高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，制造方法包括下列步驟：提供具有多個(gè)影像感測芯片的影像感測晶圓；進(jìn)行檢測并定義每一個(gè)影像感測芯片是否為優(yōu)良芯片；設(shè)置光學(xué)蓋體于定義為優(yōu)良芯片的影像感測芯片上，且光學(xué)蓋體正對感測區(qū)又不覆蓋導(dǎo)電接點(diǎn)；分割影像感測晶圓以得到獨(dú)立且覆蓋有光學(xué)蓋體的影像感測芯片；及設(shè)置經(jīng)分割的影像感測芯片的第一表面于陶瓷基板的底面。本發(fā)明可以在制造過程初期就將高解析相機(jī)模塊密封以提高高解析相機(jī)模塊的合格率，并有效的縮小高解析相機(jī)模塊的體積。
【專利說明】高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，特別是涉及一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]移動電話便于攜帶的特性提供了使用者更有效率且更便利的生活。同時(shí)，隨著科技的日新月異，移動電話被賦予了更多的功能，例如照相或攝影等。為了滿足用于移動電話的高解析相機(jī)模塊需具有輕薄短小的優(yōu)點(diǎn)并可大量制造的需求，因此必須有效地簡化制造流程以及縮小高解析相機(jī)模塊結(jié)構(gòu)的尺寸。
[0003]圖1為現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖2為現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法流程圖。如圖1及圖2所示，現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊10包括:陶瓷基板11、光學(xué)蓋體12、影像感測芯片13、封裝部14及多個(gè)被動元件15。上述的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法SlOO則包括:提供粘附有光學(xué)蓋體的陶瓷基板(步驟S10)；倒裝設(shè)置影像感測芯片于陶瓷基板(步驟S20);以及封裝影像感測芯片周邊(步驟S30)。
[0004]在步驟SlO中所提供的陶瓷基板11形成有中空部位且具有蓋體粘接面111及芯片粘接面112，而蓋體粘接面111及芯片粘接面112分別是陶瓷基板11的頂面與底面。光學(xué)蓋體12則是粘著于蓋體粘接面111上，且光學(xué)蓋體12可以為玻璃蓋體，其具有第三表面121及第四表面122，又第三表面121及第四表面122分別為光學(xué)蓋體12的上表面及下表面。其中，第四表面122的四周粘接于蓋體粘接面111上，以使得光學(xué)蓋體12覆蓋于陶瓷基板11的中空部位。
[0005]在步驟S20中，以倒裝的方式將影像感測芯片13的上表面四周與芯片粘接面112相接，同時(shí)將位于影像感測芯片13的上表面的感測區(qū)對準(zhǔn)陶瓷基板11的中空部位，以使得來自外部的光線可以順利穿透光學(xué)蓋體12并入射至感測區(qū)。影像感測芯片13與陶瓷基板11之間借由導(dǎo)電元件16電性連接，導(dǎo)電元件16可以為焊球。因此，影像感測芯片13與光學(xué)蓋體12及陶瓷基板11間會形成空腔17，且空腔17的高度至少大于陶瓷基板11的厚度。其中，影像感測芯片13可以為互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像感測芯片。
[0006]最后在步驟S30中，將影像感測芯片13周邊以及其與陶瓷基板11相接處以封裝膠體利用填膠方式(underfill)或點(diǎn)膠方式(dispensing)將空腔17密封以形成封裝部
14。另外，可以設(shè)置多個(gè)被動元件15于蓋體粘接面111上，被動元件15亦與陶瓷基板11借由導(dǎo)電元件16電性連接。
[0007]然而，此種制造方法及結(jié)構(gòu)會遇到以下的問題及限制。例如，影像感測芯片13的表面是在制造方法中較后期才由光學(xué)蓋體12蓋住并加以保護(hù)，因此在制造過程期間易因水氣或塵粒的引入而造成高缺陷率，進(jìn)而導(dǎo)致低生產(chǎn)率。另外，影像感測芯片13與光學(xué)蓋體12及陶瓷基板11形成的空腔17過大，除了導(dǎo)致相機(jī)模塊的體積無法有效縮小，還會影響溫度循環(huán)測試的穩(wěn)定度。
