一種能提高led光效的芯片加工方法
【專利摘要】一種能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光電【技術領域】。本發(fā)明芯片加工方法步驟為：①在器件上表面進行激光劃片至襯底與外延片界面附近，形成溝槽；②采用高溫酸液對溝槽進行腐蝕，獲得期望的形貌；③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽的位置形成內(nèi)劃痕；④以內(nèi)劃痕的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。同現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明方法同時采用高溫側(cè)壁腐蝕工藝與隱形切割工藝，能更大程度的提高LED芯片的亮度。
【專利說明】一種能提高LED光效的芯片加工方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光電【技術領域】，特別是能提高LED光效的芯片加工方法。
【背景技術】
[0002]近年，隨著藍光LED的發(fā)展，LED的應用領域迅速擴大，背光，照明等高端領域更是被LED逐步滲透。但是，LED的光效還不能滿足應用的需求。各種提高光效的技術層出不窮，使得LED的光效逐年增加。
[0003]目前，電流阻擋層、高溫側(cè)壁腐蝕、隱形切割以及ITO等工藝逐漸成為LED的主流工藝，由此LED的光效也得到了大幅提升。其中高溫側(cè)壁腐蝕為正面激光劃片，劃片深度一般在20微米至40微米，劃片槽深入襯底材料，然后再進行高溫酸蝕，后續(xù)利用此劃片槽進行裂片。隱形切割工藝是將激光聚光于工件內(nèi)部，在工件內(nèi)部形成改質(zhì)層，相對于表面激光切割能夠提高芯片亮度。但是，在現(xiàn)有技術的LED生產(chǎn)中，高溫側(cè)壁腐蝕工藝與隱形切割工藝通常只采用其中的一種，對提高光效效果不是很明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術中的不足，本發(fā)明的目的是提供一種能提高LED光效的芯片加工方法。它同時采用高溫側(cè)壁腐蝕工藝與隱形切割工藝，能更大程度的提高LED芯片的亮度。
[0005]為了達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術方案以如下方式實現(xiàn):
一種能提高LED光效的芯片加工方法，它包括襯底和生長在襯底上的外延片。其方法步驟為:
①在器件上表面進行激光劃片至襯底與外延片界面附近，形成溝槽；
②采用高溫酸液對溝槽進行腐蝕，獲得期望的形貌；
③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽的位置形成內(nèi)劃痕；
④以內(nèi)劃痕的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。
[0006]在上述芯片加工方法中，所述溝槽的深度在5至20微米之間。
[0007]在上述芯片加工方法中，所述高溫酸液腐蝕方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100攝氏度以上的溫度下進行。
[0008]本發(fā)明由于采用了上述方法，將高溫側(cè)壁腐蝕與隱形切割相結(jié)合，能更大程度的提高LED芯片的亮度。
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1至圖3為本發(fā)明方法的步驟流程圖。
【具體實施方式】[0011]參看圖1至圖3，本發(fā)明方法使用的器件包括襯底I和生長在襯底I上的外延片2，其方法步驟為:
①在器件上表面進行激光劃片至襯底I與外延片2界面附近，深度在5至20微米之間，形成溝槽3。
[0012]②采用高溫酸液對溝槽3進行腐蝕，獲得期望的形貌；高溫酸液腐蝕方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100攝氏度以上的溫度下進行。
[0013]③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽3的位置形成內(nèi)劃痕4。
[0014]④以內(nèi)劃痕4的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。
[0015]上述本發(fā)明方案中的外延片2可以是GaN外延片，也可以是其他發(fā)光材料的外延片。使用本發(fā)明方法劃片前，對外延片2表面可覆蓋做其他介質(zhì)層進行保護，所述介質(zhì)層可以是Si02，Si3N4或者其他材料。本發(fā)明應用時，劃片深度可以至外延片2與襯底I界面附近、界面處、未達界面處或者穿過界面直達襯底I。本發(fā)明高溫酸液腐蝕后，溝槽3形成的形貌可以是倒梯形、與襯底I部分鏤空形或者其他各種形貌。本發(fā)明方法中的隱形切割工藝也可以換成其他方式的切割工藝，如鉆石劃片、普通激光劃片等。
【權利要求】
1.一種能提高LED光效的芯片加工方法，它包括襯底(I)和生長在襯底(I)上的外延片(2)，其方法步驟為: ①在器件上表面進行激光劃片至襯底(I)與外延片(2)界面附近，形成溝槽(3 ); ②采用高溫酸液對溝槽(3)進行腐蝕，獲得期望的形貌； ③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽(3)的位置形成內(nèi)劃痕(4)； ④以內(nèi)劃痕(4)的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。
2.根據(jù)權利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述溝槽(3)的深度在5至20微米之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述高溫酸液腐蝕方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100攝氏度以上的溫度下進行。
【文檔編號】H01L33/14GK103943744SQ201310023352
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月23日 優(yōu)先權日:2013年1月23日
【發(fā)明者】賴鴻章 申請人:同方光電科技有限公司, 同方股份有限公司