發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光裝置，其包含第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層、位于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層之上的第一中間層與位于第一中間層之上的第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層。第一中間層包含第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層以及中間區(qū)。中間區(qū)包含一不連續(xù)結(jié)構(gòu)，位于該第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間。
【專利說(shuō)明】發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，尤其是涉及一種由中間層連接多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體疊層的發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]用于固態(tài)照明裝置的發(fā)光二極管(light-emitting diode ;LED)具有耗能低、低發(fā)熱、操作壽命長(zhǎng)、防震、體積小、反應(yīng)速度快以及輸出的光波長(zhǎng)穩(wěn)定等良好光電特性，因此發(fā)光二極管被廣泛地應(yīng)用于各種照明用途上。
[0003]雖然發(fā)光二極管有上述的優(yōu)點(diǎn)，但是受限于亮度相較傳統(tǒng)白熾燈具為低的缺點(diǎn)，在需要足夠亮度的照明時(shí)往往需要提供較大的電流或者選用較多的發(fā)光二極管來(lái)滿足需要的發(fā)光亮度。若使用較大的電流無(wú)法發(fā)揮發(fā)光二極管低耗能的優(yōu)點(diǎn)，而增加數(shù)量彌補(bǔ)亮度不足的方式不僅占據(jù)過(guò)多面積，也消耗更多的能量。在此情況下，若要使發(fā)光二極管于日常生活的使用上更為普及，需要許多提升發(fā)光二極管亮度的研究，改變材料或者是發(fā)光二極管內(nèi)的外延結(jié)構(gòu)等方式。
[0004]前述的發(fā)光二極管可以與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置，在發(fā)光裝置內(nèi)的元件包含了具有電路的次載體、結(jié)合發(fā)光二極管于次載體上并使發(fā)光二極管的基板與次載體上的電路電連接的焊料，以及電連接發(fā)光二極管的電極與次載體電路的電連接結(jié)構(gòu)。其中，上述的次載體可以是導(dǎo)線架或大尺寸鑲嵌基底，以方便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其發(fā)光二極管的散熱效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，其包含一第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層、一第一中間層位于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層之上，以及一第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層位于第一中間層之上。第一中間層包含第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層以及第一中間區(qū)，其中第一中間區(qū)包含有不連續(xù)結(jié)構(gòu)位于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1揭示本發(fā)明的發(fā)光二極管疊層的第一實(shí)施例；
[0007]圖2揭示本發(fā)明中中間區(qū)的示意圖；
[0008]圖3揭示本發(fā)明中中間層對(duì)發(fā)光裝置的操作電壓與操作電流的影響示意圖；
[0009]圖4揭示本發(fā)明所的發(fā)光二極管疊層的第二實(shí)施例；
[0010]圖5揭示本發(fā)明所的發(fā)光二極管疊層的第一實(shí)施例中發(fā)光半導(dǎo)體疊層的示意圖；
[0011]圖6A?圖6D揭示本發(fā)明所的發(fā)光二極管疊層的第三實(shí)施例的制作流程示意圖。
[0012]主要元件符號(hào)說(shuō)明
[0013]100、200、300、400:發(fā)光裝置
[0014]2:第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層[0015]4:第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層
[0016]6:第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層
[0017]8:基板
[0018]12:中間層
[0019]14:第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0020]16:中間區(qū)
[0021]18:第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0022]22:第一中間層
[0023]24:第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0024]26:第一中間區(qū)
[0025]28:第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0026]32:第二中間層
[0027]34:第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0028]36:第二中間區(qū)
[0029]38:第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0030]202:第五導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0031]204:發(fā)光層
[0032]206:第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0033]402:第七導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
[0034]404:發(fā)光層
[0035]406:第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層
【具體實(shí)施方式】
[0036]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光裝置100的剖視圖，發(fā)光裝置100包含有第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2、中間層12與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4，其中第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4所發(fā)出的波長(zhǎng)彼此可大致相同或彼此相異。中間層12還包含有第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14、中間區(qū)16與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18，中間區(qū)16位于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18之間。在本實(shí)施例中，中間層12內(nèi)的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18其電性與材料不相同。第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18的組成材料包含II1-V族元素，例如第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14是AlGaAs，而第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18則是InGaP或GaAs。
