薄膜晶體管陣列面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列面板。該薄膜晶體管陣列面板包括：半導(dǎo)體層，設(shè)置在絕緣基底上；柵電極，與半導(dǎo)體層疊置；源電極和漏電極，與半導(dǎo)體層疊置；第一阻擋層，設(shè)置在源電極和半導(dǎo)體層之間；以及第二阻擋層，設(shè)置在漏電極和半導(dǎo)體層之間，其中，第一阻擋層和第二阻擋層包括鎳-鉻（Ni-Cr）。
【專利說明】薄膜晶體管陣列面板【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]顯示裝置通常包括與每個(gè)像素相關(guān)的薄膜晶體管，用于切換將被施加到像素的電壓導(dǎo)通和截止。薄膜晶體管包括被施加開關(guān)信號(hào)的柵電極、被施加數(shù)據(jù)電壓的源電極和輸出數(shù)據(jù)電壓的漏電極，從而形成開關(guān)元件。此外，薄膜晶體管包括有源層作為與柵電極、源電極和漏電極疊置的溝道層。有源層包括非晶硅作為半導(dǎo)體材料。
[0003]然而，隨著顯示器的尺寸變得更大，需要電子遷移率更高的薄膜晶體管。具體地講，當(dāng)前被用作有源層的非晶硅的電子遷移率低，并且通過昂貴的諸如CVD、濺射等的基于真空的沉積設(shè)備來制造非晶硅。
[0004]因此，會(huì)期望開發(fā)電子遷移率高的能容易制造并能應(yīng)用低成本的涂覆工藝或印刷工藝的氧化物半導(dǎo)體。此外，已出現(xiàn)使用電阻率低的金屬形成布線來提高電流遷移速率的方法。
[0005]然而，當(dāng)使用電阻率低的金屬形成薄膜晶體管的電極時(shí)，在氧化物半導(dǎo)體與電極的金屬之間產(chǎn)生不必要的反應(yīng)。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體與電極的金屬之間的附著性低，使得它們可能彼此分開。這可能增大電極的電阻率并劣化半導(dǎo)體的性能。
[0006]在該【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)背景的理解，因此，它可能包含未形成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]提供了一種包括由電阻率低的金屬制成的電極的薄膜晶體管陣列面板，其中，通過防止氧化物半導(dǎo)體與形成電極的金屬之間的不必要和不期望的反應(yīng)并通過提高氧化物半導(dǎo)體與電極的金屬之間的附著性，防止了薄膜晶體管的性能劣化。
[0008]薄膜晶體管陣列面板包括:半導(dǎo)體層，設(shè)置在絕緣基底上；柵電極，與半導(dǎo)體層疊置；源電極和漏電極，與半導(dǎo)體層疊置；第一阻擋層，設(shè)置在源電極和半導(dǎo)體層之間；以及第二阻擋層，設(shè)置在漏電極和半導(dǎo)體層之間，其中，第一阻擋層和第二阻擋層包括鎳-鉻(N1-Cr)。
[0009]半導(dǎo)體層可以包括氧化物半導(dǎo)體。
[0010]源電極和漏電極可以包括銅、鋁和銀中的至少一種。
[0011]第一阻擋層和第二阻擋層可以包括從釩(V )、鈦(Ti )、鋯(Zr )、鋁(Al)、鐵(Fe )、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈷(Co)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)選擇的至少一種元素。
[0012]薄膜晶體管陣列面板還可以包括:第一保護(hù)層，設(shè)置在源電極的表面中的未設(shè)置第一阻擋層的源電極的表面上；以及第二保護(hù)層，設(shè)置在漏電極的表面中的未設(shè)置第二阻擋層的漏電極的表面上，并且第一保護(hù)層和第二保護(hù)層可以包括鎳-鉻。[0013]薄膜晶體管陣列面板還可以包括設(shè)置在柵電極下面的第三阻擋層，其中，柵電極包括銅、鋁和銀中的至少一種，并且其中，第三阻擋層可以包括鎳-鉻。
[0014]還可以包括設(shè)置在柵電極上的第三保護(hù)層，其中，第三保護(hù)層可以包括鎳-鉻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0016]圖2是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0017]圖3是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0018]圖4A和圖4B是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)驗(yàn)示例的布線的電阻率的曲線圖。
[0019]圖5是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)驗(yàn)示例的布線的沉積結(jié)果的電子顯微照片。
【具體實(shí)施方式】
[0020]在下文中，將參照附圖更充分地描述示例性實(shí)施例，附圖中示出了示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，在完全不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式改變所描述實(shí)施例。
[0021]在附圖中，為了清楚起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說明書中，相似的標(biāo)號(hào)表示相似的元件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或陣列面板的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。
