靜電應對部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種靜電應對部件及其制造方法。靜電應對部件具有第一高熱傳導基板、第二高熱傳導基板、變阻層和多個貫通電極。在第一高熱傳導基板上設有多個第一貫通孔。在第二高熱傳導基板上設有多個第二貫通孔。以氧化鋅為主要成分的變阻層設于第一高熱傳導基板與第二高熱傳導基板之間。變阻層具有內部電極。各貫通電極貫通變阻層，以填埋的方式連接一個第一貫通孔和一個第二貫通孔。
【專利說明】靜電應對部件及其制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及用于各種電子設備的靜電應對部件及其制造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，電子設備的小型化急速發(fā)展，隨之，構成電子設備的電路的各種電子部件的耐電壓逐漸降低。因此，人體和電子設備的導通部接觸時產生的靜電脈沖等引起的各種電子部件、特別是半導體器件的破壞導致的電子設備的故障事故增加。
[0003]另外，作為半導體器件的一種的發(fā)光二極管，由于相對于靜電脈沖的耐電壓性較低，且要求高輝度化，因此，也尋求相對于發(fā)熱的對策。
[0004]相對于這些要求，提出有圖6的剖視圖所示的靜電應對部件。該靜電應對部件具有:由氧化鋁構成的陶瓷基板1、設于該陶瓷基板I上的變阻層2、進而設于該變阻層2上的玻璃陶瓷層3、進而設于該玻璃陶瓷層3上的外部電極4。設置玻璃陶瓷層3的目的在于在外部電極4上形成鍍敷層時或相對于環(huán)境保護變阻層2 (例如專利文獻I)。
[0005]在先技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2008-270325號公報
【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明提供一種基板的翹曲較小、熱傳導優(yōu)異的靜電應對部件及其制造方法。本發(fā)明的靜電應對部件具有第一高熱傳導基板、第二高熱傳導基板、變阻層和一對貫通電極。在第一高熱傳導基板上設有兩個第一貫通孔。在第二高熱傳導基板上設有兩個第二貫通孔。以氧化鋅為主要成分的變阻層設于第一高熱傳導基板與第二高熱傳導基板之間。變阻層在內部具有彼此絕緣的一對內部電極。各貫通電極貫通變阻層，以填埋的方式連接一個第一貫通孔和一個第二貫通孔。各貫通電極分別與內部電極相連接。利用該結構，能防止對變阻層進行燒成時產生翹曲，且能確保較高的熱傳導性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的剖視圖。
[0010]圖2A是表示本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的內部電極的形狀和貫通電極的配置的示意俯視圖。
[0011]圖2B是表示本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的內部電極的形狀和貫通電極的配置的示意俯視圖。
[0012]圖2C是表示本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的內部電極的形狀和貫通電極的配置的示意俯視圖。
[0013]圖2D是表示本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的內部電極的形狀和貫通電極的配置的示意俯視圖。[0014]圖3A是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0015]圖3B是接著圖3A的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0016]圖3C是接著圖3B的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0017]圖3D是接著圖3C的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0018]圖3E是接著圖3D的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0019]圖3F是接著圖3E的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0020]圖3G是接著圖3F的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0021]圖3H是接著圖3G的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0022]圖4A是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的另一制造步驟的圖。