[0037]如圖1所示，從剖視圖可以看出中間區(qū)16由多個(gè)不連續(xù)并且不規(guī)則散布在第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18之上的結(jié)構(gòu)組成。圖2顯示中間區(qū)16并未完全覆蓋第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18，而是僅覆蓋部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18，因此第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18會(huì)通過(guò)未被中間區(qū)16覆蓋的部分相連。由于第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18的電性相異，因此兩個(gè)半導(dǎo)體層相連的區(qū)域會(huì)出現(xiàn)電子與空穴結(jié)合的情況，形成空間電荷區(qū)(space charge region),所形成的電場(chǎng)使得流經(jīng)中間層12的電子受電場(chǎng)影響而加速通過(guò)，等于增加了單位時(shí)間通過(guò)的電流量。
[0038]在本實(shí)施例中，中間區(qū)16中不連續(xù)且不規(guī)則散布的結(jié)構(gòu)例如為量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，亦即在中間區(qū)16的范圍內(nèi)三維方向上兩個(gè)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)之間為不連續(xù)，并且量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)有機(jī)金屬氣相法(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、液相外延法(LPE)以及氣相外延法(VPE)等方法形成在第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18之上。量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子在三個(gè)維度方向上的運(yùn)動(dòng)受到所處結(jié)構(gòu)尺寸的局限，因此有明顯的量子局限效應(yīng)(quantum confinementeffect)。依照電子的自由移動(dòng)程度來(lái)分類，當(dāng)電子所在的物體結(jié)構(gòu)尺寸逐漸縮減時(shí)，電子的移動(dòng)會(huì)進(jìn)一步被限制在結(jié)構(gòu)內(nèi)，當(dāng)三個(gè)維度都不能自由移動(dòng)時(shí)，這個(gè)物體結(jié)構(gòu)就被稱作是量子點(diǎn)(quantum dot)結(jié)構(gòu)。如果從尺寸上粗略的來(lái)分類，當(dāng)物體結(jié)構(gòu)在三個(gè)維度的尺寸都在IOOnm之下，便可以將這個(gè)物體結(jié)構(gòu)視為實(shí)質(zhì)上的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，因此中間區(qū)16所包含的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)在三維上的尺寸便至少在IOOnm以下。而更深入的分類則是要考慮材料內(nèi)的電子具有的費(fèi)米波長(zhǎng)(Fermi wavelength, λ F),當(dāng)物體結(jié)構(gòu)在三個(gè)維度上的尺寸都在一個(gè)費(fèi)米波長(zhǎng)以下時(shí)這個(gè)物體便被稱作是量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。但是費(fèi)米波長(zhǎng)會(huì)隨著材料的不同而改變，例如GaAs的費(fèi)米波長(zhǎng)是40nm以及Al的費(fèi)米波長(zhǎng)是0.36nm。在這個(gè)條件下，以本發(fā)明的實(shí)施例中用硅作為量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的材料為例，由于硅的費(fèi)米波長(zhǎng)是4.9nm，中間區(qū)16所包含的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)在三維上的尺寸便不大于4.9nm。
[0039]在本發(fā)明的實(shí)施例中，是通過(guò)中間層12連接第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4，而由于中間層12包含了具有量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的中間區(qū)16，使得電流在經(jīng)過(guò)第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18時(shí)不僅受到空間電荷區(qū)的電場(chǎng)影響，更受到量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的影響而增加了電子經(jīng)過(guò)中間層12發(fā)生穿隧效應(yīng)的機(jī)會(huì)，讓更多電子通過(guò)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的穿隧效應(yīng)從一發(fā)光半導(dǎo)體疊層流向另一發(fā)光半導(dǎo)體疊層，亦即增加單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)中間層12的電子密度，等同于增加穿過(guò)中間層12的電流量，因此能改善發(fā)光裝置100的發(fā)光效率。
[0040]圖3是公開(kāi)本發(fā)明實(shí)施例中，中間層12對(duì)發(fā)光裝置100的操作電流與操作電壓的影響。曲線L2為發(fā)光裝置100不具有中間層12時(shí)的操作電流與操作電壓關(guān)系曲線；曲線LI為發(fā)光裝置100具有中間層12時(shí)的操作電流與操作電壓關(guān)系曲線。當(dāng)發(fā)光裝置100操作在電流Il下，具有中間層12的曲線LI的斜率SI較曲線L2的斜率S2大，表示曲線LI只要通入較低的操作電壓時(shí)便可以獲得較大的電流，并且當(dāng)操作電流或操作電壓越大時(shí)，曲線LI與L2相對(duì)應(yīng)的操作電壓或操作電流差異也越大，表示發(fā)光裝置100通過(guò)在三維方向上尺寸都受限的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的中間層12，可以使得發(fā)光裝置100具有較大的穿隧電流并減少了串聯(lián)電阻。
[0041]在本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光裝置100中，以第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4相對(duì)于中間層12的一側(cè)作為出光面,為了提升發(fā)光效率，還可以在第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2相對(duì)于中間層12的一側(cè)形成反射層(未繪示于圖中)，反射層可以為金屬反射層或分布式布拉格反射層(DBR, distributed Bragg ref lector),可將光線從第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2往第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4的方向反射。并且，也可以在第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4出光面的一側(cè)設(shè)置透明導(dǎo)電層作為窗戶層(window layer)(未繪示于圖中)，通過(guò)窗戶層增加出光面方向的出光，其中窗戶層的材料可以是導(dǎo)電性材料，例如銦錫氧化物(ITO)。當(dāng)窗戶層為導(dǎo)電性材料時(shí)，可以選擇性地直接在窗戶層上形成電極層或者于電極層與窗戶層之間形成接觸層，以形成良好的歐姆接觸，減少電極層與窗戶層之間的電阻。
