具有相位匹配光學(xué)元件的高功率半導(dǎo)體激光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光器，包括耦合到喇叭形功率放大器的單模半導(dǎo)體激光器，設(shè)備包括內(nèi)部或外部光學(xué)元件，其通過相位匹配來增強設(shè)備的喇叭形部的彎曲波前。通過借助相位匹配增強彎曲波前，即使在高輸出功率下，設(shè)備也不易受到熱和增益-折射率耦合擾動，從而導(dǎo)致較高的束質(zhì)量。示例性的相位匹配光學(xué)元件包括集成到喇叭形放大器部的光柵；腔內(nèi)外置二元光學(xué)元件；和腔內(nèi)外置圓柱形彎曲光學(xué)元件。
【專利說明】具有相位匹配光學(xué)元件的高功率半導(dǎo)體激光器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體激光器，更具體地，涉及喇叭形半導(dǎo)體激光器設(shè)計，其同時以側(cè)向上的有限束損失實現(xiàn)高輸出功率。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體激光器可以利用任意各種不同設(shè)計方案，所選的設(shè)計方案通常由預(yù)期應(yīng)用的要求來決定。遺憾地，常常難以找到滿足所有特定應(yīng)用的要求的設(shè)備設(shè)計，因為諸如輸出功率的一個設(shè)備特性常常會影響另一個設(shè)備特性，例如束質(zhì)量。例如，脊形波導(dǎo)(RW)激光器提供接近衍射限制的束質(zhì)量，但僅能夠?qū)崿F(xiàn)大約I瓦的輸出功率。相反地，大面積激光器能夠達(dá)到高輸出功率，在20瓦數(shù)量級上，但會遭受較差束質(zhì)量的問題。
[0003]近來研究的作為實現(xiàn)高輸出功率和可接受的束質(zhì)量的手段的一個方案是使用具有功率放大器的主振蕩器(ΜΟΡΑ)。在此類系統(tǒng)中，來自單模激光器的輸出注入到功率放大器中。這兩個組件可以是分離的，或者組合到單個設(shè)備，后一方案消除了與前一方案相關(guān)聯(lián)的許多對準(zhǔn)困難。
[0004]圖1和2示出集成在單一襯底的傳統(tǒng)喇叭形半導(dǎo)體激光器，這個結(jié)構(gòu)利用兩個分離的電觸點。圖1提供了透視圖，而圖2提供了相同設(shè)備100的頂視圖。半導(dǎo)體激光器100由兩個組件組成；單模脊形波導(dǎo)(RW)激光器101，其在一端耦合到高功率喇叭形部103。Rff101可以是增益導(dǎo)引結(jié)構(gòu)，或者是折射率導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。RW 101的未耦合的刻面105通常涂覆有高反射率(HR)涂層?？商鎿Q地，RW 101可以利用分布式布拉格反射器(DBR)或分布式反饋(DFB)區(qū)，在此情況下，表面105涂覆有抗反射(AR)涂層。區(qū)103的外喇叭形邊緣107通常涂覆有AR涂層。
[0005]迄今為止，具有100 μ m孔徑的高功率大面積激光器局限在大約10-15瓦的功率，束質(zhì)量因數(shù)M2在橫向上為1，在側(cè)向上為15 (大約17mm-mrad的束參數(shù)積(BPP))。最近，利用圖1和2中所示的設(shè)計的錐形激光器顯示出比非錐形大面積激光器更高的束質(zhì)量，在連續(xù)(CW)操作中實現(xiàn)了在高達(dá)約5瓦輸出功率情況下的1.2的束傳播率M2。然而，在較高輸出功率時，側(cè)向的束質(zhì)量開始降低。這個降低是由于光學(xué)反饋及隨后的增益-折射率耦合所引起的相前失真。另外，在高輸出功率時，此類激光器中的束質(zhì)量降低由熱梯度引起的折射率變化所導(dǎo)致。