[0008]有鑒于上述現(xiàn)有的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法存在的缺陷，而提供一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)及制造方法，其中制造方法包括下列步驟:提供影像感測晶圓；進(jìn)行檢測；設(shè)置光學(xué)蓋體；分割影像感測晶圓；設(shè)置影像感測芯片于陶瓷基板；以及設(shè)置封裝部。本發(fā)明是要借由在制造過程初期就將高解析相機(jī)模塊密封達(dá)到提高高解析相機(jī)模塊的合格率，并縮小高解析相機(jī)模塊的體積，從而更加適于實(shí)用。
[0010]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法，其包括下列步驟:提供影像感測晶圓，影像感測晶圓包括多個(gè)影像感測芯片，每一個(gè)影像感測芯片包括第一表面，第一表面具有感測區(qū)及多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，所述導(dǎo)電接點(diǎn)環(huán)繞設(shè)置于感測區(qū)外圍；進(jìn)行檢測，其是檢測每一個(gè)影像感測芯片并定義影像感測芯片是否為優(yōu)良芯片；設(shè)置光學(xué)蓋體，其是將光學(xué)蓋體設(shè)置于定義為優(yōu)良芯片的影像感測芯片的第一表面上，使光學(xué)蓋體正對感測區(qū)且不覆蓋所述導(dǎo)電接點(diǎn)，又光學(xué)蓋體的表面大小小于影像感測芯片的表面大??；分割影像感測晶圓，以分別得到獨(dú)立且覆蓋有光學(xué)蓋體的影像感測芯片；設(shè)置影像感測芯片于陶瓷基板，陶瓷基板形成有中空部位，且具有底面及頂面，中空部位的水平范圍大于光學(xué)蓋體的表面大小，經(jīng)分割的影像感測芯片的第一表面是粘著設(shè)置于底面且正對中空部位，又影像感測芯片的所述導(dǎo)電接點(diǎn)與陶瓷基板電性連接；以及設(shè)置封裝部，其是使封裝部包覆影像感測芯片的周邊及影像感測芯片與陶瓷基板相連處。
[0011]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0012]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中設(shè)置該光學(xué)蓋體包括:提供粘著膠于該影像感測芯片子步驟，其是將該粘著膠涂覆于該第一表面上且位于該感測區(qū)與所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域；及設(shè)置該光學(xué)蓋體于該影像感測芯片上子步驟，使該光學(xué)蓋體借由該粘著膠固定于該影像感測芯片上。
[0013]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該粘著膠進(jìn)一步與球狀支撐件混合。
[0014]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該粘著膠是呈封閉式回路圖樣。
[0015]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中設(shè)置該光學(xué)蓋體包括:結(jié)合攔壩于該光學(xué)蓋體上子步驟，該攔壩為封閉式回路結(jié)構(gòu)，且結(jié)合于該光學(xué)蓋體的第三表面的周邊，該第三表面是面向該影像感測芯片；及設(shè)置該光學(xué)蓋體于該影像感測芯片上子步驟，其是借由粘著膠粘著該攔壩以使該光學(xué)蓋體固定于該影像感測芯片上，其中該粘著膠預(yù)先涂覆于該第一表面上且位于該感測區(qū)與所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域，并呈封閉式回路圖樣。
[0016]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該攔壩的上表面外側(cè)形成框形凸緣，使該框形凸緣結(jié)合于該光學(xué)蓋體的側(cè)邊，又該攔壩的內(nèi)側(cè)具有凹陷部，而該光學(xué)蓋體與該框形凸緣之間形成缺口。
[0017]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該粘著膠是呈C字形圖樣，該C字形圖樣具有缺口。
