2，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底I出光面上制備散射層21，散射層21材質(zhì)為TiO2, TiO2粒徑為20nm，散射層21厚度為300nm，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2，然后在散射層21上采用熱阻蒸鍍法依次制備摻雜層22和緩沖層23，其中，摻雜層22材質(zhì)為Ag和Pr2O3以質(zhì)量比為0.1:1形成的混合材料(表示為Ag = Pr2O3)，摻雜層22厚度為25nm，緩沖層23材質(zhì)為Pr2O3,厚度為2nm，摻雜層22和緩沖層23蒸鍍壓強均為8X 10_4Pa，蒸鍍速率均為2nm/s。
[0047](3)在陽極上依次蒸鍍制備空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極7，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0048]空穴傳輸層3材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強為8X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為30nm ；
[0049]發(fā)光層4材質(zhì)為Alq3，蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，蒸鍍厚度為20nm ；
[0050]電子傳輸層5的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為80nm ；
[0051]電子注入層6的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強為8X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，蒸鍍厚度為Inm ；
[0052]陰極7的材質(zhì)為Ag，蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為2nm/s，蒸鍍厚度為 150nm。
[0053]圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底1、陽極層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極7，陽極層2包括依次層疊的散射層21、摻雜層22和緩沖層23組成。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0054]玻璃基底/Ti02/Ag:Pr203/Pr203/NPB/Alq3/TPBi/CsF/Ag。
[0055]實施例2
[0056]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0057](I)選用牌號為N-LAF36的玻璃(折射率為1.8，在400nm的光透過率為95%)作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0058](2)在玻璃基底出光面上制備陽極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備散射層，散射層材質(zhì)為TiO2, TiO2粒徑為200nm，散射層厚度為500nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，然后在散射層上采用熱阻蒸鍍法依次制備摻雜層和緩沖層，其中，摻雜層材質(zhì)為Pt和PrO2以質(zhì)量比為0.05:1形成的混合材料(表示為Pt:Pr02)，摻雜層厚度為10nm，緩沖層材質(zhì)為Yb2O3，厚度為lnm，摻雜層和緩沖層蒸鍍壓強均為2X10_3Pa，蒸鍍速率均為10nm/s。
[0059]( 3 )在陽極上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0060]空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為45nm ；
[0061]發(fā)光層材質(zhì)為ADN，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為 8nm ；
[0062]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為65nm ；
[0063]電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0064]陰極的材質(zhì)為Pt，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，蒸鍍厚度為 80nm。
[0065]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽極層包括依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0066]玻璃基底/Ti02/Pt: Pr02/Yb203/TCTA/ADN/TAZ/Cs2C03/Pt。
[0067]實施例3
[0068]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0069](I)選用牌號為N-LASF31A (折射率為1.9，在400nm的光透過率為92%)的玻璃作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0070](2)在玻璃基底出光面上制備陽極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備散射層，散射層材質(zhì)為TiO2, TiO2粒徑為lOOnm，散射層厚度為50nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，然后在散射層上采用熱阻蒸鍍法依次制備摻雜層和緩沖層，其中，摻雜層材質(zhì)為Al和Yb2O3以質(zhì)量比為0.3:1形成的混合材料(表示為Al:Yb2O3),摻雜層厚度為50nm，緩沖層材質(zhì)為PrO2,厚度為10nm，摻雜層和緩沖層蒸鍍壓強均為5 X W5Pa,蒸鍍速率均為lnm/s。
[0071](3)在陽極上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0072]空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，蒸鍍時采用的壓強為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為60nm ；
[0073]發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB，蒸鍍時采用的壓強為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0074]電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,蒸鍍時采用的壓強為5X 10_5Pa,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為200nm ；[0075]電子注入層的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強為5 X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s,蒸鍍厚度為0.5nm ；
[0076]陰極的材質(zhì)為Al，蒸鍍時采用的壓強為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為lOOnm。
[0077]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽極層包括依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0078]玻璃基底/Ti02/Al: Yb203/Pr02/TAPC/DCJTB/Bphen/LiF/Al。
