機(jī)電系統(tǒng)裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于EMS裝置的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一方面中，EMS裝置包含至少一個(gè)可移動(dòng)層，所述可移動(dòng)層經(jīng)配置以相對(duì)于一個(gè)或一個(gè)以上電極移動(dòng)。所述至少一個(gè)可移動(dòng)層可包含第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及安置于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的非導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中，所述可移動(dòng)層可包含經(jīng)由所述非導(dǎo)電層電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。
【專利說(shuō)明】機(jī)電系統(tǒng)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及用于機(jī)電系統(tǒng)中的可移動(dòng)層。
【背景技術(shù)】
[0002]機(jī)電系統(tǒng)(EMS)包含具有電及機(jī)械元件、致動(dòng)器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(包含鏡子)及電子器件的裝置。機(jī)電系統(tǒng)可被制造成多種尺度，包含，但不限于，微尺度及納尺度。舉例來(lái)說(shuō)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有范圍從約一微米到數(shù)百微米或數(shù)百微米以上的大小的結(jié)構(gòu)。納機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于微米的大小(包含例如小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。機(jī)電元件可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或沉積的材料層的部分或添加層以形成電及機(jī)電裝置的其它微加工工藝來(lái)制作。
[0003]一種類型的EMS裝置被稱作干涉調(diào)制器(MOD)。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)干涉調(diào)制器或干涉光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中，干涉調(diào)制器可包含一對(duì)導(dǎo)電板，其中的一者或兩者可全部或部分為透明的及/或反射的，且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)之后相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在實(shí)施方案中，一個(gè)板可包含沉積在襯底上的靜止層，且另一個(gè)板可包含與靜止層分離一氣隙的反射薄膜。一個(gè)板相對(duì)于另一個(gè)的位置可改變?nèi)肷溆诟缮嬲{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。干涉調(diào)制器裝置具有廣泛的應(yīng)用，且被預(yù)期用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品且制作新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，其中無(wú)單個(gè)的方面單獨(dú)負(fù)責(zé)本文中所揭示的所要屬性。
[0005]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)創(chuàng)新方面可實(shí)施于一種設(shè)備中，所述設(shè)備包含安置成一行的多個(gè)顯示元件。每一顯示元件包含部分透射及部分反射光學(xué)堆疊。每一顯示元件還包含可移動(dòng)層，其安置于所述光學(xué)堆疊的至少一部分之上以便至少部分界定所述可移動(dòng)層與所述光學(xué)堆疊之間的腔。所述可移動(dòng)層為至少部分反射的，且包含第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及安置于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的非導(dǎo)電層。每一顯示元件的所述第一導(dǎo)電層電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第一導(dǎo)電層。同樣，每一顯示元件的所述第二導(dǎo)電層電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第二導(dǎo)電層。所述多個(gè)顯示元件中的至少一者包含經(jīng)由所述非導(dǎo)電層而安置于所述可移動(dòng)層中的至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，所述導(dǎo)電通孔電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層。
[0006]在一方面中，所述光學(xué)堆疊可包含第一電極，且所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層可形成第二電極的至少一部分。所述可移動(dòng)層可經(jīng)配置以基于橫跨所述第一電極及所述第二電極施加的電壓在致動(dòng)位置與松弛位置之間移動(dòng)。在另一方面中，所述多個(gè)顯示元件中的每一者可包含電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。在一方面中，至少一個(gè)顯示元件可包含電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的一個(gè)以上導(dǎo)電通孔。[0007]在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的系繩區(qū)域中的導(dǎo)電通孔。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含沿著所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的邊緣安置的導(dǎo)電通孔。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可經(jīng)結(jié)構(gòu)化以具有橢圓形橫截面面積、矩形橫截面面積及圓形橫截面面積中的一者。
[0008]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實(shí)施于制造設(shè)備的方法中，所述方法包含形成安置成一行的多個(gè)顯示元件。形成所述多個(gè)顯示元件中的每一者包含:形成部分透射及部分反射光學(xué)堆疊；在所述光學(xué)堆疊之上沉積犧牲層；及在所述犧牲層及光學(xué)堆疊之上形成可移動(dòng)層，以使得當(dāng)移除所述犧牲層時(shí)，所述可移動(dòng)層可朝向及遠(yuǎn)離所述光學(xué)堆疊而移動(dòng)。形成所述可移動(dòng)層包含:形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層之上形成非導(dǎo)電層；及在所述非導(dǎo)電層之上形成第二導(dǎo)電層。每一顯示元件的所述第一導(dǎo)電層電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第一導(dǎo)電層，且每一顯示元件的所述第二導(dǎo)電層電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第二導(dǎo)電層。所述方法還包含在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的至少一個(gè)顯示元件的所述可移動(dòng)層中形成至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0009]在一方面中，形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含蝕刻在所述至少一個(gè)顯示元件的所述第一導(dǎo)電層與所述至少一個(gè)顯示元件的與所述第一導(dǎo)電層相反的所述非導(dǎo)電層的表面之間的所述顯示元件中的至少一者的所述非導(dǎo)電層。在此方面中，形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔還可包含在所述至少一個(gè)顯示元件的所述非導(dǎo)電層之上形成所述第二導(dǎo)電層。
[0010]在所述方法的一方面中，所述光學(xué)堆疊可包含第一電極，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層可形成第二電極的至少一部分，且所述可移動(dòng)層可經(jīng)配置以基于橫跨所述第一電極及所述第二電極施加的電壓在致動(dòng)位置與松弛位置之間移動(dòng)。在一方面中，形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含形成安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的系繩區(qū)域中的導(dǎo)電通孔。在一方面中，形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含形成沿著所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的邊緣安置的導(dǎo)電通孔。
[0011]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實(shí)施于一種設(shè)備中，所述設(shè)備包含安置成一行的多個(gè)顯示元件。每一顯示元件包含用于部分透射及部分反射光的裝置。每一顯示元件還包含可移動(dòng)層，其安置于所述部分透射及部分反射裝置的至少一部分之上以便界定所述可移動(dòng)層與所述部分透射及部分反射裝置之間的腔。所述可移動(dòng)層為至少部分反射的，且包含用于傳導(dǎo)電力的第一裝置、用于傳導(dǎo)電力的第二裝置，及安置于所述第一導(dǎo)電裝置與所述第二導(dǎo)電裝置之間的非導(dǎo)電層。每一顯示元件的所述第一導(dǎo)電裝置連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第一導(dǎo)電裝置。每一顯示元件的所述第二導(dǎo)電裝置電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第二導(dǎo)電裝置。所述顯示元件中的至少一者包含用于經(jīng)由所述非導(dǎo)電層電連接所述第一導(dǎo)電裝置與所述第二導(dǎo)電裝置的至少一個(gè)裝置。
[0012]在一方面中，所述第一導(dǎo)電裝置包含第一導(dǎo)電層。在一方面中，所述第二導(dǎo)電裝置包含第二導(dǎo)電層。在一方面中，所述電連接裝置包含至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0013]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實(shí)施于一種設(shè)備中，所述設(shè)備包含多個(gè)部分透射及部分反射光學(xué)堆疊。所述設(shè)備還包含在所述多個(gè)光學(xué)堆疊中的每一者之上延伸的可移動(dòng)層及界定所述光學(xué)堆疊中的每一者與所述可移動(dòng)層之間的多個(gè)顯示元件。所述可移動(dòng)層的至少一部分可基于橫跨所述多個(gè)光學(xué)堆疊中的至少一者及所述可移動(dòng)層施加的電壓朝向及遠(yuǎn)離所述多個(gè)光學(xué)堆疊中的所述至少一者而移動(dòng)。所述可移動(dòng)層包含第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、安置于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的非導(dǎo)電層，及經(jīng)由所述非導(dǎo)電層電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0014]在一方面中，所述可移動(dòng)層可包含電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的一個(gè)以上導(dǎo)電通孔。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含安置于所述多個(gè)顯示元件中的兩者之間的導(dǎo)電通孔。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的中心的導(dǎo)電通孔。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可經(jīng)結(jié)構(gòu)化以具有橢圓形橫截面面積、矩形橫截面面積及圓形橫截面面積中的一者。在一方面中，所述可移動(dòng)層可包含安置于兩個(gè)鄰近顯示元件之間的一個(gè)槽。在一方面中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可安置于所述至少一個(gè)槽中。
[0015]在附圖及下文描述中闡述了本說(shuō)明書中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。盡管本發(fā)明中所提供的實(shí)例主要關(guān)于基于機(jī)電系統(tǒng)(EMS)及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的顯示器進(jìn)行描述，但本文中所提供的概念可適用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(“0LED”)顯示器及場(chǎng)發(fā)射顯示器。其它特征、方面及優(yōu)勢(shì)將從描述、附圖及權(quán)利要求書中顯而易見(jiàn)。應(yīng)注意下圖的相對(duì)尺寸可不按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1展示描繪干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的實(shí)例。
[0017]圖2展示說(shuō)明并入有3x3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0018]圖3展示說(shuō)明圖1的干涉調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)施加電壓的圖的實(shí)例。
[0019]圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種共同及分段電壓時(shí)干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。
[0020]圖5A展示說(shuō)明圖2的3x3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實(shí)例。
[0021]圖5B展示可用以寫入圖5A中所說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共同及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例。
[0022]圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實(shí)例。
[0023]圖6B到6E展示干涉調(diào)制器的變化實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。
[0024]圖7展示說(shuō)明干涉調(diào)制器的制造工藝的流程圖的實(shí)例。
[0025]圖8A到SE展示制作干涉調(diào)制器的方法中的各種階段的橫截面示意性說(shuō)明的實(shí)例。
[0026]圖9A展不具有第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的可移動(dòng)層的電氣不意圖的實(shí)例。
[0027]圖9B展示具有由多個(gè)導(dǎo)電通孔電連接到彼此的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的可移動(dòng)層的電氣示意圖的實(shí)例。
[0028]圖9C展示第一導(dǎo)電層在可移動(dòng)層的端部之間具有斷裂及第二導(dǎo)電層在可移動(dòng)層的端部之間具有斷裂的圖9A的實(shí)例電氣示意圖。
[0029]圖9D展示第一導(dǎo)電層在可移動(dòng)層的端部之間具有斷裂及第二導(dǎo)電層在可移動(dòng)層的端部之間具有斷裂的圖9B的實(shí)例電氣示意圖。
[0030]圖1OA展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在由可移動(dòng)層及多個(gè)下伏電極形成的顯示元件的中心在第一及第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0031]圖1OB展示沿著線10B-10B截取的圖1OA的實(shí)例EMS裝置的橫截面圖。