[0006]因此，需要一種用于在利用錐形設(shè)計的半導(dǎo)體激光器中在高輸出功率的情況下減小束質(zhì)量降低的方法。本發(fā)明的設(shè)備結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了這些目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]提供了一種半導(dǎo)體激光器，包括耦合到喇叭形功率放大器的單模(SM)半導(dǎo)體激光器部，設(shè)備包括光學(xué)元件，被配置為通過相位匹配來增強喇叭形部的輸出束的彎曲波前。在一個結(jié)構(gòu)中，光學(xué)元件包括集成到設(shè)備的喇叭形部中的彎曲光柵，在此，對應(yīng)于彎曲光柵的曲率與喇叭形部的輸出束的彎曲波前的相位和曲率匹配。在可替換的結(jié)構(gòu)中，光學(xué)元件包括腔內(nèi)光學(xué)元件，其在SM半導(dǎo)體激光器和喇叭形部的外部，并包括二元光學(xué)元件，二元光學(xué)元件與喇叭形部的輸出束的彎曲波前相位匹配。在再另一個可替換的結(jié)構(gòu)中，光學(xué)元件包括腔內(nèi)光學(xué)元件，其在SM半導(dǎo)體激光器和喇叭形部的外部，并包括圓柱形彎曲光學(xué)元件，圓柱形彎曲光學(xué)元件的曲率與喇叭形部的輸出束的彎曲波前的相位和曲率匹配。在使用外部光學(xué)元件來增強喇叭形部的輸出束的波前的這些結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選地將快軸準(zhǔn)直透鏡插入喇叭形部的輸出表面與外部光學(xué)元件之間。在使用外部光學(xué)元件來增強喇叭形部的輸出束的波前的這些結(jié)構(gòu)中，可以用部分反射寬帶涂層來涂覆光學(xué)元件的輸出面。
[0008]在本發(fā)明的一個方面中，可以用高反射率涂層(例如至少90%)涂覆SM半導(dǎo)體激光器部的后刻面。在另一個方案中，可以用抗反射(AR)涂層涂覆喇叭形部的前刻面，和/或?qū)⑵湎鄬τ诜ㄏ騼A斜角度Θ，角度Θ大于或等于臨界角Qraitical，其對應(yīng)于抑制來自前刻面的反射進(jìn)入喇叭形部中所需的角度。在另一個方案中，設(shè)備的輸出耦合器可以包括以部分反射寬帶涂層涂覆的光學(xué)元件；可替換地，可以包括波長選擇表面光柵；可替換地，可以包括波長選擇體布拉格光柵。SM半導(dǎo)體激光器部可以被配置為分布式反饋(DFB)激光器或者分布式布拉格反射器(DBR)激光器。在另一個方案中，SM半導(dǎo)體激光器部可以具有在3 μ m到7.5μπι之間的寬度，喇叭形部可以具有在2毫米到10毫米之間的長度。喇叭形部的有源區(qū)可以包括量子阱增益介質(zhì)或量子點增益介質(zhì)。T1-肖特基接觸層可以位于喇叭形區(qū)的電流注入?yún)^(qū)外部，以衰減傳播束，并急劇減小來自側(cè)面的反射，以避免束質(zhì)量降低。
[0009]參考說明書的其余部分和附圖可以獲得對本發(fā)明的特性和優(yōu)點的進(jìn)一步的理解。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1提供了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有兩個分離電觸點的喇叭形半導(dǎo)體激光器的示意圖；
[0011]圖2提供了圖1的喇叭形半導(dǎo)體激光器的頂視圖，這個視圖顯示了脊形波導(dǎo)和高功率喇叭形部；
[0012]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的喇叭形半導(dǎo)體激光器，例如圖1和2所示的激光器，包括一體集成到設(shè)備中的相位匹配彎曲光柵；
[0013]圖4示出了類似于圖3所示的喇叭形半導(dǎo)體激光器，其中，相位匹配彎曲光柵僅占用一部分喇叭形功率放大器部；
[0014]圖5提供了諸如圖3和4中所示的喇叭形半導(dǎo)體激光器的縱向截面圖，其中，使前刻面傾斜以抑制反射回到平面波導(dǎo)中；
[0015]圖6提供了諸如圖1和2所示的激光器的喇叭形半導(dǎo)體激光器的頂視圖，包括插入到激光器的輸出刻面與輸出I禹合器之間的相位匹配二兀光學(xué)兀件；
[0016]圖7提供了諸如圖1和2所示的激光器的喇叭形半導(dǎo)體激光器的頂視圖，包括插入到激光器的輸出刻面與輸出I禹合器之間的相位匹配二兀光學(xué)兀件；
[0017]圖8示意性地示出了可與本發(fā)明一起使用的分流器，使得單一電流源能夠驅(qū)動脊形波導(dǎo)和高功率喇叭形部；
[0018]圖9提供了可與本發(fā)明一起使用的喇叭形高功率半導(dǎo)體激光器的示例性垂直外延層結(jié)構(gòu)；
[0019]圖10示出了類似于圖3所示的本發(fā)明的實施例，具有擴展的吸收器區(qū)；以及[0020]圖11示出了類似于圖10所示的本發(fā)明的實施例，其中吸收器區(qū)被進(jìn)一步擴展?！揪唧w實施方式】