[0023]圖4B是接著圖4A的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0024]圖4C是接著圖4B的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0025]圖4D是接著圖4C的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0026]圖4E是接著圖4D的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0027]圖4F是接著圖4E的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0028]圖4G是接著圖4F的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0029]圖4H是接著圖4G的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0030]圖5A是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的又一制造方法的圖。
[0031]圖5B是接著圖5A的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0032]圖5C是接著圖5B的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0033]圖是接著圖5C的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0034]圖5E是接著圖的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0035]圖5F是接著圖5E的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0036]圖5G是接著圖5F的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0037]圖5H是接著圖5G的說明靜電應對部件的制造步驟的圖。
[0038]圖6是以往的靜電應對部件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0039]在圖6所示的靜電應對部件中，在燒成玻璃陶瓷層時，基板容易翹曲。在將發(fā)光二極管元件安裝于電路基板之后，利用引線接合將靜電應對部件與發(fā)光二極管元件電連接的情況下，基板的翹曲不會成為大的問題。但是，在為了小型化而將發(fā)光二極管元件倒裝安裝于靜電應對部件上時，基板的翹曲成為問題。另外，一般而言，玻璃陶瓷層比氧化鋁等陶瓷基板的熱傳導率低。因此，難以將由發(fā)光二極管元件產生的熱有效地散出。
[0040]在以下的說明中，對用于解決上述課題的靜電應對部件及其制造方法進行說明。
[0041]圖1是本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的剖視圖。靜電應對部件30具有第一高熱傳導基板(以下稱作基板)11、第二高熱傳導基板(以下稱作基板)13、變阻層12和多個貫通電極15。在基板11上設有兩個第一貫通孔(以下稱作孔)14A。在基板13上設有兩個第二貫通孔(以下稱作孔)14B。以氧化鋅為主要成分的變阻層12設于基板11與基板13之間。變阻層12在內部具有彼此絕緣的一對內部電極16。各貫通電極15貫通變阻層12，以填埋的方式將一個孔14A和一個孔14B連接。另外，各貫通電極15與內部電極16相連接。即，貫通電極15包括第一貫通電極和第二貫通電極，內部電極16包括第一內部電極和第二內部電極。第一貫通電極與第一內部電極相連接，第二貫通電極與第二內部電極相連接。
[0042]基板11、13例如是純度96%以上的氧化鋁燒結板。例如，基板11的平面形狀為約3mmX3mm,厚度為約0.12mm。例如，基板13的平面形狀為約3mmX3mm,厚度為約0.16mm。變阻層12的厚度例如為約0.2_。