[0032]圖1lA展示說(shuō)明制造設(shè)備的實(shí)例方法的流程圖。
[0033]圖1lB到IlE展示根據(jù)圖1lA的實(shí)例方法的制造圖1OA及IOB的EMS裝置的實(shí)例工藝的橫截面圖。
[0034]圖12展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有沿著由可移動(dòng)層及多個(gè)下伏電極形成的顯示元件的相反邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0035]圖13展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有沿著由可移動(dòng)層及多個(gè)下伏電極形成的顯示元件的四個(gè)邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0036]圖14展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有成對(duì)地沿著由可移動(dòng)層及多個(gè)下伏電極形成的顯示元件的相反邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0037]圖15展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在顯示器的黑色掩模結(jié)構(gòu)之上在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)圓形導(dǎo)電通孔。
[0038]圖16展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在顯不器的黑色掩模結(jié)構(gòu)之上在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)橢圓形導(dǎo)電通孔。
[0039]圖17展示具有多個(gè)可移動(dòng)層的EMS裝置的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
[0040]圖18A及18B展示說(shuō)明包含多個(gè)干涉調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0041 ] 在各種圖中相似參考數(shù)字及標(biāo)號(hào)指示相似元件。
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下描述是針對(duì)出于描述本發(fā)明的創(chuàng)新方面的目的的特定實(shí)施方案。然而，所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將容易認(rèn)識(shí)到，可以眾多不同方式應(yīng)用本文中的教示。所描述的實(shí)施方案可實(shí)施于可經(jīng)配置以顯示圖像(不管是運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是靜止(例如，靜態(tài)圖像)，及不管是文本、圖形還是圖片)的任何裝置或系統(tǒng)中。更特定來(lái)說(shuō)，預(yù)期所描述的實(shí)施方案可包含于多種電子裝置中或與多種電子裝置相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如，但不限于:移動(dòng)電話、具有多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動(dòng)電視接收器、無(wú)線裝置、智能手機(jī)、Blucloolh?裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無(wú)線電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、智能本、平板計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(即，電子閱讀器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、自動(dòng)顯示器(包含里程表及速度計(jì)顯示器等)、駕駛艙控制及/或顯示器、相機(jī)視圖顯示器(例如，車輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、架構(gòu)結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機(jī)、便攜式存儲(chǔ)器芯片、洗衣機(jī)、干衣機(jī)、洗衣機(jī)/干衣機(jī)、停車記時(shí)器、封裝(例如，在機(jī)電系統(tǒng)(EMS)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)及非MEMS應(yīng)用中)、美觀結(jié)構(gòu)(例如，一件首飾上的圖像顯示)及多種EMS裝置。本文中的教示還可用于非顯示應(yīng)用中，例如，但不限于，電子開關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速計(jì)、陀螺儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)裝置、磁力計(jì)、消費(fèi)電子器件的慣性組件、消費(fèi)電子器件產(chǎn)品的部分、變?nèi)荻O管、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動(dòng)方案、制造工藝及電子測(cè)試設(shè)備。因此，教示并不意欲限于僅在圖中所描繪的實(shí)施方案，而是具有廣泛的適用性，如所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將易于顯見(jiàn)。
[0043]反射顯示裝置(例如，干涉調(diào)制器裝置)可包含一個(gè)或一個(gè)以上像素，所述像素可各自具有一個(gè)或一個(gè)以上顯示元件或子像素。每一顯示元件可包含經(jīng)配置以相對(duì)于光吸收層或堆疊(其在本文中可被簡(jiǎn)稱為“光學(xué)堆疊”)移動(dòng)的可移動(dòng)層。每一顯示元件還可包含安置于可移動(dòng)層與光學(xué)堆疊之間的光學(xué)諧振腔?？梢苿?dòng)層、光學(xué)堆疊及光學(xué)諧振腔可經(jīng)配置以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光?？梢苿?dòng)層可在兩個(gè)或兩個(gè)以上位置之間移動(dòng)，其可改變光學(xué)諧振腔的大小。改變光學(xué)諧振腔的大小可影響顯示元件的反射率及對(duì)應(yīng)地作為一個(gè)整體來(lái)看，干涉調(diào)制器裝置的反射率。
[0044]在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)層包含第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及安置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的非導(dǎo)電(或間隔物)層。第一導(dǎo)電層可經(jīng)配置以反射光，且第二導(dǎo)電層可經(jīng)配置以平衡可移動(dòng)層上的機(jī)械應(yīng)力，及提供對(duì)稱性到可移動(dòng)層。第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層通常在可移動(dòng)層的端部處電連接(例如，短接)到彼此。非導(dǎo)電層可經(jīng)配置以提供所要?jiǎng)傂缘娇梢苿?dòng)層。然而，非導(dǎo)電層還可在可電連接的可移動(dòng)層的端部之間將第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層電隔離。第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層在可移動(dòng)層的端部之間的電分離可在將信號(hào)提供到可移動(dòng)層及在第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層上構(gòu)成電荷時(shí)產(chǎn)生在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間測(cè)量的有效電容。
[0045]在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)層可通過(guò)接收數(shù)據(jù)信號(hào)而朝向光學(xué)堆疊移動(dòng)，所述數(shù)據(jù)信號(hào)在可移動(dòng)層與光學(xué)堆疊之間施加一電壓。在所述實(shí)施方案中，可移動(dòng)層的有效電阻及有效電容可在將數(shù)據(jù)信號(hào)提供到可移動(dòng)層時(shí)影響可移動(dòng)層的響應(yīng)性。舉例來(lái)說(shuō)，與具有較低有效電阻及有效電容的可移動(dòng)層相比，具有較高有效電阻及有效電容的可移動(dòng)層可具有較高的RC延遲。
[0046]在本文中所揭示的一些實(shí)施方案中，干涉調(diào)制器裝置中的可移動(dòng)層可包含在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)可移動(dòng)層的端部之間的非導(dǎo)電層的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔。以此方式，與不包含電連接第一及第二導(dǎo)電層的延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔的類似可移動(dòng)層相比較，所述可移動(dòng)層可具有降低的有效電阻及有效電容。
[0047]可實(shí)施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實(shí)施方案以實(shí)現(xiàn)以下潛在優(yōu)勢(shì)中的一者或一者以上。舉例來(lái)說(shuō)，與不包含所述導(dǎo)電通孔的其它可移動(dòng)層相比，具有延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層以便電連接第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層可具有較低的有效電阻及有效電容。當(dāng)將具有在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層并入于EMS裝置(例如，干涉調(diào)制器裝置)中時(shí)，裝置可比其它EMS裝置(例如，干涉調(diào)制器裝置)更積極地響應(yīng)。即，與不包含在第一及第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層相比，經(jīng)由所述可移動(dòng)層發(fā)射的信號(hào)可經(jīng)歷較低的RC延遲。響應(yīng)性的增加或RC延遲的對(duì)應(yīng)降低可改進(jìn)干涉調(diào)制器裝置的幀速率。此外，可移動(dòng)層的有效電阻及有效電容的降低可降低干涉調(diào)制器裝置的組件之間的串?dāng)_。因?yàn)榇當(dāng)_可不合需要地導(dǎo)致可移動(dòng)層的假釋放及/或假致動(dòng)，所以降低串?dāng)_可增加可用以致動(dòng)及/或釋放可移動(dòng)層的可用電壓窗口。此外，延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層以便電連接第一及第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔可用以在將干涉調(diào)制器裝置并入于觸控裝置中時(shí)維持穿過(guò)可移動(dòng)層的電通路。在所述裝置中，硬觸碰可使第一導(dǎo)電層及/或第二導(dǎo)電層的部分?jǐn)嗔?。在第一?dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的導(dǎo)電通孔可保留橫跨可移動(dòng)層的斷裂點(diǎn)的電通路。
[0048]所描述的實(shí)施方案可適用于的合適的EMS或MEMS裝置的實(shí)例為反射顯示裝置。反射顯示裝置可并入有干涉調(diào)制器(IMOD)以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。MOD可包含吸收器、可相對(duì)于吸收器移動(dòng)的反射器及在吸收器與反射器之間界定的光學(xué)諧振腔。反射器可移動(dòng)到兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置，其可改變光學(xué)諧振腔的大小，及借此影響干涉調(diào)制器的反射率。IMOD的反射光譜可產(chǎn)生相當(dāng)寬的光譜帶，所述光譜帶可橫跨可見(jiàn)光波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同顏色。光譜帶的位置可通過(guò)改變光學(xué)諧振腔的厚度(例如，通過(guò)改變反射器的位置)來(lái)調(diào)整。
[0049]圖1展示描繪IMOD顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的實(shí)例。IMOD顯示裝置包含一個(gè)或一個(gè)以上干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于明亮或黑暗狀態(tài)。在明亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)中，顯示元件反射大部分的入射可見(jiàn)光，例如到用戶。相反地，在黑暗(“致動(dòng)”、“關(guān)閉”或“切斷”)狀態(tài)中，顯示元件反射極少的入射可見(jiàn)光。在一些實(shí)施方案中，接通及切斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)可顛倒。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長(zhǎng)處反射，從而除了黑白之外還允許彩色顯示。
[0050]IMOD顯示裝置可包含MOD的行/列陣列。每一 IMOD可包含一對(duì)反射層(即，可移動(dòng)反射層及固定部分反射層)，其以彼此相隔可變及可控制的距離定位以形成氣隙(也被稱作光學(xué)間隙或腔)。可移動(dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動(dòng)反射層可以與固定部分反射層相隔相對(duì)大的距離定位。在第二位置(即，致動(dòng)位置)中，可移動(dòng)反射層可定位成更靠近于部分反射層。從兩個(gè)層反射的入射光可取決于可移動(dòng)反射層的位置而相長(zhǎng)或相消地干涉，從而產(chǎn)生每一像素的整體反射或非反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，MOD可在未致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)，反射在可見(jiàn)光譜內(nèi)的光，且可在致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，反射在可見(jiàn)光范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實(shí)施方案中，IMOD可在未致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，且在致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，弓I入所施加的電壓可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中，所施加的電荷可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。
[0051]圖1中的像素陣列的所描繪的部分包含兩個(gè)鄰近干涉調(diào)制器12。在左邊的IM0D12(如所說(shuō)明)中，可移動(dòng)反射層14被說(shuō)明成在距光學(xué)堆疊16預(yù)定距離的松弛位置中，所述光學(xué)堆疊包含部分反射層。橫跨左邊的IM0D12施加的電壓Vtl不足以引起可移動(dòng)反射層14的致動(dòng)。在右邊的IM0D12中，可移動(dòng)反射層14被說(shuō)明成在靠近或鄰近光學(xué)堆疊16的致動(dòng)位置中。橫跨右邊的IM0D12施加的電壓Vbias足以使可移動(dòng)反射層14維持在致動(dòng)位置中。
[0052]在圖1中，像素12的反射性質(zhì)通常用指示入射于像素12上的光13及從左邊的像素12反射的光15的箭頭來(lái)說(shuō)明。盡管未詳細(xì)說(shuō)明，但所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將理解，入射于像素12上的光13的大部分將透射穿過(guò)透明襯底20而朝向光學(xué)堆疊16。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將往回反射穿過(guò)透明襯底20。光13的透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分將在可移動(dòng)反射層14處朝向(及穿過(guò))透明襯底20往回反射。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)或相消)將確定從像素12反射的光15的波長(zhǎng)。