[0021]根據(jù)本發(fā)明，通過在不穩(wěn)定諧振器中提供專門設(shè)計的彎曲波前而改進(jìn)錐形，即喇叭形，半導(dǎo)體激光器的束質(zhì)量。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)利用在設(shè)備的喇叭形部中的彎曲波前，即使在高輸出功率時，例如大于5瓦，設(shè)備也變得不易受到熱和增益-折射率耦合的擾動的影響。因此，本發(fā)明在系統(tǒng)中引入了相位匹配特征，以使得波前曲率決定由時間空間混亂引入到諧振器中的線狀物，從而避免束質(zhì)量降低。
[0022]圖3示出了基于圖1和2所示的MOPA結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中，單模RW激光器301驅(qū)動增益或折射率導(dǎo)引喇叭形功率放大器部303。在這個實施例中，集成到設(shè)備300的喇叭形部303中的是彎曲光柵305。將這個彎曲光柵定義為折射率的調(diào)制，其是周期性的，具有Λ (x，y)=na/2nrff的周期，其中，m是光柵的階數(shù)，λ是布拉格波長，nrff是光模的有效折射率。Λ (x, y)定義了圖2中定義的X和y平面中的光柵間距函數(shù)。這個間距最通用的函數(shù)由到光柵的曲率半徑=定義。這個函數(shù)的原點位于劃分RW和喇叭形放大器的垂直線與圖2中的縱向(y方向)上使設(shè)備對稱分叉的線相交的點。光柵305的曲率被配置為通過選擇在雙多項式函數(shù)R(x，y)中所需數(shù)量的項來匹配通過功率放大器303傳播的束的相位和曲率。發(fā)明 人發(fā)現(xiàn)彎曲光柵303不僅有助于按照光柵的曲率所確定的保持均勻的波前，而且有助于排除任何線狀物并避免自聚焦。
[0023]應(yīng)理解，彎曲光柵305沒必要占用喇叭形功率放大器部303的整個長度。在圖4中示出了這個結(jié)構(gòu)，其中，彎曲光柵401位于喇叭形功率放大器部303的輸入端。彎曲光柵401的實際長度取決于單模RW激光器301的具體波導(dǎo)設(shè)計，以及喇叭形功率放大器部303的長度和側(cè)向波導(dǎo)設(shè)計。通常選擇光柵的長度L以使得光柵耦合常數(shù)k與光柵長度的乘積，即k X L的值在0.01到2.0的范圍內(nèi)。
[0024]為了抑制來自表面307的刻面反饋，優(yōu)選地，利用AR涂層涂覆前刻面307?？商鎿Q地，或者優(yōu)選地結(jié)合AR涂層，喇叭形部的前刻面可以在外延生長方向上傾斜。在這個實施例中，激光器結(jié)構(gòu)在襯底上生長，其取向為與主生長軸成角度，以使得切開的刻面相對于波傳播方向傾斜。通過傾斜前刻面，使任何殘留的反射R偏離刻面并偏離波導(dǎo)，如圖5所示的。在設(shè)備500中，將前刻面501傾斜角度Θ，其大于Θ ^itical，其中，Θ critical是抑制反饋(即反射R)回到平面光學(xué)波導(dǎo)503中所需的臨界角。如前提及的，優(yōu)選地，以AR涂覆刻面501，以進(jìn)一步抑制反射回到波導(dǎo)中。
[0025]在另一個實施例中，將腔內(nèi)外部相位匹配光學(xué)元件用于保持平滑的波前，并實現(xiàn)改進(jìn)的束質(zhì)量。圖6示出了基于圖1和2所示的設(shè)備的實施例，其包括相位匹配二元光學(xué)元件601。如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的，在二元光學(xué)元件中通常使用集成電路制造技術(shù)，將表面起伏結(jié)構(gòu)蝕刻到光學(xué)元件的襯底中。在本應(yīng)用中，二元光學(xué)元件601被配置為提供與設(shè)備輸出的波前的相位匹配，從而提供增強喇叭形功率放大器部的彎曲波前所必需的期望反饋。
[0026]圖7示出圖6所示系統(tǒng)的變型，這個實施例以圓柱形彎曲光學(xué)元件701代替二元光學(xué)元件601。元件701的曲率與錐形功率放大器部的波前相匹配，從而反饋在喇叭形部中產(chǎn)生的波前，并使得設(shè)備不易受到熱和增益折射率耦合的擾動的影響。[0027]優(yōu)選并如所示的，在設(shè)備600和700中，將快軸準(zhǔn)直透鏡603插入輸出表面605與相位匹配光學(xué)元件之間。優(yōu)選地AR涂覆表面605，以減小刻面反饋?？商鎿Q地，如上所述，表面605可以相對于波傳播方向傾斜，或者傾斜并AR涂覆。