[0018]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該粘著膠是呈二個(gè)L字形圖樣，且所述L字形圖樣是相對設(shè)置，以形成在對角上具有二個(gè)缺口的口字形圖樣。
[0019]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其進(jìn)一步包括密封缺口步驟，其是以密封膠材密封該缺口。
[0020]前述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其中該攔壩的材料為玻璃、陶瓷、液晶聚合物、模制化合物、硅氧烷基聚合物、感光性干膜或焊料遮罩。
[0021]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其包括:陶瓷基板，其形成有中空部位，且具有頂面及底面；影像感測芯片，其包括第一表面，第一表面具有感測區(qū)及多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，所述導(dǎo)電接點(diǎn)環(huán)繞設(shè)置于感測區(qū)外圍，且第一表面設(shè)置于底面，使影像感測芯片借由所述導(dǎo)電接點(diǎn)與陶瓷基板電性連接；光學(xué)蓋體，其是借由粘著膠設(shè)置于第一表面上，粘著膠位于感測區(qū)及所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域，又光學(xué)蓋體小于影像感測芯片并正對感測區(qū)；以及封裝部，其是包覆影像感測芯片的周邊及影像感測芯片與陶瓷基板相連處。
[0022]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0023]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括多個(gè)被動元件，其設(shè)置于該頂面。
[0024]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該粘著膠進(jìn)一步與球狀支撐件混合。
[0025]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該粘著膠是呈封閉式回路圖樣。
[0026]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該光學(xué)蓋體進(jìn)一步包括攔壩，其為封閉式回路結(jié)構(gòu)，該攔壩位于該光學(xué)蓋體的第三表面的周邊，該第三表面是面向該影像感測芯片。
[0027]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該攔壩的上表面外側(cè)形成框形凸緣，該框形凸緣結(jié)合于該光學(xué)蓋體的側(cè)邊，又該攔壩的內(nèi)側(cè)具有凹陷部，而該光學(xué)蓋體與該框形凸緣之間形成缺口。
[0028]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該粘著膠是呈C字形圖樣，該C字形圖樣具有缺口。
[0029]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該粘著膠是呈二個(gè)L字形圖樣，且所述L字形圖樣是相對設(shè)置，以形成在對角上具有二個(gè)缺口的口字形圖樣。
[0030]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其中該攔壩的材料為玻璃、陶瓷、液晶聚合物、模制化合物、硅氧烷基聚合物、感光性干膜或焊料遮罩。
[0031]前述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括密封膠材，氣密填置于該缺口中。
[0032]借由本發(fā)明的上述技術(shù)方案，其至少可達(dá)到下列優(yōu)點(diǎn):
[0033]1、可以借由在制造過程初期就將高解析相機(jī)模塊密封以提高高解析相機(jī)模塊的合格率；及
[0034]2、可以有效的縮小高解析相機(jī)模塊的體積。
[0035]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】[0036]圖1為現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0037]圖2為現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法流程圖。