[0053]光學(xué)堆疊16可包含單個(gè)層或若干層。層可包含電極層、部分反射及部分透射層以及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電的、部分透射及部分反射的，且可例如通過(guò)將以上層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上而制成。電極層可由例如各種金屬(例如，氧化銦錫(ITO))等多種材料形成。部分反射層可由例如各種金屬(例如，鉻(Cr))、半導(dǎo)體及電介質(zhì)等為部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一個(gè)或一個(gè)以上材料層形成，且所述層中的每一者可由單個(gè)材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16可包含充當(dāng)光學(xué)吸收器及導(dǎo)體的金屬或半導(dǎo)體的單個(gè)半透明厚度，而(例如，光學(xué)堆疊16的或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的較導(dǎo)電的層或部分可用以在MOD像素之間載送(bus)信號(hào)。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的一個(gè)或一個(gè)以上絕緣或電介質(zhì)層。
[0054]在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16的層可經(jīng)圖案化成平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極，如下文所進(jìn)一步描述。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語(yǔ)“圖案化”在本文中用以指遮蔽以及蝕刻工藝。在一些實(shí)施方案中，例如鋁(Al)等高導(dǎo)電及反射材料可用于可移動(dòng)反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極?？梢苿?dòng)反射層14可經(jīng)形成為一個(gè)或一個(gè)以上沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學(xué)堆疊16的行電極)，以形成沉積于柱18上的列及沉積于柱18之間的插入犧牲材料。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時(shí)，所界定的間隙19或光學(xué)腔可形成于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實(shí)施方案中，柱18之間的間距可約為I到1000 μ m，而間隙19可小于10，000埃(A)。
[0055]在一些實(shí)施方案中，IMOD的每一像素(不管是在致動(dòng)狀態(tài)還是在松弛狀態(tài))本質(zhì)上為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器。當(dāng)不施加電壓時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中左邊的像素12所說(shuō)明，其中在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間具有間隙19。然而，當(dāng)將電位差(例如，電壓)施加到選定行及列中的至少一者時(shí)，對(duì)在對(duì)應(yīng)像素處在行及列電極的相交處形成的電容器充電，且靜電力將電極拉到一起。如果所施加的電壓超過(guò)閾值，那么可移動(dòng)反射層14可變形且移動(dòng)靠近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未圖示)可防止短路，且控制層14及16之間的分離距離，如圖1中右邊的致動(dòng)像素12所說(shuō)明。不管所施加的電位差的極性如何，行為是相同的。盡管陣列中的一系列像素可在一些情況下被稱作“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將容易理解，將一個(gè)方向稱作“行”及另一個(gè)稱作“列”是任意的。重申，在一些定向中，行可被視為列，且列可被視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行及列(“陣列”)或布置成非線性配置，例如具有相對(duì)于彼此的某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語(yǔ)“陣列”及“馬賽克”可指任一配置。因此，盡管顯示器被稱作包含“陣列”或“馬賽克”，但在任何情況下，元件自身并不需要彼此正交地布置或均勻分布地安置，而是可包含具有非對(duì)稱形狀及不均勻分布的元件的布置。
[0056]圖2展示說(shuō)明并入有3x3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。電子裝置包含處理器21，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)之外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)頁(yè)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序任何其它軟件應(yīng)用程序。
[0057]處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包含將信號(hào)提供到例如顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖1中所說(shuō)明的MOD顯示裝置的橫截面由圖2中的線1-1展示。盡管圖2出于清楚起見(jiàn)說(shuō)明IMOD的3x3陣列，但顯示器陣列30可含有極大量的頂0D，且可在行中具有與列中不同數(shù)目的M0D，且反之亦然。
[0058]圖3展示說(shuō)明圖1的干涉調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加電壓的圖的實(shí)例。對(duì)于MEMS干涉調(diào)制器，行/列(即，共同/分段)寫入程序可利用如圖3中所說(shuō)明的這些裝置的磁滯性質(zhì)。干涉調(diào)制器可能需要例如約10伏特電位差來(lái)使可移動(dòng)反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變到致動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)電壓從所述值減少時(shí)，可移動(dòng)反射層在電壓跌到例如10伏特以下時(shí)維持其狀態(tài)，然而可移動(dòng)反射層直到電壓跌到2伏特以下時(shí)才完全松弛。因此，如圖3中所示，存在大約3到7伏特的電壓范圍，其中存在裝置穩(wěn)定在松弛或致動(dòng)狀態(tài)的所施加電壓的窗口。在本文中這被稱作“磁滯窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對(duì)于圖3的具有磁滯特性的顯示器陣列30，行/列寫入程序可經(jīng)設(shè)計(jì)以每次尋址一個(gè)或一個(gè)以上行，以使得在尋址給定行期間，所尋址的行中待致動(dòng)的像素暴露于約10伏特的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏特的電壓差。在尋址之后，像素暴露于約5伏特的穩(wěn)定狀態(tài)或偏置電壓差以使得其保持先前選通狀態(tài)。在此實(shí)例中，在經(jīng)尋址之后，每一像素會(huì)看見(jiàn)在“穩(wěn)定窗口”內(nèi)約3到7伏特的電位差。此磁滯性質(zhì)特征使得例如圖1中所說(shuō)明的像素設(shè)計(jì)能夠在相同所施加電壓的條件下保持穩(wěn)定在致動(dòng)或松弛預(yù)先存在狀態(tài)。因?yàn)槊恳?IMOD像素(不管是在致動(dòng)狀態(tài)還是在松弛狀態(tài))本質(zhì)上為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器，所以可在磁滯窗口內(nèi)的穩(wěn)定電壓處保持此穩(wěn)定狀態(tài)而實(shí)質(zhì)上不消耗或損失電力。此外，如果所施加的電壓電位保持實(shí)質(zhì)上固定，那么基本上極少或沒(méi)有電流會(huì)流動(dòng)到MOD像素中。
[0059]在一些實(shí)施方案中，圖像的幀可通過(guò)根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)沿著列電極集合以“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號(hào)而產(chǎn)生。陣列的每一行可輪流尋址，使得以每次一行的方式寫入幀。為了將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對(duì)應(yīng)于第一行的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共同”電壓或信號(hào)的形式的第一行脈沖施加到第一行電極。分段電壓集合接著可改變以對(duì)應(yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)，且可將第二共同電壓施加到第二行電極。在一些實(shí)施方案中，第一行中的像素未受沿著列電極施加的分段電壓的改變的影響，且保持在其在第一共同電壓行脈沖期間所設(shè)定的狀態(tài)?？梢赃B續(xù)方式對(duì)完整系列的行或者列重復(fù)此過(guò)程以產(chǎn)生圖像幀?？赏ㄟ^(guò)以每秒鐘某一所要幀數(shù)持續(xù)地重復(fù)此過(guò)程，用新的圖像數(shù)據(jù)來(lái)刷新及/或更新所述幀。
[0060]橫跨每一像素施加的分段及共同信號(hào)的組合(即，橫跨每一像素的電位差)確定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種共同及分段電壓時(shí)干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。如所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將容易理解，可將“分段”電壓應(yīng)用于列電極或行電極，且可將“共同”電壓應(yīng)用于列電極或行電極中的另一者。
[0061]如圖4中(以及圖5B中所示的時(shí)序圖中)所說(shuō)明，當(dāng)沿著共同線施加釋放電壓VCeel時(shí)，沿著共同線的所有干涉調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者被稱作釋放或未致動(dòng)狀態(tài))，而不管沿著分段線施加的電壓，即高分段電壓VSh及低分段電壓VSp特定來(lái)說(shuō)，當(dāng)沿著共同線施加釋放電壓VC.時(shí)，橫跨調(diào)制器的電位電壓(或者被稱作像素電壓)當(dāng)沿著所述像素的對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時(shí)在松弛窗口(見(jiàn)圖3，也被稱作釋放窗口)內(nèi)。
[0062]當(dāng)在共同線上施加保持電壓(例如，高保持電壓VC_—H或低保持電壓VC_—J時(shí)，干涉調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來(lái)說(shuō)，松弛IMOD將保持于松弛位置，且致動(dòng)IMOD將保持于致動(dòng)位置?？蛇x擇保持電壓以使得當(dāng)沿著對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓￥&兩者時(shí)，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗口內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高VSh與低分段電壓Vs1^i間的差)小于正或負(fù)穩(wěn)定窗口的寬度。
[0063]當(dāng)在共同線上施加尋址或致動(dòng)電壓(例如，高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCaddL)時(shí)，可通過(guò)沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓選擇性地將數(shù)據(jù)寫入到沿著所述線的調(diào)制器。可選擇分段電壓以使得致動(dòng)取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿著共同線施加尋址電壓時(shí)，施加一個(gè)分段電壓將產(chǎn)生穩(wěn)定窗口內(nèi)的像素電壓，致使像素保持未致動(dòng)。相對(duì)比地，施加另一分段電壓將產(chǎn)生超出穩(wěn)定窗口的像素電壓，從而導(dǎo)致像素的致動(dòng)。引起致動(dòng)的特定分段電壓可取決于使用哪一尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)沿著共同線施加高尋址電壓VCadd h時(shí)，施加高分段電壓VSh可致使調(diào)制器保持于其當(dāng)前位置，而施加低分段電壓V&可引起調(diào)制器的致動(dòng)。按照推論，當(dāng)施加低尋址電壓VCADu時(shí)，分段電壓的效果可為相反的，其中高分段電壓VSh引起調(diào)制器的致動(dòng)，且低分段電對(duì)調(diào)制器的狀態(tài)沒(méi)有影響(即，保持穩(wěn)定)。
[0064]在一些實(shí)施方案中，可使用總是產(chǎn)生橫跨調(diào)制器的相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實(shí)施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號(hào)。橫跨調(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制可在單個(gè)極性的重復(fù)寫入操作之后發(fā)生的電荷積聚。
[0065]圖5A展示說(shuō)明圖2的3x3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實(shí)例。圖5B展示可用以寫入圖5A中所說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共同及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例?？蓪⑿盘?hào)施加到例如圖2的3x3陣列，其最終將導(dǎo)致圖5A中所說(shuō)明的線時(shí)間60e顯示布置。圖5A中的致動(dòng)調(diào)制器處于黑暗狀態(tài)，即其中反射光的實(shí)質(zhì)部分在可見(jiàn)光譜之外以便向例如檢視者產(chǎn)生黑暗外觀。在寫入圖5A中所說(shuō)明的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)，但圖5B的時(shí)序圖中所說(shuō)明的寫入程序假設(shè)每一調(diào)制器在第一線時(shí)間60a之前已被釋放且駐留于未致動(dòng)狀態(tài)。
[0066]在第一線時(shí)間60a期間:在共同線I上施加釋放電壓70 ;在共同線2上施加的電壓在高保持電壓72處開始且移動(dòng)到釋放電壓70 ;及沿著共同線3施加低保持電壓76。因此，沿著共同線I的調(diào)制器(共同1，分段I)、(1,2)及(1，3)在第一線時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持處于松弛或未致動(dòng)狀態(tài)，沿著共同線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動(dòng)到松弛狀態(tài)，且沿著共同線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)。參看圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對(duì)干涉調(diào)制器的狀態(tài)沒(méi)有影響，因?yàn)樵诰€時(shí)間60a期間，共同線1、2或3中無(wú)一者暴露于引起致動(dòng)的電壓電平(即，VCeel松弛且VCmi^穩(wěn)定)O
[0067]在第二線時(shí)間60b期間，共同線I上的電壓移動(dòng)到高保持電壓72，且沿著共同線I的所有調(diào)制器保持處于松弛狀態(tài)而不管所施加的分段電壓，這是因?yàn)闆](méi)有尋址或致動(dòng)電壓被施加于共同線I上。沿著共同線2的調(diào)制器歸因于施加釋放電壓70而保持處于松弛狀態(tài)，且沿著共同線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將在沿著共同線3的電壓移動(dòng)到釋放電壓70時(shí)松弛。
