專利名稱：一種高功率led芯片的封裝機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于燈具結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
全球氣候暖化造成地球環(huán)境的重大傷害，節(jié)能減排便成為全體的責(zé)任，故LED燈逐漸取代了傳統(tǒng)的鎢絲燈泡和熒光燈泡并成為主要照明燈，而用于LED燈的LED芯片轉(zhuǎn)換效率也不斷在提高，目前，市場上的top系列貼片LED芯片封裝機(jī)構(gòu)的散熱性能不夠，只能承受小功率，還采用陶瓷作為基板、硅基板等材料制成，但成本均非常高，大量實(shí)施費(fèi)用高，不易推廣。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)中LED封裝結(jié)構(gòu)散熱性能低，可承載功率小，生產(chǎn)成本高，不易大量實(shí)施推廣的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，包括支架，其特征在于所述支架腔體內(nèi)設(shè)有正極板、負(fù)極板及填平支架腔體的熒光膠，所述正、負(fù)極板與支架一體相連，所述負(fù)極板的上方設(shè)有LED芯片，所述LED芯片的正、負(fù)極分別通過導(dǎo)線連接到正、負(fù)極板上，所述LED芯片的上方設(shè)有一次光學(xué)鏡片。前述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述支架的長度在3. 2-3. 6mm之間，寬度在2. 6-3. Omm之間。前述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述支架的長度為3. 4mm,寬度為2. 8mm。前述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述正、負(fù)極板采用無氧銅材質(zhì)制成，且負(fù)極板面積占所述支架底面積的3/4。前述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)線采用合金材質(zhì)制成。前述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu),其特征在于所述一次光學(xué)鏡片為娃膠注塑模壓而成的半球形狀。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型加厚加大了 LED芯片連接的負(fù)極板，增加了散熱接觸面，LED芯片以導(dǎo)熱粘貼材料或金屬共金粘接在負(fù)極板上，LED芯片產(chǎn)生的熱量能夠均勻經(jīng)負(fù)極板傳到載體散熱，提高了 LED芯片封裝的散熱性能，且支架上還設(shè)有以模壓技術(shù)做出半圓形的硅膠質(zhì)一次光學(xué)鏡片，能夠增大LED芯片的照明角度，由于正、負(fù)極板采用無氧銅材質(zhì)制成，成本還較低，而且體型小巧、設(shè)計(jì)簡單、容易實(shí)現(xiàn)，具有良好的應(yīng)用前
旦
ο

[0012]圖I是本實(shí)用新型的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)的俯視圖。圖2是本實(shí)用新型的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)的剖面圖。圖3是本實(shí)用新型的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)的底面圖。附圖標(biāo)號的含義如下I :支架；2 :負(fù)極板；3 :正極板；4 LED芯片；5 :導(dǎo)線；6 :—次光學(xué)鏡片；7 :突光膠。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合說明書附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。如圖I所示，一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，包括支架1，其的長度在
3.2-3. 6mm之間，寬度在2. 6-3. Omm之間，優(yōu)選長度3. 4mm,寬度2. 8mm,誤差不超過O. 2mm,支架I腔體內(nèi)設(shè)有正極板3、負(fù)極板2及填平腔體內(nèi)的熒光膠7，支架I是將正極板3和負(fù)極板2放入支架I腔體內(nèi)以夾持射出而成，正極板3和負(fù)極板2均為無氧銅材質(zhì)，且負(fù)極板2進(jìn)行加厚加大處理，使得負(fù)極板2占支架I底面積的3/4，增加了 LED芯片與下方散熱接觸面，負(fù)極板2上方設(shè)有LED芯片4，LED芯片4的正、負(fù)極分別通過導(dǎo)線連接到正、負(fù)極板上，LED芯片4以導(dǎo)熱粘貼材料或金屬共金粘在負(fù)極板2上，產(chǎn)生的熱可均勻經(jīng)負(fù)極板2傳到載體散熱，提高了 LED封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能，兩根合金材質(zhì)的導(dǎo)線5將LED芯片4的正負(fù)電極分別導(dǎo)入正負(fù)極板3和2上，將熒光膠7填入支架I腔體內(nèi)，并填平，最后再將支架I放入模壓模具內(nèi)，將一次光學(xué)鏡片6以硅膠注塑模壓的方式成半圓形，完成高功率LED芯片的封裝，散熱性能好，可承載功率高，體型小巧，生產(chǎn)成本低，可大量實(shí)施推廣，設(shè)計(jì)簡單，容易實(shí)現(xiàn)，具有良好的應(yīng)用前景。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征及優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，包括支架，其特征在于所述支架腔體內(nèi)設(shè)有正極板、負(fù)極板及填平支架腔體的熒光膠，所述正、負(fù)極板與支架一體相連，所述負(fù)極板的上方設(shè)有LED芯片，所述LED芯片的正、負(fù)極分別通過導(dǎo)線連接到正、負(fù)極板上，所述LED芯片的上方設(shè)有一次光學(xué)鏡片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述支架的長度在3. 2-3. 6mm之間，寬度在2. 6-3. Omm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述支架的長度為3. 4mm,寬度為2. 8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述正、負(fù)極板采用無氧銅材質(zhì)制成，且負(fù)極板面積占所述支架底面積的3/4。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)線采用合金材質(zhì)制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu),其特征在于所述一次光學(xué)鏡片為硅膠注塑模壓而成的半球形狀。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，包括支架，所述支架腔體內(nèi)設(shè)有正極板、負(fù)極板及填平支架腔體的熒光膠，所述正、負(fù)極板與支架一體相連，所述負(fù)極板的上方設(shè)有LED芯片，所述LED芯片的正、負(fù)極分別通過導(dǎo)線連接到正、負(fù)極板上，所述LED芯片的上方設(shè)有一次光學(xué)鏡片。本實(shí)用新型的高功率LED芯片的封裝機(jī)構(gòu)，通過加厚加大了LED芯片連接的負(fù)極板，增加了散熱接觸面，提高了LED芯片封裝的散熱性能，且支架上還設(shè)有以模壓技術(shù)做出半圓形的硅膠質(zhì)一次光學(xué)鏡片，能夠增大LED芯片的照明角度，散熱性能好、體型小巧、設(shè)計(jì)簡單、容易實(shí)現(xiàn)，具有良好的應(yīng)用前景。
文檔編號H01L33/48GK202797064SQ20122038757
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月7日
發(fā)明者傅立銘 申請人:蘇州金科信匯光電科技有限公司