[0022]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0023]參照?qǐng)D1，薄膜晶體管陣列面板100包括絕緣基底110、柵電極120、柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層150、源電極171、漏電極172、第一阻擋層161和第二阻擋層162。
[0024]絕緣基底110可以由例如塑料制成。柵電極120設(shè)置在絕緣基底110上。柵電極120可以連接到傳輸柵極信號(hào)的柵極線。例如，柵電極120可以由諸如鋁(Al)和鋁合金的鋁系金屬、諸如銀(Ag)和銀合金的銀系金屬、諸如銅(Cu)和銅合金的銅系金屬、諸如鑰(Mo)和鑰合金的鑰系金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)等形成。
[0025]然而，根據(jù)示例性實(shí)施例的柵電極120不限于此，柵電極120可以由各種金屬和導(dǎo)體制成。
[0026]柵極絕緣層130形成在包括柵電極120的柵極線和絕緣基底110上。柵極絕緣層130可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)形成。此外，柵極絕緣層130可以具有例如氮化硅和氧化硅的多層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，氮化硅層形成在絕緣基底110上，氧化硅層形成在氮化硅層上，從而氧化硅層可以接觸半導(dǎo)體層，下面將對(duì)此進(jìn)行描述。
[0027]在柵極絕緣層130是氮氧化硅層的情況下，氮氧化硅層中的氧含量可以具有濃度梯度。具體地講，柵極絕緣層130中的氧含量可以隨著更接近氧化物半導(dǎo)體層150而變得更高。氧化物半導(dǎo)體層150與具有更高氧含量的氮氧化硅層接觸，因此，能夠通過降低氧化物半導(dǎo)體層150中的氧不足而防止溝道層的劣化。半導(dǎo)體層150形成在柵極絕緣層130上。半導(dǎo)體層150與柵電極120疊置。
[0028]半導(dǎo)體層150可以是例如氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體可以包括例如以鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)為基礎(chǔ)的氧化物或者作為它們的復(fù)合氧化物的氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZn04)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)或氧化鋅錫(Zn-Sn-0)?？梢酝ㄟ^諸如噴墨印刷的溶液工藝來使氧化物半導(dǎo)體成層。具體地講，半導(dǎo)體層150可以是諸如IGZO(In-Ga-Zn-O )、GZO (Ga-Zn-O )、IZO (In-Zn-O)或 HIZO (Hf-1n-Zn-O)的氧化物半導(dǎo)體。
[0029]然而，半導(dǎo)體層150可以包括例如非晶硅或多晶硅。
[0030]源電極171和漏電極172設(shè)置在半導(dǎo)體層150上。源電極171可以連接到傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線。
[0031]例如，源電極171和漏電極172可以由諸如包括銅(Cu)或銅合金的含銅金屬、包括鋁(Al)或鋁合金的含鋁金屬或者包括銀(Ag)或銀合金的含銀金屬的電阻率低的金屬制成。
[0032]然而，根據(jù)示例性實(shí)施例的源電極171和漏電極172不限于此，源電極171和漏電極172可以由電阻率低的各種金屬和導(dǎo)體制成。
[0033]漏電極172可以電連接到像素電極(未示出)，施加到像素電極的電壓和施加到對(duì)電極(未示出)的電壓形成電場(chǎng)，從而根據(jù)電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)灰度表現(xiàn)(例如，關(guān)于穿過電極之間的液晶層的光透射率，或者通過發(fā)光二極管的激發(fā))。
[0034]第一阻擋層161設(shè)置在源電極171和半導(dǎo)體層150之間，第二阻擋層162設(shè)置在漏電極172和半導(dǎo)體層150之間。第一阻擋層161和第二阻擋層162包括例如鎳-鉻(NiCr)。具體地講，第一阻擋層161和第二阻擋層162可以包括例如鎳-鉻(NiCr)或鎳-鉻合金，在鎳-鉻合金的情況下，除了鎳-鉻之外還可以包括從例如釩(V)、鈦(Ti )、鋯(Zr)、鋁(Al)、鐵(Fe)、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鑰(Mo)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)中選擇的至少一種。
[0035]第一阻擋層161和第二阻擋層162提高了半導(dǎo)體層150與源電極171和漏電極172之間的接觸特性，并防止了源電極171和漏電極172的組分與半導(dǎo)體層150的組分反應(yīng)。
[0036]通常，在傳統(tǒng)的薄膜晶體管陣列面板中，源電極和漏電極包括由諸如鈦、鉻、鉭和含鑰金屬的金屬制成的下面層。然而，下面層的組分在后續(xù)的高溫工藝中容易擴(kuò)散到在源電極和漏電極中包括的電阻率金屬層中。因此，源電極和漏電極的電阻率增大，從而包括薄膜晶體管的顯示裝置的性能會(huì)劣化。