[0043]需要說明的是，所謂高熱傳導基板是熱傳導率為18W/m.Κ以上的絕緣基板。作為基板11、13，除了氧化鋁以外，還可以使用氮化鋁、氮化硅、碳化硅等的燒結板。
[0044]在基板11、13的相同位置分別設有兩個直徑約0.2mm的孔14A、14B，在變阻層12上也同樣地開設有貫通孔。這些貫通孔相連而形成從基板11的下表面連接到基板13的上表面的貫通孔。通過在該貫通孔中填滿銀鈀膏劑而形成從基板11的下表面連接到基板13的上表面的貫通電極15。
[0045]變阻層12通過層疊以氧化鋅為主要成分的層和成為一對內部電極16的印刷形成的銀鈀膏劑層而構成。在此，“主要成分”是指為了體現(xiàn)變阻特性所必要的含有量，具體而言例如是70重量％以上。
[0046]內部電極16彼此絕緣，分別與一個貫通電極15電連接。另外，在基板11、13的外表面設有與貫通電極15相連接的外部電極17。設于基板13的外部電極17成為發(fā)光二極管等半導體元件18的安裝用電極。另一方面，設于基板11的外部電極17成為向印刷基板安裝的安裝用電極。需要說明的是，外部電極17通過在對銀鈀膏劑進行燒結之后在其上鍍敷鎳、銅、金等而構成。
[0047]如以上所述，在燒結結束的基板11、13之間形成有變阻層12。因此，能抑制靜電應對部件30整體的翹曲。另外，氧化鋁、氧化鋅的熱傳導率也均為約20W/m.Κ以上，因此，能高效地傳遞由半導體元件18產生的熱量。另外，變阻層12的上下表面被燒結結束的基板
11、13包圍，因此，能防止在燒成變阻層12時構成變阻層12的鉍等微量成分蒸發(fā)而消失。因此，能制作具有穩(wěn)定的變阻電壓的靜電應對部件30。
[0048]由厚度約0.26mm的陶瓷基板1、厚度約0.2mm的變阻層2、厚度約0.02mm的玻璃陶瓷層3構成平面形狀為約3_X3_的靜電應對部件。在該以往的結構中，伴隨變阻層2的燒成，產生約0.2mm的翹曲。另一方面,在靜電應對部件30中，翹曲為約0.03mm，大幅改善。該情況下的翹曲是由基板11、13自身引起的。即，實際上幾乎未因變阻層12的燒成而產生翹曲。另外，靜電應對部件30的熱傳導率為上述以往結構的靜電應對部件的熱傳導率的約2倍。
[0049]另外，在安裝發(fā)光二極管作為半導體元件18的情況下，要求提高發(fā)光二極管的安裝面的反射率。若減薄氧化鋁基板，則光的透過率提高，能看見基板下的變阻層，結果反射率降低。相對于此，在靜電應對部件30中，優(yōu)選使安裝半導體元件18的一側的基板13的厚度比基板11的厚度厚。通過使用這樣的基板11、13，能提高半導體元件18的安裝面的反射率。其結果是，作為安裝發(fā)光二極管的用途更加優(yōu)選。
[0050]接著，參照圖2A?圖2D說明內部電極16的形狀和貫通電極15的配置的優(yōu)選的狀態(tài)。圖2A?圖2D是表示內部電極16的形狀和貫通電極15的配置的示意俯視圖。
[0051]如圖2A所示，一般而言，相對于平面形狀為正方形的基板11、13，在對邊附近形成貫通電極15，并形成長方形的內部電極16。如此，從品質方面出發(fā)，在靜電應對部件30的外周與內部電極16和貫通電極15之間確保一定距離而決定內部結構。但是，在小型化的情況下，內部電極16的重合部分16C大幅減少。在比較最大面積設計下的重合部分16C的面積的情況下，例如從3mmX 3mm的平面形狀向2mmX 2mm的平面形狀小型化時，內部電極16的重合面積為約1/5。另外，向1.5mmX 1.5mm的平面形狀小型化時，重合部分16C的面積為約1/20以下。因此，為了獲得同等的變阻特性，產生多層化的需要。但是，這樣的多層化導致生產率降低、成本上升?；蛘?，根據(jù)制品厚度尺寸規(guī)格不同，制品設計可能不成立。
[0052]與此相對，如圖2B所示，通過將貫通電極15配置在對角位置，重合部分16C的面積變?yōu)榧s2倍。這樣，優(yōu)選將貫通電極15在基板11的面方向上配置于最遠離的位置。在圖2B的例中，說明了基板11的平面形狀為正方形的情況，但在除此以外的形狀的情況下，也是只要將貫通電極15在基板11的面方向上配置于最遠離的位置即可。
[0053]另外，如圖2C、圖2D所示，內部電極16也可以分別形成為包圍貫通電極15中的未連接的一方的形狀。在圖2C、圖2D所示的結構中，與圖2A所示的結構相比，重合部分16C的面積為約4倍。
[0054]通過采用以上那樣的內部電極16的形狀、貫通電極15的配置，既能維持變阻特性又能將靜電應對部件30小型化。