[0038]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種高解析相機(jī)模塊的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法流程圖。
[0040]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種聞解析相機(jī)|旲塊的晶圓俯視圖及其部分放大圖。
[0041]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的一種使用點(diǎn)膠方式的設(shè)置光學(xué)蓋體流程圖。
[0042]圖7A為圖3的一種AA’范圍的俯視圖。
[0043]圖7B為圖3的另一種AA’范圍的俯視圖。
[0044]圖7C為圖3的再一種AA’范圍的俯視圖。
[0045]圖8為本發(fā)明實(shí)施例的一種使用攔壩方式的設(shè)置光學(xué)蓋體流程圖。
[0046]圖9A為本發(fā)明實(shí)施例的一種攔壩及光學(xué)蓋體的結(jié)合立體圖。
[0047]圖9B為本發(fā)明實(shí)施例的另一種高解析相機(jī)模塊的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0048]圖1OA為本發(fā)明實(shí)施例的一種攔壩的立體圖。
[0049]圖1OB為本發(fā)明實(shí)施例的另一種攔壩及光學(xué)蓋體的結(jié)合立體圖。
[0050]圖1OC為本發(fā)明實(shí)施例的再一種高解析相機(jī)模塊的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0051]圖1OD為圖1OC的一種AA’范圍的俯視圖。
[0052]【主要元件符號說明】
[0053]10:現(xiàn)有習(xí)知的一種高解析相機(jī)模塊 11:陶瓷基板
[0054]111:蓋體粘接面112:芯片粘接面
[0055]12:光學(xué)蓋體121:第三表面
[0056]122:第四表面13:影像感測芯片
[0057]14:封裝部15:被動元件
[0058]16:導(dǎo)電元件17:空腔
[0059]20:高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)21:陶瓷基板
[0060]211:底面212:頂面
[0061]213:中空部位22:光學(xué)蓋體
[0062]221:第三表面23:影像感測芯片
[0063]231:第一表面232:第二表面
[0064]233:感測區(qū)24:封裝部
[0065]25:被動元件26:導(dǎo)電接點(diǎn)
[0066]27:空腔281:粘著膠
[0067]282:球狀支撐件283:缺口
[0068]283’:缺口284:密封膠材
[0069]29:攔壩291:上表面
[0070]292:框形凸緣293:凹陷部
[0071]30:影像感測晶圓31:優(yōu)良芯片
[0072]32:不良芯片
【具體實(shí)施方式】[0073]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0074]如圖3及圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)20包括:陶瓷基板21、光學(xué)蓋體22、影像感測芯片23及封裝部24，而本發(fā)明實(shí)施例的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法S200則包括下列步驟:提供影像感測晶圓(步驟S210)、進(jìn)行檢測(步驟S220)、設(shè)置光學(xué)蓋體(步驟S230)、分割影像感測晶圓(步驟S240)、設(shè)置影像感測芯片于陶瓷基板(步驟250)以及設(shè)置封裝部(步驟S260)。
[0075]請同時(shí)參閱圖5，提供影像感測晶圓(步驟S210)，影像感測晶圓30是以晶圓制造方式制造，其包括多個(gè)晶圓級的影像感測芯片23。影像感測芯片23具有第一表面231及第二表面232。第一表面231為影像感測芯片23的上表面且第一表面231具有感測區(qū)233，而導(dǎo)電接點(diǎn)26則環(huán)繞設(shè)置于感測區(qū)233外圍。其中，導(dǎo)電接點(diǎn)26可以為焊墊(bond pad)。