[0037]然而，根據(jù)示例性實(shí)施例的第一阻擋層161和第二阻擋層162包括鎳-鉻，從而諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層在后續(xù)的高溫工藝中由于鎳-鉻而不擴(kuò)散。此外，防止了源電極和漏電極的電阻率增大，從而防止了包括薄膜晶體管的顯示裝置的性能的劣化。
[0038]此外，在第一阻擋層161和第二阻擋層162中包括的鎳-鉻與諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層具有優(yōu)異的接觸特性。
[0039]此外，可以通過同一蝕刻劑與諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層一起同時(shí)蝕刻在第一阻擋層161和第二阻擋層162中包括的鎳-鉻。因此，可以防止源電極和漏電極因設(shè)置在源電極和漏電極下面的阻擋層底切而翹起，并且簡(jiǎn)化了制造工藝。具體地講，可以通過使用包括例如磷酸、硝酸或醋酸的蝕刻劑來蝕刻在第一阻擋層161和第二阻擋層162中包括的鎳-鉻。與不同種類的蝕刻劑相比，可以在重復(fù)的蝕刻工藝中更多次地使用包括磷酸、硝酸或醋酸的蝕刻劑，從而降低了制造成本。
[0040]在本示例性實(shí)施例中，順序地沉積柵電極120、柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層150以及源電極171和漏電極172，然而，本公開不限于此，可以改變薄膜晶體管的沉積結(jié)構(gòu)。
[0041]源電極171和漏電極172相互分開并與半導(dǎo)體層150部分地疊置。S卩，源電極171與半導(dǎo)體層150部分地疊置，漏電極172設(shè)置成關(guān)于薄膜晶體管的溝道部分面對(duì)源電極171并與半導(dǎo)體層150部分地疊置。
[0042]雖然未示出，但鈍化層可以設(shè)置在源電極171和漏電極172上，并可以設(shè)置在半導(dǎo)體層150的不與源電極171和漏電極172疊置的溝道區(qū)域上。
[0043]接下來，將參照?qǐng)D2描述另一示例性實(shí)施例。圖2是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0044]參照?qǐng)D2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板200與根據(jù)圖1中示出的示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板100相似。
[0045]參照?qǐng)D2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板200包括絕緣基底110、柵電極120、柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層150、源電極171、漏電極172、第一阻擋層161和第二阻擋層162。
[0046]柵電極120可以連接到傳輸柵極信號(hào)的柵極線。例如，柵電極120可以由諸如鋁(Al)和鋁合金的鋁系金屬、諸如銀(Ag)和銀合金的銀系金屬、諸如銅(Cu)和銅合金的銅系金屬、諸如鑰(Mo)和鑰合金的鑰系金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)等形成。
[0047]柵極絕緣層130可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)形成。
[0048]半導(dǎo)體層150與柵電極120疊置。
[0049]半導(dǎo)體層150可以是例如氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體可以包括例如以鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)為基礎(chǔ)的氧化物或者作為它們的復(fù)合氧化物的氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)或氧化鋅錫(Zn-Sn-O)?？梢酝ㄟ^諸如噴墨印刷的溶液工藝來使氧化物半導(dǎo)體成層。具體地講，半導(dǎo)體層150可以是諸如IGZ0、GZ0、IZ0或HIZO的氧化物半導(dǎo)體。
[0050]此外，半導(dǎo)體層150可以包括例如非晶硅或多晶硅。
[0051]例如，源電極171和漏電極172可以由諸如包括銅(Cu)和銅合金的含銅金屬、包括鋁(Al)和鋁合金的含鋁金屬或者包括銀(Ag)和銀合金的含銀金屬的電阻率低的金屬制成。
[0052]第一阻擋層161和第二阻擋層162包括例如鎳-鉻(NiCr)。具體地講，第一阻擋層161和第二阻擋層162可以包括例如鎳-鉻(NiCr)或鎳-鉻合金，在鎳-鉻合金的情況下，除了鎳-鉻之外還可以包括從例如釩(V)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鐵(Fe)、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鑰(Mo)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)中選擇的至少一種。
[0053]第一阻擋層161和第二阻擋層162提高了半導(dǎo)體層150與源電極171和漏電極172之間的接觸特性，并防止了源電極171和漏電極172的組分與半導(dǎo)體層150的組分反應(yīng)。
[0054]源電極171和漏電極172相互分開并與半導(dǎo)體層150部分地疊置。S卩，源電極171與半導(dǎo)體層150部分地疊置，漏電極172設(shè)置成關(guān)于薄膜晶體管的溝道部分面對(duì)源電極171并與半導(dǎo)體層150部分地疊置。