[0042]圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光裝置200的剖視圖，發(fā)光裝置200包含有第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2、第一中間層22、第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4、第二中間層32與第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層6，其中第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2、第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4與的三發(fā)光半導(dǎo)體疊層6所發(fā)出的波長(zhǎng)彼此可大致相同或彼此相異。其中第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層6是位于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第一中間層22之間，而第一中間層22包含有第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層28以及位于兩個(gè)導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間的第一中間區(qū)26。第二中間層32位于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層6之間，包含有第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層34、第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層38以及位于兩個(gè)導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間的第二中間區(qū)36。其中第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層34與第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層38包含II1-V族元素，例如第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層34是AlGaAs，而第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層36則是InGaP或GaAs。如圖4所示,第一中間層22內(nèi)的第一中間區(qū)26與第二中間層32內(nèi)的第二中間區(qū)36各具有一不連續(xù)結(jié)構(gòu)，例如為量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
[0043]本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光裝置100中的第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4更詳細(xì)如圖5所示，第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2包含有第五導(dǎo)電性半導(dǎo)體層202、發(fā)光層204與第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206，而第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4包含有第七導(dǎo)電性半導(dǎo)體層402、發(fā)光層404與第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層406。在本實(shí)施例中，第五導(dǎo)電性半導(dǎo)體層202與第七導(dǎo)電性半導(dǎo)體層402為η型半導(dǎo)體層，而第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206與第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層406為P型半導(dǎo)體層。中間層12內(nèi)的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14為η型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18為η型半導(dǎo) 體層，使得中間層12內(nèi)的導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與相鄰的發(fā)光半導(dǎo)體疊層內(nèi)的導(dǎo)電性半導(dǎo)體層具有同樣的電性。在本實(shí)施例中，中間層12內(nèi)的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14可以是η型AlGaAs,而第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18可以是ρ型InGaP或ρ型GaAs。通過(guò)本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施例，在原本只能放置一個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體疊層的表面積上，可以設(shè)置兩個(gè)或者以上的發(fā)光半導(dǎo)體疊層，以增加單位面積發(fā)光量。如前所述，當(dāng)兩個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體疊層各自發(fā)出落于相同色的可見(jiàn)光范圍內(nèi)的可見(jiàn)光時(shí)，可以在相同的(底)面積下提供較多的發(fā)光量，對(duì)于照明用途有相當(dāng)?shù)闹?。而?dāng)?shù)谝话l(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4設(shè)計(jì)為發(fā)出不同顏色的可見(jiàn)光時(shí)，可以通過(guò)混合兩種不同顏色的可見(jiàn)光發(fā)出需要的光，例如發(fā)出紅色光的第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與發(fā)出藍(lán)色光的第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4可以混出紫色的光。還可以通過(guò)加入熒光粉等波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，將第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4發(fā)出的藍(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光，而轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的黃色光與原本的藍(lán)色光以及紅色光混色之后，可形成暖白色光。其中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以是覆蓋在發(fā)光半導(dǎo)體疊層之上，或者是散布在封存著第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4的封裝體內(nèi)。
[0044]圖6A~圖6D本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光裝置300制作流程的示意圖，如圖6A所示，先提供一個(gè)基板8，其中基板8的材質(zhì)可包含但不限于金屬基板，例如Ge、金屬化合物基板，例如包含但不限于有Ga、As、S1、C、P、Al、N、?、Zn、O、Li等元素或者這些元素的組合但不限于這些元素。基板8可以是導(dǎo)電基板或絕緣性基板，其中的導(dǎo)電基板可以是金屬基板，例如包含有鋁或是硅的基板；而絕緣基板可以是藍(lán)寶石(Sapphire)基板或者是兼具導(dǎo)熱與絕緣的陶瓷基板。而當(dāng)基板8為導(dǎo)電性材料時(shí)還可以直接在基板8相對(duì)與成長(zhǎng)外延的一側(cè)形成電極層。接著在基板8上形成第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2，如圖6B所示，除了依序形成第五導(dǎo)電性半導(dǎo)體層202、發(fā)光層204與第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206之外，還可以選擇性的在第五導(dǎo)電性半導(dǎo)體層202與基板8之間形成反射層，將部分由發(fā)光層204往基板8前進(jìn)的光線往第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206的方向反射，或者是在形成第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206時(shí)于相對(duì)基板8的表面形成規(guī)律或不規(guī)律的粗糙表面，同樣可以達(dá)到增加出光的效果。