[0028]輸出耦合器607可以采取部分反射寬帶涂層的形式，其涂覆到相位匹配光學(xué)元件，例如元件601和701，或者涂覆到分離光學(xué)元件。輸出耦合器607還可以包括波長選擇部分反射兀件，例如表面光柵或體布拉格光柵(VBG)。如果將波長選擇兀件用作輸出I禹合器，優(yōu)選地，將中心波長選擇為相對于工作條件下的增益譜的峰諧振或藍(lán)移，從而在放大器部中實現(xiàn)高微分增益和低α參數(shù)。這可以通過藍(lán)移RW部來實現(xiàn)，其借助無雜質(zhì)空位擴散或雜質(zhì)誘導(dǎo)空位擴散，或通過使用調(diào)諧的分布式反饋(DFB)或分布式布拉格反射器(DBR)。
[0029]在上述實施例中，以高反射率涂層涂覆RW振蕩器的后刻面309，通常具有至少90%的反射率。可替換地，可以用AR涂層涂覆這些結(jié)構(gòu)的后刻面309，DBR可以用作空腔的后鏡。
[0030]根據(jù)本發(fā)明，可以以各種方式來配置耦合到設(shè)備的喇叭形部的單模半導(dǎo)體激光器。例如，單模激光器可以是RW振蕩器，被配置為分布式反饋(DFB)激光器或者分布式布拉格(DBR)激光器。RW部的設(shè)計很大程度上確定了整個設(shè)備的特性。因而優(yōu)選地，RW振蕩器僅支持基本導(dǎo)模，同時抑制在錐形部中產(chǎn)生的高階模。優(yōu)選地，借助干法蝕刻來制造RW，以便使散射損耗最小。蝕刻表面以絕緣體覆蓋，其具有朝向P++層的觸點，以便將電流注入到RW中。取決于垂直結(jié)構(gòu)，RWG的寬度將在3 μ m到7.5 μ m之間改變。選擇RW部的長度以有效地抑制高階模。用于單模激光器的其他結(jié)構(gòu)包括但不限于，掩埋RW激光器、反諧振反射光學(xué)波導(dǎo)(ARROW)激光器和簡化ARROW (S-ARROff)激光器。
[0031]在本發(fā)明的典型結(jié)構(gòu)中，喇叭形功率放大器的長度在2到10毫米的數(shù)量級。通常，選擇這個區(qū)域的長度以實現(xiàn)所需的輸出功率。較長的設(shè)備由于較低的刻面功率密度以及較低的熱阻而具有較寬的輸出孔徑的優(yōu)點。
[0032]如前所述，根據(jù)本發(fā)明，分離的電觸點用于設(shè)備的RW和喇叭形部，從而實現(xiàn)兩個部分的分離控制。在優(yōu)選實施例中，注入到RW部801中的電流在0.1A到3A的范圍中，同時將在3A到50A范圍中的較高電流用于喇叭形部803中。為了避免使用兩個分離的電流供應(yīng)，可以使用諸如圖8所示的單一電流源805和分流器電路807。注意，在所示分流器電路807中，Rplared和Rkw分別對應(yīng)于喇叭形部和脊形波導(dǎo)部的串聯(lián)電阻，Rs 809對應(yīng)于用于在喇叭形部和RWG部之間劃分電流的電阻器。這個分流器可以通過沉積額外的導(dǎo)電材料例如TiN，來實現(xiàn)，以在RW部中獲得所需的電阻。
[0033]應(yīng)理解，如上所述，與本發(fā)明一起使用的喇叭形半導(dǎo)體激光器可以以多種方式來配置，并可以基于各種不同材料系統(tǒng)，利用多種組成和層厚度，這取決于預(yù)期的發(fā)射波長。但總體上，所有實施例都利用喇叭形半導(dǎo)體激光器，其中，有源區(qū)由量子阱或量子點增益介質(zhì)組成，具有單個或多個量子阱或量子點層。極低的光學(xué)限制因子是優(yōu)選的，以便實現(xiàn)非常低的模態(tài)增益外延結(jié)構(gòu)。