[0079]實施例4
[0080]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0081](I)選用牌號為N-LASF41的玻璃(折射率為1.83，在400nm的光透過率為90%)作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0082](2)在玻璃基底出光面上制備陽極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備散射層，散射層材質(zhì)為TiO2, TiO2粒徑為50nm，散射層厚度為150nm，電子束蒸鍍的能量密度為80W/cm2，然后在散射層上采用熱阻蒸鍍法依次制備摻雜層和緩沖層，其中，摻雜層材質(zhì)為Au和Sm2O3以質(zhì)量比為0.1:1形成的混合材料(表示為Au:Sm2O3),摻雜層厚度為30nm，緩沖層材質(zhì)為Sm2O3，厚度為5nm，摻雜層和緩沖層蒸鍍壓強均為2X10_4Pa，蒸鍍速率均為6nm/s。
[0083]( 3 )在陽極上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0084]空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為60nm ；
[0085]發(fā)光層材質(zhì)為BCzVBi，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s，蒸鍍厚度為40nm ；
[0086]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為2X10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為35nm ；
[0087]電子注入層的材質(zhì)為CsN3，蒸鍍時采用的壓強為2X10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為3nm ；
[0088]陰極的材質(zhì)為Au，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為250nmo
[0089]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽極層包括依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0090]玻璃基底/Ti02/Au:Sm203/Sm203/NPB/BCzVBi/TAZ/CsN3/Au。
[0091]對比實施例
[0092]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例與實施例1的區(qū)別在于對比實施例中的陽極為銦錫氧化物玻璃(IT0)，厚度為120nm，空穴注入材料為三氧化鑰(MnO3),厚度為40nm，對比實施例有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:玻璃基底/IT0/Mn03/NPB/Alq3/TPBI/CsF/Ag,分別對應(yīng)玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0093]效果實施例
[0094]采用光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)Ocean Optics公司，型號:USB4000)，電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色度計(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號:CS_100A)測試有機電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件。測試結(jié)果如圖2所示。圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的流明效率與亮度的關(guān)系圖。
[0095]從圖2可以看出，從2V起，隨著亮度的提高，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的最大流明效率為3.61m/ff,而對比例的僅為2.61m/ff,而且對比例的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明通過采用折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，在玻璃基底上制備陽極層，消除玻璃與陽極之間的全反射，陽極層中的散射層對光有散射作用，使側(cè)向發(fā)射的光散射到器件中間，有效避免光從側(cè)面發(fā)射所引起的損失，摻雜層同時起到陽極和空穴注入層的作用，緩沖層可進(jìn)一步提聞空穴注入能力，本發(fā)明陽極可有效提聞器件的發(fā)光效率。
[0096]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，所述散射層的材質(zhì)為二氧化鈦，所述摻雜層材質(zhì)為二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤和三氧化鐿中的一種與銀、鋁、鉬和金中的一種按質(zhì)量比為0.05?0.3:1的比例形成的混合材料，所述緩沖層材質(zhì)為二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過率為90%?96%。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層厚度為50?500nmo
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層厚度為10?50nmo
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖層厚度為I?10nm。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 提供相應(yīng)的玻璃基底，清洗后干燥； 在玻璃基底出光面上制備陽極層，所述陽極層由依次層疊的散射層、摻雜層和緩沖層組成，具體制備方法為:首先在玻璃基底出光面上采用電子束蒸鍍的方法制備所述散射層，所述散射層的材質(zhì)為二氧化鈦，所述電子束蒸鍍的能量密度為l(Tl00W/cm2，然后在散射層上采用熱阻蒸鍍法依次制備所述摻雜層和緩沖層；其中，所述摻雜層材質(zhì)為二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤和三氧化鐿中的一種與銀、鋁、鉬和金中的一種按質(zhì)量比為0.05?0.3:1的比例形成的混合材料，所述緩沖層的材質(zhì)為二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿；所述摻雜層和緩沖層蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5X10_5?2X10_3Pa，蒸鍍速率為f 10nm/S ； 在緩沖層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述散射層厚度為 50 ?500nm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜層厚度為 10 ?50nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述緩沖層厚度為I?IOnm0
10.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦粒徑為20?200nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104009174SQ201310059128
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司