接著在第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2之上形成中間層12，而中間層12包含有第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層14、中間區(qū)16與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層18，如圖6C所示。接著在中間層12上形成第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4，其中第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4包含有第七導(dǎo)電性半導(dǎo)體層402、發(fā)光層404與第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層406，再通過(guò)選擇性蝕刻的方式移除部分的中間層12與第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4，暴露出第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2的部分表面，如圖6D所示。其中第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層406的表面還可以通過(guò)蝕刻等方式制造出粗糙的表面或圖形化表面，又或者在形成第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4之前，先在中間層12之上形成一反光層(未繪示于圖中)，以達(dá)到增加出光的效果。
[0045]而為了前述的選擇性蝕刻以暴露部分的第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2的表面，也可以選擇性地于形成中間層12之前，在第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2上形成一蝕刻終止層(未繪示于圖中)，接著再于蝕刻終止層之上形成一個(gè)完整覆蓋第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2的中間層12。在完成中間層12以及第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4之后，再?gòu)牡诙l(fā)光半導(dǎo)體疊層4向下蝕刻第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層4與中間層12，直到暴露出位于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2上的一部分蝕刻終止層(未繪示于圖中)，如圖6D所示。
[0046]發(fā)光裝置400在第八導(dǎo)電性半導(dǎo)體層406上還包含電極層或者是接觸層與電極層的組合，以輸入操作電流。另外，可選擇性地在第六導(dǎo)電性半導(dǎo)體層206上形成電極層，同樣作為輸入操作電流用。當(dāng)基板8為導(dǎo)電性基板時(shí)，可以在基板8相對(duì)于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2的另一側(cè)形成電極層(未繪示于圖中)。當(dāng)基板8為絕緣性基板時(shí)，則是在移除基板8之后，再于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2另一側(cè)形成一導(dǎo)電基板(未繪不于圖中)，并在導(dǎo)電基板上相對(duì)于第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層2的另一側(cè)形成電極層。
[0047]上述實(shí)施例僅為例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍如所述的權(quán)利要求所列。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，包含: 第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層； 第一中間層，位于該第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層之上，該第一中間層包含第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層，其中該第一中間層具有第一中間區(qū)，該第一中間區(qū)包含一不連續(xù)結(jié)構(gòu)，位于該第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間；以及 第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層，位于該第一中間層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含II1-V族元素。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其中該第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含AlGaAs，以及該第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含InGaP或GaAs。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該第一中間區(qū)包含由硅組成的量子點(diǎn)層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包含第一電極層，電連接該第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層，以及第二電極層，電連接該第二發(fā)光半導(dǎo)體疊層。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包含第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層，位于該第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層與該第一中間層之間。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，還包含第二中間層，位于該第三發(fā)光半導(dǎo)體疊層與該第一發(fā)光半導(dǎo)體疊層之間。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中該第二中間層包含第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的第二中間區(qū)位于該第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與該第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層之間，其中該第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層與該第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含II1-V族元素。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中該第三導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含AlGaAs，以及該第四導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的材料包含InGaP與GaAs。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中該第二中間區(qū)包含由硅組成的量子點(diǎn)層。
【文檔編號(hào)】H01L33/04GK103985801SQ201310050101
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】吳健銘, 駱武聰, 李世昌 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司