[0055]接著，說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的制造方法。在以下的說明中，使用平面尺寸為基板11的η倍的第一高熱傳導大基板(以下稱作基板)11Α和平面尺寸為基板13的η倍的第二高熱傳導大基板(以下稱作基板)13Α。而且，說明在構成η個靜電應對部件30之后分為單片的方法。圖3Α?圖3Η是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的制造方法的圖。
[0056]首先，如圖3Α所示，使用激光等在厚度約0.14mm的氧化鋁板即基板IlA的規(guī)定位置形成多個孔14A?？?4A的大小為直徑約0.2mm。同樣地，在厚度約0.14mm的氧化鋁板即基板13A上也形成孔14B?；錓lA和基板13A不需要使用完全相同的材料，但為了減少翹曲，優(yōu)選使用線膨脹率之差較小的材料，更優(yōu)選使用相同材料。需要說明的是，需要在基板IlA和基板13B的相同的位置設置孔14A、14B。因此，通過形成完全相同的結構，不需要分別管理基板IlA和基板13B，能提高量產性。
[0057]接著，如圖3B所示，在基板IlA上形成用于形成圖3E所示的變阻層12A的未燒成層19。未燒成層19通過層疊以氧化鋅為主要成分的層和印刷了銀鈀膏劑的內部電極16用的層而構成。未燒成層19可以通過印刷形成于基板11上，也可以將另外層疊好的層重疊于基板11上。另外，內部電極16用的圖案優(yōu)選形成為在從層疊方向看時覆蓋用于形成連接的貫通電極15而設置的孔14A。這樣，能提高內部電極16和貫通電極15的連接性。
[0058]接著，如圖3C所示，在未燒成層19上重疊基板13A并進行沖壓，從而將基板11A、未燒成層19、基板13A —體化。此時，以使孔14A和孔14B位于相同位置的方式重疊基板13A。
[0059]接著，如圖3D所示，通過孔14A、14B照射激光，除去位于孔14A與孔14B之間的未燒成層19的一部分。這樣，形成從形成于基板IlA的孔14A連接到形成于基板13A的孔14B的通孔20。然后，將該層疊體放入爐中，對未燒成層19進行熱處理。此時，由于未燒成層19中含有可塑劑等，因此，首先升溫至105?175°C并保持溫度，從而除去可塑劑等。然后，升溫至約925°C，形成變阻層12A。
[0060]通常，即使在作為平板的基板11A、13A之間夾著未燒成層19地進行燒成也不能充分地除去可塑劑等成分而有所殘留，因此，不能很好地燒成變阻層12A。與此相對，在本實施方式中，由于在基板I ΙΑ、13A上設置多個孔14A、14B,因此，可塑劑等成分能通過孔14A、14B排出，能充分地形成變阻層12A。
[0061]另外，通過基板IlA和基板13A使用相同的氧化鋁基板，能防止由于燒成而產生翹曲。為了有效地排出可塑劑等成分，優(yōu)選增大孔14A、14B相對于基板11A、13A的面積，通過使其比例為0.06%以上，能充分地排出可塑劑等成分。但是，若該比例過大，則靜電應對部件30的機械強度變弱，因此，優(yōu)選為12%以下。
[0062]然后，也可以將燒成的層疊體浸潰于氫氧化鈉水溶液等堿性溶液中，對通孔20周邊的氧化鋅的一部分進行蝕刻。構成內部電極16的銀鈀層未被堿性溶液蝕刻。因此，這樣，能使內部電極從通孔20周邊的變阻層12A的壁面突出。其結果是，在通孔20中形成貫通電極15時，能進一步提高內部電極16和貫通電極15的連接性。
[0063]接著，如圖3E所示，通過在通孔20中填充銀鈀膏劑并進行燒成，而形成從基板11的下表面連接到基板13的上表面的貫通電極15。
[0064]接著，如圖3F所示，在基板IlA及基板13B的表面形成與貫通電極15相連接的外部電極17。外部電極17通過利用鍍銅形成圖案之后通過鍍敷形成鎳、金的層。此時，氧化鋅的層未露出到基板11A、13B的外周部分以外，因此，變阻層12A不會由于鍍敷而受到腐蝕
等影響。
[0065]接著，如圖3G所示，在設于基板13A表面的外部電極17上安裝半導體元件18。在半導體元件18的端子間連接有變阻層12A。因此，能防止由靜電等引起的半導體元件18的破壞。
[0066]最后，利用切割機將這樣地構成多個(η個)器件的前驅體單片化，從而能制作成圖3Η所示那樣安裝了半導體元件18的靜電應對部件30。
[0067]需要說明的是，在圖3D中，利用激光除去位于孔14Α與孔14Β之間的未燒成層19的一部分，但也可以利用除此以外的方法除去。例如，也可以應用噴射加工(微噴射)。
[0068]接著，說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的另一制造方法。圖4Α?圖4Η是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的另一制造方法的圖。