[0068]在第三線時(shí)間60c期間，通過(guò)在共同線I上施加高尋址電壓74來(lái)尋址共同線I。因?yàn)樵谑┘哟藢ぶ冯妷浩陂g沿著分段線I及2施加低分段電壓64，所以橫跨調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗口的高端(即，超過(guò)預(yù)定閾值的電壓差)，且致動(dòng)調(diào)制器(1，1)及(1，2)。相反地，因?yàn)檠刂侄尉€3施加高分段電壓62，所以橫跨調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持在調(diào)制器的正穩(wěn)定窗口內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。而且在線時(shí)間60(:期間，沿著共同線2的電壓降低到低保持電壓76，且沿著共同線3的電壓保持于釋放電壓70，使得沿著共同線2及3的調(diào)制器處于松弛位置。
[0069]在第四線時(shí)間60d期間，共同線I上的電壓返回到高保持電壓72，使得沿著共同線I的調(diào)制器處于其相應(yīng)的尋址狀態(tài)。共同線2上的電壓降低到低尋址電壓78。因?yàn)檠刂侄尉€2施加高分段電壓62，所以橫跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗口的下端，從而使得調(diào)制器(2，2)致動(dòng)。相反地，因?yàn)檠刂侄尉€I及3施加低分段電壓64，所以調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置。共同線3上的電壓增加到高保持電壓72，使得沿著共同線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)。
[0070]最終，在第五線時(shí)間60e期間，共同線I上的電壓保持于高保持電壓72，且共同線2上的電壓保持于低保持電壓76，使得沿著共同線I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)的尋址狀態(tài)。共同線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共同線3的調(diào)制器。在分段線2及3上施加低分段電壓64時(shí)，調(diào)制器(3，2)及(3，3)致動(dòng)，而沿著分段線I施加的高分段電壓62致使調(diào)制器(3，I)保持于松弛位置。因此，在第五線時(shí)間60e結(jié)束處，3x3像素陣列處于圖5A中所示的狀態(tài)，且將保持處于所述狀態(tài)，只要沿著共同線施加保持電壓即可，而不管當(dāng)尋址沿著其它共同線(未圖示)的調(diào)制器時(shí)可出現(xiàn)的分段電壓的變化。
[0071]在圖5B的時(shí)序圖中，給定寫入程序(S卩，線時(shí)間60a到60e)可包含使用高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓。一旦已對(duì)給定共同線完成寫入程序(且將共同電壓設(shè)定為具有與致動(dòng)電壓相同極性的保持電壓)，像素電壓便保持于給定穩(wěn)定窗口內(nèi)，且直到在所述共同線上施加釋放電壓方穿過(guò)松弛窗口。此外，因?yàn)樵趯ぶ氛{(diào)制器之前作為寫入程序的部分釋放每一調(diào)制器，所以調(diào)制器的致動(dòng)時(shí)間而非釋放時(shí)間可確定必要的線時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，在調(diào)制器的釋放時(shí)間大于致動(dòng)時(shí)間的實(shí)施方案中，可施加釋放電壓長(zhǎng)于單個(gè)線時(shí)間，如圖5B中所描繪。在一些其它實(shí)施方案中，沿著共同線或分段線施加的電壓可變化以導(dǎo)致不同調(diào)制器(例如，不同顏色的調(diào)制器)的致動(dòng)及釋放電壓的變化。
[0072]根據(jù)上文所闡述的原理而操作的干涉調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地變化。舉例來(lái)說(shuō)，圖6A到6E展示包含可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的干涉調(diào)制器的變化實(shí)施方案的橫截面實(shí)例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實(shí)例，其中金屬材料(即，可移動(dòng)反射層14)的條帶沉積在從襯底20正交地延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 MOD的可移動(dòng)反射層14的形狀通常為正方形或矩形且在系繩32上附接到支撐件的角上或角附近。在圖6C中，可移動(dòng)反射層14的形狀通常為正方形或矩形，且從可包含柔性金屬的可變形層34懸吊下來(lái)?？勺冃螌?4可在可移動(dòng)反射層14的周邊周圍直接或間接連接到襯底
20。這些連接在本文中被稱作支撐柱。圖6C中所示的實(shí)施方案具有由可變形層34實(shí)現(xiàn)的額外益處，所述額外益處來(lái)源自可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能的解耦。此解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料以及用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料彼此獨(dú)立地最優(yōu)化。
[0073]圖6D展不IMOD的另一實(shí)例,其中可移動(dòng)反射層14包含反射子層14a?？梢苿?dòng)反射層14擱置在例如支撐柱18等支撐結(jié)構(gòu)上。支撐柱18提供可移動(dòng)反射層14與下部靜止電極(即，所說(shuō)明的IMOD中的光學(xué)堆疊16的部分)的分離，因此間隙19形成于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間，例如當(dāng)可移動(dòng)反射層14處于松弛位置時(shí)。可移動(dòng)反射層14還可包含可經(jīng)配置以充當(dāng)電極的導(dǎo)電層14c及支撐層14b。在此實(shí)例中，導(dǎo)電層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近于襯底20的另一側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，反射子層14a可為導(dǎo)電的，且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包含電介質(zhì)材料(例如，氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一個(gè)或一個(gè)以上層。在一些實(shí)施方案中，支撐層14b可為層堆疊，例如Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射子層14a及導(dǎo)電層14c中的任一者或兩者可包含例如具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金,或另一反射金屬材料。使用在電介質(zhì)支撐層14b上方及下方的導(dǎo)電層14a、14c可平衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的導(dǎo)電性。在一些實(shí)施方案中，反射子層14a及導(dǎo)電層14c可出于多種設(shè)計(jì)目的(例如，實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力剖面)由不同材料形成。
[0074]如圖6D中所說(shuō)明，一些實(shí)施方案還可包含黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非作用區(qū)中(例如，在像素之間或在柱18之下)以吸收環(huán)境或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過(guò)抑制光從顯示器的非作用部分反射或透射穿過(guò)顯示器的非作用部分，借此增加對(duì)比率，而改進(jìn)顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可為導(dǎo)電的，且經(jīng)配置以充當(dāng)電匯流層。在一些實(shí)施方案中，行電極可連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減少所連接的行電極的電阻。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可使用多種方法形成，包含沉積及圖案化技術(shù)。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包含一個(gè)或一個(gè)以上層。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包含充當(dāng)光學(xué)吸收器、層的鑰-鉻(MoCr)層及充當(dāng)反射器及匯流層的鋁合金，其中厚度的范圍分別為約30到80 A、500到丨000 A及500到6000 A,,—個(gè)或一個(gè)以上層可使用多種技術(shù)來(lái)圖案化，包含光刻及干式蝕刻，包含例如用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣
(O2)，及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BC13)。在一些實(shí)施方案中，黑色掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉堆疊結(jié)構(gòu)。在所述干涉堆疊黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，導(dǎo)電吸收器可用以在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部靜止電極之間發(fā)射或載送信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，間隔物層35可用以大體上將吸收器層16a與黑色掩模23中的導(dǎo)電層電隔離。
[0075]圖6E展示MOD的另一實(shí)例，其中可移動(dòng)反射層14為自支撐的。與圖6D相對(duì)比，圖6E的實(shí)施方案不包含支撐柱18。替代地，可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16，且可移動(dòng)反射層14的曲率提供足夠的支撐以使得可移動(dòng)反射層14在橫跨干涉調(diào)制器的電壓不足以引起致動(dòng)時(shí)返回到圖6E的未致動(dòng)位置。此處出于清楚起見(jiàn)展示可含有多個(gè)若干不同層的光學(xué)堆疊16，包含光學(xué)吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)吸收器16a可既充當(dāng)固定電極又充當(dāng)部分反射層。
[0076]在例如圖6A到6E中所示的實(shí)施方案等實(shí)施方案中，IMOD充當(dāng)直視裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與布置有調(diào)制器的側(cè)相反的側(cè))檢視圖像。在這些實(shí)施方案中，裝置(即，在可移動(dòng)反射層14之后的顯示裝置的任何部分，包含例如圖6C中所說(shuō)明的可變形層34)的后部可在不沖擊或負(fù)面地影響顯示裝置的圖像質(zhì)量的情況下經(jīng)配置及操作，這是因?yàn)榉瓷鋵?4光學(xué)地屏蔽裝置的所述部分。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，總線結(jié)構(gòu)(未說(shuō)明)可包含在可移動(dòng)反射層14之后，其提供能力以將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如，電壓尋址及由所述尋址導(dǎo)致的移動(dòng))分離。另外，圖6A到6E的實(shí)施方案可簡(jiǎn)化處理，例如圖案化。
[0077]圖7展示說(shuō)明用于干涉調(diào)制器的制造工藝80的流程圖的實(shí)例，且圖8A到SE展示所述制造工藝80的對(duì)應(yīng)階段的橫截面示意性說(shuō)明的實(shí)例。在一些實(shí)施方案中，除了圖7中所未示的其它塊之外，制造工藝80還可經(jīng)實(shí)施以制造例如圖1及6中所說(shuō)明的一股類型的干涉調(diào)制器。參看圖1、6及7，工藝80在塊82處開始，其中在襯底20之上形成光學(xué)堆疊
16。圖8A說(shuō)明形成于襯底20之上的所述光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底,例如玻璃或塑料，其可為柔性的或相對(duì)硬及不易彎的，且可已經(jīng)受先前制備工藝(例如，清潔)以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有效形成。如上文所論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電的、部分透射及部分反射的，且可例如通過(guò)將具有所要性質(zhì)的一個(gè)或一個(gè)以上層沉積到透明襯底20上而制成。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實(shí)施方案中可包含更多或更少的子層。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置有光學(xué)吸收及導(dǎo)電性質(zhì)兩者，例如組合的導(dǎo)體/吸收器子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或一者以上可圖案化成平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極。所述圖案化可由遮蔽及蝕刻工藝或現(xiàn)有技術(shù)中已知的另一合適工藝執(zhí)行。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如沉積在一個(gè)或一個(gè)以上金屬層之上的子層16b (例如，一個(gè)或一個(gè)以上反射及/或?qū)щ妼?。另外，光學(xué)堆疊16可圖案化成形成顯示器的行的個(gè)別及平行條帶。
[0078]工藝80在塊84處繼續(xù)，其中在光學(xué)堆疊16之上形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在塊90處)以形成腔19，且因此在圖1中所說(shuō)明的所得干涉調(diào)制器12中并未展示犧牲層25。圖SB說(shuō)明包含形成于光學(xué)堆疊16之上的犧牲層25的部分制成裝置。在光學(xué)堆疊16之上形成犧牲層25可包含沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，例如鑰(Mo)或非晶硅(a-Si)，達(dá)經(jīng)選擇以在隨后移除之后提供具有所要設(shè)計(jì)大小的間隙或腔19 (也見(jiàn)圖1及SE)的厚度。沉積犧牲材料可使用沉積技術(shù)來(lái)進(jìn)行，例如物理氣相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂。
[0079]工藝80在塊86處繼續(xù)，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如，如圖1、6及8C中所說(shuō)明的柱
18。形成柱18可包含圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法將材料(例如，聚合物或無(wú)機(jī)材料，例如氧化硅)沉積到孔隙中以形成柱18。在一些實(shí)施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔隙可延伸穿過(guò)犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者到下伏襯底20，因此柱18的下端接觸襯底20，如圖6A中所說(shuō)明?；蛘?，如圖SC中所描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸穿過(guò)犧牲層25，但不穿過(guò)光學(xué)堆疊16。舉例來(lái)說(shuō)，圖SE說(shuō)明與光學(xué)堆疊16的上表面接觸的支撐柱18的下端。柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)可通過(guò)在犧牲層25之上沉積支撐結(jié)構(gòu)材料的層及圖案化遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔隙而定位的支撐結(jié)構(gòu)材料的部分而形成。支撐結(jié)構(gòu)可位于孔隙內(nèi)，如圖8C中所說(shuō)明，但還可至少部分在犧牲層25的部分之上延伸。如上文所注明，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可由圖案化及蝕刻工藝執(zhí)行，但還可由替代蝕刻方法執(zhí)行。