[0034]圖9提供了示例性結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地使用金屬-有機氣相外延生長技術(shù)來制造。有源層901中的增益介質(zhì)嵌入在波導(dǎo)層903與905之間，每一個波導(dǎo)層相對較厚。由于這個設(shè)計，前刻面處的功率密度被減小，從而使得能夠?qū)崿F(xiàn)較高的光學(xué)輸出功率。另外，減小的垂直遠(yuǎn)場角實現(xiàn)了以對束成形適度的數(shù)值孔徑來應(yīng)用光學(xué)元件。分別以P-和η-覆層907和909以及高摻雜的p++GaAs接觸層911來完成這個結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，在電流注入?yún)^(qū)，即區(qū)域311的任一側(cè)的喇叭形部中形成T1-肖特基接觸層的圖案，以便吸收雜散反射光，并進(jìn)一步抑制線狀物的干擾、放大和產(chǎn)生。應(yīng)理解，這個吸收器區(qū)311可以比圖3、4、6和7中所示的進(jìn)一步擴展。例如，圖10和11示出了基于圖3所示的結(jié)構(gòu)的實施例，其中擴展了吸收器區(qū)，即圖10中的區(qū)域1001和圖11中的區(qū)域1101。應(yīng)理解，擴展的吸收器區(qū)也可以與圖3、6和7所示的實施例一起使用。
[0035]應(yīng)理解，附圖僅旨在示出而非限制本發(fā)明的范圍，并且不應(yīng)認(rèn)為是按比例繪制的。
[0036]總體上依據(jù)幫助理解本發(fā)明的細(xì)節(jié)的方式說明了系統(tǒng)和方法。在一些實例中，沒有詳細(xì)地特別顯示或說明公知的結(jié)構(gòu)、材料和/或操作，以免使得本發(fā)明的方案模糊不清。在其他實例中，給出了具體細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的透徹理解。相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員會認(rèn)識至IJ，在不脫離其精神或基本特性的情況下，本發(fā)明可以以其他特定形式來體現(xiàn)，例如適于特定系統(tǒng)或裝置或情形或材料或組件。因此，本文的公開內(nèi)容和說明旨在說明而非限制本發(fā)明范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體激光器，包括: 單模(SM)半導(dǎo)體激光器部； 喇叭形部，其中，來自所述SM半導(dǎo)體激光器部的SM輸出注入到所述喇叭形部中，并且其中，來自所述喇叭形部的輸出束包括彎曲波前；以及 光學(xué)元件，被配置為增強所述喇叭形部的所述輸出束的所述彎曲波前，其中，所述光學(xué)元件與所述彎曲波前相位匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述光學(xué)元件進(jìn)一步包括集成到所述喇叭形部中的彎曲光柵，其中，對應(yīng)于所述彎曲光柵的曲率與對應(yīng)于所述喇叭形部的所述輸出束的所述彎曲波前的相位和曲率匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述彎曲光柵集成到所述喇叭形部的一部分中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光器，其中，對應(yīng)于集成到所述喇叭形部的所述一部分中的所述彎曲光柵的長度與光柵耦合常數(shù)的乘積在0.01到2.0的范圍中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述光學(xué)元件是腔內(nèi)光學(xué)元件，其中，所述光學(xué)元件在所述SM半導(dǎo)體激光器和喇叭形部的外部，并且其中，所述光學(xué)元件包括二元光學(xué)元件，并且其中，所述二元光學(xué)元件與所述喇叭形部的所述輸出束的所述彎曲波前相位匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器，進(jìn)一步包括插入在所述喇叭形部的輸出表面與所述二元光學(xué)元件之間的快軸準(zhǔn)直透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器，其中，對應(yīng)于所述二元光學(xué)元件的輸出表面涂覆有部分反射寬帶涂層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述光學(xué)元件是腔內(nèi)光學(xué)元件，其中，所述光學(xué)元件在所述SM半導(dǎo)體激光器和喇叭形部的外部，并且其中，所述光學(xué)元件包括圓柱形彎曲光學(xué)元件，并且其中，對應(yīng)于所述圓柱形彎曲光學(xué)元件的曲率與對應(yīng)于所述喇叭形部的所述輸出束的所述彎曲波前的相位和曲率匹配。