[0069]首先，如圖4Α所示，在基板IlA上形成多個孔14Α，并且在基板13上形成孔14Β。接著，如圖4Β所示，在基板11上形成用于形成變阻層12Α的未燒成層19。接著，如圖4C所不，在未燒成層19上重疊基板13并進行沖壓,從而將基板11、未燒成層19、基板13 —體化。以上的步驟與參照圖3Α?圖3C說明的步驟相同，因此，省略詳細的說明。
[0070]然后，將一體化的層疊體放入爐中，對未燒成層19進行熱處理，而形成變阻層12Α。在該情況下，未燒成層19所含有的可塑劑等成分也能通過孔14Α、14Β排出。
[0071]接著，如圖4D所示，將燒成的層疊體浸潰于氫氧化鈉水溶液等堿性溶液中，對位于孔14Α與孔14Β之間的變阻層12Α的氧化鋅進行蝕刻。利用該操作，形成從孔14Α連接到孔14Β的通孔20。在該情況下，內部電極16用的圖案優(yōu)選為在從層疊方向看時相對于為了形成連接的貫通電極而設置的孔14Α、14Β重合的面積為孔14Α、14Β的面積的1/3以下。這樣，能順利地對變阻層12Α中的氧化鋅進行蝕刻，并且成為內部電極16從氧化鋅的層突出的形狀。因此，能提高貫通電極15與內部電極16的連接性。
[0072]需要說明的是，為了形成通孔20，也可以如參照圖3D說明的那樣，通過孔14A、14B照射激光。利用這樣的方法，也能除去孔14A與孔14B之間的變阻層12A，形成通孔20。在該情況下，如參照圖3D說明的那樣，內部電極16用的圖案優(yōu)選形成為在從層疊方向看時覆蓋用于形成連接的貫通電極15而設置的孔14A、14B。這樣，能提高內部電極16與貫通電極15的連接性。
[0073]接著，如圖4E所示，通過在通孔20中填充銀鈀膏劑并進行燒成，而形成貫通電極15。然后，如圖4F所示，在基板IlA及基板13A的表面形成與貫通電極15相連接的外部電極17。另外，如圖4G所示，在設于基板13A的表面的外部電極17上安裝半導體元件18。最后，通過利用切割機單片化，能制作圖4H所示的、安裝了半導體元件18的靜電應對部件30。圖4E?圖4H的步驟與圖3E?圖3H的步驟相同，因此，省略詳細的說明。
[0074]接著，說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的又一制造方法。圖5A?圖5H是說明本發(fā)明的實施方式的靜電應對部件的又一制造方法的圖。
[0075]首先，如圖5A所示，準備厚度約0.14mm的氧化鋁板即基板11A。在基板IlA上未設置貫通孔。
[0076]接著，如圖5B所示，在基板IIA上形成未燒成層19。未燒成層19的詳細內容見前述。
[0077]接著，如圖5C所示，在未燒成層19上重疊基板13A并進行沖壓，從而形成將基板11A、未燒成層19、基板13A—體化了的層疊體。需要說明的是，基板13A與基板IlA相同，未設置貫通孔。這樣，由于未在基板11A、13A上設置貫通孔，因此，不需要進行貫通孔的對位。因此，也不會產生位置偏移，也能簡化工序。
[0078]接著，如圖所示，通過照射激光，而形成貫通基板11A、未燒成層19、基板13A的通孔20。
[0079]然后，將層疊體放入爐中，對未燒成層19進行熱處理，形成變阻層12A。然后，如圖5E所示，在通孔20中填充銀鈀膏劑并進行燒成，從而形成從基板IlA的表面連接到基板13A的貫通電極15。
[0080]接著，如圖5F所示，在基板11及基板13的表面形成與貫通電極15相連接的外部電極17。另外，如圖5G所示，在設于基板13的表面的外部電極17上安裝半導體元件18。最后，通過利用切割機單片化，能制作圖5H所示的、安裝了半導體元件18的靜電應對部件30。圖5E?圖5H的步驟與圖3E?圖3H的步驟相同，因此，省略詳細的說明。
[0081 ] 在以上的制造方法中，基板IIA的厚度與基板13A的厚度相同，但也可以如參照圖1說明的那樣，使安裝發(fā)光二極管一側的基板IIA (基板11)的厚度比基板13A (基板13)厚。這樣，能提高安裝發(fā)光二極管的面的反射率。
[0082]另外，在以上的說明中，使用平面尺寸為基板11的η倍的基板IlA和平面尺寸為基板13的η倍的基板13Α構成η個靜電應對部件30之后分為單片。該方法的生產率優(yōu)異。但是，也可以使用基板11、13同樣地制作單獨的靜電應對部件30。
[0083]工業(yè)實用性
[0084]根據(jù)本發(fā)明，能制作翹曲較少、熱傳導性優(yōu)異的靜電應對部件，在工業(yè)上有用。
[0085]符號說明[0086]11第一高熱傳導基板
[0087]IlA第一高熱傳導大基板
[0088]12U2A 變阻層
[0089]13第二高熱傳導基板