[0080]工藝80在塊88處繼續(xù)，其中形成可移動(dòng)層或薄膜，例如圖1、6及8D中所說(shuō)明的可移動(dòng)反射層14?？梢苿?dòng)反射層14可通過(guò)使用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)以及一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、遮蔽及/或蝕刻步驟而形成。可移動(dòng)反射層14可為導(dǎo)電的,且被稱作導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中,可移動(dòng)反射層14可包含多個(gè)子層14a、14b、14c，如圖8D中所示。在一些實(shí)施方案中，例如子層14a、14c等子層中的一者或一者以上可包含出于其光學(xué)性質(zhì)而選擇高反射子層，且另一子層14b可包含出于其機(jī)械性質(zhì)而選擇的機(jī)械子層。因?yàn)闋奚鼘?5仍存在于塊88處所形成的部分制成干涉調(diào)制器中，所以可移動(dòng)反射層14通常在此階段不可移動(dòng)。含有犧牲層25的部分制成MOD還可在本文中被稱作“未釋放” MOD。如上文結(jié)合圖1所描述，可移動(dòng)反射層14可圖案化成形成顯示器的列的個(gè)別及平行條帶。
[0081]工藝80在塊90處繼續(xù)，其中形成腔，例如，如圖1、6及8E中所說(shuō)明的腔19。腔19可通過(guò)將犧牲材料25 (在塊84處沉積)暴露于蝕刻劑而形成。舉例來(lái)說(shuō)，例如Mo或非晶Si等可蝕刻犧牲材料可通過(guò)干式化學(xué)蝕刻(例如，通過(guò)將犧牲層25暴露于例如從固體XeF2導(dǎo)出的蒸氣等氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑達(dá)有效地移除所要量的材料(通常相對(duì)于環(huán)繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除)的時(shí)間周期)來(lái)移除。還可使用其它蝕刻方法(例如，濕式蝕刻及/或等離子體蝕刻)。因?yàn)樵趬K90期間移除犧牲層25，所以可移動(dòng)反射層14通常在此階段之后可移動(dòng)。在移除犧牲材料25之后，所得完整或部分制成的IMOD可在本文中被稱作“釋放” IMOD。
[0082]如上文所論述，在MOD裝置的一些實(shí)施方案中，并入有具有在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層可為有利的。以此方式，第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可在可移動(dòng)層的端部之間電連接到或短接到彼此。因此，所述可移動(dòng)層可具有小于不包含延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的任何導(dǎo)電通孔的其它可移動(dòng)層的有效電阻、有效電容及總阻抗。此外，如下文所描述并入有一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層可甚至在已在第一導(dǎo)電層及/或第二導(dǎo)電層中形成斷裂之后仍保留穿過(guò)可移動(dòng)層的電通路。
[0083]圖9A展不具有第一導(dǎo)電層914a及第二導(dǎo)電層914c的可移動(dòng)層901的電氣不意圖的實(shí)例。可移動(dòng)層901及本文中所描述的可移動(dòng)層的其它實(shí)施方案可例如為包含干涉調(diào)制器的雙穩(wěn)態(tài)或模擬EMS裝置的部分。第一導(dǎo)電層914a可在可移動(dòng)層901的端部903及905處通過(guò)端部連接911電連接到第二導(dǎo)電層914c。可移動(dòng)層901可與干涉調(diào)制器裝置中的一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊(未圖示)間隔開以便形成包含可移動(dòng)層901及光學(xué)堆疊的顯示元件912。舉例來(lái)說(shuō)，可移動(dòng)層901可安置于一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊下方，且經(jīng)配置以相對(duì)于一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊移動(dòng)。如所說(shuō)明，第一導(dǎo)電層914a的對(duì)應(yīng)于顯示元件912的部分可形成有效電阻器924a，所述電阻器在可移動(dòng)層901的端部903及905之間串聯(lián)地連接到彼此。類似地，第二導(dǎo)電層914c的對(duì)應(yīng)于顯示元件912的部分可形成有效電阻器924c，所述電阻器在可移動(dòng)層901的端部903及905之間串聯(lián)地連接到彼此。另外，在第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c之間延伸的端部連接911可各自在第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c之間形成有效電阻器921。
[0084]仍參看圖9A，可移動(dòng)層901還包含在端部連接911之間安置于第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c之間的非導(dǎo)電層914b。端部連接911可包含能夠電連接第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c的任何導(dǎo)電材料。在此實(shí)施方案中，非導(dǎo)電層914b在端部連接911之間持續(xù)地延伸，使得有效電容器924b在顯示元件912之間形成于第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c之間?？梢苿?dòng)層901的這些有效電容器924b及有效電阻器924a、924c及921可影響可移動(dòng)層901的總阻抗。即，可移動(dòng)層901的電容器924b及有效電阻器924a、924c及921可相反地影響例如從列驅(qū)動(dòng)器電路穿過(guò)可移動(dòng)層901的電流或信號(hào)。
[0085]圖9B展示具有由多個(gè)導(dǎo)電通孔977電連接到彼此的第一導(dǎo)電層964a及第二導(dǎo)電層964c的可移動(dòng)層951的電氣不意圖的實(shí)例。第一導(dǎo)電層964a也在可移動(dòng)層951的端部953及955處通過(guò)端部連接961電連接到第二導(dǎo)電層964c?？梢苿?dòng)層951可與干涉調(diào)制器裝置中的一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊(未圖示)間隔開以便形成在可移動(dòng)層951及光學(xué)堆疊之間的顯示元件962。舉例來(lái)說(shuō)，可移動(dòng)層951可安置于一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊下方，且經(jīng)配置以相對(duì)于一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)堆疊移動(dòng)。如所說(shuō)明，第一導(dǎo)電層964a的對(duì)應(yīng)于顯示元件962的部分可形成有效電阻器974a，所述電阻器在可移動(dòng)層951的端部953及955之間串聯(lián)地連接到彼此。類似地，第二導(dǎo)電層964c的對(duì)應(yīng)于顯示元件962的部分可形成有效電阻器974c，所述電阻器在可移動(dòng)層951的端部953及955之間串聯(lián)地連接到彼此。另夕卜，在第一導(dǎo)電層964a與第二導(dǎo)電層964c之間延伸的端部連接961可各自形成有效電阻器 971。
[0086]仍參看圖9B，可移動(dòng)層951還包含在端部連接961之間安置于第一導(dǎo)電層964a與第二導(dǎo)電層964c之間的非導(dǎo)電層964b。在此實(shí)施方案中，可移動(dòng)層951包含導(dǎo)電通孔977,所述導(dǎo)電通孔經(jīng)由非導(dǎo)電層964b電連接第一導(dǎo)電層964a與第二導(dǎo)電層964c。以此方式，一個(gè)或一個(gè)以上有效電阻器979由可移動(dòng)層951的顯不兀件962之間的導(dǎo)電通孔977形成。因?yàn)閷?dǎo)電通孔977的有效電阻器979及有效電阻器971并聯(lián)地連接于第一導(dǎo)電層964a與第二導(dǎo)電層964c之間，所以可移動(dòng)層951具有比不包含延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層914b的任何導(dǎo)電通孔的圖9A的可移動(dòng)層901低的總有效電阻及阻抗。
[0087]在一些實(shí)施方案中，例如MOD裝置等EMS裝置可暴露于用戶或工具(例如，鋼筆或鐵筆)的物理接觸或觸碰。舉例來(lái)說(shuō)，EMS裝置可實(shí)施于包含觸控輸入表面或接口的設(shè)備中。在所述實(shí)施方案中，EMS裝置的可移動(dòng)層可經(jīng)受由觸碰或接觸引起的有效的力，且有效的力可致使可移動(dòng)層的一個(gè)或一個(gè)以上層斷裂或分離。
[0088]圖9C展示第一導(dǎo)電層914a在可移動(dòng)層901的端部903及905之間具有斷裂930a及第二導(dǎo)電層914c在可移動(dòng)層901的端部903及905之間具有斷裂930c的圖9A的實(shí)例電氣不意圖。因?yàn)閳D9A及9C中的可移動(dòng)層901不包含在第一導(dǎo)電層914a與第二導(dǎo)電層914c之間延伸的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔，所以斷裂930a及930c使得可移動(dòng)層901的左側(cè)及右側(cè)彼此電分離。因此，例如從驅(qū)動(dòng)器被提供到可移動(dòng)層901的信號(hào)可不從一個(gè)端部903穿過(guò)可移動(dòng)層901到另一端部905。S卩，斷裂930a及930c可產(chǎn)生可移動(dòng)層901的“線路輸出”。
[0089]圖9D展示第一導(dǎo)電層964a在可移動(dòng)層951的端部953及955之間具有斷裂980a及第二導(dǎo)電層964c在可移動(dòng)層951的端部953及955之間具有斷裂980c的圖9B的實(shí)例電氣示意圖。與圖9A的可移動(dòng)層901相對(duì)比，因?yàn)閳D9B及9D中的可移動(dòng)層951包含在第一導(dǎo)電層964a與第二導(dǎo)電層964c之間延伸的導(dǎo)電通孔977，所以可移動(dòng)層951即使在具有斷裂980的情況下仍提供可移動(dòng)層951的端部953與955之間的電通路。即，即使可移動(dòng)層951包含斷裂980，例如從驅(qū)動(dòng)器提供到可移動(dòng)層951的信號(hào)可通過(guò)從第一導(dǎo)電層964a及第二導(dǎo)電層964c中的一者穿過(guò)導(dǎo)電通孔977到第一導(dǎo)電層964a及第二導(dǎo)電層964c中的另一者而從一個(gè)端部953穿過(guò)可移動(dòng)層951到另一端部955。
[0090]圖1OA展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1004的EMS裝置1000的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在由可移動(dòng)層1004a、1004b及1004c及多個(gè)下伏電極1002形成的顯不兀件1006a、1006b及1006c的中心在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔1025。如本文中所使用，EMS裝置的仰視平面圖是指與接收入射光的裝置的側(cè)相反的裝置的視圖(例如，與圖1中所說(shuō)明的襯底20相反的側(cè))。如圖所示，電極1002按行安置(在圖1OA中水平地描繪)，且可移動(dòng)層1004a、1004b及1004c按列安置(在圖1OA中垂直地描繪)，垂直于電極1002而延伸。電極1002與可移動(dòng)層1004a、1004b及1004c的重疊部分界定九個(gè)顯示元件1006(包含各三個(gè)顯示元件1006a、1006b及1006c)。支撐件1008安置于每一顯示元件1006的角區(qū)處，且經(jīng)配置以相對(duì)于電極1002支撐可移動(dòng)層1004的邊緣部分。
[0091]在一些實(shí)施方案中，電極1002可為光學(xué)堆疊的導(dǎo)電部分。因此，在此及以下論述中對(duì)電極1002的參考將被理解為對(duì)光學(xué)堆疊(例如，圖6A到6E中所說(shuō)明的光學(xué)堆疊16)的導(dǎo)電層的參考。盡管圖1OA出于清楚起見(jiàn)省略了光學(xué)堆疊的其它層(例如，部分反射層或吸收器及/或一個(gè)或一個(gè)以上透明電介質(zhì)層)，但對(duì)于特定應(yīng)用，其它層可在需要時(shí)存在。EMS裝置1000還包含安置于電極1002及可移動(dòng)層1004之下(例如，離圖1OA的視圖最遠(yuǎn))的光學(xué)或黑色掩模結(jié)構(gòu)1009。在一些實(shí)施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)1009可被配置成類似于上文參看圖6D及6E所描述的黑色掩模結(jié)構(gòu)23以吸收EMS裝置1000的非作用部分中的環(huán)境或雜散光，且通過(guò)增加對(duì)比率而改進(jìn)EMS裝置1000的光學(xué)響應(yīng)。
[0092]在圖1OA中所說(shuō)明的實(shí)施方案中，可移動(dòng)層1004各自包含在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔1025。舉例來(lái)說(shuō)，可移動(dòng)層1004a包含三個(gè)導(dǎo)電通孔1025a，所述導(dǎo)電通孔安置于形成于可移動(dòng)層1004a與電極1002之間的顯示元件1006a中的每一者的中心。類似地，可移動(dòng)層1004b包含安置于形成于可移動(dòng)層1004b與電極1002之間的顯示元件1006b中的每一者的中心的三個(gè)導(dǎo)電通孔1025b。最后，可移動(dòng)層1004c包含安置于形成于可移動(dòng)層1004c與電極1002之間的顯示元件1006c中的每一者的中心的三個(gè)導(dǎo)電通孔1025c。在所述實(shí)施方案中，可移動(dòng)層1004的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層沿著可移動(dòng)層1004的長(zhǎng)度電連接。因此，可移動(dòng)層1004可具有比其它可移動(dòng)層低的電阻，且在如上文參看圖9A到9D所論述的觸碰狀況下可防止線路輸出。
[0093]還參看圖10A，每一可移動(dòng)層1004可包含安置于支撐件1008之間的一個(gè)或一個(gè)以上槽或切口 1090。在一些實(shí)施方案中，槽1090安置于可移動(dòng)層1004中在顯示元件1006之間。以此方式，槽1090可使得可移動(dòng)層1004的部分彼此分離以避免顯示元件1006之間的機(jī)械串?dāng)_。
[0094]圖1OB展示沿著線10B-10B截取的圖1OA的實(shí)例EMS裝置1000的橫截面圖。圖1OB還展示安置于電極1002與下伏襯底層1020之間的絕緣層1035。襯底層1020可包含任何合適的襯底，例如玻璃。如上文所論述，每一電極1002可為包含吸收器層1016a及電介質(zhì)層1016b的光學(xué)堆疊1016的導(dǎo)電部分。因此,在一些實(shí)施方案中，電極1002可為光學(xué)堆疊1016的導(dǎo)電吸收器層1016a。在所述實(shí)施方案中，干涉腔可由吸收器層1016a及反射層1014a界定,所述干涉腔可包含電介質(zhì)層1016b及在電介質(zhì)層1016b與反射層1014a之間的間隙1021。
[0095]如上文參看圖1OA所論述，圖1OA的可移動(dòng)層1004可包含多個(gè)層。舉例來(lái)說(shuō)，如圖1OB中所說(shuō)明，可移動(dòng)層1004b包含第一導(dǎo)電層1014a、第二導(dǎo)電層1014c及安置于第一導(dǎo)電層1014a與第二導(dǎo)電層1014c之間的非導(dǎo)電層1014b。盡管非導(dǎo)電層1014b可包含使得第一導(dǎo)電層1014a及第二導(dǎo)電層1014c的部分電分離的電介質(zhì)材料，但導(dǎo)電通孔1025經(jīng)由非導(dǎo)電層1014b而電連接第一導(dǎo)電層1014a與第二導(dǎo)電層1014c。
[0096]而且在圖1OB中展示間隙1021，所述間隙可為例如氣隙。在可移動(dòng)層1004b與電極1002之間界定間隙1021。可移動(dòng)層1004b經(jīng)配置以在由電極1002中的任一者與可移動(dòng)層1004之間的致動(dòng)電壓致動(dòng)時(shí)相對(duì)于光學(xué)堆疊1016而移動(dòng)穿過(guò)間隙1021。在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)層1004b可經(jīng)配置以移動(dòng)穿過(guò)間隙1021，以使得第一導(dǎo)電層1014a在致動(dòng)時(shí)接觸光學(xué)堆疊1016中的一者的電介質(zhì)層1016b。