[0076]進(jìn)行檢測(步驟S220)，在影像感測晶圓30上將制造好的每一個(gè)影像感測芯片23進(jìn)行檢測，以確定影像感測芯片23的功能良好，且影像感測芯片23上沒有缺陷。其中，可以使用影像測試法(image test)或是電子測試法(electrical test),另外亦進(jìn)行粒子檢測(particle inspection)以確認(rèn)影像感測芯片23上沒有因?yàn)檫^多粒子而導(dǎo)致缺陷。功能良好且沒有缺陷的影像感測芯片23即定義為優(yōu)良芯片31，若功能失?；蚴怯腥毕莸挠跋窀袦y芯片23即定義為不良芯片32。
[0077]設(shè)置光學(xué)蓋體(步驟S230)，接著將光學(xué)蓋體22個(gè)別設(shè)置在定義為優(yōu)良芯片31的影像感測芯片23的第一表面231上，以避免在后續(xù)封裝過程(例如切割或結(jié)合等過程)中進(jìn)一步造成的粒子污染。
[0078]在下述的步驟中，僅使用優(yōu)良芯片31，而不使用不良芯片32，因此下述的影像感測芯片23皆為優(yōu)良芯片31。值得注意的是，光學(xué)蓋體22的表面大小必須小于影像感測芯片23的表面大小，同時(shí)不能覆蓋到影像感測芯片23的導(dǎo)電接點(diǎn)26，且光學(xué)蓋體22需位于感測區(qū)233的正上方以正對感測區(qū)233。其中，光學(xué)蓋體22可以為玻璃蓋體，使光線可以透過玻璃蓋體入射到感測區(qū)233。
[0079]為了避免光學(xué)蓋體22設(shè)置影像感測芯片23上時(shí)呈現(xiàn)傾斜的情況，設(shè)置光學(xué)蓋體(步驟S230)可以借由下列兩種方式進(jìn)行:第一種為使用點(diǎn)膠方式，第二種為使用攔壩方式。
[0080]如圖3、圖6及圖7A，使用點(diǎn)膠方式中，設(shè)置光學(xué)蓋體(步驟S230’)是包括:提供粘著膠于影像感測芯片(步驟S231)以及設(shè)置光學(xué)蓋體于影像感測芯片上(步驟S232)。
[0081]首先,在步驟S231中將粘著膠281以點(diǎn)膠(epoxy dispense)方式涂布于影像感測芯片23的第一表面231上大約在導(dǎo)電接點(diǎn)26與感測區(qū)233之間的位置，也就是光學(xué)蓋體22的預(yù)定粘著處。粘著膠281可以涂布呈封閉式回路圖樣，使光學(xué)蓋體22與影像感測芯片23之間密封形成空腔27。
[0082]接著，在步驟S232中將光學(xué)蓋體22借由粘著膠281粘著固定在影像感測芯片23上。其中，粘著膠281可以進(jìn)一步與球狀支撐件(ball spacer) 282混合,借由球狀支撐件282的高度避免光學(xué)蓋體22蓋上時(shí)，因可流動的粘著膠281所形成的高度不同，而造成光學(xué)蓋體22傾斜并導(dǎo)致合格率降低的問題。[0083]請同時(shí)參閱圖7B，為了避免后續(xù)制造過程中，因溫度升高使得空腔27中的氣體壓力產(chǎn)生變化而推擠光學(xué)蓋體22并使光學(xué)蓋體22傾斜，或是推擠粘著膠281而使粘著膠281發(fā)生溢膠情況，粘著膠281可以呈C字形圖樣，C字形圖樣具有缺口 283。
[0084]請同時(shí)參閱圖7C，粘著膠281還可以是呈二個(gè)L字形圖樣，且所述L字形圖樣可以相對設(shè)置于兩對角處，以形成在對角上具有二個(gè)缺口 283的口字形圖樣。上述的粘著膠281、光學(xué)蓋體22及影像感測芯片23之間形成的缺口 283可以平衡空腔27內(nèi)外的氣體壓力，避免空腔27的內(nèi)壓過大而推擠光學(xué)蓋體22或粘著膠281而造成光學(xué)蓋體22傾斜或是溢膠的問題。
[0085]如圖8至圖9B所示，使用攔壩方式中，設(shè)置光學(xué)蓋體(步驟S230”)是包括:結(jié)合攔壩于光學(xué)蓋體上(步驟S233)以及設(shè)置光學(xué)蓋體于影像感測芯片上(步驟S234)。
[0086]首先，在步驟S233中將攔壩(dam) 29結(jié)合于光學(xué)蓋體22的第三表面221的周邊，第三表面221為光學(xué)蓋體22面向影像感測芯片23的表面。其中，攔壩29可以為封閉式回路結(jié)構(gòu)，以便于與第三表面221的邊緣貼齊，或是位在第三表面221的邊緣的內(nèi)側(cè)以與邊緣間保留一定的距離。