[0090]13A第二高熱傳導大基板
[0091]14AU4B 貫通孔
[0092]15貫通電極
[0093]16內部電極
[0094]17外部電極
[0095]18半導體元件
[0096]19未燒成層
[0097]20 通孔
[0098]30靜電應對部件
【權利要求】
1.一種靜電應對部件，其中，包括: 第一高熱傳導基板，其設有兩個第一貫通孔； 第二高熱傳導基板，其設有兩個第二貫通孔； 變阻層，其設于所述第一高熱傳導基板與所述第二高熱傳導基板之間，在內部具有彼此絕緣的一對內部電極,且以氧化鋅為主要成分； 第一貫通電極，其貫通所述變阻層，以填埋的方式連接所述第一貫通孔的一方和所述第二貫通孔的一方，并且與所述內部電極的一方相連接； 第二貫通電極，其貫通所述變阻層，以填埋的方式連接所述第一貫通孔的另一方和所述第二貫通孔的另一方，并且與所述內部電極的另一方相連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的靜電應對部件，其中， 所述第一貫通電極、第二貫通電極在所述第一高熱傳導基板的面方向上配置于最遠離的位置。
3.根據(jù)權利要求1所述的靜電應對部件,其中， 所述第一高熱傳導基板、第二高熱傳導基板的平面形狀為四邊形，所述第一貫通電極、第二貫通電極配置于所述第一高熱傳導基板的對角位置。
4.根據(jù)權利要求1所述的靜電應對部件,其中， 所述一對內部電極分別為包圍所述第一貫通電極、第二貫通電極中的未連接的一方的形狀。
5.一種靜電應對部件的制造方法，其中，包括: 在設有多個第一貫通孔的第一高熱傳導基板上形成用于形成變阻層的未燒成層的步驟，所述變阻層在內部具有彼此絕緣的一對內部電極，且以氧化鋅為主要成分； 在所述未燒成層的與所述第一高熱傳導基板相反的一側貼合設有多個第二貫通孔的第二高熱傳導基板的步驟； 通過除去位于所述第一貫通孔與第二貫通孔之間的所述未燒成層的一部分，從而形成貫通所述第一高熱傳導基板、所述未燒成層、所述第二高熱傳導基板的通孔的步驟； 在形成所述通孔之后，通過對所述未燒成層進行燒成而形成被所述第一高熱傳導基板和所述第二高熱傳導基板夾著的變阻層、以及在所述變阻層的內部彼此絕緣的一對內部電極的步驟； 通過在所述通孔中填充金屬而形成分別與所述一對內部電極相連接的第一貫通電極、第二貫通電極的步驟； 在所述第一高熱傳導基板上及所述第二高熱傳導基板上分別形成與所述第一貫通電極、第二貫通電極相連接的外部電極的步驟。
6.一種靜電應對部件的制造方法，其中，包括: 在設有多個第一貫通孔的第一高熱傳導基板上形成用于形成變阻層的未燒成層的步驟，所述變阻層在內部具有彼此絕緣的一對內部電極，且以氧化鋅為主要成分； 在所述未燒成層的與所述第一高熱傳導基板相反的一側貼合設有多個第二貫通孔的第二高熱傳導基板的步驟； 通過對所述未燒成層進行燒成而形成被所述第一高熱傳導基板和所述第二高熱傳導基板夾著的變阻層、以及在所述變阻層的內部彼此絕緣的一對內部電極的步驟；通過除去位于所述第一貫通孔與所述第二貫通孔之間的變阻層的一部分，從而形成貫通所述第一高熱傳導基板、所述變阻層、所述第二高熱傳導基板的通孔的步驟； 通過在所述通孔中填充金屬而形成分別與所述一對內部電極相連接的第一貫通電極、第二貫通電極的步驟； 在所述第一高熱傳導基板上及所述第二高熱傳導基板上分別形成與所述第一貫通電極、第二貫通電極相連接的外部電極的步驟。
7.一種靜電應對部件的制造方法，其中，包括: 將第一高熱傳導基板、用于形成變阻層的未燒成層、第二高熱傳導基板依次貼合而制作層疊體的步驟，所述變阻層在內部具有彼此絕緣的一對內部電極，且以氧化鋅為主要成分； 對所述層疊體照射激光而形成貫通所述第一高熱傳導基板、所述未燒成層、所述第二高熱傳導基板的多個通孔的步驟； 通過對所述未燒成層進行燒成而形成被所述第一高熱傳導基板和所述第二高熱傳導基板夾著的變阻層、以及在所述變阻層的內部彼此絕緣的一對內部電極的步驟； 通過在所述通孔中填充金屬而形成分別與所述一對內部電極相連接的第一貫通電極、第二貫通電極的步驟； 在所述第一高熱傳導基板上及所述第二高熱傳導基板上分別形成與所述第一貫通電極、第二貫通電極相連接的外 部電極的步驟。
【文檔編號】H01C7/10GK103477402SQ201280018811
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年4月16日 優(yōu)先權日:2011年4月26日
【發(fā)明者】阿部雄一, 岡謙次, 阿部冬希, 三浦和裕, 綱澤干典, 宮川淳美, 千秋考弘, 山岸裕司, 大槻淳 申請人:松下電器產業(yè)株式會社