[0055]然而，與根據(jù)圖1中示出的示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板不同地，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板還包括設(shè)置在源電極171上的第一保護(hù)層181和設(shè)置在漏電極172上的第二保護(hù)層182。
[0056]第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182包括例如鎳-鉻(NiCr)。具體地講，第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182可以包括例如鎳-鉻(NiCr)或鎳-鉻合金，在鎳-鉻合金的情況下，除了鎳-鉻之外還可以包括從釩(V)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鐵(Fe)、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鑰(Mo)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)中選擇的至少一種。
[0057]第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182防止在源電極171和漏電極172中包括的電阻率金屬層被氧化。
[0058]如所描述的，根據(jù)示例性實(shí)施例的第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182包括鎳-鉻，鎳-鉻在大約1200°C具有大約I X 10_14cm2/sec的擴(kuò)散系數(shù)，從而鎳-鉻在高溫下不擴(kuò)散到相鄰的材料中。
[0059]因此，在后續(xù)的高溫工藝中，幾乎不產(chǎn)生與半導(dǎo)體層的反應(yīng)。此外，在后續(xù)的高溫工藝中，例如，鎳-鉻不擴(kuò)散到諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層中。因此，防止了源電極和漏電極的電阻率增大，從而可以防止包括薄膜晶體管的顯示裝置的性能的劣化。
[0060]此外，第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182的鎳-鉻與諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層具有優(yōu)異接觸特性，從而層之間的附著性高。
[0061]此外，可以使用同一蝕刻劑與諸如銅、鋁和銀的電阻率金屬層一起同時(shí)蝕刻在第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182中包括的鎳-鉻，從而簡(jiǎn)化了制造工藝。具體地講，可以使用包括例如磷酸、硝酸或醋酸的蝕刻劑來蝕刻在第一阻擋層161和第二阻擋層162中包括的鎳-鉻。與不同種類的蝕刻劑相比，可以在重復(fù)的蝕刻工藝中更多次地使用包括磷酸、硝酸或醋酸的蝕刻劑，從而降低制造成本。
[0062]雖然未示出，但鈍化層可以設(shè)置在第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182上，并可以設(shè)置在半導(dǎo)體層150的不與源電極171和漏電極172疊置的溝道區(qū)域上。
[0063]接下來，將參照?qǐng)D3描述本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
[0064]參照?qǐng)D3，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板300與根據(jù)圖1和圖2中示出的示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板相似。
[0065]參照?qǐng)D3，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板300包括絕緣基底110、柵電極120、柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層150、源電極171、漏電極172、設(shè)置在源電極171與半導(dǎo)體層150之間的第一阻擋層161、設(shè)置在漏電極172與半導(dǎo)體層150之間的第二阻擋層162、設(shè)置在源電極171上的第一保護(hù)層181和設(shè)置在漏電極172上的第二保護(hù)層182。
[0066]然而，與以上示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板不同地，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板300還包括設(shè)置在柵電極120下的第三阻擋層121和設(shè)置在柵電極120上的第三保護(hù)層123。
[0067]此外，例如，根據(jù)本示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板300的柵電極120可以由諸如包括銅(Cu)和銅合金的含銅金屬、包括鋁(Al)和鋁合金的含鋁金屬或者包括銀(Ag)和銀合金的含銀金屬的電阻率低的金屬制成。
[0068]與第一阻擋層161和第二阻擋層162相似，第三阻擋層121包括例如鎳-鉻(NiCr)。具體地講，第一阻擋層161、第二阻擋層162和第三阻擋層121可以包括例如鎳-鉻(NiCr)或鎳-鉻合金，在鎳-鉻合金的情況下，除了鎳-鉻之外還可以包括從例如釩(V)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鐵(Fe)、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鑰(Mo)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)中選擇的至少一種。