[0087]接著，再在步驟S234中預(yù)先將粘著膠281涂布于影像感測芯片23的第一表面231上大約在導(dǎo)電接點(diǎn)26與感測區(qū)233之間的位置，再借由粘著膠281粘著攔壩29的底面，以使得形成有攔壩29的光學(xué)蓋體22粘著固定于影像感測芯片23上。粘著膠281亦呈封閉式回路圖樣，以使得粘著膠281可以使光學(xué)蓋體22、攔壩29與影像感測芯片23之間完全密封而形成空腔27。
[0088]由于攔壩29具有固定高度，因此能確保光學(xué)蓋體22與影像感測芯片23平行保持有固定距離而不致傾斜。另外，借由控制攔壩29的固定高度可以有效減少空腔27的體積。有關(guān)攔壩29的材料可以為下述的任一者或其組合:環(huán)氧樹脂(Epoxy)、硅氧樹脂(Silicone)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer)、模制化合物(Molding Compound)、娃氧燒基聚合物(Siloxane based polymer)、感光性干膜(Photosenstive dry film)、焊料遮罩(solder mask)、玻璃(Glass)及陶瓷(Ceramic)。
[0089]如圖1OA至圖1OD所示，為了解決因制造過程中溫度變化造成空腔27中的空氣壓力過大，而使光學(xué)蓋體22的固著不穩(wěn)定或是溢膠的情況。攔壩29的內(nèi)側(cè)可以具有凹陷部293，且凹陷部293使攔壩29的上表面291內(nèi)側(cè)位于凹陷部293處可以因凹陷而形成較低平面并在橫向及縱向上分別構(gòu)成階梯狀的落差，又?jǐn)r壩29的上表面291外側(cè)可以形成框形凸緣292，框形凸緣292在凹陷部293相對應(yīng)處上方的厚度可以較薄。
[0090]當(dāng)框形凸緣292與光學(xué)蓋體22結(jié)合時(shí)，光學(xué)蓋體22的下表面四周可以置放于攔壩29的上表面291內(nèi)側(cè)且光學(xué)蓋體22的周邊與框形凸緣292相接，唯在凹陷部293處的較低平面無法與光學(xué)蓋體22接觸，同時(shí)由于框形凸緣292在凹陷部293相對應(yīng)處上方的厚度較薄，故無法與光學(xué)蓋體22的周邊緊密相接，使光學(xué)蓋體22與框形凸緣292及攔壩29之間在凹陷部293處沒有相接的部位會形成剖面呈L形的缺口 283’，缺口 283’可以用以流通空腔27內(nèi)外的氣體以平衡氣體壓力。
[0091]如圖4、圖7B、圖7C及圖1OC所示，當(dāng)完成步驟S230后，若有借由缺口 283/283’平衡空腔27內(nèi)外的氣體壓力時(shí)，高解析相機(jī)模塊的制造方法S200可以進(jìn)一步包括密封缺口步驟S235，其是以密封膠材284密封缺口 283/283’。因此，高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)20可以進(jìn)一步包括密封膠材284，其氣密填置于缺口 283/283’中，以在制造初期阻隔外界對影像感測芯片23的污染或損毀，進(jìn)而提高合格率。
[0092]如圖4、圖5、圖9B及圖1OC所示，分割影像感測晶圓(步驟S240)，最后將影像感測晶圓30分割，以分別得到獨(dú)立且覆蓋有光學(xué)蓋體22的影像感測芯片23。
[0093]如圖3至圖5、圖9B及圖1OC所示，設(shè)置影像感測芯片于陶瓷基板(步驟S250)中，接著以倒裝的方式將經(jīng)分割的影像感測芯片23與陶瓷基板21電性連接。陶瓷基板21形成有中空部位213，且具有底面211及頂面212，其中頂面212為陶瓷基板21的上表面，而底面211為陶瓷基板21的下表面。中空部位213的水平范圍大于光學(xué)蓋體22的表面大小，如此一來，光學(xué)蓋體22覆蓋于影像感測芯片23上時(shí)，使可以容置于中空部位213所形成的空間中。經(jīng)分割的影像感測芯片23的第一表面231粘著設(shè)置于陶瓷基板21的底面211且正對中空部位213，使影像感測芯片23借由導(dǎo)電接點(diǎn)26與陶瓷基板21的底面211上的電路結(jié)構(gòu)電性連接。
[0094]設(shè)置封裝部(步驟S260),其是使用封裝膠體(mo I d compound)或液態(tài)膠體(liquid compound),以填膠方式或點(diǎn)膠方式的技術(shù)填充于影像感測芯片23的周邊以及影像感測芯片23與陶瓷基板21相連處而形成封裝部24，使封裝部24包覆影像感測芯片23的周邊及影像感測芯片23與陶瓷基板21相連處，以加強(qiáng)保護(hù)影像感測芯片23的周邊，避免碰撞而損傷。