[0097]圖1lA展示說(shuō)明制造設(shè)備的實(shí)例方法1100的流程圖。方法1100可用以制造EMS裝置，例如包含具有在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔的至少一個(gè)可移動(dòng)層的MOD裝置。舉例來(lái)說(shuō)，方法1100可用以制造圖1OA及IOB的EMS裝置1000。
[0098]如塊1101中所示，方法1100包含形成安置成一行的多個(gè)顯示元件。在一些實(shí)施方案中，形成多個(gè)顯示元件中的每一者包含形成部分透射及部分反射光學(xué)堆疊。舉例來(lái)說(shuō)，類似于圖1OB的光學(xué)堆疊1016，部分透射及部分反射光學(xué)堆疊可包含吸收器層(例如，部分反射及部分透射層)及電介質(zhì)層。在一些實(shí)施方案中，吸收器層可包含鑰-鉻(MoCr)層，其厚度在3nm與12nm之間,例如6nm,但吸收器層可取決于所要實(shí)施方案而更厚或更薄。電介質(zhì)層可包含能夠使吸收器層與可移動(dòng)層絕緣的任何合適的非導(dǎo)電或電介質(zhì)材料。舉例來(lái)說(shuō)，電介質(zhì)層可包含SiO2、氮氧化娃(SiON)、氧化招(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、氧化錯(cuò)(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或其混合物。
[0099]形成多個(gè)顯示元件中的每一者還可包含在光學(xué)堆疊之上沉積犧牲層，及在犧牲層及光學(xué)堆疊之上形成可移動(dòng)層。在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)層可形成于犧牲層之上以使得當(dāng)移除犧牲層時(shí)，可移動(dòng)層可朝向及遠(yuǎn)離光學(xué)堆疊而移動(dòng)。形成所述可移動(dòng)層可包含:形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層之上形成非導(dǎo)電層；及形成第二導(dǎo)電層。可移動(dòng)層可類似于圖1OA及IOB的可移動(dòng)層1004。
[0100]在一些實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電層可包含具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射及導(dǎo)電材料。第二導(dǎo)電層可包含與第一導(dǎo)電層相同的材料，或可由不同材料形成。舉例來(lái)說(shuō)，第二導(dǎo)電層可包含具有約0.5% Cu的Al合金，或另一導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施方案中，可選擇第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的材料以使得第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層具有實(shí)質(zhì)上類似的熱膨脹系數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電層可具有在第二導(dǎo)電層的熱膨脹系數(shù)的20%內(nèi)的熱膨脹系數(shù)。以此方式，第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可用以在暴露可移動(dòng)層的溫度變動(dòng)時(shí)平衡可移動(dòng)層。
[0101]非導(dǎo)電層可包含電介質(zhì)材料(例如，氮氧化硅(SiON)或SiO2)的一個(gè)或一個(gè)以上層。在一些實(shí)施方案中，非導(dǎo)電層可為層堆疊，例如Si02/Si0N/Si02三層堆疊。此外，在一些實(shí)施方案中，每一顯示元件的所述第一導(dǎo)電層電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第一導(dǎo)電層。類似地，每一顯示元件的所述第二導(dǎo)電層可電連接到顯示元件的所述行中的任何鄰近顯示元件的所述第二導(dǎo)電層。
[0102]在一些實(shí)施方案中，所述光學(xué)堆疊可包含第一電極，且所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層可形成第二電極的至少一部分。以此方式，每一顯示元件的所述可移動(dòng)層可經(jīng)配置以基于橫跨所述第一電極及所述第二電極施加的電壓在致動(dòng)位置與松弛位置之間移動(dòng)。因此，每一顯示元件可干涉調(diào)制入射于其上的光以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。
[0103]如塊1103中所示，方法1100還包含在至少一個(gè)顯示元件的可移動(dòng)層中形成至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可形成于顯示元件的第一導(dǎo)電層與顯示元件的第二導(dǎo)電層之間。以此方式，第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可電連接到彼此，且可減少可移動(dòng)層的總電阻及阻抗。在一些實(shí)施方案中，形成至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含在形成第二導(dǎo)電層之前蝕刻顯示元件中的至少一者的非導(dǎo)電層?？稍诘谝粚?dǎo)電層與非導(dǎo)電層的與第一導(dǎo)電層相反的表面之間蝕刻非導(dǎo)電層以便形成穿過(guò)非導(dǎo)電層的空隙或空間。第二導(dǎo)電層接著可形成于非導(dǎo)電層之上以使得用以形成第二導(dǎo)電層的材料可經(jīng)由非導(dǎo)電層穿過(guò)或滲透到空隙或空間中，直到到達(dá)第一導(dǎo)電層為止，以便形成導(dǎo)電通孔。因此，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可包含與第二導(dǎo)電層相同的材料。在一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔包含不同于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層中的至少一者的材料。
[0104]如下文更詳細(xì)所論述，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可形成于至少一個(gè)顯示元件的各種位置中。舉例來(lái)說(shuō)，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可安置于顯示元件中的至少一者的系繩區(qū)域中。即，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可安置于柱結(jié)構(gòu)附近，所述柱結(jié)構(gòu)支撐可移動(dòng)層在電極或光學(xué)堆疊上方。在一些實(shí)施方案中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可沿著所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的邊緣安置。換句話說(shuō)，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可沿著可移動(dòng)層的邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可形成于顯示元件的中心。此夕卜，在一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可形成于EMS裝置的黑色掩模結(jié)構(gòu)的下面。以此方式，至少一個(gè)導(dǎo)電通孔可由掩模結(jié)構(gòu)屏蔽。在一些實(shí)施方案中，每一顯示元件可包含至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，且在其它實(shí)施方案中，并非每一顯示元件皆包含導(dǎo)電通孔。在一些實(shí)施方案中，顯示元件可包含多個(gè)導(dǎo)電通孔，例如2到10個(gè)導(dǎo)電通孔，且在一些實(shí)施方案中，甚至10個(gè)以上導(dǎo)電通孔。
[0105]圖1lB到IlE展示根據(jù)圖1lA的實(shí)例方法的制造圖1OA及IOB的EMS裝置的實(shí)例工藝的橫截面圖。
[0106]圖1lB說(shuō)明圖1OB的光學(xué)堆疊1016、絕緣層1035及襯底1020。犧牲層1030安置于光學(xué)堆疊1016之上，且第一導(dǎo)電層1014a安置于犧牲層1030之上。在一些實(shí)施方案中，犧牲層1030包含光阻材料或其它可分解材料，例如二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，例如Mo或a-Si0沉積犧牲層1030可使用沉積技術(shù)來(lái)進(jìn)行，例如物理氣相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂。第一導(dǎo)電層1014a可使用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟以及一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、遮蔽及/或蝕刻步驟來(lái)形成。在一些實(shí)施方案中，第一導(dǎo)電層包含Al合金，例如具有0.5% Cu的Al合金。
[0107]圖1lC說(shuō)明沉積于圖1lB中所描繪的第一導(dǎo)電層1014a之上的非導(dǎo)電層1014b。如上文所論述，非導(dǎo)電層可包含一個(gè)或一個(gè)以上電介質(zhì)層，例如氮氧化硅(SiON)的一個(gè)或一個(gè)以上層。圖1lD說(shuō)明在非導(dǎo)電層1014b經(jīng)圖案化及蝕刻以產(chǎn)生延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層1014b到第一導(dǎo)電層1014a的空隙或孔1027之后的非導(dǎo)電層1014b。非導(dǎo)電層1014b可使用包含光刻及干式蝕刻的多種技術(shù)來(lái)圖案化及蝕刻。
[0108]圖1lE說(shuō)明在第二導(dǎo)電層1014c已沉積在非導(dǎo)電層1014b之上之后的可移動(dòng)層1004b。第二導(dǎo)電層1014c可包含任何導(dǎo)電材料，例如具有0.5% Cu的Al合金。在一些實(shí)施方案中，經(jīng)沉積以形成第二導(dǎo)電層1014c的材料延伸或滲透穿過(guò)圖1lD的空隙1027以形成導(dǎo)電通孔1025b，如圖1lE中所示。在所述實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1025b經(jīng)由可移動(dòng)層的端部之間的非導(dǎo)電層1014b電連接第一導(dǎo)電層1014a與第二導(dǎo)電層1014c。在已沉積第二導(dǎo)電層1014c之后，由第一導(dǎo)電層1014a、非導(dǎo)電層1014b及第二導(dǎo)電層1014c形成的可移動(dòng)層1004b可經(jīng)圖案化及蝕刻以形成槽1090b。如上文所論述，所述槽1090b可使得可移動(dòng)層1004b的部分彼此分離，以避免由可移動(dòng)層1004b及光學(xué)堆疊1016引起的在顯示元件之間的機(jī)械串?dāng)_。
[0109]在圖1lE中，槽1090b可在一些實(shí)施方案中通過(guò)將第一導(dǎo)電層1014a、非導(dǎo)電層1014b及第二導(dǎo)電層1014c圖案化及蝕刻在一起而形成。在一些實(shí)施方案中的替代工藝為使用多個(gè)步驟圖案化及蝕刻槽1090b，其中每一步驟圖案化及蝕刻三個(gè)層(例如，第一導(dǎo)電層1014a、非導(dǎo)電層1014b及第二導(dǎo)電層1014c)中的一者或兩者。舉例來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電層1014a可在沉積在犧牲層1030之上之后經(jīng)圖案化及蝕刻以形成槽1090b。非導(dǎo)電層1014b接著可沉積在第一導(dǎo)電層1014a之上，且可經(jīng)圖案化及蝕刻以形成孔1027及槽1090b。第二導(dǎo)電層1014c可沉積在第一導(dǎo)電層1014a及非導(dǎo)電層1014b之上以形成導(dǎo)電通孔1025b，且可經(jīng)圖案化及蝕刻以形成層中的槽1090b。在導(dǎo)電通孔1025b形成于槽1090b中的實(shí)施方案中，多個(gè)步驟工藝可較容易實(shí)施。
[0110]可從圖1lE中所說(shuō)明的配置移除犧牲層1030，其產(chǎn)生圖1OB中所說(shuō)明的EMS裝置。犧牲層1030可通過(guò)干式化學(xué)蝕刻移除，例如通過(guò)將犧牲層暴露于包含從固體XeF2導(dǎo)出的蒸氣的氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑達(dá)有效地通常相對(duì)于環(huán)繞犧牲層1030的結(jié)構(gòu)選擇性地移除所要量的材料的時(shí)間周期。還可使用其它蝕刻方法(例如，濕式蝕刻及/或等離子體蝕刻)。移除犧牲層1030會(huì)產(chǎn)生在可移動(dòng)層1004b與光學(xué)堆疊1016之間的圖1OB中所說(shuō)明的間隙1021。在一些實(shí)施方案中，間隙1021允許可移動(dòng)層1004b相對(duì)于襯底1020移動(dòng)。
[0111]圖1OA說(shuō)明具有圓形橫截面形狀且安置于顯示元件1006的中心的導(dǎo)電通孔1025。另外，圖1OA中所說(shuō)明的導(dǎo)電通孔1025各自類似地設(shè)定大小。然而，在一些其它實(shí)施方案中，可移動(dòng)層中的在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔可與圖1OA的導(dǎo)電通孔1025不同地設(shè)定大小、形狀及位置，如下文參看圖12到17所描述。
[0112]圖12展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1204的EMS裝置1200的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有沿著由可移動(dòng)層1204及多個(gè)下伏電極1002形成的顯示元件1206的相反邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔1225。類似于上文參看圖1OA所論述的EMS裝置1000，EMS裝置1200的電極1002按行安置，且可移動(dòng)層1204按列安置，垂直于電極1002而延伸。電極1002與可移動(dòng)層1204的重疊部分界定九個(gè)顯示元件1206。支撐件1008安置于每一顯示元件1206的角區(qū)處，且經(jīng)配置以相對(duì)于電極1002支撐可移動(dòng)層1204的邊緣部分。EMS裝置1200還包含安置于電極1002及可移動(dòng)層1204之下的黑色掩模結(jié)構(gòu)1009。[0113]在一些實(shí)施方案中，每一可移動(dòng)層1204可包含多個(gè)導(dǎo)電通孔1225。導(dǎo)電通孔1225的形狀可為矩形，且安置于顯示元件1206的相反邊緣上。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1225安置于可移動(dòng)層1204內(nèi)在可移動(dòng)層1204下面延伸的電極1002的邊緣之上(如圖12中所檢視)。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1225可安置于可移動(dòng)層1204中在鄰近支撐結(jié)構(gòu)1008之間，如圖12中所說(shuō)明。換句話說(shuō)，導(dǎo)電通孔1225可安置于可移動(dòng)層1204的接近于支撐結(jié)構(gòu)1008的系繩區(qū)域或區(qū)中。在所述實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1225可影響支撐結(jié)構(gòu)1008附近的可移動(dòng)層1204的硬度。
[0114]圖13展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1304的EMS裝置1300的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有沿著由可移動(dòng)層1304及多個(gè)下伏電極1002形成的顯示元件1306的四個(gè)邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔1304。圖13的EMS裝置1300與圖12的EMS裝置1200類似的地方在于EMS裝置1300包含電極1002、支撐結(jié)構(gòu)1008及黑色掩模結(jié)構(gòu)。然而，圖13的每一可移動(dòng)層1304包含沿著每一顯示元件1306的所有四個(gè)邊緣的具有矩形橫截面形狀的導(dǎo)電通孔1325。S卩，導(dǎo)電通孔1325安置于可移動(dòng)層1304內(nèi)在每一顯示元件1306中的電極1002的邊緣之上，且沿著每一顯示元件1306中的可移動(dòng)層1304的邊緣。因此，圖13的可移動(dòng)層1304具有比圖12的可移動(dòng)層1204多的導(dǎo)電通孔。因此,可移動(dòng)層1204的電阻可大于可移動(dòng)層1304的電阻。