[0069]第一阻擋層161和第二阻擋層162提高了半導(dǎo)體層150與源電極171和漏電極172之間的接觸特性，并防止了源電極171和漏電極172的組分與半導(dǎo)體層150的組分反應(yīng)。相似地，第三阻擋層121提高了基底110與柵電極120之間的接觸特性，并防止了基底110中的組分?jǐn)U散到柵電極120中。
[0070]與第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182相似，第三保護(hù)層123包括鎳-鉻(NiCr)。具體地講，第一保護(hù)層181、第二保護(hù)層182和第三保護(hù)層123可以包括例如鎳-鉻(NiCr)或鎳-鉻合金，在鎳-鉻合金的情況下，除了鎳-鉻之外還可以包括從例如釩(V)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鐵(Fe)、銦(In)、鉭(Ta)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鑰(Mo)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎢(W)、鈮(Nb)和釹(Nd)中選擇的至少一種。
[0071]第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182防止在源電極171和漏電極172中包括的電阻率金屬層的組分被氧化。相似地，第三保護(hù)層123可以防止在柵電極120中包括的電阻率金屬層的組分被氧化。
[0072]雖然未示出，但鈍化層可以設(shè)置在第一保護(hù)層181和第二保護(hù)層182上，并可以設(shè)置在半導(dǎo)體層150的不與源電極171和漏電極172疊置的溝道區(qū)域上。
[0073]接下來，將參照表1描述實(shí)驗(yàn)示例。在實(shí)驗(yàn)示例中，測(cè)量了剝離強(qiáng)度，并且表1中示出了對(duì)于情況I和情況2的剝離強(qiáng)度的結(jié)果，在情況I中，在基底上形成包括銅的布線，在情況2中，如針對(duì)根據(jù)示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板所描述的，在相同的基底上形成包括鎳-鉻的阻擋層之后形成包括銅的布線。
[0074]表1
[0075]
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板包括: 半導(dǎo)體層，設(shè)置在絕緣基底上； 柵電極，與半導(dǎo)體層疊置； 源電極和漏電極，與半導(dǎo)體層疊置； 第一阻擋層，設(shè)置在源電極和半導(dǎo)體層之間；以及 第二阻擋層，設(shè)置在漏電極和半導(dǎo)體層之間， 其中，第一阻擋層和第二阻擋層包括鎳-鉻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 源電極和漏電極包括銅、鋁和銀中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 第一阻擋層和第二阻擋層包括從釩、鈦、鋯、鋁、鐵、銦、鉭、錳、鎂、鉻、鑰、鈷、鎳、錫、鎢、鈮和釹中選擇的至少一種元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板還包括: 第一保護(hù)層，設(shè)置在源電極的表面中的未設(shè)置第一阻擋層的源電極的表面上；以及 第二保護(hù)層，設(shè)置在漏電極的表面中的未設(shè)置第二阻擋層的漏電極的表面上，并且 第一保護(hù)層和第二保護(hù)層包括鎳-鉻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板還包括設(shè)置在柵電極下面的第三阻擋層， 其中，柵電極包括銅、鋁和銀中的至少一種，并且其中，第三阻擋層包括鎳-鉻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板還包括設(shè)置在柵電極上的第三保護(hù)層， 其中，第三保護(hù)層包括鎳-鉻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 源電極和漏電極包括銅、鋁和銀中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中 第一阻擋層和第二阻擋層包括從釩、鈦、鋯、鋁、鐵、銦、鉭、錳、鎂、鉻、鑰、鈷、鎳、錫、鎢、鈮和釹中選擇的至少一種元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板還包括: 第一保護(hù)層，設(shè)置在源電極的表面中的未設(shè)置第一阻擋層的源電極的表面上；以及 第二保護(hù)層，設(shè)置在漏電極的表面中的未設(shè)置第二阻擋層的漏電極的表面上，并且 第一保護(hù)層和第二保護(hù)層包括鎳-鉻。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103474431SQ201310003701
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月5日
【發(fā)明者】金暻鍱, 金柄范, 樸俊龍, 鄭敞午, 寗洪龍, 李東敏 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司