[0095]高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)20可以進(jìn)一步包括多個(gè)被動元件25，其設(shè)置于陶瓷基板21的頂面212。被動元件25可以借由導(dǎo)電接點(diǎn)26與影像感測芯片23電性連接。
[0096]本發(fā)明實(shí)施例的一種高解析相機(jī)模塊的制造方法S200及其制造得到的一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)20具有較小的空腔27，除了可以減少高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)20的體積，還可以提高溫度循環(huán)可靠度。另外，僅將光學(xué)蓋體22設(shè)置于通過預(yù)先檢測的優(yōu)良芯片31，可以減少原物料的浪費(fèi)，亦可提高合格率。再加上在切割影像感測晶圓30之前便已將光學(xué)蓋體22設(shè)置于影像感測晶圓30中的影像感測芯片23上，因此可以在開始就保護(hù)影像感測芯片23避免污染，而提升高解析相機(jī)模塊的制造合格率并達(dá)到高生產(chǎn)率的功效。
[0097]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其包括下列步驟: 提供影像感測晶圓，該影像感測晶圓包括多個(gè)影像感測芯片，每一該影像感測芯片包括第一表面，該第一表面具有感測區(qū)及多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，所述導(dǎo)電接點(diǎn)環(huán)繞設(shè)置于該感測區(qū)外圍； 進(jìn)行檢測，其是檢測每一該影像感測芯片并定義該影像感測芯片是否為優(yōu)良芯片； 設(shè)置光學(xué)蓋體，其是將該光學(xué)蓋體設(shè)置于定義為該優(yōu)良芯片的該影像感測芯片的該第一表面上，使該光學(xué)蓋體正對該感測區(qū)且不覆蓋所述導(dǎo)電接點(diǎn)，又該光學(xué)蓋體的表面大小小于該影像感測芯片的表面大?。? 分割該影像感測晶圓，以分別得到獨(dú)立且覆蓋有該光學(xué)蓋體的該影像感測芯片； 設(shè)置該影像感測芯片于陶瓷基板，該陶瓷基板形成有中空部位，且具有底面及頂面，該中空部位的水平范圍大于該光學(xué)蓋體的表面大小，經(jīng)分割的該影像感測芯片的該第一表面是粘著設(shè)置于該底面且正對該中空部位，又該影像感測芯片的所述導(dǎo)電接點(diǎn)與該陶瓷基板電性連接；以及 設(shè)置封裝部，其是使該封裝部包覆該影像感測芯片的周邊及該影像感測芯片與該陶瓷基板相連處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中設(shè)置該光學(xué)蓋體包括:提供粘著膠于該影像感測芯片子步驟，其是將該粘著膠涂覆于該第一表面上且位于該感測區(qū)與所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域；及設(shè)置該光學(xué)蓋體于該影像感測芯片上子步驟，使該光學(xué)蓋體借由該粘著膠固定于該影像感測芯片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該粘著膠進(jìn)一步與球狀支撐件混合?！?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該粘著膠是呈封閉式回路圖樣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中設(shè)置該光學(xué)蓋體包括:結(jié)合攔壩于該光學(xué)蓋體上子步驟，該攔壩為封閉式回路結(jié)構(gòu)，且結(jié)合于該光學(xué)蓋體的第三表面的周邊，該第三表面是面向該影像感測芯片；及設(shè)置該光學(xué)蓋體于該影像感測芯片上子步驟，其是借由粘著膠粘著該攔壩以使該光學(xué)蓋體固定于該影像感測芯片上，其中該粘著膠預(yù)先涂覆于該第一表面上且位于該感測區(qū)與所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域，并呈封閉式回路圖樣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該攔壩的上表面外側(cè)形成框形凸緣，使該框形凸緣結(jié)合于該光學(xué)蓋體的側(cè)邊，又該攔壩的內(nèi)側(cè)具有凹陷部，而該光學(xué)蓋體與該框形凸緣之間形成缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該粘著膠是呈C字形圖樣，該C字形圖樣具有缺口。