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器，進(jìn)一步包括插入在所述喇叭形部的輸出表面與所述圓柱形彎曲光學(xué)元件之間的快軸準(zhǔn)直透鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器，其中，對應(yīng)于所述圓柱形彎曲光學(xué)元件的輸出表面涂覆有部分反射寬帶涂層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述SM半導(dǎo)體激光器部進(jìn)一步包括后刻面，所述后刻面涂覆有反射率為至少90%的高反射率涂層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述喇叭形部進(jìn)一步包括涂覆有抗反射(AR)涂層的前刻面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述喇叭形部進(jìn)一步包括前刻面，所述前刻面相對于法向傾斜角度Θ，其中，所述角度Θ大于或等于臨界角0?itic；al，其中，臨界角Θ critical對應(yīng)于抑制來自所述前刻面的反射進(jìn)入到所述喇叭形部中所需的角度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述前刻面涂覆有抗反射(AR)涂層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，進(jìn)一步包括涂覆有部分反射寬帶涂層的輸出耦合器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，進(jìn)一步包括輸出耦合器，所述輸出耦合器包括波長選擇表面光柵。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，進(jìn)一步包括輸出耦合器，所述輸出耦合器包括波長選擇體布拉格光柵(VBG)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述SM半導(dǎo)體激光器部被配置為分布式反饋(DFB)激光器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中，所述SM半導(dǎo)體激光器部被配置為分布式布拉格反射器(DBR)激光器。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中，對應(yīng)于所述SM半導(dǎo)體激光器部的寬度在3 μ m與7.5 μ m之間，并且其中，對應(yīng)于所述喇叭形部的長度在2毫米與10毫米之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述喇叭形部包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括量子阱增益介質(zhì)。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述喇叭形部包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括量子點增益介質(zhì)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，所述喇叭形部包括電流注入?yún)^(qū)、位于所述電流注入?yún)^(qū)的第一側(cè)的第一 T1-肖特基接觸層、以及位于所述電流注入?yún)^(qū)的第二側(cè)的第二T1-肖特基接觸層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體激光器，所述第一T1-肖特基接觸層還位于所述SM半導(dǎo)體激光器部的第一側(cè)，并 且 所述第二 T1-肖特基接觸層還位于所述SM半導(dǎo)體激光器部的第二側(cè)。
【文檔編號】H01S5/20GK103875140SQ201280049967
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月11日
【發(fā)明者】M·坎斯卡爾 申請人:恩耐激光技術(shù)有限公司