[0115]圖14展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1404的EMS裝置1400的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有成對(duì)地沿著由可移動(dòng)層及多個(gè)下伏電極1002形成的顯示元件的相反邊緣在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)導(dǎo)電通孔1425。導(dǎo)電通孔1425的形狀為矩形，且成對(duì)地安置于顯示元件1406的相反邊緣上。S卩，每一顯示元件1406包含一對(duì)矩形形狀導(dǎo)電通孔1425，所述導(dǎo)電通孔沿著上覆于電極的邊緣的顯示元件的第一邊緣并排地安置。此外，每一顯示元件1406包含沿著上覆于電極的另一邊緣的顯示元件的第二邊緣并排地安置的另一對(duì)導(dǎo)電通孔1425。在一些實(shí)施方案中，所述對(duì)導(dǎo)電通孔1425可安置于可移動(dòng)層1404中在鄰近支撐結(jié)構(gòu)1008之間。
[0116]圖15展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1504的EMS裝置1500的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在顯示器的黑色掩模結(jié)構(gòu)1009之上在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)圓形導(dǎo)電通孔1525。如所說(shuō)明，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1525具有圓形或曲線橫截面形狀，且大小不同于圖1OA及12到14的導(dǎo)電通孔(例如，每一導(dǎo)電通孔1525的橫截面面積不同于圖1OA及12到14的導(dǎo)電通孔的橫截面面積)。
[0117]在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1525可安置于可移動(dòng)層1504的與EMS裝置1500的黑色掩模結(jié)構(gòu)1009重疊的部分中。以此方式，與圖1OA及12到14中示意性地說(shuō)明的導(dǎo)電通孔相對(duì)比，可在從圖15中所示的相反側(cè)檢視EMS裝置1500時(shí)由黑色掩模結(jié)構(gòu)1009屏蔽或遮蔽導(dǎo)電通孔1525。因此，在所述實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1525可經(jīng)配置以便不影響來(lái)自EMS裝置1500的經(jīng)干涉調(diào)制的反射率。此外，如所說(shuō)明，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1525可安置于顯示元件1506的系繩區(qū)域中。因此，導(dǎo)電通孔1525可減少支撐結(jié)構(gòu)1008附近的可移動(dòng)層1504的硬度。
[0118]圖16展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1604的EMS裝置1600的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在顯不器的掩模結(jié)構(gòu)1009之上在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸的多個(gè)橢圓形導(dǎo)電通孔1625。類似于圖15的導(dǎo)電通孔1525,導(dǎo)電通孔1625可在顯不兀件1606的系繩區(qū)域中與黑色掩模結(jié)構(gòu)1009重疊。因此，導(dǎo)電通孔1625可經(jīng)配置以不影響來(lái)自EMS裝置1600的反射率。然而，與圖15中所說(shuō)明的導(dǎo)電通孔1525相對(duì)比，導(dǎo)電通孔1625的大小及形狀不同。因此，可移動(dòng)層1604可具有不同于圖15的可移動(dòng)層1504的硬度或剛性特性。舉例來(lái)說(shuō)，可移動(dòng)層1604在支撐結(jié)構(gòu)1008附近的硬度可低于圖15的可移動(dòng)層 1604。
[0119]圖17展示具有多個(gè)可移動(dòng)層1704的EMS裝置1700的實(shí)例的部分的仰視平面圖，所述可移動(dòng)層各自具有在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間延伸穿過(guò)非導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電通孔1725。在所說(shuō)明實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1725安置于形成于可移動(dòng)層1704中的槽1790內(nèi)在顯示元件1706之間。即，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1725可通過(guò)在槽1790中形成導(dǎo)電通孔1725而定位于顯示元件1706之間。在所述實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔1725可具有與槽1790的寬度相同的寬度。在一些實(shí)施方案中，槽1790的寬度可在2μπι與4μπι之間，例如3 μ m。每一導(dǎo)電通孔1725可具有在0.5 μ m與5 μ m之間的長(zhǎng)度,例如1.5 μ m。導(dǎo)電通孔1725的較大長(zhǎng)度可針對(duì)較高幀速率減少電阻及RC延遲。然而，因?yàn)榭梢苿?dòng)層1704的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可沉積在槽1790中，其可誘發(fā)顯示元件1706之間的機(jī)械串?dāng)_，所以導(dǎo)電通孔1725的長(zhǎng)度可最優(yōu)化以具有仍不會(huì)誘發(fā)顯示元件1706之間的機(jī)械串?dāng)_的最大長(zhǎng)度。此外，因?yàn)閷?dǎo)電通孔1725形成于顯示元件1706之間，所以導(dǎo)電通孔1725可不影響每一顯示元件1706的反射特性。
[0120]如通過(guò)比較圖1OA與圖12到17所理解，EMS裝置可包含具有各種數(shù)目個(gè)導(dǎo)電通孔的可移動(dòng)層。而且，形成于可移動(dòng)層中的導(dǎo)電通孔可具有各種大小、形狀及相對(duì)于EMS裝置的剩余部分的位置。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電通孔可具有圓形、橢圓形、曲線、多邊形、矩形、正方形或其它橫截面形狀。另外，導(dǎo)電通孔可安置于例如顯示元件之間、在系繩區(qū)域(例如，附近支撐結(jié)構(gòu))中，沿著顯示元件的一個(gè)或一個(gè)以上邊緣，在顯示元件的中心，及/或使得導(dǎo)電通孔由一個(gè)或一個(gè)以上黑色掩模結(jié)構(gòu)遮蔽或屏蔽。此外，導(dǎo)電通孔的大小或橫截面面積可變化。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔可具有在2 μ Hi2與20 μ Hi2之間的橫截面面積。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電通孔可具有在3 μ Hi2與4 μ Hi2之間的橫截面面積。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔可具有在3 μ Hi2與10 μ Hi2之間的橫截面面積。
[0121]在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔的大小、形狀、數(shù)量及/或定位可基于可移動(dòng)層的所要硬度來(lái)選擇。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電通孔可安置于可移動(dòng)層的系繩區(qū)域中以減少可移動(dòng)層的硬度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電通孔的大小、形狀、數(shù)量及/或定位可基于可移動(dòng)層的所要反射性質(zhì)來(lái)選擇。以此方式，具有可移動(dòng)層(其具有一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔)的EMS裝置可經(jīng)配置以使用光學(xué)干涉及吸收的原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。此外，所述可移動(dòng)層的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔可降低可移動(dòng)層的有效電阻及/或電容。而且，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層及/或第二導(dǎo)電層的部分歸因于有效的力而斷裂時(shí)，所述可移動(dòng)層的一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電通孔可防止可移動(dòng)層的線路輸出。
[0122]圖18Α及18Β展示說(shuō)明包含多個(gè)干涉調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。顯示裝置40可為例如智能手機(jī)、蜂窩式或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化還說(shuō)明各種類型的顯示裝置，例如電視、平板計(jì)算機(jī)、電子閱讀器、手持式裝置及便攜式媒體播放器。
[0123]顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成,包含注射模制及真空成型。另外,夕卜殼41可由多種材料中的任一者制成，包含，但不限于:塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包含可移除部分(未圖示)，所述可移除部分可與不同顏色或含有不同標(biāo)志、圖片或符號(hào)的其它可移除部分互換。
[0124]顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包含雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器，如本文中所描述。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器，例如等離子體、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD，或非平板顯示器，例如CRT或其它管裝置。另外，顯示器30可包含干涉調(diào)制器顯示器，如本文中所描述。
[0125]圖18B中示意性地說(shuō)明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41，且可包含至少部分圍封于其中的額外組件。舉例來(lái)說(shuō)，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27，所述網(wǎng)絡(luò)接口包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，所述處理器連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)(例如，濾波信號(hào))。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28及耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，所述陣列驅(qū)動(dòng)器又耦合到顯示器陣列30。在一些實(shí)施方案中，電力供應(yīng)器50可將電力提供到特定顯示裝置40設(shè)計(jì)中的實(shí)質(zhì)上所有組件。
[0126]網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線43及收發(fā)器47以使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有減輕例如處理器21的數(shù)據(jù)處理要求的一些處理能力。天線43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，天線43根據(jù)包含IEEE16.11(a), (b)或(g)的IEEE16.11標(biāo)準(zhǔn)或包含IEEE802.lla、b、g、n及其另外實(shí)施方案的IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在一些其它實(shí)施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話的狀況下，天線43經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用分組無(wú)線電服務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、陸地集群無(wú)線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)最優(yōu)化(EV-DO)、IxEV-DO,EV-DO Rev A、EV_D0 Rev B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入(HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用以在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)(例如，利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號(hào)。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號(hào)以使得其可由處理器21接收且進(jìn)一步由所述處理器操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號(hào)以使得其可經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。
[0127]在一些實(shí)施方案中，收發(fā)器47可由接收器替換。另外，在一些實(shí)施方案中，網(wǎng)絡(luò)接口 27可由圖像源替換，所述圖像源可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的總操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如，壓縮的圖像數(shù)據(jù))，且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以用于存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常是指識(shí)別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來(lái)說(shuō)，所述圖像特性可包含顏色、飽和度及灰度級(jí)。
[0128]處理器21可包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包含用于將信號(hào)發(fā)射到揚(yáng)聲器45及用于從麥克風(fēng)46接收信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0129]驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28得到由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可重新格式化原始圖像數(shù)據(jù)以適用于到陣列驅(qū)動(dòng)器22的高速發(fā)射。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類光柵格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于橫跨顯示器陣列30的掃描的時(shí)間順序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管例如LCD控制器等驅(qū)動(dòng)器控制器29常常作為獨(dú)立集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，所述控制器可以許多方式來(lái)實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，控制器可作為硬件嵌入于處理器21中，作為軟件嵌入于處理器21中，或以硬件與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成。
[0130]陣列驅(qū)動(dòng)器22可從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成每秒鐘許多次地施加到來(lái)自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百及有時(shí)數(shù)千(或更多)引線的平行的一組波形。