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該粘著膠是呈二個(gè)L字形圖樣，且所述L字形圖樣是相對設(shè)置，以形成在對角上具有二個(gè)缺口的口字形圖樣。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一權(quán)利要求所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其進(jìn)一步包括密封缺口步驟，其是以密封膠材密封該缺口。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的高解析相機(jī)模塊的制造方法，其特征在于其中該攔壩的材料為玻璃、陶瓷、液晶聚合物、模制化合物、硅氧烷基聚合物、感光性干膜或焊料遮罩。
11.一種高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括: 陶瓷基板，其形成有中空部位，且具有頂面及底面； 影像感測芯片，其包括第一表面，該第一表面具有感測區(qū)及多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，所述導(dǎo)電接點(diǎn)環(huán)繞設(shè)置于該感測區(qū)外圍，且該第一表面設(shè)置于該底面，使該影像感測芯片借由所述導(dǎo)電接點(diǎn)與該陶瓷基板電性連接； 光學(xué)蓋體，其是借由粘著膠設(shè)置于該第一表面上，該粘著膠位于該感測區(qū)及所述導(dǎo)電接點(diǎn)之間的區(qū)域，又該光學(xué)蓋體小于該影像感測芯片并正對該感測區(qū)；以及 封裝部，其是包覆該影像感測芯片的周邊及該影像感測芯片與該陶瓷基板相連處。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括多個(gè)被動元件，其設(shè)置于該頂面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著膠進(jìn)一步與球狀支撐件混合。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著膠是呈封閉式回路圖樣。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該光學(xué)蓋體進(jìn)一步包括攔壩，其為封閉式回路結(jié)構(gòu)，該攔壩位于該光學(xué)蓋體的第三表面的周邊，該第三表面是面向該影像感測芯片。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該攔壩的上表面外側(cè)形成框形凸緣，該框形凸緣結(jié)合于該光學(xué)蓋體的側(cè)邊，又該攔壩的內(nèi)側(cè)具有凹陷部，而該光學(xué)蓋體與該框形凸緣之間形成缺口。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著膠是呈C字形圖樣，該C字形圖樣具有缺口。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著膠是呈二個(gè)L字形圖樣，且所述L字形圖樣是相對設(shè)置，以形成在對角上具有二個(gè)缺口的口字形圖樣。
19.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該攔壩的材料為玻璃、陶瓷、液晶聚合物、模制化合物、硅氧烷基聚合物、感光性干膜或焊料遮罩。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至18中任一權(quán)利要求所述的高解析相機(jī)模塊的結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括密封膠材，氣密填置于該缺口中。
【文檔編號】H01L27/146GK103715210SQ201310046186
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月9日
【發(fā)明者】黃俊龍, 杜修文, 吳承昌, 楊崇佑, 王榮昌, 楊若薇 申請人:勝開科技股份有限公司