[0131]在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示器陣列30適用于本文中所描述的類型的顯示器中的任一者。舉例來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列控制器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯不器驅(qū)動(dòng)器(例如，IMOD顯不器驅(qū)動(dòng)器)。此外，顯不器陣列30可為常規(guī)顯不器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如包含IMOD的陣列的顯示器)。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。所述實(shí)施方案可用于高度集成系統(tǒng)中，例如移動(dòng)手機(jī)、便攜式電子裝置、手表或小區(qū)域顯示器。
[0132]在一些實(shí)施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許例如用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(例如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏式屏幕、與顯示器陣列30集成的觸敏式屏幕或壓敏式或熱敏式薄膜。麥克風(fēng)46可經(jīng)配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí)施方案中，通過(guò)麥克風(fēng)46的語(yǔ)音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
[0133]電力供應(yīng)器50可包含多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來(lái)說(shuō)，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，例如鎳-鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實(shí)施方案中，可再充電電池可使用來(lái)自例如壁式插槽或光伏打裝置或陣列的電力來(lái)充電?；蛘?，可再充電電池可無(wú)線地充電。電力供應(yīng)器50還可為可再生能源、電容器或太陽(yáng)能電池，包含塑料太陽(yáng)能電池或太陽(yáng)能電池漆。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
[0134]在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于驅(qū)動(dòng)器控制器29中，所述驅(qū)動(dòng)器控制器可位于電子顯示系統(tǒng)中若干處。在一些其它實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動(dòng)器22中。上文所描述的最優(yōu)化可以任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件及以各種配置來(lái)實(shí)施。
[0135]結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施方案而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可被實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的可互換性通常已在功能性方面進(jìn)行描述，且說(shuō)明于上文所描述的各種說(shuō)明性組件、塊、模塊、電路及步驟中。所述功能性是實(shí)施為硬件還是軟件取決于特定應(yīng)用及施加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。
[0136]用以實(shí)施結(jié)合本文中所揭示的方面描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備可使用通用單或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的任何組合來(lái)實(shí)施或執(zhí)行。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器的組合、一個(gè)或一個(gè)以上微處理器與DSP核心的聯(lián)合，或任何其它此類配置。在一些實(shí)施方案中，特定步驟及方法可由特定用于給定功能的電路執(zhí)行。
[0137]在一個(gè)或一個(gè)以上方面中，所描述的功能可以硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件(包含本說(shuō)明書中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合來(lái)實(shí)施。本說(shuō)明書中所描述的標(biāo)的物的實(shí)施方案還可實(shí)施為一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序，即計(jì)算機(jī)程序指令的一個(gè)或一個(gè)以上模塊，所述計(jì)算機(jī)程序編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上以用于由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。
[0138]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易明白對(duì)本發(fā)明中所描述的實(shí)施方案的各種修改，且本文中所定義的一股原理可在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下應(yīng)用于其它實(shí)施方案。因此，權(quán)利要求書既定不限于本文中所展示的實(shí)施方案，而是應(yīng)符合與本發(fā)明及本文中所揭示的原理及新穎特征相一致的最廣范圍。詞“示范性”在本文中專用以意謂“充當(dāng)實(shí)例、例項(xiàng)或說(shuō)明”。本文中描述為“示范性”的任何實(shí)施方案不一定要解釋為相比其它實(shí)施方案優(yōu)選或有利。另外，所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將容易了解，術(shù)語(yǔ)“上”及“下”有時(shí)用于容易描述諸圖，且指示對(duì)應(yīng)于適當(dāng)定向的頁(yè)上的圖的定向的相對(duì)位置，且可不反映如所實(shí)施的MOD的恰當(dāng)定向。
[0139]在單獨(dú)實(shí)施方案的上下文中在本說(shuō)明書中所描述的某些特征還可組合地實(shí)施于單個(gè)實(shí)施方案中。相反地，在單個(gè)實(shí)施方案的上下文中所描述的各種特征還可單獨(dú)地或以任何合適的子組合實(shí)施于多個(gè)實(shí)施方案中。此外，盡管上文可將特征描述為以某些組合起作用及甚至最初像這樣聲明，但來(lái)自所聲明組合的一個(gè)或一個(gè)以上特征可在一些狀況下從組合切去，且所聲明組合可是針對(duì)子組合或子組合的變化。
[0140]類似地，雖然在圖式中按特定次序來(lái)描繪操作，但這不應(yīng)被理解為需要按所展示的特定次序或按順序次序執(zhí)行所述操作或執(zhí)行所有所說(shuō)明的操作以達(dá)成所要結(jié)果。此外，圖式可示意性地按流程圖的形式描繪一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例工藝。然而，未描繪的其它操作可并入于示意性地說(shuō)明的實(shí)例工藝中。舉例來(lái)說(shuō)，可在所說(shuō)明的操作中的任一者之前、之后、同時(shí)或之間執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外操作。在某些情況中，多任務(wù)及并行處理可為有利的。此外，上文所描述的實(shí)施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離不應(yīng)理解為在所有實(shí)施方案中需要所述分離，且應(yīng)理解所描述的程序組件及系統(tǒng)通常可一起集成于單個(gè)軟件產(chǎn)品中或封裝到多個(gè)軟件產(chǎn)品中。另外，其它實(shí)施方案屬于所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些狀況下，權(quán)利要求書中所敘述的動(dòng)作可按不同次序執(zhí)行且仍達(dá)成所要結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備,其包括多個(gè)顯示元件,每一顯示元件包括: 用于部分透射及部分反射光的裝置；及 可移動(dòng)層，其安置成鄰近于所述部分透射及部分反射裝置的至少一部分以便至少部分界定所述可移動(dòng)層與所述部分透射及部分反射裝置之間的腔，所述可移動(dòng)層為至少部分反射的，每一顯不兀件的所述可移動(dòng)層包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及安置于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的非導(dǎo)電層， 其中每一顯示元件的所述導(dǎo)電層中的至少一者電連接到鄰近顯示元件的導(dǎo)電層，且其中所述顯示元件中的至少一者包括用于經(jīng)由所述非導(dǎo)電層的平面電連接所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電連接裝置包括至少一個(gè)導(dǎo)電通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電通孔具有在3微米2與10微米2之間的橫截面面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔包括安置于所述多個(gè)顯示元件中的兩者之間的導(dǎo)電通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2到4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔包括安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的中心的導(dǎo)電通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求2到5中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔包括安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的系繩區(qū)域中的導(dǎo)電通孔。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中 任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述電連接裝置包括沿著所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的邊緣安置的電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2到7中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電通孔經(jīng)結(jié)構(gòu)化以具有橢圓形橫截面面積、矩形橫截面面積及圓形橫截面面積中的一者。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中一行顯示元件的所述可移動(dòng)層互連，且其中至少一個(gè)槽安置于鄰近顯示元件的所述可移動(dòng)層之間的所述互連處。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電連接裝置包括安置于所述至少一個(gè)槽中的電連接。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述部分透射及部分反射裝置包括層的光學(xué)堆疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)堆疊包括第一電極，且其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層形成第二電極的至少一部分，且其中所述可移動(dòng)層可基于在所述第一電極與所述第二電極之間施加的電壓在致動(dòng)位置與松弛位置之間移動(dòng)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層中的至少一者包括鋁合金。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電層包括安置于所述光學(xué)堆疊與所述非導(dǎo)電層之間的反射材料。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層經(jīng)配置以具有實(shí)質(zhì)上類似的熱膨脹系數(shù)。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述非導(dǎo)電層包括氮氧化硅。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括:處理器，其經(jīng)配置以與所述多個(gè)顯示元件通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括: 驅(qū)動(dòng)器電路，其經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送到所述多個(gè)顯示元件；及 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的一部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)及將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所述處理器。
21.一種制造設(shè)備的方法，所述方法包括: 形成安置成一行的多個(gè)顯示元件，其中形成所述顯示元件中的每一者包括: 形成部分透射及部分反射光學(xué)堆疊； 在所述光學(xué)堆疊之上沉積犧牲層； 在所述犧牲層及光學(xué)堆疊之上形成可移動(dòng)層，以使得當(dāng)移除所述犧牲層時(shí)，所述可移動(dòng)層可朝向及遠(yuǎn)離所述光學(xué)堆疊而移動(dòng)，其中形成所述可移動(dòng)層包括:形成第一導(dǎo)電層，在所述第一導(dǎo)電層之上形成非導(dǎo)電層，及在所述非導(dǎo)電層之上形成第二導(dǎo)電層， 其中每一顯示元件的所述第一導(dǎo)電層電連接到所述行的顯示元件中的任一鄰近顯示元件的所述第一導(dǎo)電層，且其中每一顯示元件的所述第二導(dǎo)電層電連接到所述行的顯示元件中的任一鄰近顯示元件的所述第二`導(dǎo)電層，` 所述方法進(jìn)一步包括在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的至少一個(gè)顯示元件的所述可移動(dòng)層中形成至少一個(gè)電互連。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)電互連包括: 在所述第一導(dǎo)電層與所述非導(dǎo)電層的與所述至少一個(gè)顯示元件的所述第一導(dǎo)電層相反的表面之間蝕刻所述顯示元件中的至少一者的所述非導(dǎo)電層；及 在所述至少一個(gè)顯示元件的所述非導(dǎo)電層之上形成所述第二導(dǎo)電層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的方法，其中所述形成所述光學(xué)堆疊包括形成第一電極，且其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層形成第二電極的至少一部分，以使得所述可移動(dòng)層可基于在所述第一電極與所述第二電極之間施加的電壓在致動(dòng)位置與松弛位置之間移動(dòng)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21到23中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層中的至少一者包括鋁合金。
25.根據(jù)權(quán)利要求21到24中任一權(quán)利要求所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)電互連包括形成安置于所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的系繩區(qū)域中的導(dǎo)電通孔。
26.根據(jù)權(quán)利要求21到25中任一權(quán)利要求所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)電互連包括形成沿著所述多個(gè)顯示元件中的至少一者的邊緣安置的電互連。
【文檔編號(hào)】H01G5/18GK103890635SQ201280051537
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月21日
【發(fā)明者】鐘帆, 陶詣 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司